KR20160071240A - 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프 - Google Patents

Abstract

본 발명은 점착제 층이 상온에서는 점착력을 가지지 않으나 가열 라미네이션 공정 중에만 점착력이 발현되어 리드프레임에 라미네이션이 가능하고 반도체 장치의 제조 공정 중에 점착 테이프가 노출되는 열이력에 대하여 우수한 내열성을 가지며 우수한 점착력으로 반도체 장치의 제조 중 장치의 신뢰성 향상에 도움이 되고 봉지재료의 누출을 방지하며 또한 공정 완료 후 테이프가 제거될 시에 리드프레임이나 봉지재료에 점착제의 전사를 방지할 수 있는 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에 관한 것이다.

Description

내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프{HEAT-RESISTANCE MASKING TAPE HAVING IMPROVED ANTI-PLASMA FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION PROCESS}

본 발명은 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 점착제 층이 상온에서 점착력을 가지지 않으나 가열 라미네이션 공정 중에만 점착력이 발현되어 리드프레임에 라미네이션이 가능하고 반도체 장치의 제조 공정 중에 점착 테이프가 노출되는 열이력에 대하여 우수한 내열성을 가지며 우수한 점착력으로 반도체 장치의 제조 중 장치의 신뢰성 향상에 도움이 되고 봉지재료의 누출을 방지하며 또한 공정 완료 후 테이프가 제거될 시에 리드프레임이나 봉지재료에 점착제의 전사를 방지할 수 있는 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에 관한 것이다.

현대 생활에서 휴대용 기기(휴대폰, 랩탑 컴퓨터, DVD/CD/MP3 재생기, PDA 등)의 사용이 증가함에 따라 기기의 소형화 및 경량화가 필수적이다. 그에 따라 휴대용 기기에 사용되는 반도체 패키지들의 소형화와 박형화가 최우선 과제로 대두된다. 기존의 반도체들은 길게 나온 리드를 통하여 회로기판과 연결되는 표면실장패키지 방식(gull-wing SO format 또는 QFP (quad-flat-package))을 사용하였으나, 이와 같은 요구 특성에 한계점을 드러내고 있다. 특히 수 GHz의 고주파를 사용하는 휴대용 통신기기들의 경우 반도체 장치의 유전손실에 의한 발열 반응으로 그 성능 및 효율이 떨어지는 문제가 있다.

최근에 이와 같은 반도체의 요구 특성에 맞추어서 리드가 없는 QFN(quad flat no-lead package) 방식의 수요가 급상승하고 있다. QFN의 경우 리드가 길게 나와 있지 않고 다이 주위의 랜드 형태로 패키지 바닥 쪽으로 노출되어 있어서 바로 회로기판에 땜질(soldering)이 가능하다. 이에 리드를 가진 형태의 패키지보다 현저하게 작고 얇게 제조할 수 있고 회로기판에서 차지하는 면적도 기존에 비해서 약 40% 정도 감소되는 효과가 있다. 발열 면에 있어서도, 칩을 올려 놓는 리드프레임이 밀봉 수지에 의해 쌓여져 있는 기존의 방식과 차별되어 리드프레임이 패키지의 바닥에 있고, 다이 패드가 외부로 바로 노출되어 있어 방열이 우수하다. 그래서 리드가 나와 있는 패키지들에 비해서 전기적 특성이 우수하고 자체인덕턴스가 절반밖에 되지 않는다.

이렇게 패키지 바닥으로 리드프레임과 밀봉 수지 표면이 공존하는 계면이 생기게 됨으로, 일반적인 금속 몰딩틀을 이용 시에 밀봉수지가 리드프레임과 몰딩틀 사이로 쉽게 새어 들어가서 랜드부 표면이나 다이패드 표면을 수지로 오염시키는 문제를 발생시킨다. 그리하여, 필수적으로 점착 테이프를 사용하여 리드프레임에 라미네이션(lamination)시킨 후 QFN 제조 공정 및 수지 봉지 공정을 거침으로 수지 공정 동안 밀봉 수지의 블리드-아웃(bleed-out)이나 플래쉬(flash)를 막을 수 있다.

한편, 일반적으로 반도체 장치 제조 공정 중에 내열 점착 테이프와 관련되는 공정은 간단히 테이핑(tape lamination) 공정 -> 다이 접착(die attach) -> 와이어 본딩(wire bonding) -> 밀봉 수지 봉지(EMC molding) -> 디테이핑(detaping) 공정으로 구성되어 있다.

