JP2011119126A - 電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】漏れ電流を抑制し、漏れ電流による電力消費を低減すること。
【解決手段】活性層１１ｃを含む基板１１と、活性層の表面に形成される信号電極ＳＬと、活性層の表面に形成され、グランド接続される第１の駆動電極１４と、活性層の表面に形成される第１の部分１５ａ，１５ｃと、第１の部分に接続され、第１の駆動電極の上方に位置する第２の部分１５ｂと、を含む第２の駆動電極１５と、を備え、基板１１には、活性層１１ｃを貫通し且つ第１の部分１５ａ，１５ｃを包囲する環状の溝部２２，２３が形成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、絶縁層の上に活性層が設けられた基板の表面に形成された電子デバイスに関する。

従来より、携帯電話の高周波部品（ＲＦ部品）に対する小型化・高性能化の要求に応えるため、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いた高周波用（ＲＦ用）のスイッチであるＭＥＭＳスイッチの開発が行われている。ＭＥＭＳスイッチは、従来からある半導体スイッチと比べて損失が低く絶縁性が高いこと、また歪み特性がよいことなどが特長である。

従来においては、種々の構造のＭＥＭＳスイッチが提案されている（特許文献１〜３）。

図１１は従来のＭＥＭＳスイッチ８０ｊの平面図、図１２はＭＥＭＳスイッチ８０ｊの断面図である。なお、図１２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、それぞれ、図１１に示すＭＥＭＳスイッチ８０ｊのＪ１−Ｊ１線断面矢視図、Ｊ２−Ｊ２線断面矢視図、Ｊ３−Ｊ３線断面矢視図である。

図１１および図１２において、ＭＥＭＳスイッチ８０ｊは、基板８１、基板８１上に形成された下部コンタクト電極８２、上部コンタクト電極８３、下部駆動電極８４、上部駆動電極８５、およびグランド電極８６などからなる。下部コンタクト電極８２および下部駆動電極８４は、カンチレバーを構成する可動部ＫＢに一体に設けられる。

基板８１としてＳＯＩ基板が用いられる。可動部ＫＢは、ＳＯＩ基板の活性層がスリットＳＴにより切り離されて形成される。活性層の上に、下部コンタクト電極８２および下部駆動電極８４が、メッキによって形成される。

下部コンタクト電極８２および上部コンタクト電極８３は、高周波信号線として用いられる。高周波信号線は、その両側に設けられた上部駆動電極８５およびグランド電極８６とともにコプレナー配線構造を構成し、これにより低い伝播損失が得られる。

上部駆動電極８５はグランド接続されており、これと下部駆動電極８４との間に駆動電圧ＶＤを印加することにより、それらの間に静電引力が発生し、下部駆動電極８４が上部駆動電極８５に吸引されて移動する。これにより、下部駆動電極８４と一体となった可動部ＫＢおよび下部コンタクト電極８２が移動し、下部コンタクト電極８２が上部コンタクト電極８３に当接して接点が閉じる。駆動電圧ＶＤを０にすると、可動部ＫＢの弾性によって接点が離れた状態に戻る。

特表２００５−５２８７５１ 特開２００５−２９３９１８ 特開２００６−２１０５３０

上に述べた従来の構造のＭＥＭＳスイッチ８０ｊでは、下部駆動電極８４に駆動電圧を印加したとき、下部駆動電極８４から高周波信号線である下部コンタクト電極８２に、可動部ＫＢの活性層を介して漏れ電流Ｉａが流れる。

漏れ電流Ｉａは、可動部ＫＢを高抵抗シリコンで形成した場合であっても、駆動電圧ＶＤが４０Ｖの場合に例えば１０μＡ程度となる。この場合に漏れ電流Ｉａによる電力消費は４００μＷとなる。この電力消費は、例えば携帯端末などにおいて無視できない大きさである。

