JP2011086850A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si基板12の一方の面14から他方の面16に向けて貫通電極13を形成した半導体装置10であって、貫通電極13を構成する貫通孔21は、一方の面14側の開口部よりも他方の面16側の開口部を狭く形成し、他方の面16側の開口部にSi結晶面に沿った傾斜面23を有することを特徴とする。このような半導体装置10においてSi基板12の他方の面16には絶縁膜20を介して電極パッド24が設けられ、傾斜面23は絶縁膜20との境界面に形成されるようにした。
【選択図】図1
Description
さらに特許文献4には、ドライエッチングによりSi基板に貫通孔を形成する際、オーバーエッチングを行う事で、貫通孔の底部の幅を貫通孔の中間部よりも広くすることで、貫通孔の形成により生じる撓みに伴う電極パッドの変形による接続不良を防止する事が記載されている。
このような特徴を有することにより、貫通孔における外側ノッチを無くすことができる。また、貫通孔内壁面に対する絶縁膜の形成を容易化することができる。
このような特徴を有することにより、傾斜面上に形成する絶縁膜(第2の絶縁膜)と、境界部に設けられた第1の絶縁膜との間の絶縁膜の継続性が保たれ、Si基板と貫通電極との絶縁性を確実なものとすることができる。
このような特徴を有することにより、Si基板との絶縁を図りつつ、Si基板の一方の面と、他方の面に設けられた電極パッドとの導通を図ることができる。あるいはSi基板の一方の面に設けられたあるいは設けられるであろう電極パターンと、他方の面に設けら
れた電極パッド間の導通を図ることができる。
このようなタイミングで第1のエッチング工程と第2のエッチング工程とを切り替えることにより、Si基板の厚みやエッチングレートにばらつきがある場合でも傾斜面形成を確実に行うことができる。
このような組み合わせのドライエッチングを行う事により、第2のエッチング工程においてウエットライクなエッチングを確実に行う事ができる。
まず、図1を参照して本発明の半導体装置に係る第1の実施形態について説明する。なお図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の要部を示す部分拡大断面図である。
を担い、樹脂層はSi基板12とガラスサポート50との接合に加え、再配置配線層26の凹凸を平坦化して接合時に負荷される応力を分散させる応力緩和層としての役割を担う。
Ion Etching)で行えば良く、さらに具体的には、深堀RIE(DeepRIE)を行うためのボッシュプロセス(Bosch Process)を用いることが望ましい。ボッシュプロセスは、エッチングとエッチングにより形成した開口部の側壁保護を繰り返しながら行うエッチングプロセスであり、アスペクト比の高いエッチングが可能となる。
連通させつつSi基板12と電極パッド24との間の絶縁を図ることができる。なお、ボトムエッチングは上記と同様に、CF系ガスによるドライエッチングによれば良い。
Claims (9)
- Si基板の一方の面から他方の面に形成された電極パッドの裏面に到達する貫通電極を形成した半導体装置であって、
前記貫通電極を構成する貫通孔は、前記一方の面側の開口部よりも前記他方の面側の開口部を狭く形成し、前記他方の面側の開口部にSi結晶面に沿った傾斜面を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記Si基板の前記他方の面には第1の絶縁膜を介して前記電極パッドが設けられ、
前記傾斜面は、前記Si基板と前記第1の絶縁膜との境界面における前記Si部分に形成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記貫通孔の内側には、側壁および前記傾斜面に沿った第2の絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - Si基板に対して絶縁膜をエッチングストッパーとしてドライエッチングにより貫通孔を形成する半導体装置の製造方法であって、
被エッチング面に対して貫通電極形成部に開口を有する有機系レジストマスクを形成する成膜工程と、
前記ドライエッチングを行うためのチャンバ内に第1のエッチングガスを充填することにより前記Si基板と共に前記レジストマスクの一部をエッチングする第1のエッチング工程と、
前記チャンバ内に前記第1のエッチングガスに加え第2のエッチングガスを充填することで前記第1のエッチングガスと前記レジストマスクとの反応生成物と、前記第2のエッチングガスとによりアルカリ基を持つエッチャントを生成し、当該エッチャントにより前記Si基板に対して面方位の異方性エッチングを行う第2のエッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ドライエッチングはエッチングレートと時間によって管理し、
前記Si基板の板厚が前記貫通孔の半径の1/2以下となる時間経過後に前記第1のエッチング工程から前記第2のエッチング工程へと移行することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4または請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1のエッチングガスをSF系ガス、前記第2のエッチングガスをCF系ガスとしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1のエッチング工程は、SF系ガスによりエッチングを行いCF系ガスにより保護膜形成を行うドライエッチングにより行い、
前記第2のエッチング工程は、CF系ガスの充填割合を増加させることにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする回路基板。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電
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