첫째로, 테이핑 공정에서는 라미네이터를 사용하여 점착 테이프를 구리 혹은 PPF(Pre-Plated Frame) 리드프레임에 점착시키는데, 라미네이터의 종류 및 방식에 따라 요구되는 점착 테이프의 특성이 달라지게 된다. 롤러(roller)를 사용하는 경우, 핫프레스(hot press)를 사용하는 경우, 두 경우의 혼합형, 그리고 리드프레임의 Dam bar 부분만을 프레스하는 경우 등으로 나뉘어진다. 각 방식에 따라 점착제 층은 기포 없이 리드프레임에 밀착이 잘되어 있어야 하고 점착 테이프가 라미네이션된 리드프레임의 취급 과정에서도 delamination이 없을 정도의 점착력을 유지하고 있어야 한다.

둘째로, 다이를 리드프레임에 접착시키는 다이 접착공정에서는 페이스트 혹은 필름 형태의 에폭시, 폴리이미드, 실리콘계의 접착층이 150 ~ 170℃에서 20 ~ 60분 정도의 시간에 걸쳐서 경화가 되면서 다이와 리드프레임을 접착시킨다. 이 공정 동안 리드프레임에 라미네이션되어 있던 점착 테이프는 그 점착제 층이나 기재층의 어떤 화학적 물리적 변형이 없이 안정된 내열성으로 다이 접착성에 문제를 일으켜서는 안 된다.

셋째로, 와이어 본딩 공정에서는 금, 알루미늄, 구리 와이어 등을 사용하여 다이와 리드프레임의 랜드부를 전기적으로 연결한다. 이 공정에서는 열, 압력 혹은 초음파를 동원하여 와이어를 접합시키는데, 주로 100 ~ 300℃에서 짧게는 20분에서 길게는 2시간 정도까지 공정이 유지된다. 와이어가 다이와 랜드부에 각각 접합되는 동안 높은 접합성을 위해서 고열과 고압 혹은 초음파 진동까지 필요함으로 그 과정 동안 밑에서 리드프레임을 받치고 있는 점착 테이프의 물성의 변동이 생기면 반도체 장치에서 제일 중요한 와이어 본딩성에 문제가 생길 수가 있다. 다시 말해서, 와이어가 손상되거나 접합계면이 부실해질 수 있는 것이다. 그러함으로 기재를 포함하여 점착제 층 자체는 내열성이나 물리적인 외력에 대한 적은 변형성과 내구성이 우수해야 한다.

넷째로, 밀봉 수지 봉지 공정에서는 다이 접착 공정과 와이어 본딩이 된 리드프레임/테이프를 몰딩틀 안에서 밀봉 수지를 사용하여 봉지를 하게 된다. 이 과정은 175 ~ 190℃의 고온에서 3 ~ 5분 정도 행하여지는데, 수지가 흘러 들어와서 각 소자 혹은 다수의 소자들을 동시에 밀봉시키는 동안 수지가 리드프레임과 테이프 사이의 계면으로 침투하지 않도록 테이프가 리드프레임에 고온에서도 잘 밀착되어 있어야 한다. 그렇지 않으면 고온 고압으로 들어오는 밀봉 수지가 블리드-아웃(bleed-out)이나 플래쉬(flash)를 일으킬 수 있다. 추가적으로는 밀봉 수지와 직접적으로 접촉하는 점착제 층이 밀봉 수지와 반응하여 차후에 밀봉 수지 표면에 잔류 점착제를 남길 수가 있으며, 혹은 밀봉수지의 흐름에 의한 점착제 층의 물리적인 전단 변형이 오면서 밀봉 수지 표면을 고르지 못하게 할 수 있다.

다섯째로, 디테이핑 공정에서는, 위의 밀봉 수지 공정에서 언급했던 것처럼, 테이프가 제거된 후에 점착제 층과 접해 있던 밀봉 수지 표면이 물리적 혹은 화학적으로 균일해야 하고 점착제가 남아 있으면 안 된다. 또한 리드프레임 표면에도 점착제의 잔류물이 남아 있으면 안 된다. 테이프를 제거하는 방식은 상온에서 수작업이나 가열이 가능한 자동화된 기계를 사용하는 경우들이 있다. 기계를 사용하는 경우는, 밀봉 수지 봉지 공정을 거친 테이프가 접착되어 있는 리드프레임을 오븐이나 핫플레이트 (hot plate)를 통과하면서 테이프가 제거될 수 있는 적절한 온도로 가열된 상태에서 테이프를 제거하는 것이다.

