JP2011086908A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポリシラザンが塗布された基板を基板処理室内に搬入する基板搬入工程と、基板を搬入した基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び約400℃の温度にする工程と、基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び約400℃の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第1の熱処理工程と、次に、基板処理室内を、第1の熱処理工程の約400℃から、900℃以上、1000℃以下の温度にする昇温工程と、基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第2の熱処理工程により基板処理を行う。
【選択図】図2
Description
このボイド等の対策として、例えば、過水素化シラザン重合体溶液の塗布膜(PSZ:Polysilazane:ポリシラザン)をスピンコートすることによって、素子間に堆積し、その後、高温水蒸気酸化によって酸化・重合反応を促進させることによって、絶縁膜を形成するSOD(Spin On Dielectric)法を用いた埋め込み技術が開発されている。
しかし、高温水蒸気酸化プロセスにより形成された絶縁膜は、ポリシラザンに不純物として含まれる炭素や水素等を除去して緻密な膜とすることが容易ではない。このようなポリシラザン膜の形成方法として、特許文献1には、ポリシラザンを基板に塗布した後、第1の熱処理を100℃〜250℃の温度で行って有機溶媒を蒸発させ、次に、第2の熱処理を例えば400℃で行って前記ポリシラザン塗布膜を硬化することが示されている。
ポリシラザンが塗布された基板を基板処理室内に搬入する基板搬入工程と、
基板を搬入した基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にする工程と、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第1の熱処理工程と、
次に、基板処理室内を、第1の熱処理工程の350℃以上、450℃以下から、900℃以上、1000℃以下の温度にする昇温工程と、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第2の熱処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
なお、前記第1の熱処理工程の前に、100℃〜250℃の温度で熱処理を行い、ポリシラザンに含まれる有機溶媒を蒸発させておくことが好ましい。この熱処理工程は、ポリシラザンが基板に塗布された後、塗布膜のベーク処理の一部として、基板を前記基板処理室内に搬入する前に行うことができる。
[基板処理装置の概略]
まず、図1、図2を参照して、本実施例に係る基板処理装置10を概略的に説明する。図1に示すように、基板処理装置10の筐体101内部の前面側には、カセットステージ105が設けられている。カセットステージ105は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット100の授受を行う。カセットステージ105の後方には、カセット搬送機115が設けられている。カセット搬送機115の後方には、カセット100を保管するためのカセット棚109が設けられる。また、カセットステージ105の上方には、カセット100を保管するための予備カセット棚110が設けられている。予備カセット棚110の上方には、クリーンユニット118が設けられている。クリーンユニット118は、クリーンエアを筐体101の内部を流通させる。
ボートエレベータ121とカセット棚109との間には、ウェハ200を搬送するウェハ移載機112が設けられている。ボートエレベータ121の横には、処理炉202の下端を気密に閉塞するための炉口シャッタ116が設けられている。炉口シャッタ116は、ボート217が処理炉202の外にあるときに、処理炉202の下端を閉塞することができる。
ウェハ200の処理が完了すると、上記した動作の逆の手順により、ウェハ200は、ウェハ移載機112により、ボート217から移載棚123のカセット100に移載され、カセット100は、カセット搬送機115により、移載棚123からカセットステージ105に移載され、図示しない外部搬送装置により、筐体101の外部に搬出される。
ボート217が降下状態において、炉口シャッタ116は、処理炉202の下端を気密に閉塞し、外気が処理炉202内に巻き込まれるのを防止している。
図1、図2に示されているように、本実施例に係る基板処理装置10は、処理炉202を備えており、処理炉202は、円筒形状で石英製または炭化シリコン製の反応管(リアクタチューブ)203、及びライナーチューブ209を備えている。反応管203は、基板(本例ではウエハ200)を収容し、加熱処理する反応容器である。反応管203は、円筒形状の加熱部(本例では抵抗ヒータ207)の内側に、同心円状に設けられている。反応管203は、その上端が閉塞しており、また、その下端開口をシールキャップ219により、気密部材(本例ではOリング220)を介して気密に閉塞される。ライナーチューブ209は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱材からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されており、基板処理室201内の温度を均一に保つための均熱管である。ライナーチューブ209は、ヒータ207と反応管203の間に配置されている。