また、漏れ電流Ｉａは高周波信号線の接点にも流れることとなり、これが接点スティッキング不良の一因ともなることが考えられる。

本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、漏れ電流を抑制し、漏れ電流による電力消費を低減することを目的とする。

ここに述べる実施形態の電子デバイスによると、活性層を含む基板と、前記活性層の表面に形成される信号電極と、前記活性層の表面に形成され、グランド接続される第１の駆動電極と、前記活性層の表面に形成される第１の部分と、前記第１の部分に接続され、前記第１の駆動電極の上方に位置する第２の部分と、を含む第２の駆動電極と、を備え、前記基板には、前記活性層を貫通し且つ前記第１の部分を包囲する環状の溝部が形成されている。

本発明によると、漏れ電流を抑制し、漏れ電流による電力消費を低減することができる。

第１の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの平面図である。 図１のＭＥＭＳスイッチの各部の断面図である。 ＭＥＭＳスイッチの漏れ電流の測定方法を説明する図である。 第１の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの変形例を示す平面図である。 ＭＥＭＳスイッチの周波数特性を示す図である。 ＭＥＭＳスイッチの周波数特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの平面図である。 本発明の第３の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの平面図である。 本発明の第４の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの平面図である。 本発明の第５の実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの平面図である。 従来のＭＥＭＳスイッチの平面図である。 従来のＭＥＭＳスイッチの断面図である。

以下に種々の実施形態について説明するが、以下に説明する実施形態は例示であり、その構造、形状、寸法、材料などについて種々変更することが可能である。
〔第１の実施形態〕
まず、第１の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１について、図１〜図６を参照して説明する。なお、図２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、それぞれ、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１のＡ−Ａ線断面矢視図、Ｂ−Ｂ線断面矢視図、Ｃ−Ｃ線断面矢視図である。

なお、図１および図３において、各部の形状を分かりやすくするために、断面でない部分にもハッチングを施してある。

図１〜図２において、ＭＥＭＳスイッチ１は、高周波用ＭＥＭＳスイッチ（ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチ）である。ＭＥＭＳスイッチ１は、基板１１、下部コンタクト電極１２、上部コンタクト電極１３、下部駆動電極１４、上部駆動電極１５、およびグランド電極１６などからなる。

基板１１は、支持基板１１ａ、中間酸化膜１１ｂ、および活性層１１ｃからなる３層のＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板である。支持基板１１ａは、シリコンからなり、厚さは例えば５００μｍ程度である。中間酸化膜１１ｂは、ＳｉＯ2 からなる絶縁層であり、厚さは例えば４μｍ程度である。活性層１１ｃは、シリコン薄膜であり、厚さは例えば１５μｍ程度である。ＳＯＩ基板のシリコンの抵抗率は１０００Ωｃｍ程度以上である。

活性層１１ｃには、平面視（正面視）で略コ字形の大小２つのスリット２１（スリット２１ａ，２１ｂ）が設けられ、これによって可動部ＫＢが形成される。可動部ＫＢを含む領域に対応した中間酸化膜１１ｂは除去されて空間ＫＫとなっている。したがって、可動部ＫＢは、スリット２１が設けられていない部分を支点とするカンチレバーを構成し、支点とは反対側の端縁部が図２（Ａ）における上下方向に移動することが可能である。可動部ＫＢの表面に、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４が密着して形成されている。

図２（Ａ）によく示されるように、上部駆動電極１５は、活性層１１ｃに密着して形成された電極基部１５ａ，１５ｃ、および、電極基部１５ａ，１５ｃに支持されて可動部ＫＢの上方を跨ぐようにブリッジを形成する電極対向部１５ｂからなる。電極対向部１５ｂは、下部駆動電極１４の矩形の部分に対して、その上方において対向する。