위와 같이 반도체 장치 제조 공정에 쓰이는 점착 테이프의 요구 특성을 종합적으로 요약하자면, 각 라미네이터의 라미네이션 방식에 맞추어서 테이프가 외관상으로 기포의 형성이 없이 리드프레임에 밀착되어야 하고, 다이 접착성이나 와이어 본딩성이 우수할 수 있도록 언급된 온도 범위 및 공정 시간 동안 테이프가 물리적 화학적 변화가 없어야 한다. 다시 말해, 아웃가스(outgas)와 같은 형태로 점착제 층의 일부가 빠져 나와서 반도체 장치 소자 표면에 흡착되어 결합이 되어야 할 계면의 결합력을 저하시켜서는 안 된다. 또한, 테이프의 치수의 변동이 생기거나, 점착제 층의 물리적 특성인 탄성계수 혹은 점도와 같은 값의 극단적으로 변화하여 점착제 층이 흘러 버리거나 너무 경도가 높아져서 부스러지는 것은 반도체 장치의 신뢰성을 유지하는데 우려를 줄 수 있다. 밀봉 수지 봉지 공정 동안에는 테이프가 리드프레임에 밀착된 상태를 잘 유지하여서 그 계면 사이로 밀봉 수지가 침투하여 리드프레임 표면을 오염시키지 않아야 한다. 물론 디테이핑 공정 후에 디플래쉬 (deflash) 공정이 추가가 가능은 하지만, 궁극적으로는 추가 세척 공정이 없는 것이 효율 및 경제적으로 권장된다. 디테이핑 후에는 밀봉 수지 표면 상태가 밀봉 수지가 원래 디자인되었던 의도대로 구현이 되도록 점착제와 밀봉 수지간에 특이한 반응이 없어야 하고 점착제가 표면에 남아 있지 않아야 한다. 또한, 리드프레임 표면에도 점착제의 잔사가 없어야 한다.

특별히 본 발명에서는 위와 같은 테이프의 요구 특성을 만족시키면서 내플라즈마성이 향상되어 플라즈마 크리닝 공정 이후 간헐적으로 발생하는 EMC stain을 개선한 점착제 층의 개발에 세부 목적이 있다. 이 경우, 점착제 층이 상온에서 라미네이터 구성 요소의 일반적인 재질인 스텐레스 스틸(STS) 종류의 재질에 대하여 점착력이 전혀 없고 일정한 열과 압력이 가해졌을 시에만 점착력이 구현되어 리드프레임에 접착되어야 하는 것이다.

종래의 아크릴계이나 실리콘계의 점착제로는 이와 같은 온도에 의존적인 초기 점착력을 구현하는데 한계가 있다. 다시 말해, 상온에서 점착력이 제로(zero)에 근접하고 가열 시에만 점착력이 나오도록 구현하기가 불가능하다는 것이다. 점착제의 조성이나 기능기들의 조절에 의한 피착제와의 물리적인 결합력을 최소화시킬 수는 있으나 기본적으로 낮은 유리전이온도에 의한 점착제의 점성으로 피착제에 큰 외압이 없이도 밀착하여 라미네이션 공정에서 문제를 일으키게 된다.

열경화성 아크릴계 점착제의 경우는 근본적인 내열 응집력의 한계나 우수한 택(tack) 특성으로 디테이핑 후에 리드프레임이나 밀봉 수지 표면에 점착제 잔사의 문제가 있고, 실리콘계 점착제의 경우 미경화된 저분자 점착제가 고온 공정에서 아웃가스 형태로 휘발될 경우 그의 낮은 표면 에너지 때문에 반도체 장비 및 반도체 소자의 표면에 쉽게 흡착 혹은 고착되어 장비를 오염시키고 와이어 본딩성이나 다이 접착성과 연관된 반도체 신뢰성에 큰 문제를 야기시키는 것은 이미 공론화된 사실이다. 또한 실리콘계의 경우는 점착력이 높아서 밀봉 수지 누출에 유리할 것으로 예상되나 높은 점성에 의한 높은 변형율로 고온 고압의 밀봉수지의 흐름이 리드프레임과 점착제 층 사이를 밀고 들어가 밀봉 수지 누출을 야기시키는 문제가 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 상술한 특별한 라미네이션 공정 조건에서 요구 특성을 모두 만족시키고 내열점착층의 내플라즈마성을 향상시켜 플라즈마 클리닝 공정 이후 디테이핑 시 간헐적으로 발생되는 EMC stain 현상을 개선할 수 있는 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 보다 분명해 질 것이다.

상기 목적은, 내열 기재와 상기 내열 기재 상에 점착제 조성물이 도포된 점착제 층을 포함하는 전자부품 제조용 점착테이프에 있어서, 상기 점착제 조성물은 페녹시 수지, 열경화제, 저분자량 에폭시 및 벤족사진 화합물을 포함하고, 상기 점착제 층은 열경화에 의해 경화된 것을 특징으로 하는 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에 의해 달성된다.

