JP2011096701A - 結晶シリコン系太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】厚みが250μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記単結晶シリコン基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記単結晶シリコン基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記単結晶シリコン基板とp型シリコン系薄膜層の間および/または単結晶シリコン基板とn型シリコン系薄膜層の間に非晶質の酸化アルミニウムを主成分とする化合物層が形成されていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に従う実施例1の結晶シリコン系太陽電池を示す模式的断面図である。本実施例の結晶シリコン系太陽電池はヘテロ接合太陽電池であり、n型単結晶シリコン基板1の両面にそれぞれテクスチャを備えている。n型単結晶シリコン基板1の入射面には非晶質酸化アルミニウム薄膜層2/p型非晶質シリコン層3/透明電極層6が形成され、その上に集電極7が形成されている。一方、基板1の裏面には非晶質酸化アルミニウム薄膜層4/n型非晶質シリコン層5/透明電極層6が、さらにその上に集電極7が形成されている。
図2は、本発明に従う実施例2の結晶シリコン系太陽電池を示す模式的断面図である。本実施例の結晶シリコン系太陽電池はヘテロ接合太陽電池であり、n型単結晶シリコン基板1の両面にそれぞれテクスチャを備えている。n型単結晶シリコン基板1の入射面には非晶質酸化アルミニウム薄膜層2/i型非晶質シリコン薄膜層8/p型非晶質シリコン層3/透明電極層6が形成され、その上に集電極7が形成されている。一方、基板1の裏面には非晶質酸化アルミニウム薄膜層4/i型非晶質シリコン薄膜層9/n型非晶質シリコン層5/透明電極層6が、さらにその上に集電極7が形成されている。
エッチングが終了した単結晶シリコン基板1をCVD装置へ導入し、入射面にi型非晶質シリコン層を3nm製膜した。i型非晶質シリコン層の製膜条件は基板温度が150℃、圧力120Pa、SiH4/H2流量比が3/10、投入パワー密度が0.011W/cm2であった。i型非晶質シリコン層の上にp型非晶質シリコン層を4nm製膜した。p型非晶質シリコン層の製膜条件は基板温度が150℃、圧力60Pa、SiH4/B2H6流量比が1/3、投入パワー密度が0.01W/cm2であった。なお、本実験例でいうB2H6ガスは、B2H6濃度を5000ppmまでH2で希釈したガスを用いた。
2.非晶質酸化アルミニウム薄膜層
3.p型非晶質シリコン層
4.非晶質酸化アルミニウム薄膜層
5.n型非晶質シリコン層
6.透明電極層
7.集電極
8.i型非晶質シリコン層
9.i型非晶質シリコン層
Claims (3)
- 厚みが250μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記単結晶シリコン基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記単結晶シリコン基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、
上記単結晶シリコン基板とp型シリコン系薄膜層の間および/または単結晶シリコン基板とn型シリコン系薄膜層の間に非晶質の酸化アルミニウムを主成分とする化合物層が形成されていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 - 前記非晶質の酸化アルミニウムを主成分とする化合物層と前記p型および/またはn型シリコン系薄膜層との間に実質的に真正なシリコン系薄膜層が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の結晶シリコン系太陽電池。
- 前記非晶質の酸化アルミニウムを主成分とする化合物層が、水素化酸化アルミニウムであることを特徴とする、請求項1または2に記載の結晶シリコン系太陽電池。
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