基板１１の活性層１１ｃには、上部駆動電極１５の電極基部１５ａ，１５ｃをそれぞれ取り囲んで包囲するように、略矩形のスリット２２，２３がそれぞれ設けられている。

図１および図２で分かるように、スリット２２，２３は、活性層１１ｃを貫通して形成された環状の溝部である。スリット２２，２３は、幅が数μｍ程度、例えば２μｍ程度である。つまり、本実施形態において、スリット２２，２３の部分には活性層１１ｃがなく、中間酸化膜１１ｂが露出した状態である。スリット２２，２３によって、電極基部１５ａ，１５ｃが、下部コンタクト電極１２、上部コンタクト電極１３、および下部駆動電極１４などに対して高い絶縁抵抗によって絶縁されている。

なお、スリット２２は、大きいスリット２１ａと共通の領域を有する。スリット２３は、小さいスリット２１ｂと共通の領域を有する。すなわち、小さいスリット２１ｂは、スリット２３の一部として形成されている。しかし、スリット２２，２３は、スリット２１とは別個に形成してもよい。

上部コンタクト電極１３は、下部コンタクト電極１２の上方において対向するように設けられた接点部ＳＴを有する。下部コンタクト電極１２と上部コンタクト電極１３の接点部ＳＴとの間で開閉可能な接点が形成されており、可動部ＫＢが上方へ撓んで下部コンタクト電極１２が接点部ＳＴに当接することによって接点が閉じる。下部コンタクト電極１２と上部コンタクト電極１３とによって高周波信号線ＳＬが形成されており、接点が閉じたときには、この高周波信号線ＳＬを高周波信号が通過する。上部駆動電極１５は、高周波信号線ＳＬに対して平行に設けられている。

グランド電極１６（グランド電極１６ａ〜ｄ）は、下部コンタクト電極１２、上部コンタクト電極１３、下部駆動電極１４、および上部駆動電極１５などからなるデバイスの全体を包囲するように、基板１１の上に方形枠状に形成される。グランド電極１６の１つの辺部１６ａは、高周波信号線ＳＬに対して平行に設けられている。

なお、下部コンタクト電極１２、上部コンタクト電極１３、下部駆動電極１４、上部駆動電極１５、およびグランド電極１６の材料として、金属材料、例えば金（Ａｕ）が用いられる。下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４は、例えばスパッタリングによって、厚さ０．５μｍ程度に形成される。上部コンタクト電極１３、上部駆動電極１５、およびグランド電極１６は、例えばメッキによって、厚さ（高さ）２０μｍ程度に形成される。

また、図１において、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４は、それらの全体がスパッタリングによって形成される厚さの薄い層として表されているが、必要に応じて、電極接続のためのアンカー部を形成してもよい。

各電極または電極のアンカー部には、図３に示されるように、必要に応じてバンプ１９（バンプ１９ａ〜ｅ）が形成される。バンプ１９は、金属材料、例えば金によって、最大直径が例えば６０μｍ程度、長さが例えば１００μｍ程度に形成される。バンプ１９は、各電極またはアンカー部の上面に、超音波による溶着または融着などによって固定される。

図３に示すように、下部駆動電極１４およびグランド電極１６は、グランド電位に接続（グランド接続）される。下部駆動電極１４に対向する上部駆動電極１５には、プラスまたはマイナスの駆動電圧ＶＤが印加される。

なお、上部駆動電極１５は、直流または比較的低い周波数に対しては、グランド電位との間に十分に高いインピーダンスに保たれている。したがって、上部駆動電極１５に駆動電圧ＶＤが印加されても、そのインピーダンスによる電力消費は０かまたは極めて少ない。しかし、上部駆動電極１５は、高周波信号に対しては、グランド電極１６などとの間の浮遊容量などによって十分に低いインピーダンスとなっている。

これにより、高周波信号線ＳＬは、グランド電極１６の１つの辺部１６ａおよび上部駆動電極１５とともに、コプレナー配線構造（ＣＰＷ）を構成しており、これにより伝播損失が低くなるように抑えられている。このように、グランド電極１６の存在によって高周波信号線ＳＬのインピーダンス整合が図られている。これによってＭＥＭＳスイッチ１の小型化を図ることが可能である。