여기서, 상기 내열 기재는, 두께가 5 ㎛ ~ 100 ㎛이고, 유리전이온도가 110℃ ~ 450℃이며, 100℃ ~ 200℃에서 기재의 열팽창계수가 1 ppm/℃ ~ 35 ppm/℃이고, 상온 탄성률이 1 GPa ~ 10GPa일 수 있다.

바람직하게는, 상기 페녹시 수지는 페녹시 수지 또는 변성 페녹시 수지이고, 중량평균 분자량이 1,000 ~ 500,000일 수 있다.

바람직하게는, 상기 열경화제는 적어도 두 개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 것일 수 있다.

바람직하게는, 상기 저분자량 에폭시는 중량평균 분자량이 600 이하인 에폭시일 수 있다.

바람직하게는, 상기 벤족사진 화합물은 적어도 두 개 이상의 벤족사진기를 포함하고 있는 벤족사진 화합물 및 그 유도체일 수 있다.

바람직하게는, 상기 점착제 조성물의 유리전이온도는 80℃ ~ 150℃일 수 있다.

바람직하게는, 상기 점착제 층의 스텐레스 스틸(STS) 재질에 대한 상온 점착력은 0 ~ 1 gf/50mm일 수 있다.

바람직하게는, 상기 점착제 조성물은 상기 페녹시 수지 100 중량 대비 상기 열경화제 1 ~ 40 중량부, 상기 저분자량 에폭시 3 ~ 30 중량부 및 상기 벤족사진 화합물 3 ~ 30 중량부를 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 점착제 층이 상온에서 점착력을 가지지 않으나 가열 라미네이션 공정 중에만 점착력이 발현되어 리드프레임에 라미네이션을 가능하게 할 수 있고 반도체 장치의 제조 공정 중에 점착 테이프가 노출되는 열이력에 대하여 우수한 내열성을 가지며 또한 플라즈마 클리닝 공정 이후 디테이핑 시 간헐적으로 발생하는 EMC stain 문제를 개선함으로써 반도체 장치의 제조 중 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있는 등의 효과를 가진다.

또한 본 발명에 따르면 봉지재료의 누출을 방지하고 공정 완료 후 테이프가 제거될 시에 리드프레임이나 봉지재료에 점착제의 전사를 방지할 수 있는 등의 효과를 가진다.

다만, 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

이하, 본 발명의 실시예를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.

달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다. 또한 본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.

본 발명을 설명하고/하거나 청구함에 있어서, 용어 "공중합체"는 둘 이상의 단량체의 공중합에 의해 형성된 중합체를 언급하기 위해 사용된다. 그러한 공중합체는 이원공중합체, 삼원공중합체 또는 더 고차의 공중합체를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프는 내열 기재와 내열 기재 상에 점착제 조성물이 도포된 점착제 층을 포함하는 전자부품 제조용 점착테이프에 있어서, 점착제 조성물은 페녹시 수지, 열경화제, 저분자량 에폭시 및 벤족사진 화합물을 포함하고, 점착제 층은 열경화에 의해 경화된 것을 특징으로 한다.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프는 반도체 장치 제조 공정에 필요하고 그에 따른 요구 특성을 만족시키는 마스킹(masking)용 점착테이프에 관한 것으로서, 리드프레임과 같은 금속류에 우수한 접착력을 가지고 내열성도 탁월한 열가소성의 페녹시 수지를 주재로 사용한다. 리드프레임에 대한 우수한 밀착성 및 접착성으로 밀봉 수지의 블리드-아웃(bleed-out)이나 플래쉬(flash)가 없고 경화도를 조절함으로써 리드프레임에 점착력이 발현되는 온도도 조절 가능하다. 또한 저분자량 에폭시 첨가를 통해서 내열 기재와의 계면접착력을 향상시켜 디테이핑 후에 리드프레임이나 밀봉 수지 표면에 남는 점착제 잔류 문제를 해결할 수 있으며, 또한 벤족사진 화합물의 첨가를 통해 플라즈마 클리닝 공정 이후 디테이핑 시 간헐적으로 발생하는 EMC stain 문제를 해결할 수 있다.

