JP2011108773A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型の第1トランジスターと、前記半導体層に形成された第2トランジスターと、前記半導体層に形成された第3トランジスターと、を備え、前記第1トランジスターは、第1導電型の第1ソース又は第1ドレインを有し、前記第2トランジスターは、第1導電型の第2ソース又は第2ドレインを有し、前記第3トランジスターは、第2導電型の第3ソース又は第3ドレインを有し、前記第1ソース又は第1ドレインの一方と、前記第2ソース又は第2ドレインの一方とが電気的に接続され、前記第2ソース又は第2ドレインの他方と、前記第1トランジスターのボディ領域と、前記第3ソース又は第3ドレインの一方とが互いに電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
図18(a)及び(b)は、従来例に係るPD−SOI MISFET90の構成例を示す断面図である。なお、図18(a)では、図面の複雑化を回避するために層間絶縁膜の図示を省略している。
図18(a)及び(b)に示すように、このPD−SOI MISFET90は、BOX層91上のSOI層92の表面に形成されたゲート絶縁膜93と、ゲート絶縁膜93を介してSOI層92上に形成されたゲート電極94と、ゲート電極94の両側下のSOI層92に形成されたN型のソース95a又はドレイン95bと、ゲート電極94直下の領域のSOI層(即ち、ボディ領域)92に接続するP+層96と、を有する。
そこで、本発明のいくつかの態様は、このような事情に鑑みてなされたものであって、絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型のトランジスターにおいて、高いON/OFF比つまり低いS値と、安定動作を同時に実現できるようにした半導体装置の提供を目的とする。
〔半導体装置の構成例について〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の構成例を示す回路図である。図1に示すように、この半導体装置は、Nチャネル型の第1トランジスター10と、Nチャネル型の第2トランジスター20と、Pチャネル型の第3トランジスター30と、を含んで構成されている。これら第1トランジスター10、第2トランジスター20、第3トランジスター30は、それぞれBOX層上のSOI層に形成された部分空乏型のMISトランジスターである。ここで、BOX層は例えばシリコン酸化膜(SiO2)であり、SOI層は例えば単結晶のシリコン層(Si)である。或いは、SOI層は、例えばSiとSiGeとを積層した構造(即ち、Si−SiGe構造)等の、所謂歪シリコンであってもよい。
図2(a)〜図3(c)に示すように、第1トランジスター10は、BOX層1上のSOI層3上にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極11と、ゲート電極11の両側下(即ち、両側方の下)のSOI層3に形成されたN型のソース13及びドレイン15と、を有する。第2トランジスター20は、SOI層3上にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極21と、ゲート電極21の両側下のSOI層3に形成されたN型のソース23及びドレイン25と、を有する。第3トランジスター30は、SOI層3上にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極31と、ゲート電極31の両側下のSOI層3に形成されたP型のソース33及びドレイン35と、を有する。
図2(a)〜図3(c)に示すように、第1トランジスター10、第2トランジスター20、第3トランジスター30はその周囲をBOX層1上に形成された素子分離層(例えば、SiO2膜)7で囲まれている。この半導体装置では、例えば、第1トランジスター10のゲート電極11と、第2トランジスター20のゲート電極21と、第3トランジスター30のゲート電極31は、一つの連続した導電膜(例えば、不純物を含むことにより導電性を有するポリシリコン膜、又は、金属膜)により構成されており、この導電膜の素子分離層7上に引き出された部分上に例えば一つのコンタクト電極41aが設けられている。つまり、ゲート電極11、21、31は共通化されており、この共通化されたゲート電極11、21、31に対して、共通のコンタクト電極41aが設けられている。これにより、ゲート電極11、21、31に接続するコンタクト電極の数を減らすことができ、(各ゲート電極11、21、31に対して個々にコンタクト電極を設ける場合と比べて)素子面積を低減することができる。また、各ゲート電極11、21、31に対して、正バイアスVb1又は負バイアスVb2を同じタイミングで、同じ大きさで印加することができる。
図4は、第1トランジスター10、第2トランジスター20、第3トランジスター30の各々の伝達特性(即ち、Vg−Id特性)を模式的に示す図である。図4において、横軸はゲート電圧Vgを示し、縦軸はドレイン電流Idを示す。
図4に示すように、Nチャネル型の第1トランジスター10と、第2トランジスター20では、ドレイン電圧Vdが一定の条件下で、ゲート電圧Vgを例えば0[V]から正電位の方向へ変化させると、ドレイン電流Idもこれに応じて増加する。一方、Pチャネル型の第3トランジスター30では、ドレイン電圧Vdが一定の条件下で、ゲート電圧Vgを0[V]から正電位の方向へ変化させると、ドレイン電流Idはこれに応じて減少する。