なお、上部駆動電極１５とグランド電極１６との間などにキャパシタンスを接続し、それらの間の高周波に対するインピーダンスを低下させるようにしてもよい。

次に、第１の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１の変形例であるＭＥＭＳスイッチ１ｈを説明する。

図４に示すように、ＭＥＭＳスイッチ１ｈは、図３に示すＭＥＭＳスイッチ１において、グランド電極１６の３つの辺部１６ｂ〜ｄを削除したものである。つまり、ＭＥＭＳスイッチ１ｈにおいては、図１に示す方形枠状のグランド電極１６に代えて、直線状の辺部１６ａがグランド電極１６ｈとなっている。グランド電極１６ｈの他の部分の構造については、第１の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１と同じである。

次に、ＭＥＭＳスイッチ１の製造方法について簡単に説明する。

まず、基板１１として、例えばＳＯＩウェハの基板を準備する。基板１１は、図２において説明したように、支持基板１１ａ、中間酸化膜１１ｂ、および活性層１１ｃからなる。活性層１１ｃの表面に、密着層としてクロムを５０ｎｍ程度の厚さに、続けて金を５００ｎｍ程度の厚さに、それぞれスパッタ成膜する。これをフォトリソグラフィおよびイオンミリングによって加工し、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４を同時形成する。

次に、活性層１１ｃに、大小２つのコ字形の２μｍ程度の幅のスリット２１ａ，２１ｂを、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により加工し、カンチレバーの部分を形成する。これと同時に、電極基部１５ａ，１５ｃをそれぞれ取り囲むように、２μｍ程度の幅のスリット２２，２３を、同じＤｅｅｐ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により加工して形成する。さらに、プラズマＣＶＤによって二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を５μｍ程度の厚さで成膜して犠牲層とする。

次に、フォトリソグラフィおよびＲＩＥによって、犠牲層をエッチングする。このときに、接点部ＳＴとアクチュエータ部では犠牲層を所望の厚さまでハーフエッチングし、アンカー部、電極基部１３ａ，１５ａ，１５ｃなどに対応する部分では犠牲層を全て除去する。

そして、メッキ形成を行うためのシード層をスパッタ成膜する。シード層は下層が５０ｎｍ程度の厚さのモリブデン、上層が３００ｎｍ程度の厚さの金からなる。次に、メッキ法（鍍金法）によって、金のメッキ膜を２０μｍ程度の厚さに形成する。このとき、グランド電極１６は、カンチレバーおよび高周波信号線ＳＬなどを全て取り囲む形状に形成する。

なお、ＭＥＭＳスイッチ１ｈの場合は、グランド電極１６に代えて、グランド電極１６ｈを形成する。

次に、メッキで覆われていない部分のシード層をイオンミリングおよびＲＩＥで除去する。そして、犠牲層およびカンチレバーの下部の中間酸化膜１１ｂを、フッ酸を用いたエッチングにより除去し、空間ＫＫを形成する。さらに、上部コンタクト電極１３から突出した接点部ＳＴの表面に露出したシード層の下層のモリブデンを、ウェットエッチングによって除去する。また、必要に応じてバンプ１９を溶着などによって取り付ける。

なお、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４は可動電極の例であり、上部コンタクト電極１３および上部駆動電極１５は固定電極の例である。

次に、上のように形成されたＭＥＭＳスイッチ１およびＭＥＭＳスイッチ１ｈの漏れ電流Ｉａについて説明する。

図１に示すＭＥＭＳスイッチ１では、駆動電圧ＶＤを４０Ｖとしたときに、漏れ電流Ｉａは０．１μＡ程度以下である。したがって、これによる電力消費は４μＷ程度以下であり、極めて少ない。この電力消費は、例えば携帯端末などにおいても無視することが可能な程度である。

また、図４に示すＭＥＭＳスイッチ１ｈにおいても、駆動電圧ＶＤを４０Ｖとしたときの漏れ電流Ｉａは０．１μＡ程度以下であり、これによる電力消費は４μＷ程度以下と極めて少ない。

