JP2011061174A - 粘着テープとリードフレームのラミネート方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、粘着テープとリードフレームのラミネート方法を提供し、さらに詳細には、半導体装置製造用粘着テープをリードフレームに接着する加熱ラミネート工程以後のリードフレームの反り現象を減少させることができ、またラミネート工程条件の要求特性をすべて満足させることができ、既存の半導体装置の製造工程に使用されてきた粘着テープの粘着剤の残渣及び密封樹脂の漏れという限界を改善できる粘着テープとリードフレームのラミネート方法を提供する。
【解決手段】粘着テープとリードフレームのラミネート方法は、電子部品製造用粘着テープとリードフレームのラミネート工程において前記粘着テープ面と前記リードフレーム面とのラミネート温度を異なるようにすることを特徴とし、好ましくは、前記リードフレーム面のラミネート温度は、前記粘着テープ面のラミネート温度より約１〜２００℃低いことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、粘着テープとリードフレームのラミネート方法に関し、さらに詳細には、半導体装置製造用粘着テープをリードフレームに接着する加熱ラミネート工程以後のリードフレームの反り現象を減少させることができ、またラミネート工程条件の要求特性をすべて満足させることができ、既存の半導体装置の製造工程に使用されてきた粘着テープの粘着剤の残渣及び密封樹脂の漏れという限界を改善できる粘着テープとリードフレームのラミネート方法に関する。
現代生活で携帯用機器（携帯電話、ラップトップコンピュータ、ＤＶＤ／ＣＤ／ＭＰ３再生機、ＰＤＡ等）の使用が増加するに伴い、機器の小型化及び軽量化が必須である。それにより、携帯用機器に用いられる半導体パッケージの小型化と薄型化が最優先の課題として台頭している。既存の半導体は、長く出てきたリードを介して回路基板と連結する表面実装パッケージ方式（ｇｕｌｌ−ｗｉｎｇ ＳＯ ｆｏｒｍａｔ又はＱＦＰ（ｑｕａｄ−ｆｌａｔ−ｐａｃｋａｇｅ））を使用したが、このような要求特性に限界を現している。特に、数ＧＨｚの高周波を使用する携帯用通信機器の場合、半導体装置の誘電損失による発熱反応により、その性能及び効率が落ちるという問題がある。
最近では、このような半導体の要求特性に合せて、リードのないＱＦＮ（ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｎｏ−ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）方式の需要が急上昇している。ＱＦＮの場合、リードが長く出ておらず、ダイ周囲のランド形態でパッケージの底部側に露出しているから、直接回路基板にはんだ付け（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）可能である。これにより、リードを有した形態のパッケージより顕著に小さくかつ薄く製造でき、回路基板において占める面積も既存に比べて約４０％程度減少するという効果がある。発熱面においても、チップを載置するリードフレームが密封樹脂により積層されている既存の方式とは異なり、リードフレームがパッケージの底部にあり、ダイパッドが外部に直接露出しているから、放熱に優れている。それにより、リードが出ている従来のパッケージに比べて、電気的特性が優秀で、自己インダクタンスは半分ほどである。
このようにパッケージの底部にリードフレームと密封樹脂の表面が共存する界面が生じることによって、通常の金属モールディング枠組を利用する時に密封樹脂がリードフレームとモールディング枠組との間に容易に漏れて入ってランド部の表面やダイパッドの表面を樹脂で汚染させるという問題を発生させる。それにより、必需的に粘着テープを使用してリードフレームにラミネート（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）させた後、ＱＦＮ製造工程及び樹脂封止工程を経ることにより、樹脂工程の間に密封樹脂のブリード・アウト（ｂｌｅｅｄ−ｏｕｔ）やフラッシュ（ｆｌａｓｈ）を防止することができる。