上記の半導体装置では、第1トランジスター10がONのときは、第2トランジスター20がONになると共に第3トランジスター30がOFFになる。これにより、第1ボディ領域12を例えばVSS(あるいはGND)から電気的に切り離すことができ、第1トランジスター10をボディバイアス構造とする(即ち、ボディ電位にバイアスを与える)ことができる。また、第1トランジスター10のドレイン15からソース13に流れるべきオン(ON)電流の一部を、第2トランジスター20のチャネルを経由して、第1トランジスター10の第1ボディ領域12と、第2トランジスター20の第2ボディ領域22とに流れ込ませることができる。
一方、第1トランジスター10がOFFのときは、第2トランジスター20がOFFになると共に第3トランジスター30がONになるため、第1トランジスター10をボディコンタクト構造とする(即ち、ボディ電位を固定する)ことができる。第1トランジスター10がOFFのときは、ボディコンタクトの効果により第1トランジスター10の第1ボディ領域12の電位はリセットされるため、第1トランジスター10におけるヒストリー効果は抑制され、第1トランジスター10のOFF電流を低減することができる。
次に、上記の半導体装置の製造方法について説明する。
図5(a)〜図11(b)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。なお、図11(a)では、図面の複雑化を回避するために層間絶縁膜の図示を省略している。
図5(a)及び(b)では、まず、支持基板(図示せず)上にBOX層1が形成され、その上にSOI層3が形成されたSOI基板を用意する。このSOI基板は、例えばSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)法や、貼り合わせ法により形成されたものである。次に、例えば、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法を用いて、SOI層3に素子分離層7を形成する。素子分離層7により平面視で囲まれた領域が、素子領域となる。
なお、図7(a)及び(b)に示したN−層の形成工程は、図6(a)及び(b)に示したP−層の形成工程よりも前に行ってもよい。即ち、N−層の形成工程とP−層の形成工程はどちらを先に行ってもよい。
次に、図9(a)及び(b)に示すように、素子領域のうちの第3トランジスター30が形成される領域上を覆い、それ以外の領域上を露出する形状のレジストパターン55を、SOI基板上に形成する。そして、このレジストパターン55及び、ゲート電極11、21、31を構成する導電膜をマスクに、SOI層3に例えばリン又はヒ素等のN型不純物をイオン注入する。これにより、SOI層3にN型不純物層(即ち、N+層)を形成する。N+層を形成した後で、SOI層3上からレジストパターン55を除去する。
なお、図10(a)及び(b)に示したP+層の形成工程は、図9(a)及び(b)に示したN+層の形成工程よりも前に行ってもよい。即ち、N+層の形成工程とP+層の形成工程はどちらを先に行ってもよい。
そして、これらの開口部内に例えばタングステン等の導電部材を埋め込んで、図11(a)及び(b)に示すように、コンタクト電極41a〜41fを形成する(コンタクト電極41aは図2(a)を参照)。即ち、図2(a)に示したように、ゲート11、21、31を構成する導電膜のうちの素子分離層7上に引き出された部分上にコンタクト電極41aを形成する。また、第1トランジスター10のソース13であるN+層上にコンタクト電極41bを形成し、第1トランジスター10のドレイン15であり、且つ、第2トランジスター20のドレイン25でもあるN+層上にコンタクト電極41cを形成する。また、第2トランジスター20のソース23であるN+層上にコンタクト電極41dを形成し、第3トランジスター30のソース33であるP+層上にコンタクト電極41eを形成し、第3トランジスター30のドレイン35であるP+層上にコンタクト電極41fを形成する。
上記の第1実施形態では、第2トランジスター20のソース23であるN+層と、第3トランジスター30のソース33であるP+層とを、コンタクト電極41d、41e及び配線43dを介して電気的に接続する場合について説明した。しかしながら、本発明において、N+層とP+層の接続方法はこれに限られるものではない。例えば、図12(a)〜(c)に示すように、ソース23であるN+層上からソース33であるP+層上にかけて連続してシリサイド(即ち、シリコンと金属との化合物層)61を形成し、このシリサイド61によってN+層とP+層とを電気的に接続してもよい。シリサイド61として、例えば、チタンシリサイド(TiSix)、ニッケルシリサイド(NiSix)、タングステンシリサイド(WSix)などを使用することができる。
なお、上記のシリサイド61は、例えば、サイドウォール63が形成されたSOI基板上に金属膜を堆積させ、次に、SOI基板にアニール処理(1回目)を施して金属膜とシリコン(SOI層3の表面、ゲート電極の表面)とを反応させ、さらに、未反応の金属膜をSOI基板上から除去し、その後、SOI基板に1回目よりも高温のアニール処理(2回目)を施して、シリサイドを安定化させることにより形成すればよい。これにより、各トランジスターのソース、ドレインであるN+層上、P+層上の他、ゲート電極11、21、31上にもそれぞれシリサイド61が形成される。
上記の第1、第2実施形態では、半導体装置内での各トランジスターの位置関係について、例えば図3(a)及び(c)にあるように、第1トランジスター10のゲート長方向(即ち、ソース、ドレインを結ぶ直線の方向)と、第3トランジスター30のゲート長方向とが平面視で直行している場合を示した。しかしながら、上記の半導体装置において、各トランジスターの位置関係はこれに限られるものではない。
上記の第1〜第3実施形態では、ゲート電極11、21、31を一つの連続した導電膜で構成する場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限られることはない。例えば図15に示すように、ゲート電極11、21を構成する導電膜と、ゲート電極31を構成する導電膜は分離していてもよく、さらに、ゲート電極31に対してコンタクト電極41gが設けられていてもよい。