すなわち、図１１に示す従来の構造のＭＥＭＳスイッチでは漏れ電流Ｉａが１０μＡ程度であり電力消費が４００μＷ程度であるのと比較して、漏れ電流Ｉａおよびそれによる電力消費が大幅に低減されている。

また、従来の構造のＭＥＭＳスイッチでは、漏れ電流Ｉａが接点部にも流れることによって、接点スティッキング不良の一因ともなることがあった。つまり、駆動電圧ＶＤを０にしても、下部コンタクト電極が接点部から離れず張りついたままになることがあった。

これに対し、本実施形態のＭＥＭＳスイッチ１，１ｈでは、漏れ電流Ｉａが大幅に低減されたことによって、接点部ＳＴにはそのような電流が流れないので、接点スティッキング不良の発生するおそれはほとんどない。

次に、上のように形成されたＭＥＭＳスイッチ１およびＭＥＭＳスイッチ１ｈの特性について説明する。

図５および図６において、横軸は周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は挿入損失（左目盛り）およびアイソレーション（右目盛り）である。なお、アイソレーションは、接点部ＳＴが離れた状態における接点部ＳＴの絶縁性を示す。

図５において、曲線ＣＡ１，ＣＢ１は、それぞれ、図１１に示す従来の構造のＭＥＭＳスイッチの挿入損失、アイソレーションを示す。曲線ＣＡ２，ＣＢ２は、それぞれ、図４に示す変形例のＭＥＭＳスイッチ１ｈの挿入損失、アイソレーションを示す。

図５で分かるように、図４に示すＭＥＭＳスイッチ１ｈでは、挿入損失およびアイソレーションにおいて、従来の構造のＭＥＭＳスイッチよりも特性が若干低下する。例えば、周波数が１０ＧＨｚでは、従来の構造のＭＥＭＳスイッチでは挿入損失が０．３ｄＢであるが、図４のＭＥＭＳスイッチ１ｈでは０．５６ｄＢとなる。これは、ＭＥＭＳスイッチ１ｈでグランド電極１６ｈが枠状ではないため、完全なコプレナー配線構造とならないことに原因の１つがあると考えられる。

しかし、この程度の特性であれば、実用上問題ない場合も多い。したがって、ＭＥＭＳスイッチ１ｈは、漏れ電流Ｉａが大幅に低減された高周波用ＭＥＭＳスイッチとして使用可能である。

そして、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１では、枠状のグランド電極１６が設けられており、ほぼ完全なコプレナー配線構造になると考えられ、挿入損失、アイソレーションともに改善される。

すなわち、図６において、曲線ＣＡ３，ＣＢ３は、それぞれ、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１の挿入損失、アイソレーションを示す。

図６で分かるように、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１では、周波数が１０ＧＨｚで挿入損失が０．３ｄＢであり、図１１に示す従来の構造のＭＥＭＳスイッチと同等である。また、アイソレーションについても、図１に示すＭＥＭＳスイッチ１は従来の構造のＭＥＭＳスイッチと同等である。

このように、第１の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１，１ｈによると、漏れ電流Ｉａを抑制し、漏れ電流Ｉａによる電力消費を低減することができる。また、漏れ電流Ｉａによる接点スティッキング不良の発生するおそれがほとんどないので、動作が安定する。また、漏れ電流Ｉａが低減されるので、それによる発熱が少なくなり、一層の小型化を図ることが可能である。
〔第２の実施形態〕
次に、第２の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｂについて説明する。

第２の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｂにおいて、第１の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１と同様の部分については同じ符号を付し、説明を省略しまたは簡略化する。第３の実施形態以下においても同様である。