一方、一般に半導体装置の製造工程は、粘着テープをリードフレームの片面に接着するテーピング工程（ｔａｐｅ ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）、リードフレームのダイパッドに半導体素子を接着するダイ接着工程（ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ）、半導体素子とリードフレームのランド部とを電気的に連結するワイヤボンディング工程（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）、ダイ接着工程とワイヤボンディングされたリードフレームをモールディング枠組内で密封樹脂を使用して封止する密封樹脂封止工程（ＥＭＣ ｍｏｌｄｉｎｇ）、半導体用粘着テープを封止されたリードフレームからはずすディテーピング（ｄｅｔａｐｉｎｇ）工程で構成されている。
前記テーピング工程では、ラミネーターを使用して粘着テープを銅あるいはＰＰＦ（Ｐｒｅ−Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ）リードフレームに粘着させるが、ラミネーターの種類及び方式によって必要とされる粘着テープの特性が変わる。ローラ（ｒｏｌｌｅｒ）を使用する場合、ホットプレス（ｈｏｔ ｐｒｅｓｓ）を使用する場合、両方の混合型、そしてリードフレームのダムバー（Ｄａｍ ｂａｒ）部分のみをプレスする場合などに分けられる。各方式によって粘着剤層は、リードフレームによく密着されていなければならず、粘着テープがラミネートされたリードフレームの取扱過程でも、ディラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）を起こさない程度の粘着力を維持していなければならない。
図１のように、ホットプレスを使用するラミネートは、粘着テープ３をリードフレーム４に接着する過程で熱と圧力とが伝達され、その過程の間に薄い板状の金属材質からなるリードフレーム４は、熱膨張をするようになった状態で粘着テープ３とラミネートされると、ラミネートされた以後に粘着テープが接着されているリードフレーム５が常温に冷却されつつ、リードフレームと粘着テープとの間の熱膨張あるいは熱収縮程度の差によって、図２のように反り現象の問題が引き起こされる。
このような反り現象は、ラミネート以後の工程であるダイ接着工程で半導体素子のダイパッドへの接着不良の問題を起こし、ワイヤボンディング工程でワイヤーの接続不良の問題を起こし、また密封樹脂封止工程で密封樹脂の漏れを起こすようになって、半導体装置の信頼性を落とすという問題を起こす。
また、現在、半導体パッケージの厚さが薄くなり、大きさが小さくなることによって、半導体チップ実装用配線基板の一つであるリードフレームも、軽量化、小型化、薄型化されているのが現状であり、このようなリードフレームは、前記のような反り現象の問題がさらに台頭している。結局、このようなラミネート後にリードフレームの反り現象が増加し、反り現象の増加は、後工程であるダイ接着工程、ワイヤボンディング工程、密封樹脂封止工程、ディテーピング工程の信頼性まで落とすという問題を起こす。
本発明は、前記のような問題点を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は、半導体装置製造用粘着テープをリードフレームに接着する加熱ラミネート工程以後、リードフレームの反り現象を減少させることのできる粘着テープとリードフレームのラミネート方法を提供することにある。
また、本発明は、ラミネート工程条件の要求特性を全て満足させることができ、既存の半導体装置の製造工程に用いられてきた粘着テープの粘着剤の残渣及び密封樹脂の漏れの限界を改善できる粘着テープとリードフレームのラミネート方法を提供することにある。
本発明の前記及び他の目的と利点は、好ましい実施例を説明した下記の説明によりさらに明確になるはずである。
上記の目的は、電子部品製造用粘着テープとリードフレームのラミネート工程において前記粘着テープ面と前記リードフレーム面とのラミネート温度を異なるようにすることを特徴とする、粘着テープとリードフレームのラミネート方法により達成される。
ここで、前記リードフレーム面のラミネート温度は、前記粘着テープ面のラミネート温度より低いことを特徴とする。