なお、図2に示すように、シールキャップ219の上に、ベース222を設けてもよい。ベース222は、例えば石英等の耐熱材からなり、円板状に形成されている。ベース222の上面には、反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられる。金属材料を使用しないベース222を用いることにより、反応管203内の金属汚染を低減することができる。
また、シールキャップ219を加熱するシールキャップヒータ290が装備されており、ベース222上面の結露発生を抑えるよう、所望の温度となるよう制御するように構成されている。
図2に示すように、基板処理室201へ水蒸気(H2O)を供給する水蒸気供給経路としてのガス供給管233が、反応管203の外側に、反応管203の下部より上部にわたり、ウェハ200の積載方向に沿って設けられている。ガス供給管233の一端は、反応管203の上部に達し、ガス供給管233の他端は、反応管203の下方で、水蒸気発生器260に接続されている。反応管203の上部には、複数のガス供給孔229が設けられている。水蒸気発生器260で発生した水蒸気は、反応管203の下部より、ガス供給管233内を上昇して、反応管203の上部に達し、複数のガス供給孔229から、基板処理室201内へ供給される。
反応管203の下部において、ガス供給管233は、90度屈曲し、水蒸気発生器260に接続されている。水蒸気発生器260には、水素ガス供給管232aと酸素ガス供給管232bが接続されている。水素ガス供給管232aには、上流から順に、水素ガス供給源240a、MFC(マスフローコントロラ:流量制御装置)241a、開閉バルブ242aが設けられている。酸素ガス供給管232bには、上流から順に、酸素ガス供給源240b、MFC241b、開閉バルブ242bが設けられている。水蒸気発生器260は、水素ガス供給源240aから供給される水素ガス、酸素ガス供給源240bから供給される酸素ガスを用いて、水蒸気を発生する。
ガス供給管233の途中には、不活性ガス供給管232cが接続されている。不活性ガス供給管232cには、上流側から順に、不活性ガス供給源240c、MFC241c、開閉バルブ242cが設けられている。
MFC241a、241b、241cには、ガス流量制御部283が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングで制御するように構成されている。
反応管203の下方には、基板処理室201内のガスを排気するガス排気管231の一端が接続されている。ガス排気管231の他端は、真空ポンプ246(排気装置)にAPC(Auto Pressure Controller)バルブ255を介して接続されている。基板処理室201内は、真空ポンプ246によって排気される。なお、APCバルブ255は、弁の開閉により基板処理室201の排気および排気停止を行なうことができる開閉弁であり、かつまた、弁開度の調節により圧力を調整することができる圧力調整弁である。
また、圧力検出器としての圧力センサ223が、APCバルブ255の上流側に設けられている。このようにして、基板処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう、真空排気するように構成されている。APCバルブ255により基板処理室201および圧力センサ223には、圧力制御部284(図3参照)が電気的に接続されており、圧力制御部284は、圧力センサ223により検出された圧力に基づいて、APCバルブ255により基板処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう、所望のタイミングにて制御するように構成されている。
また、ガス供給管233とガス排気管231を加熱するヒータ224が装備されており、配管内部の結露発生を抑えるよう所望の温度となるよう制御するように構成されている。
コントローラ280(制御部)は、MFC241a、241b、241c、バルブ242a、242b、242c、水蒸気発生器260、APCバルブ255、温度モニタ221、ヒータ207、ヒータ224、圧力センサ223、真空ポンプ246、ボート回転機構227、ボートエレベータ121、シールキャップヒータ290等、基板処理装置10の各構成部に電気的に接続されている。
コントローラ280は、MFC241a、241b、241cの流量調整、バルブ242a、242b、242cの開閉動作、水蒸気発生器260の起動・停止、APCバルブ255の開閉および圧力調整動作、ヒータ207、ヒータ224の温度調節、真空ポンプ246の起動・停止、ボート回転機構227の回転速度調節、ボートエレベータ121の昇降動作制御、シールキャップヒータ290等、基板処理装置10の各構成部の制御を、プログラム及びレシピに基づき行う。
(1)基板処理室201への基板搬入工程
まず、基板処理室201内の温度を100〜250℃とし、不活性ガス供給源240cから不活性ガスを基板処理室201内へ供給し、基板処理室201内を窒素等の不活性ガス雰囲気にして、圧力を96000〜102500Paとしておく。具体的には、例えば、基板処理室201内の温度を200℃とし、圧力を100000Paとする。