図７に示すＭＥＭＳスイッチ１Ｂにおいて、グランド電極１６Ｂは、高周波信号線ＳＬに近い辺部１６Ｂａが内側に張出て下部コンタクト電極１２に近づいている。

すなわち、下部コンタクト電極１２は、可動部ＫＢに密着して形成された細長くて薄い電極部１２ａ、および電極部１２ａの一端部の上に形成されたアンカー部１２ｂからなる。

電極部１２ａは、アンカー部１２ｂに比べて幅が狭いので、グランド電極１６の辺部１６Ｂａが直線状のままである場合には、それらの間の距離が均等にならず、インピーダンスに不整合が生じる可能性がある。これを改善するために、辺部１６Ｂａの内側に張出し部１６１が設けられ、上部コンタクト電極１３および下部コンタクト電極１２との間の距離が均等になっている。

つまり、張出し部１６１の端縁と電極部１２ａの端縁との間の距離と、辺部１６Ｂａの張出し部１６１以外の部分の端縁とアンカー部１２ｂおよび上部コンタクト電極１３の端縁との間の距離とが、ほぼ同じとなっている。

換言すれば、グランド電極１６Ｂは、下部コンタクト電極１２および上部コンタクト電極１３に沿った部分において、下部コンタクト電極１２および上部コンタクト電極１３との間隔がほぼ同じになるよう、下部コンタクト電極１２および上部コンタクト電極１３の形状に応じた形状に形成されている。

これによって、ＭＥＭＳスイッチ１Ｂでは、高周波信号線ＳＬにおけるインピーダンス整合がより一層図られ、挿入損失が一層低減される。
〔第３の実施形態〕
次に、第３の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｃについて説明する。

図８に示すＭＥＭＳスイッチ１Ｃにおいて、グランド電極１６Ｃは、下部駆動電極１４に重なって形成され、これによって互いに電気的に接続されている。

すなわち、グランド電極１６Ｃには、辺部１６Ｃｂと辺部１６Ｃｃとの接続部分の近辺において内側に張り出す張出し部１６２が設けられ、張出し部１６２が下部駆動電極１４の一部と重なって接続されている。

これによって、下部駆動電極１４を確実にグランド接続することができる。しかも、下部駆動電極１４をグランド接続するための専用のバンブ１９ｄ（図３参照）を省略して端子数および配線数を減少させることが可能である。

なお、張出し部１６２は、グランド電極１６Ｃをメッキにより形成するときに同時に形成すればよく、工程数の増加にはならない。
〔第４の実施形態〕
次に、第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｄについて説明する。

図９に示すＭＥＭＳスイッチ１Ｄにおいて、グランド電極１６Ｄは、スパッタリングによって厚さの薄い層として形成されている。

すなわち、第１〜第３の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１，１ｈ，１Ｂ，１Ｃでは、各グランド電極１６はメッキにより厚さ２０μｍ程度に形成した。しかし、第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｄでは、グランド電極１６Ｄはスパッタリングにより厚さ０．５μｍ程度に形成する。このようなグランド電極１６Ｄは、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４の形成と同時に形成することができる。

つまり、下部コンタクト電極１２、下部駆動電極１４、およびグランド電極１６Ｄは、互いに同じ層構成である。

グランド電極１６Ｄの厚さを薄くしたことにより、その材料となる金などの使用量が少なくなり、それだけ安価に製造することができる。
〔第５の実施形態〕
次に、第５の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｅについて説明する。

図１０に示すＭＥＭＳスイッチ１Ｅにおいて、グランド電極１６Ｅは、スパッタリングによって厚さの薄い層として形成されている。そして、グランド電極１６Ｅには、辺部１６Ｅｂと辺部１６Ｅｃとの接続部分の近辺において内側に張り出す張出し部１６３が設けられ、張出し部１６３が下部駆動電極１４の一部と一体的に連続して形成されている。つまり、下部駆動電極１４とグランド電極１６Ｅとが互いに接続されている。

すなわち、第５の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｅでは、グランド電極１６Ｅを第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｄの場合と同様に、スパッタリングにより厚さ０．５μｍ程度に形成する。そして、グランド電極１６Ｅを、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４の形成と同時に形成する。