好ましくは、前記リードフレーム面のラミネート温度は、前記粘着テープ面のラミネート温度より約１〜２００℃低いことを特徴とする。
好ましくは、前記電子部品製造用粘着テープは、耐熱基材と前記耐熱基材上に粘着剤組成物が塗布された粘着剤層を含むものの、前記粘着剤組成物は、フェノキシ樹脂、熱硬化剤、エネルギー線硬化型アクリル樹脂及び光開始剤を含み、前記粘着剤層は、熱硬化及びエネルギー線により硬化されたことを特徴とする。
好ましくは、前記耐熱基材は、厚さが５〜１００μｍで、ガラス転移温度が１１０〜４５０℃であり、１００〜２００℃で基材の熱膨張係数が１〜３５ｐｐｍ／℃で、常温弾性率が１〜１０ＧＰａであることを特徴とする。
好ましくは、前記粘着剤組成物のガラス転移温度は、８０〜１５０℃であることを特徴とする。
好ましくは、前記フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂又は変性フェノキシ樹脂であり、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００であることを特徴とする。
好ましくは、前記粘着剤組成物は、前記フェノキシ樹脂１００重量部対比熱硬化剤５〜２０重量部及び前記エネルギー線硬化型アクリル樹脂５〜３０重量部を含み、前記光開始剤は、前記エネルギー線硬化型アクリル樹脂１００重量部対比０．５〜１０重量部を含むことを特徴とする。
本発明によれば、半導体装置製造用粘着テープをリードフレームに接着する加熱ラミネート工程以後、リードフレームの反り現象を減少させることのできる等の効果を有する。
また、本発明は、粘着剤層が常温で粘着力を有しないが、加熱ラミネート工程中にのみ粘着力が発現されて、リードフレームにラミネートすることを可能にすることができ、粘着剤層の追加的な光硬化による部分的相互浸透網状構造を形成して、半導体装置の製造工程中に粘着テープが露出する熱履歴に対して向上した耐熱性を有し、半導体装置の製造中の装置の信頼性向上に役にたち、封止材料の漏れを防止し、工程完了後テープが除去される時にリードフレームや封止材料に粘着剤の転写を防止できる等の効果を有する。
ホットプレスを利用した導体製造用粘着テープをリードフレームにラミネートする方法を示した断面図である。 半導体製造用粘着テープを接着したリードフレームの反り現象を示した断面図である。 リードフレームの反り現象を測定する方法を示した断面図である。
以下、本発明の実施例と図面を参照して、本発明を詳細に説明する。これらの実施例は、単に本発明をさらに具体的に説明するために例示的に提示したものに過ぎず、本発明の範囲がこれらの実施例により制限されないことは、当業界における通常の知識を有する者にとって自明である。
本発明による粘着テープとリードフレームのラミネート方法は、電子部品製造用粘着テープとリードフレームのラミネート工程において用いられる方法であって、前記粘着テープ面と前記リードフレーム面のラミネート温度を異なるようにすることを特徴とする。また、本発明による粘着テープとリードフレームのラミネート方法は、電子部品製造用粘着テープ３をリードフレーム４にラミネートする間に、リードフレームの熱膨張による反り現象を減らすために、粘着テープ面２ａの温度よりリードフレーム面２ｂの温度を低くすることを特徴とし、好ましくは、約１〜２００℃程度低くしてラミネートすることが好ましく、さらに好ましくは、１０〜１２０℃程度低くしてラミネートすることが好ましい。
本発明による粘着テープとリードフレームのラミネート方法において用いられたラミネート方法は、図１に示しているようなホットプレスを利用した導体製造用粘着テープをリードフレームにラミネートする方法を使用することができるが、これに限定されるものではない。
次に、本発明の粘着テープとリードフレームのラミネート方法に用いられる電子部品製造用粘着テープについて説明する。
前記電子部品製造用粘着テープは、半導体装置の製造工程に必要であり、それによる要求特性を満足させるマスキング（ｍａｓｋｉｎｇ）用粘着テープに関し、リードフレームのような金属類に優秀な接着力を有し、耐熱性にも卓越した熱可塑性のフェノキシ樹脂を主材として使用する。リードフレームに対する優れた密着性及び接着性で密封樹脂のブリード・アウト（ｂｌｅｅｄ−ｏｕｔ）やフラッシュ（ｆｌａｓｈ）がなく、硬化度を調節することによって、リードフレームに粘着力が発現される温度も調節可能である。また、添加された光硬化樹脂のエネルギー線照射による追加的な架橋構造を形成することによって、向上した凝集力でディテーピング後に粘着剤のリードフレームや密封樹脂の表面に残る粘着剤の残留問題を解決する。
