JP2011066089A5 - 半導体レーザ制御装置、光走査装置、及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザ制御装置であって、複数の光源と、複数の光源の光量を検出する１つの検出部と、検出部において検出された光量に応じた信号と所定の光量に対応する制御信号とを比較し、複数の光源に供給する電流を制御する光量制御手段を備え、複数の光源が８個以上の半導体レーザ素子によって構成され、複数の光源の各光源を点灯させて光量制御を行うときに検出部への過電圧防止手段として機能する電圧クランプ回路を有することを主な特徴とする。

Claims (10)

1. 複数の光源と、上記複数の光源の光量を検出する１つの検出部と、上記検出部において検出された光量に応じた信号と所定の光量に対応する制御信号とを比較し、上記複数の光源に供給する電流を制御する光量制御手段を備えた半導体レーザ制御装置であって、
   上記複数の光源は８個以上の半導体レーザ素子によって構成され、
   上記複数の光源の各光源を点灯させて光量制御を行うときに上記検出部への過電圧防止手段として機能する電圧クランプ回路を有することを特徴とする半導体レーザ制御装置。
2. 上記制御信号は、１Ｖ以上の電圧で与えられることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ制御装置。
3. 上記電圧クランプ回路は、ベース接地回路によって構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ制御装置。
4. 上記ベース接地回路は、バイポーラトランジスタによるものであることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ制御装置。
5. 上記電圧クランプ回路は、ゲート接地回路によって構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ制御装置。
6. 上記ゲート接地回路は、ＣＭＯＳトランジスタによるものであることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ制御装置。
7. 上記電圧クランプ回路は、ダイオードアレイによって構成されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ制御装置。
8. 上記電圧クランプ回路のクランプ電圧を調整するクランプ電圧調整回路をさらに有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体レーザ制御装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体レーザ制御装置を有することを特徴とする光走査装置。
10. 請求項９記載の光走査装置を有することを特徴とする画像形成装置。