次に、図4に示すように、基板上の溝部41にシリコン窒化膜43を形成した基板の表面にポリシラザンを塗布し、約100〜250℃でベーク処理を行ったウェハ200を、ウェハ移載機112により、ボート217に搭載し、該ウェハ200を搭載したボート217を、ボートエレベータ121により、基板処理室201内へ搬入する。図4は、基板上の溝部に形成されるシリコン窒化膜を示す模式図である。図4において、シリコン酸化膜42は、ポリシラザンにより形成されるシリコン酸化膜とシリコン基板との密着性を向上させるために形成している。
ここで、前記ベーク処理は、ポリシラザン塗布時に用いた有機溶媒を蒸発させるためのものであり、本実施例のように、基板処理装置10がバッチ型装置の場合は、基板処理装置10とは別の装置で行う。基板処理装置10が枚葉装置の場合は、基板処理装置10でベーク処理を行うことができる。ポリシラザンに有機溶媒を混合する理由は、狭い溝内にポリシラザンが入るよう、十分な流動性を得るためである。前記ベーク処理は、図5において、51で示されており、具体的には、例えば、減圧雰囲気(6000〜60000Pa)、水蒸気雰囲気下(水蒸気分圧600〜60000Pa)で行われる。
ウェハ200を搭載したボート217を、基板処理室201内へ搬入後、基板処理室201内の温度を350〜450℃にする。また、水蒸気発生器260で水蒸気を発生させ、基板処理室201内へ供給するとともに、不活性ガス供給源240cから不活性ガスである窒素ガスを基板処理室201内へ供給する。こうして、基板処理室201内の圧力を6000〜60000Pa、水蒸気の分圧を600〜60000Pa(水分濃度を10〜100%)にする。この温度と圧力の状態で、5〜120分間、ウェハ200に対し熱処理を行う。具体的には、例えば、基板処理室201内の温度を約400℃とし、圧力を53200Pa、水蒸気の分圧を45800Pa(水分濃度を86%)とし、30分間、熱処理を行う。この水蒸気雰囲気、かつ減圧雰囲気における熱処理により、ウェハ200に塗布されたポリシラザン膜が硬化する。このポリシラザン膜の熱処理(その1)は、図5において、熱処理53として示されている。
この熱処理53は、たとえば酸素と水を含んだ水蒸気雰囲気で行う。この水の存在により、水が触媒となって窒素および水素が酸素に置換し、熱的に強固なSi−O結合が形成される。このようにして熱処理されたポリシラザン膜は、Si−O結合を主骨格とするものであり、アルキル基を多く含まない。そのため、従来の有機SOGとは異なり高い耐熱性を有するものとなる。
次に、基板処理室201内の温度を、前記ポリシラザン膜の熱処理(その1)時の例えば約400℃から、900〜1000℃に上昇する。また、水蒸気発生器260から水蒸気を基板処理室201内へ供給するとともに、不活性ガス供給源240cから不活性ガスである窒素ガスを基板処理室201内へ供給する。こうして、基板処理室201内の圧力を6000〜60000Pa、水蒸気の分圧を600〜60000Pa(水分濃度を10〜100%)にする。この温度と圧力の状態で、5〜120分間、ウエハ200に対し熱処理(その2)を行う。具体的には、本実施例では、基板処理室201内の温度を、120分間の間に、400℃から1000℃に略直線的に上昇させ、温度が約1000℃、圧力53200Pa、水蒸気の分圧45800Pa(水分濃度86%)で、30分間、熱処理を行う。400℃から1000℃への昇温工程は、図5において、54で示されている。また、ポリシラザン膜の熱処理(その2)は、図5において、熱処理55として示されている。
この水蒸気雰囲気、かつ減圧雰囲気における熱処理55により、ウェハ200上の溝内の最深部に存在するポリシラザン膜中の不純物である炭素、水素、窒素を除去することができる。その結果、ポリシラザン膜が十分硬化し、緻密化して、絶縁膜として良好なWER(ウエットエッチングレート)特性を得ることができる。WERは、最終アニール温度依存性が大きく、高温ほどWERが遅くなる。
なお、図5において、熱処理55の後、基板処理室201内の温度を900〜1000℃とし、減圧雰囲気、かつ不活性雰囲気中で、第3の熱処理56が、30分間、行われる。この第3の熱処理56により、ポリシラザン膜中の不純物除去による緻密化という効果が得られる。
次に、基板処理室201内の温度を約200℃とし、窒素等の不活性ガス雰囲気にして、圧力を大気圧にして、熱処理を行ったウェハ200を搭載したボート217を、ボートエレベータ121により、基板処理室201内から搬出する。
しかし、図4に示すように、例えば、ポリシラザン膜の下地がシリコン窒化膜(SiN)の場合は、高温WET処理を行ってもSi基板の酸化を抑制することができる。したがって、ポリシラザン熱処理として、高温WET処理(1000℃)が使用できるので、効果的にポリシラザン膜中の不純物濃度を低減できる。このように、本発明は、Si基板の酸化が進行しないような、例えば、Liner膜としてシリコン窒化膜を敷いている溝部(図4参照)への、ポリシラザン膜の埋め込みに対して特に有効である。Liner膜とは、溝中の応力制御、及び密着性向上を目的とした下地膜である。
以上述べたように、本発明の熱処理によれば、基板上の溝部に埋め込んだシリコン酸化膜をより硬化させることができるので、溝部に埋め込んだシリコン酸化膜のエッチング耐性を向上することができる。
前記実施例においては、バッチ式縦型熱処理装置について説明したが、本発明は、枚葉装置にも適用することができる。
ポリシラザンが塗布された基板を基板処理室内に搬入する基板搬入工程と、
基板を搬入した基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にする工程と、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第1の熱処理工程と、