また、本発明において前記電子部品製造用粘着テープは、半導体パッケージング工程を例に挙げて述べるが、これに限定されるものではなく、各種電子部品の高温製造工程上にマスクシートとしても適用できることはもちろんである。
本発明による電子部品製造用粘着テープにおいて粘着剤組成物が塗布されて粘着剤層を形成する基材は、耐熱性に優れた高分子フィルムが使用可能である。このような耐熱基材の場合、フィルム形態で加工が可能であり、充分な耐熱性で上述した温度範囲及び数時間の間に物理−化学的変化があってはならない。また、このような耐熱基材は、５％重量減少する温度が少なくても３００℃以上であるものが好ましく、１００〜２００℃での熱膨張係数が１〜３５ｐｐｍ／℃程度であるものが好ましい。ガラス転移温度も、１１０〜４５０℃であるフィルムが好ましい。安定でかつ優秀な高温耐熱性は、高温のラミネート時に基材の平坦度を維持して、均一にラミネートすることを可能にし、高いワイヤボンディング性を保障することができる。高温でも維持されるフィルムの寸法安定性は、樹脂封止工程の間にも、モールディング枠組で変形がないことから、樹脂の漏れを抑制できる。追加的に、弾性率は、常温で１〜１０ＧＰａであり、１００〜３００℃の範囲内でも１００〜５０００ＭＰａを維持することが好ましい。弾性率があまり低いか、折り畳み現象の激しい基材フィルムを使用した場合、テープの取扱過程、テープをラミネート装備にローディング（ｌｏａｄｉｎｇ）する過程、テープが装備に供給（ｆｅｅｄｉｎｇ）される過程で発生できるシワが残って、後にラミネート不良（部分ディラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ））を引き起こし、不均一なワイヤボンディング性及び樹脂ブリード・アウトを起こすことができる。こういう要求特性を満たす基材としては、耐熱性高分子フィルムが適用可能であり、耐熱ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルイミドなどで加工されたフィルムを例に挙げることができる。
また、前記基材フィルムの厚さは、特別な制限がなく、ラミネート装備及び樹脂封止装備の適用限界によって決定される。一般に、５〜１００μｍが好ましいが、外力によるシワ現象を抑制し適切な耐熱性を維持し、取扱を容易にするためは、１０〜４０μｍがさらに好ましい。必要によって粘着剤と基材フィルムとの接着力を向上させるために、サンドマット処理、コロナ処理、プラズマ処理及びプライマー処理も可能である。
また、本発明による電子部品製造用粘着テープの粘着剤層は、耐熱性が優秀で粘着力に優れた熱可塑性フェノキシ樹脂を主材とし、フェノキシ樹脂用熱硬化剤とフェノキシ樹脂の過剰硬化収縮を調節しつつ耐熱性を保存するための光硬化樹脂（エネルギー線硬化型アクリル樹脂）及びこのための光開始剤を含む。
前記主材である熱可塑性樹脂であるフェノキシ樹脂の種類には、ビスフェノールＡ型フェノキシ、ビスフェノールＡ型／ビスフェノールＦ型フェノキシ、ブロム系フェノキシ、リン系フェノキシ、ビスフェノールＡ型／ビスフェノールＳ型フェノキシ及びカプロラクトン変性フェノキシなどを例に挙げることができるが、その中でも、特にビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂が耐熱性、親環境性、硬化剤相溶性、硬化速度側面で優秀であるから、さらに好ましい。また、前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、１，０００〜５００，０００であることが好ましく、この場合、内部凝集力の増加による耐熱性の向上でディテーピング時の粘着剤の残渣問題を最小化できる。分子量が１０００未満である場合、内部凝集力が落ちて求められる耐熱特性が具現されず、分子量が５００，０００を超過する場合、高粘度により引き起こされる作業性の低下やコーティング後にもコーティング面上が均一になり難いという問題点があることができ、他の原料との混合性が調節され難い。