グランド電極１６Ｅの厚さを薄くしたことにより、その材料となる金などの使用量が少なくなり、それだけ安価に製造することができる。しかも、下部駆動電極１４を確実にグランド接続することができる。下部駆動電極１４をグランド接続するための専用のバンブ１９ｄ（図３参照）を省略して端子数を減少させることが可能である。

下部コンタクト電極１２、下部駆動電極１４、およびグランド電極１６Ｅを同時に形成することができるので、工程数を低減することが可能である。

上に述べた第２〜第５の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｂ〜１Ｅにおいて、下部コンタクト電極１２および下部駆動電極１４に、電極接続のためのアンカー部を必要に応じて形成してもよい。

また、第２〜第５の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｂ〜１Ｅにおいて、第１の実施形態の変形例のＭＥＭＳスイッチ１ｈのように、方形枠状のグランド電極１６に代えて直線状の辺部１６ａをグランド電極としてもよい。

また、第３〜第５の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｃ〜１Ｅにおいて、第２の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１Ｂの辺部１６Ｂａに設けた張出し部１６１と同様な張出し部を設け、高周波信号線ＳＬにおける一層のインピーダンス整合を図ってもよい。

上に述べた第１、第２、第４の実施形態のＭＥＭＳスイッチ１，１ｈ、１Ｂ、１Ｄにおいて、下部コンタクト電極１２にバンプ１９ｄを設けた場合に、そのバンプ１９ｄは、下部コンタクト電極１２をグランド接続するためのグランド電極として機能する。なお、下部コンタクト電極１２をグランド接続するためのグランド電極を、バンプ１９ｄなどとは別に別途設けてもよい。

上に述べた第１〜第５の実施形態のいずれのＭＥＭＳスイッチ１，１ｈ、１Ｂ〜１Ｅにおいても、漏れ電流Ｉａを抑制し、漏れ電流Ｉａによる電力消費を低減することができる。

上に述べた各実施形態のＭＥＭＳスイッチ１、１ｈ、１Ｂ〜１Ｅにおいて、それらの各部または全体の構成、構造、形状、寸法、厚さ、個数、配置、材料、形成方法、形成順序などは、本発明の主旨に沿って適宜変更することができる。

上に述べた各実施形態では、高周波用のＭＥＭＳスイッチについて説明したが、ＭＥＭＳスイッチ以外の種々の電子デバイスにも適用することが可能である。

１、１ｈ、１Ｂ〜１Ｅ ＭＥＭＳスイッチ（電子デバイス）
１１ 基板
１１ａ 支持基板
１１ｂ 中間酸化膜（絶縁層）
１１ｃ 活性層
１２ 下部コンタクト電極（信号電極）
１３ 上部コンタクト電極（信号電極）
１４ 下部駆動電極（第１の駆動電極）
１５ 上部駆動電極（第２の駆動電極）
１５ａ，１５ｃ 電極基部（第１の部分）
１５ｂ 電極対向部（第２の部分）
１６ グランド電極
２１ スリット
２２，２３ スリット（溝部）

Claims (3)

1. 活性層を含む基板と、
   前記活性層の表面に形成される信号電極と、
   前記活性層の表面に形成され、グランド接続される第１の駆動電極と、
   前記活性層の表面に形成される第１の部分と、前記第１の部分に接続され、前記第１の駆動電極の上方に位置する第２の部分と、を含む第２の駆動電極と、を備え、
   前記基板には、前記活性層を貫通し且つ前記第１の部分を包囲する環状の溝部が形成されている電子デバイス。
2. 前記基板上に設けられ、前記信号電極および前記第１、第２の駆動電極を包囲するグランド接地されたグランド電極をさらに備える請求項１記載の電子デバイス。
3. 前記第１の駆動電極と前記グランド電極とは、前記基板上において電気的に接続されている請求項１または２記載の電子デバイス。

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