본 명세서에 기재된 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프는 반도체 패키징 공정을 예를 들어 기술하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 각종 전자부품의 고온 제조공정 상에 마스크 시트로도 적용할 수 있음은 물론이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에서 점착제 조성물이 도포되어 점착제 층을 형성하는 기재는 내열성이 우수한 고분자 필름을 사용할 수 있다. 이러한 내열 기재의 경우 필름 형태로 가공이 가능하고 충분한 내열성으로 상술한 온도 범위 및 시간 동안 물리-화학적 변화가 없어야 된다. 또한 이러한 내열 기재는 5% 중량감소가 되는 온도가 적어도 300℃ 이상인 것이 바람직하고 100 ~ 200℃에서의 열팽창계수가 1 ~ 35 ppm/℃ 정도인 것이 바람직하다. 또한 유리전이온도 또한 110℃ ~ 450℃인 필름이 바람직하다. 안정되고 우수한 고온 내열성은 고온 라미네이션 시에 기재의 평탄도를 유지하여 균일하게 라미네이션이 가능하게 하고 높은 와이어 본딩성을 보장할 수 있다. 고온에서도 유지되는 필름의 치수 안정성은 수지 봉지 공정 동안에도 몰딩틀에서 변형이 없어 수지의 누출을 억제할 수 있다. 추가적으로 기재의 탄성률은 상온에서 1 GPa ~ 10GPa 이고, 100 ~ 300℃ 범위 내에서도 100 ~ 5000 MPa을 유지하는 것이 바람직하다. 탄성률이 너무 낮거나 접힘 현상이 심한 기재 필름들을 사용한 경우, 테이프의 취급 과정, 테이프를 라미네이션 장비에 로딩(loading)하는 과정, 테이프가 장비에 피딩(feeding)되는 과정에서 발생될 수 있는 주름이 남아 있게 되어 추후에 라미네이션 불량(부분 delamination)을 야기하고 불균일한 와이어 본딩성 및 수지 블리드-아웃을 일으킬 수 있다. 이런 요구 특성들을 만족하는 기재로는 내열성 고분자 필름이 적용 가능하고, 내열 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리페닐렌설파이드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리아마이드, 폴리에테르이미드 등으로 가공된 필름들을 예로 들 수 있다.

또한, 기재 필름의 두께는 특별한 제한이 없고 라미네이션 장비 및 수지 봉지 장비의 적용 한계에 의하여 결정된다. 일반적으로 5 ~ 100㎛가 바람직하나, 외력에 의한 주름 현상을 억제하고 적절한 내열성을 유지하며 취급이 용이하기 위해서는 10 ~ 50㎛가 더 바람직하다. 필요에 따라 점착제와 기재 필름과의 접착력을 향상시키기 위하여 샌드매트 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 및 프라이머 처리도 가능하다.

본 발명의 일 실시예에 따른 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프의 점착제 층을 형성하는 점착제 조성물은 내열성이 우수하고 점착력이 뛰어난 열가소성 페녹시 수지를 주재로 하고 페녹시 수지용 열경화제와 내열기재와의 계면접착력 향상을 위한 저분자량 에폭시 및 내플라즈마성 향상을 위한 벤족사진 화합물을 포함한다.

점착제 조성물의 주점착제 성분은 열가소성 수지인 페녹시 수지를 사용한다. 페녹시 수지의 종류로는 비스페놀 A형 페녹시, 비스페놀 A형/비스페놀 F형 페녹시, 브롬계 페녹시, 인계 페녹시, 비스페놀 A형/비스페놀 S형 페녹시 및 카프로락톤 변성 페녹시 등을 예로 들 수 있지만, 그 중에서도, 특히 비스페놀 A형 페녹시 수지가 내열성, 친환경성, 경화제 상용성, 경화 속도 측면에서 우수함으로 더 바람직하다.

페녹시 수지의 중량평균분자량은 1,000 ~ 500,000인 것이 바람직하고, 이 경우 내부 응집력의 증가로 인한 내열성 향상으로 디테이핑 시 점착제 잔사 문제를 최소화할 수 있다. 분자량이 1,000 미만인 경우 내부 응집력이 떨어져서 요구되는 내열 특성이 구현되지 않고, 분자량이 500,000을 초과할 경우 고점도에서 오는 작업성의 저하나 코팅 후에도 코팅 면상이 고르게 나오기가 힘든 문제점이 있을 수 있고 다른 원료들과의 혼합성이 조절되기 어렵다.

또한 페녹시 수지를 용해할 수 있는 유기 용매 종류에는 케톤계, 알코올계, 글라이콜 에테르계, 에스테르계가 있다. 그 중에서 몇 가지 예로는 사이클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤질알코올, 다이에틸렌글라이콜알킬에테르, 페녹시프로판올, 프로필렌글라이콜 메틸에테르아세테이트, 테트라하이드로퓨란, N-메틸피롤리돈 등을 단독으로 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 유기 용매를 사용할 경우에는, 유기 용매 100 중량부에 대해 페녹시 수지 10 ~ 50 중량부가 적당하고 20 ~ 40 중량부가 더 바람직하다. 필요에 따라서 코팅 불량 및 기재 필름과의 접착력을 높이기 위해 톨루엔, 자일렌, 헥산과 같은 방향족 탄화수소류 용매를 희석제로 첨가할 수 있다. 희석제의 양은 용매 대비하여 40%를 넘지 않도록 한다.