また、前記フェノキシ樹脂を溶解することのできる有機溶媒の種類には、ケトン系、アルコール系、グリコールエーテル系、エステル系がある。その中でいくつかの例としては、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ベンジルアルコール、ジエチレングリコールアルキルエテール、フェノキシプロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドンなどを単独あるいは２種以上を混合して使用することができる。有機溶媒を使用する場合には、有機溶媒１００重量部に対してフェノキシ樹脂を５〜４０重量部にすることが好ましく、２０〜３５重量部がさらに好ましい。必要に応じて、コーティングの不良及び基材フィルムとの接着力を高めるために、トルエン、キシレン、アロマチック１００、ヘキサンのような芳香族炭化水素類溶媒を希釈剤で添加できる。希釈剤の量は、溶媒対比４０％を超えないようにする。
また、前記フェノキシ樹脂は、適当な架橋剤を添加しても使用可能であるが、架橋剤あるいは硬化剤としては、水酸基を機能基として有している樹脂を硬化させうるものであれば、何でも良い。メラミン、ウレア−ホルムアルデヒド、イソシアネート官能性予備重合体、フェノール硬化剤、アミノ系硬化剤などを例に挙げることができる。熱硬化剤の量は、フェノキシ樹脂１００重量部対比０．１〜４０重量部が好ましく、５〜２０重量部がさらに好ましい。硬化剤の量があまりにも小さくて（＜５重量部）充分でない架橋構造が形成される場合には、粘着剤層がもろくなって（相対的なガラス転移温度の減少及び損失弾性率の増加）、ラミネート時にリードフレームが粘着剤層にあまり奥深く入り、リードフレームによって押された粘着剤がリードフレームのダイパッドやランド部の周囲に上がってくることによって、樹脂密封工程時に密封樹脂とリードフレームとの間に挟まって、ディテーピング時に粘着剤残渣を起こすことができる。また、硬化剤の量があまり多い場合（＞２０重量部）には、粘着剤層の粘着力と濡れ性があまりにも低下されて、ディラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）問題を起こすことができ、過度に増加された強度によってラミネート過程で粘着剤層が壊されるという問題を惹起させることができ、追加的に基材フィルムに粘着剤を塗布した後、乾燥及び硬化過程の間に過度な硬化収縮でテープが曲がってしまうという問題を発生させて、ラミネート作業性が低下することができる。
また、前記フェノキシ樹脂の架橋構造に追加的な架橋構造を形成するエネルギー線硬化型アクリル化合物（樹脂）は、炭素−炭素二重結合を有したアクリル高分子、アクリルオリゴマー、アクリルモノマーなどが可能であり、少なくとも一つ以上の不飽和結合を有している。このアクリル基は、自由ラジカル反応を介して架橋構造を形成する官能基として機能するが、その数によって反応性、架橋構造、及び硬化度の調節が可能である。官能基の数が増えるほど、反応（架橋）速度が増加し、ガラス転移温度が増加し、耐熱性が増加するが、粘着剤層の柔軟性と粘着力とが減少するという短所がある。適切な官能基数を有したアクリル樹脂を選択するにあっても、フェノキシ樹脂を硬化させる熱硬化剤の選択と同様に、粘着力と硬直性との間の均衡を合せるものを使用しなければならない。このようなエネルギー線の硬化に用いられるアクリル化合物の例としては、エポキシアクリレート、アロマチックウレタンアクリレート、アリファチックウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステルアクリレート、アクリルアクリレートなどがあり、単独あるいは２種以上の互いに異なるオリゴマーの組合せでも使用が可能である。また、各種類のオリゴマーの中でも官能基の数に応じても選択可能であり、２〜９程度の官能基を有したオリゴマーの使用が可能である。高い硬化密度を介した粘着剤層の凝集力、強度、ガラス転移温度の増加により、優れたワイヤボンディング性及びディテーピング時に粘着剤層が密封樹脂の表面とリードフレームに残渣されることを抑制するためには、６〜９程度の官能基を有したオリゴマーが好ましい。