次に、基板処理室内を、第1の熱処理工程の350℃以上、450℃以下から、900℃以上、1000℃以下の温度にする昇温工程と、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第2の熱処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
このように基板処理方法を構成すると、前記第1の熱処理工程により、ポリシラザン塗布膜を硬化させ、前記第2の熱処理工程により、ポリシラザンに含まれる不純物を効果的に除去することが容易となる。また、前記第1の熱処理工程に続いて、前記第2の熱処理工程を行うので、前記第1の熱処理工程と前記第2の熱処理工程の間で、前記第1の熱処理工程の処理温度と前記第2の熱処理工程の処理温度の間の温度で熱処理を行う中間熱処理工程を行う場合に比べて、熱処理工程を少なくできる。
前記第2の熱処理工程の後、基板処理室内を、不活性ガス雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第3の熱処理工程を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
このように基板処理方法を構成すると、前記第3の熱処理工程により、ポリシラザン膜中の不純物除去による緻密化という効果が得られる。
前記基板はシリコン基板であり、前記シリコン基板には、ポリシラザンが塗布される前にシリコン窒化膜が形成されていることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。
このように基板処理方法を構成すると、ポリシラザン膜の下地がシリコン窒化膜なので、高温で前記第2の熱処理工程を行っても、シリコン基板の酸化を抑制することができる。
基板を収容する基板処理室と、
基板処理室に収容した基板を加熱するヒータと、
水蒸気発生器と、
水蒸気発生器から基板処理室内へ水蒸気を供給する水蒸気供給管と、
基板処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第1の熱処理を行った後、基板処理室内を、第1の熱処理工程の350℃以上、450℃以下から、900℃以上、1000℃以下の温度に昇温し、基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第2の熱処理を行い、その後、基板処理室内を、不活性ガス雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第3の熱処理を行うよう制御することを特徴とする基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、前記第1の熱処理工程により、ポリシラザン塗布膜を硬化させ、前記第2の熱処理工程により、ポリシラザンに含まれる不純物を効果的に除去することが容易となり、前記第3の熱処理工程により、ポリシラザン膜中の不純物除去による緻密化という効果が得られる。
Claims (4)
- ポリシラザンが塗布された基板を基板処理室内に搬入する基板搬入工程と、
基板を搬入した基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にする工程と、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第1の熱処理工程と、
次に、基板処理室内を、第1の熱処理工程の350℃以上、450℃以下の温度から、900℃以上、1000℃以下の温度にする昇温工程と、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第2の熱処理工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記第2の熱処理工程の後、基板処理室内を、不活性ガス雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第3の熱処理工程を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記基板には、ポリシラザンが塗布される前にシリコン窒化膜が形成されていることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。
- 基板を収容する基板処理室と、
基板処理室に収容した基板を加熱するヒータと、
水蒸気発生器と、
水蒸気発生器から基板処理室内へ水蒸気を供給する水蒸気供給管と、
基板処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び350℃以上、450℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第1の熱処理を行った後、基板処理室内を、第1の熱処理工程の350℃以上、450℃以下から、900℃以上、1000℃以下の温度に昇温し、基板処理室内を、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第2の熱処理を行い、その後、基板処理室内を、不活性ガス雰囲気、減圧雰囲気下、及び900℃以上、1000℃以下の温度にした状態で、前記基板を熱処理する第3の熱処理を行うよう制御することを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
WO2014021220A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
