JP5541980B2 - 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- -1 first Chemical compound 0.000 claims description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N isopropyl alcohol Natural products CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Description
前記導電性金属酸化物膜は、結晶性酸化インジウムを主成分とし、かつ、膜厚が50〜120nmであり、酸化インジウム、または酸化インジウムと酸化錫の複合酸化物からなり、インジウムおよび錫以外の金属元素を実質的に含まず、かつ酸化錫の濃度が2.5重量%以下であり、面内長軸平均結晶粒径が300〜2000nmであり、θ−2θX線回折パターンにおいて、酸化インジウム結晶の(222)、(123)、及び(400)の各面に対応するピークが検出され、それらの3つのピークのうち最も強度の強いピークの強度をImax、最も強度の弱いピークの強度をIminとした時に、Imax/Iminの値が2〜20であることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池に関する。
X線回折はX線回折装置(RINT2000:リガク社製)を用いて測定し、そのピークの高さを比較した。
図1は、本発明に従う実施例1の結晶シリコン系太陽電池を示す模式的断面図である。本実施例の結晶シリコン系太陽電池はヘテロ接合太陽電池であり、n型単結晶シリコン基板1の両面にそれぞれテクスチャを備えている。n型単結晶シリコン基板1の入射面にはi型非晶質シリコン層2/p型非晶質シリコン層3/導電性酸化物層6−1が形成され、その上に集電極7が形成されている。一方、基板1の裏面にはi型非晶質シリコン層4/n型非晶質シリコン層5が製膜されている。さらにその上に透明電極層6−2が形成され、その上に集電極7が形成されている。
実施例1に記載の透明電極層を0.5重量%酸化錫含有酸化インジウム(0.5ITO)ターゲットを用いて1ITOを100nm製膜した以外は同様にして太陽電池セルを作製した。
実施例1に記載の透明電極層を1重量%酸化錫含有酸化インジウム(1ITO)ターゲットを用いて1ITOを100nm製膜した以外は同様にして太陽電池セルを作製した。
実施例1に記載の透明電極層を2重量%酸化錫含有酸化インジウム(2ITO)ターゲットを用いて2ITOを100nm製膜した以外は同様にして太陽電池セルを作製した。
実施例1に記載の透明電極層を5重量%酸化錫含有酸化インジウム(5ITO)ターゲットを用いて5ITOを100nm製膜した以外は同様にして太陽電池セルを作製した。
実施例1に記載の透明電極層を10重量%酸化錫含有酸化インジウム(10ITO)ターゲットを用いて10ITOを100nm製膜した以外は同様にして太陽電池セルを作製した。
2.i型非晶質シリコン層
3.p型非晶質シリコン層
4.i型非晶質シリコン層
5.n型非晶質シリコン層
6−1、6−2.透明電極層
7.集電極
Claims (6)
- 厚みが250μm以下の一導電型単結晶シリコン基板の一方の面上に、該基板側から順に、実質的に真性なシリコン系薄膜層、導電型シリコン系薄膜層、及び透明導電性金属酸化物膜からなる第一の透明電極層を備え、前記一導電型単結晶シリコン基板の他方の面上に、該基板側から順に、実質的に真性なシリコン系薄膜層、前記一方の面上のシリコン系薄膜層と異なる導電型を有するシリコン系薄膜層、及び第二の透明電極層を備える、結晶シリコン系太陽電池であって、
前記透明導電性金属酸化物膜は、
結晶性酸化インジウムを主成分とし、かつ、膜厚が50〜120nmであり、
酸化インジウム、または酸化インジウムと酸化錫の複合酸化物からなり、インジウムおよび錫以外の金属元素を含まず、かつ酸化錫の濃度が2.5重量%以下であり、
面内長軸平均結晶粒径が300〜2000nmであり、
θ−2θX線回折パターンにおいて、酸化インジウム結晶の(222)、(123)、及び(400)の各面に対応するピークが検出され、それらの3つのピークのうち最も強度の強いピークの強度をImax、最も強度の弱いピークの強度をIminとした時に、Imax/Iminの値が2〜20である、
結晶シリコン系太陽電池。 - 前記透明導電性金属酸化物膜のホール移動度が40cm 2 /Vs以上である、請求項1に記載の結晶シリコン系太陽電池。
- 前記透明導電性金属酸化物膜の電子の平均自由行程が4.5nm以上である、請求項1または2に記載の結晶シリコン系太陽電池。
- 前記第一の透明電極層上に、集電極を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の結晶シリコン系太陽電池。
- 前記集電極上に、保護層を有する、請求項4に記載の結晶シリコン系太陽電池。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の結晶シリコン系太陽電池を製造する方法であって、
前記第一の透明電極層が、基板温度150℃以下のスパッタリング法により製膜される、結晶シリコン系太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010143768A JP5541980B2 (ja) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010143768A JP5541980B2 (ja) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009598A JP2012009598A (ja) | 2012-01-12 |
JP5541980B2 true JP5541980B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=45539827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010143768A Active JP5541980B2 (ja) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5541980B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6502716B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2019-04-17 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池モジュール |
CN110634962A (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-31 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
JP4556407B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2010-10-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物透明電極膜とその製造方法、透明導電性基材、太陽電池および光検出素子 |
JP4568254B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2010-10-27 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
-
2010
- 2010-06-24 JP JP2010143768A patent/JP5541980B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012009598A (ja) | 2012-01-12 |
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