JP2011066075A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一のアンドープ層3上に、第一のアンドープ層3と接して、第一のアンドープ層3のバンドギャップより小さいバンドギャップを有するバンドギャップの小さい半導体層4が設けられ、その両端部と電気的に接続して一対の第一導電型コンタクト層6が設けられ、第一のアンドープ層3の下側に第二導電型コンタクト層2が設けられている。そして、一対の第一導電型コンタクト層6のそれぞれにオーミックコンタクトしてソース電極/ドレイン電極7が、また、第二導電型コンタクト層2にオーミックコンタクトしてゲート電極8がそれぞれ設けられることにより、接合型FETが構成されている。
【選択図】図1
Description
2 第二導電型コンタクト層
2a 一部領域
3 第一のアンドープ層
3a チャネル層
4 バンドギャップの小さい半導体層
41 第二のアンドープ層(i−GaAs層)
5 第三のアンドープ層
5a チャネル層
6 第一導電型コンタクト層
7 ソース/ドレイン電極
8 ゲート電極
9 チャネル層形成部
Claims (2)
- 第一のアンドープ層と、該第一のアンドープ層上に該第一のアンドープ層と接して設けられる、該第一のアンドープ層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有するバンドギャップの小さい半導体層と、該バンドギャップの小さい半導体層の両端部、または該両端部と電気的に接続して該バンドギャップの小さい半導体層の上側に設けられる一対の第一導電型コンタクト層と、前記第一のアンドープ層より下側に設けられる第二導電型コンタクト層と、前記一対の第一導電型コンタクト層のそれぞれにオーミックコンタクトして設けられるソース電極およびドレイン電極と、前記第二導電型コンタクト層にオーミックコンタクトして設けられるゲート電極とを具備する接合型電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記バンドギャップの小さい半導体層が、第二のアンドープ層、あるいは第二のアンドープ層および第一導電型半導体層の積層構造、あるいは第一導電型半導体層により形成されていることを特徴とする半導体装置。
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