또한 페녹시 수지는 적당한 가교제를 첨가하여서도 사용이 가능한데, 가교제 혹은 경화제로는 수산기 또는 에폭시기와 같은 기능기를 가지고 있는 수지를 경화시킬 수 있는 것이면 모두 가능하다. 멜라민, 우레아-포름알데히드, 이소시아네이트 관능성예비중합체, 페놀경화제, 아미노계 경화제 등을 들 수 있다. 열경화제는 적어도 두 개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 것이 바람직하다.

또한, 열경화제 함량은 페녹시 수지 100 중량 대비 1 ~ 40 중량부가 바람직하고 더욱 바람직하게는 10 ~ 30 중량부가 첨가된다. 열경화제 양이 페녹시 수지 100 중량부 대비 1 중량부 미만에서는 가교 구조가 충분히 형성되어지지 못해 점착제 층이 물러져서(상대적인 유리전이온도의 감소 및 손실 탄성률 증가) 라미네이션 시에 리드프레임이 점착제 층으로 너무 깊숙이 파고 들어가고 리드프레임에 의해서 밀린 점착제가 리드프레임의 다이패드나 랜드부 주위로 올라옴으로써 수지 밀봉 공정 시에 밀봉 수지와 리드프레임 사이에 끼어서 디테이핑 시에 점착제 잔사를 일으킬 수 있다. 또한 열경화제 양이 페녹시 수지 100 중량 대비 40중량부를 초과할 경우에는 점착제 층의 점착력과 젖음성이 너무 떨어져서 디라미네이션(delamination) 문제를 일으킬 수 있으며, 지나치게 증가된 강도로 인하여 라미네이션 과정에서 점착제 층이 부스러지는 문제를 야기시킬 수 있고, 추가적으로 기재 필름에 점착제 도포 후 건조 및 경화 과정 동안 지나친 경화 수축으로 테이프가 휘어버리는 문제를 발생시켜서 라미네이션 작업성이 떨어질 수 있다.

또한, 저분자량 에폭시는 내열기재와의 계면접착력 향상을 통해서 디테이핑 공정에서의 점착제 잔사와 같은 문제를 해결할 수 있다. 저분자량 에폭시로는 비스페놀 A형 에폭시, 비스페놀 F형 에폭시, 페놀노볼락형 에폭시, 바이페닐형 에폭시, 인계 에폭시 등을 예로 들수 있지만, 그 중에서도, 특히 고상 에폭시이며 경화반응 후 내열성이 우수한 바이페닐형 에폭시 수지가 내열기재와의 계면접착력 향상 및 점착층의 내열성 등을 고려했을 때에서는 더 바람직하다.

이러한 저분자량 에폭시는 중량평균 분자량이 600 이하인 것이 바람직 하며, 중량평균 분자량이 600을 초과하는 경우 필름과의 계면접착력 증가 효과가 낮아서 디테이핑 시 점착제 잔사 문제를 야기할 수 있다.

또한 저분자량 에폭시 함량은 페녹시 수지 100 중량 대비 3 ~ 30 중량부, 바람직하게는 10 ~ 20 중량부의 비율로 사용된다. 저분자량 에폭시 양이 페녹시 수지 대비 3 중량부 미만에서는 내열기재와의 계면접착력 향상 효과를 기대하기 어려우며, 30 중량부를 초과할 경우에는 페녹시 수지의 경화에 사용되는 열경화제에 대해 페녹시 수지와의 경쟁적인 반응을 통해 페녹시 수지가 충분한 경화를 진행하지 못하여 점착제 조성물의 내열성 감소 문제를 일으키며, 또한 미반응된 에폭시기가 반도체 공정 중의 추가반응으로 인한 봉지재 및 리드프레임과의 접착력 상승으로 디테이핑 공정에서 오히려 점착제 잔사 문제를 증가시킬 수 있다.

벤족사진 화합물은 점착층의 건조 및 열처리 공정에서 자체 중합을 통하여 폴리벤족사진을 형성하게 되며, 이렇게 형성된 폴리벤족사진은 플라즈마 클리닝 공정에서의 저항성을 높여, 디테이핑 이후 EMC 표면에 발생되는 EMC stain 문제를 개선할 수 있다. 벤족사진 화합물로는 내플라즈마 저항성을 위해 높은 가교밀도를 가진 구조물 형성을 위해 적어도 두 개 이상의 벤족사진기를 가진 벤족사진 화합물 및 그 유도체가 사용될 수 있다.