上記の第1〜第4実施形態では、本発明の「第1導電型」がN型で、「第2導電型」がP型である場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限られることはない。「第1導電型」がP型で、「第2導電型」がN型であってもよい。即ち、図16に示すような構成であってもよい。
図16は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の構成例を示す回路図である。図16に示すように、この半導体装置は、Pチャネル型の第1トランジスター110と、Pチャネル型の第2トランジスター120と、Nチャネル型の第3トランジスター130と、を含んで構成されている。これら第1トランジスター110、第2トランジスター120、第3トランジスター130は、それぞれBOX層上のSOI層に形成された部分空乏型のMISトランジスターである。
図17(a)〜(c)は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図と、断面図である。なお、図16(a)では、図面の複雑化を回避するために層間絶縁膜の図示を省略している。
図17(a)に示すように、この半導体装置では、SOI層に形成された一つのP+層により、第1トランジスター110のソース113と、第2トランジスター120のソース123とが兼用されている。
従って、図17(a)〜(c)に示すような構成であっても、第1〜第3実施形態で説明した各半導体装置と同様に、極めて高いON/OFF比と、安定動作を同時に実現することができる。
Claims (8)
- 絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型の第1トランジスターと、
前記半導体層に形成された第2トランジスターと、
前記半導体層に形成された第3トランジスターと、を備え、
前記第1トランジスターは、
前記半導体層上に絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極の側方下の前記半導体層に形成された第1導電型の第1ソース又は第1ドレインと、を有し、
前記第2トランジスターは、
前記半導体層上に絶縁膜を介して形成された第2ゲート電極と、
前記第2ゲート電極の側方下の前記半導体層に形成された第1導電型の第2ソース又は第2ドレインと、を有し、
前記第3トランジスターは、
前記半導体層上に絶縁膜を介して形成された第3ゲート電極と、
前記第3ゲート電極の側方下の前記半導体層に形成された第2導電型の第3ソース又は第3ドレインと、を有し、
前記第1ソース又は第1ドレインの一方と、前記第2ソース又は第2ドレインの一方とが電気的に接続され、
前記第2ソース又は第2ドレインの他方と、前記半導体層であって前記第1ゲート電極直下の領域と、前記第3ソース又は第3ドレインの一方とが互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1ゲート電極と、前記第2ゲート電極と、前記第3ゲート電極とに第1の電圧が印加されたときは、第1トランジスターと第2トランジスターとがオンになると共に、前記第3トランジスターがオフになり、一方、
前記第1ゲート電極と、前記第2ゲート電極と、前記第3ゲート電極とに第2の電圧が印加されたときは、第1トランジスターと第2トランジスターとがオフになると共に、前記第3トランジスターがオンになる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2トランジスターは部分空乏型のトランジスターであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体層であって前記第2ゲート電極直下の領域は、前記第2ソース又は第2ドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1ゲート電極と、前記第2ゲート電極と、前記第3ゲート電極とが互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層に形成された第1導電型の第1不純物拡散層、を備え、
前記第1不純物拡散層は、前記第1ソース又は第1ドレインの一方であり、且つ、前記第2ソース又は第2ドレインの一方でもあることを特徴とする請求項3から請求項5の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体層に形成された第1導電型の第2不純物拡散層と、
前記半導体層に形成された第2導電型の第3不純物拡散層と、を備え、
前記第2不純物拡散層は、前記第1ソース又は第1ドレインの他方であり、
前記第3不純物拡散層は、前記第3ソース又は第3ドレインの他方であり、
前記第3不純物拡散層と前記第1不純物拡散層との間、及び、前記第3不純物拡散層と前記第2不純物拡散層との間は、それぞれ電気的に分離されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記半導体層に形成された第1導電型の第4不純物拡散層と、
前記半導体層に形成された第2導電型の第5不純物拡散層と、を備え、
前記第4不純物拡散層は、前記第2ソース又は第2ドレインの他方であり、
前記第5不純物拡散層は、前記第3ソース又は第3ドレインの一方であり、
前記第4不純物拡散層と前記第5不純物拡散層との間の電気的接続は、前記第4不純物拡散層から前記第5不純物拡散層にかけて連続して形成された、前記半導体層と金属との化合物層によってなされていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体装置。
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