このようなエネルギー線硬化型アクリル化合物の含有量は、フェノキシ樹脂１００重量部対比１〜４０重量部を添加し、好ましくは、５〜３０重量部の割合で使用される。
次に、前記エネルギー線硬化型アクリル化合物のエネルギー線による硬化を開始するのに用いられる光開始剤には、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、アルファヒドロキシケトン系、アルファアミノケトン系、グリオキシレート系、アシルホスフィン系などがある。光開始剤は、単独に使用しても良く、粘着剤層の厚さやエネルギー線の強度などによって均一な架橋構造の形成のために、光開始剤の効率及び特性によって２種以上を混合して使用しても良い。このような光開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化型アクリル樹脂の１００重量部に対して０．５〜１０重量部、好ましくは、１〜５重量部の割合で使用される。
また、本発明による電子部品製造用粘着テープの前記粘着剤組成物のガラス転移温度は、８０〜１５０℃であることが好ましく、また前記粘着剤層のステンレススチール（ＳＴＳ）材質に対する常温粘着力が０〜１ｇｆ／５０ｍｍであることが好ましい。ガラス転移温度が８０℃未満である場合には、ＱＦＮ工程の間の熱履歴によって、高温での粘着剤の物性変化が激しくなり、１５０℃を超過する場合には、テープのラミネート温度が１７０℃以上になり、ラミネート後に反り（ｗａｒｐａｇｅ）現象が激しくなる。これは、リードフレームの熱膨張が激しくなりつつ、テープとの熱膨張程度の差が大きくなって、結局、反り現象が増加することから起因する。
前記のような理由で本発明による電子部品製造用粘着テープは、リードフレームにラミネートする間に、リードフレームの熱膨張によるリードフレームの反り現象を減らすことのできる温度である５０〜１７０℃にて実施することが好ましい。
以下、本発明は、以下のような形態で実施でき、本実施例によって本発明が限定されるものではない。
＜製造例＞
粘着剤の主材としてフェノキシ樹脂（ＫＵＫＤＯ社製、ＹＰ５０）１００重量部をメチルエチルケトン３００重量部に溶解し、ここにイソシアネート系熱硬化剤（Ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ社製、ＣＥ１３８）１５重量部、エネルギー線硬化型化合物であるアリファチックポリウレタンアクリレート（日本合成社製、ＵＶ７６００Ｂ８０）２０重量部及びアシルホスフィン系光開始剤（ＣＹＴＥＣ、ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ）２重量部を混合して１時間攪拌した。攪拌が終わった粘着剤組成物を２５μｍ厚のポリイミドフィルム（ＬＮ、Ｋｏｌｏｎ社製）に塗布し１５０℃乾燥器で約３分間乾燥した。この厚さは、約６μｍと確認された。乾燥器を通過した乾燥されたテープは、紫外線を照射して追加的な架橋構造を形成するためのエネルギー線硬化段階を経て、最終的な電子部品製造用粘着テープを製造した。
［実施例１〜４］
実施例１〜４は、図１のようなホットプレスを利用した導体製造用粘着テープをリードフレームにラミネートする方法を使用した。
前記製造例で製造された電子部品製造用粘着テープと従来のリードフレームを下記の表１にある粘着テープ面の温度とリードフレーム面のラミネート温度を実施例によって異なるようにして、ラミネートを行った。
［比較例１と２］
比較例１と２は、下記の表１にある粘着テープ面の温度とリードフレーム面のラミネート温度のみを除き、実施例と同様な方法でラミネートを行った。
［実験例］
実施例及び比較例によって製造された半導体製造用粘着テープが接着されているリードフレームの反り程度（ｙ）を測定した。反り程度（ｙ）は、図１の方法で粘着テープ３をリードフレーム４に接着させた後、図３のように粘着テープが接着されているリードフレーム５を測定台６に載置した後、リードフレームと底面との間隔（ｙ）が最も大きな部分を測定して、その値を下記の表１に表した。
Figure 2011061174