또한 벤족사진 화합물의 함량은 페녹시 수지 100 중량에 대비 3 ~ 30 중량부, 바람직하게는 10 ~ 20 중량부의 비율로 사용된다. 벤족사진 화합물의 양이 페녹시 수지 대비 3 중량부 미만에서는 EMC stain에 대한 개선 효과가 없으며, 30 중량부를 초과할 경우에는 미반응된 과량의 벤족사진이 반도체 공정중의 추가 반응으로 인한 봉지재 및 리드프레임과의 접착력 상승으로 디테이핑 공정에서의 테잎이 찢어져서 작업성이 낮아지게 된다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프의 점착제 조성물의 유리전이온도는 80℃ ~ 150℃인 것이 바람직하고, 또한 점착제 층의 스텐레스 스틸(STS) 재질에 대한 상온 점착력은 0 ~ 1 gf/50mm인 것이 바람직하다. 점착제 조성물의 유리전이온도가 80℃ 미만인 경우에는 QFN 공정 동안의 열이력에 의해서 고온에서 점착제의 물성 변화가 너무 심해지고, 150℃를 초과할 경우에는 테이프의 라미네이션 온도가 170℃ 이상이 되면서 라미네이션 후에 휨(warpage)이 심해진다(리드프레임의 열팽창이 심해 지면서 테이프와의 열팽창 정도의 차이가 커져 결국 warpage가 증가함).

이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g, 벤족사진 화합물 (Shikoku, F-a type benzoxazine) 3g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다.

<실시예 2>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g, 벤족사진 화합물 (Shikoku, F-a type benzoxazine) 10g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다.

<실시예 3>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g, 벤족사진 화합물 (Shikoku, F-a type benzoxazine) 15g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다.

<실시예 4>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g, 벤족사진 화합물 (Shikoku, F-a type benzoxazine) 20g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다.

<실시예 5>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g, 벤족사진 화합물 (Shikoku, F-a type benzoxazine) 30g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다.

<비교예 1>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다.

<비교예 2>

페녹시 수지(국도화학, YP50) 100g을 메틸에틸케톤 850g에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우코닝, CE138) 20g, 저분자량 에폭시(일본화약, NC-3000) 15g, 벤족사진 화합물 (Shikoku, F-a type benzoxazine) 50g을 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착제 조성물을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다

<비교예 3>

아크릴 수지(삼원, AT5100) 100 중량부를 에틸아세테이트 320 중량부에 용해하고 이소시아네이트계 열경화제(다우 코닝, CE138) 10 중량부, 에너지선 경화형 화합물인 알리파틱 폴리우레탄아크릴레이트(일본합성, UV7600B80) 25 중량부와 에폭시 아크릴레이트(CYTEC, EB600) 0.5 중량부, 실리콘 아크릴레이트 0.1 중량부, 알아크릴 포스파인계 광개시제(CYTEC, DAROCUR TPO) 1 중량부를 혼합하여 1시간 교반하였다. 교반이 끝난 점착액을 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(LN, 코오롱)에 도포하고 150℃ 건조기에서 약 3분간 건조하였다. 두께는 약 3㎛로 확인되었다. 건조기를 통과한 건조된 테이프는 추가적인 가교 구조를 형성하기 위해서 질소 분위기에서 자외선이 조사되었고, 자외선의 광량은 약 300 mJ/㎠ 이었다. 점착제 층 내의 완전한 경화를 위하여 장파장의 자외선 A영역 (315 ~ 400 nm)의 에너지선을 방출하는 무전극 UV램프를 사용하였다. 또한 산소에 의한 에너지선 경화 효율의 감소를 방지하기 위해 질소 분위기에서 자외선이 점착제 층에 조사되었다.

위 실시예와 비교예에서 제조된 전자부품 제조용 점착테이프를 각각 평가하여 다음 표 1에 나타내었다. 평가를 위한 실험 내지 방법은 당업자에게 잘 알려진 방법으로 하였으므로 본 명세서에서는 이에 대해 생략하기로 한다.

상기 표 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 페녹시 수지를 주재로 하고 일정량의 벤족사진 화합물을 포함하고 있는 실시예 1 ~ 5 및 벤족사진 화합물이 포함되지 않은 비교예 1, 그리고 과량의 벤족사진 화합물이 함유된 비교예 2 및 아크릴 수지를 주재로 한 비교예 3의 반도체 장치 제조에 쓰이는 점착테이프로서의 주요 특성들과 연관되는 물성들을 비교하였다.