KR20160025591A (ko) | 2013-07-29 | 2016-03-08 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
JP2019175920A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4342895B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US8932945B2 (en) * | 2012-07-09 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer alignment system and method |
KR102120509B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2020-06-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 복합 기판의 제조 방법 및 복합 기판 |
US10375901B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-08-13 | Mtd Products Inc | Blower/vacuum |
JP1582475S (ja) * | 2016-10-14 | 2017-07-31 | ||
CN111095513B (zh) | 2017-08-18 | 2023-10-31 | 应用材料公司 | 高压高温退火腔室 |
US10872762B2 (en) * | 2017-11-08 | 2020-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods of forming silicon oxide layer and semiconductor structure |
CN109193340B (zh) * | 2018-08-22 | 2019-06-28 | 深亮智能技术(中山)有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器的湿法氧化工艺及装置 |
TW202143368A (zh) * | 2020-01-07 | 2021-11-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 水蒸氣處理裝置及水蒸氣處理方法、基板處理系統、以及乾蝕刻方法 |
CN111822304A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-10-27 | 江苏兴齐智能输电科技有限公司 | 钢杆管表面处理工艺 |
CN114300386A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备 |
CN117287977B (zh) * | 2023-11-24 | 2024-02-13 | 杭州嘉悦智能设备有限公司 | 碳化预热炉 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116706A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321719A (ja) | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP4018596B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2007-12-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
CN100444331C (zh) * | 2003-11-11 | 2008-12-17 | 三星电子株式会社 | 旋涂玻璃组合物和在半导体制造工序中使用该旋涂玻璃形成氧化硅层的方法 |
JP4263206B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2009-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法、熱処理装置及び気化装置 |
KR100816749B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | 소자분리막, 상기 소자분리막을 구비하는 비휘발성 메모리소자, 그리고 상기 소자분리막 및 비휘발성 메모리 소자형성 방법들 |
JP2008305974A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Elpida Memory Inc | 酸化膜形成用塗布組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-06-14 JP JP2010135000A patent/JP4944228B2/ja active Active
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- 2010-09-16 CN CN2010102871189A patent/CN102024742B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116706A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
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