前記表１から確認できるように、粘着テープ面２ａとリードフレーム面２ｂに同じ温度を加えてラミネートを行った比較例１の場合よりリードフレーム面の温度を低くしてラミネートを行った本発明の粘着テープとリードフレームのラミネート方法による実施例１〜４の場合に、反り程度が減少することを確認することができる。特に、前記粘着テープ面のラミネート温度がリードフレーム面のラミネート温度より約１００〜１２０℃程度高い場合である実施例１及び２において、反り程度が最も低いことを確認することができる。しかしながら、これとは反対にリードフレーム面２ｂの温度を粘着テープ面２ａの温度より高くしてラミネートを行った比較例２の場合には、反り程度が最も激しいことが分かる。
よって、本発明による粘着テープとリードフレームのラミネート方法の場合、リードフレーム４に熱履歴を少し加えることによって、リードフレームの熱膨張／収縮を減らして、ラミネート以後に粘着テープが接着されているリードフレーム５の反り現象が減少する。
以上、本発明は、いくつかの実施例についてのみ詳細に説明されたが、本発明の範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なものであり、このような変形及び修正された事項は、添付された特許請求の範囲に属することは当然である。
１ａ 半導体製造用粘着テープ面のホットプレス
１ｂ リードフレーム面のホットプレス
２ａ 半導体製造用粘着テープ面
２ｂ リードフレーム面
３ 半導体用粘着テープ
４ リードフレーム
５ 半導体製造用粘着テープが接着されているリードフレーム
６ 測定台

Claims (8)

  1. 粘着テープとリードフレームのラミネート方法であって、
    電子部品製造用粘着テープとリードフレームのラミネート工程において前記粘着テープ面と前記リードフレーム面とのラミネート温度を異なるようにすることを特徴とする、粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  2. 前記リードフレーム面のラミネート温度は、前記粘着テープ面のラミネート温度より低いことを特徴とする、請求項１に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  3. 前記リードフレーム面のラミネート温度は、前記粘着テープ面のラミネート温度より約１〜２００℃低いことを特徴とする、請求項１に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  4. 前記電子部品製造用粘着テープは、耐熱基材と前記耐熱基材上に粘着剤組成物が塗布された粘着剤層を含むものの、
    前記粘着剤組成物は、フェノキシ樹脂、熱硬化剤、エネルギー線硬化型アクリル樹脂及び光開始剤を含み、前記粘着剤層は、熱硬化及びエネルギー線により硬化されたことを特徴とする、請求項１に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  5. 前記耐熱基材は、厚さが５〜１００μｍで、ガラス転移温度が１１０〜４５０℃であり、１００〜２００℃で基材の熱膨張係数が１〜３５ｐｐｍ／℃で、常温弾性率が１〜１０ＧＰａであることを特徴とする、請求項４に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  6. 前記粘着剤組成物のガラス転移温度は、８０〜１５０℃であることを特徴とする、請求項４に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  7. 前記フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂又は変性フェノキシ樹脂であり、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００であることを特徴とする、請求項４に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
  8. 前記粘着剤組成物は、前記フェノキシ樹脂１００重量部対比熱硬化剤５〜２０重量部及び前記エネルギー線硬化型アクリル樹脂５〜３０重量部を含み、前記光開始剤は、前記エネルギー線硬化型アクリル樹脂１００重量部対比０．５〜１０重量部を含むことを特徴とする、請求項４〜７のうちのいずれか１項に記載の粘着テープとリードフレームのラミネート方法。
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