이들 점착테이프는 라미네이션 측면의 적용 용도에 있어서 상온에서 스테인레스 재질에 대한 점착력이 없어야 하기 때문에 그와 같은 특성을 주기 위하여 점착제 조성물이 결정되었다. 비교예 3의 아크릴 점착제는 STS 304 재질에 대하여 미세한 점착력이 남아 있었다. 이는 아크릴 수지의 근본적인 점착 특성을 자외선 경화를 통해서 없애지는 못하는 것으로 추정할 수 있거나 또는 고분자의 (중량평균분자량이 ~ 800,000) 아크릴 사슬에서 오는 점착제 층의 무름 혹은 유연성으로 반데르발스나 극성기에 의한 점착력이 아닌 점착제 층의 물리적 변형으로 인한 접착 표면의 증가에서 오는 미세한 점착력에 기인할 수도 있을 것으로 보였다. 결국 이 미세한 점착력이 상술한 라미네이션 장비에서는 테이프의 피딩성(feeding)에 문제가 되어 약 20%의 작업성 실패를 초래하였다.

또한 실시예 1 ~ 5의 경우에는 벤족사진 화합물이 포함되어 있지 않은 비교예 1과 과량의 벤족사진 화합물이 포함된 비교예 2에 비해 플라즈마 처리 이후 우수한 EMC stain 특성을 가지며, detaping 작업성 또한 양호함을 확인할 수 있다. 하지만 비교예 2에서와 같이 너무 과량의 벤족사진 화학물이 함유될 경우에는 detaping 작업성 불량 및 EMC stain 특성도 동시에 좋아지지 않음을 확인할 수 있었다. 특히 적정량의 벤족사진 화합물이 사용된 실시예 2, 3, 4의 경우 플라즈마 처리 이후 더욱 우수한 EMC stain 특성을 보이게 되며, 이를 통해서 일정량의 벤족사진 화합물이 첨가될 때 내플라즈마 특성이 증가함을 확인할 수 있었으며, 신뢰성이 우수한 안정적인 양산 공정에 적용이 가능하다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에 의하면, 향상된 내플라즈마 특성을 통해 반도체 장치의 제조 공정 중 장치의 신뢰성 향상을 가지며 봉지재료의 누출을 방지하고, 또한 공정 완료 후 테이프가 제거될 때 리드프레임이나 봉지재료에 점착제의 전사를 방지할 수 있는 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프를 제공할 수 있다.

본 명세서에서는 본 발명자들이 수행한 다양한 실시예 가운데 몇 개의 예만을 들어 설명하는 것이나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고, 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.

Claims (9)

1. 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프에 있어서,
   내열 기재와 상기 내열 기재 상에 점착제 조성물이 도포된 점착제 층을 포함하는 전자부품 제조용 점착테이프에 있어서,
   상기 점착제 조성물은 페녹시 수지, 열경화제, 저분자량 에폭시 및 벤족사진 화합물을 포함하고, 상기 점착제 층은 열경화에 의해 경화된 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
2. 제1항에 있어서,
   상기 내열 기재는, 두께가 5 ㎛ ~ 100 ㎛이고, 유리전이온도가 110℃ ~ 450℃이며, 100℃ ~ 200℃에서 기재의 열팽창계수가 1 ppm/℃ ~ 35 ppm/℃이고, 상온 탄성률이 1 GPa ~ 10GPa인 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
3. 제1항에 있어서,
   상기 페녹시 수지는 페녹시 수지 또는 변성 페녹시 수지이고, 중량평균 분자량이 1,000 ~ 500,000인 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
4. 제1항에 있어서,
   상기 열경화제는 적어도 두 개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
5. 제1항에 있어서,
   상기 저분자량 에폭시는 중량평균 분자량이 600 이하인 에폭시인 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
6. 제1항에 있어서,
   상기 벤족사진 화합물은 적어도 두 개 이상의 벤족사진기를 포함하고 있는 벤족사진 화합물 및 그 유도체인 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
7. 제1항에 있어서,
   상기 점착제 조성물의 유리전이온도는 80℃ ~ 150℃인 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 점착제 층의 스텐레스 스틸(STS) 재질에 대한 상온 점착력이 0 ~ 1 gf/50mm인 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.
9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 점착제 조성물은 상기 페녹시 수지 100 중량 대비 상기 열경화제 1 ~ 40 중량부, 상기 저분자량 에폭시 3 ~ 30 중량부 및 상기 벤족사진 화합물 3 ~ 30 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 내플라즈마성이 향상된 반도체 공정용 내열 점착 마스킹 테이프.