KR20100073613A - 반도체 장치용 내열 점착테잎 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치용 내열 점착테잎에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄소 이중결합을 가진 고무와 에너지선 경화형 아크릴 수지를 배합하여 제조과정에서 에너지선 조사를 통해 점착성을 유지하면서 동시에 우수한 내열성을 갖는 반도체 장치용 내열 점착테잎에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 반도체 장치용 내열 점착테잎은 내열기재 및 상기 기재상의 내열 점착제층을 구비하되, 상기 내열 점착제층은 탄소 이중결합을 가진 고무, 가교제, 에너지선 경화형 아크릴수지 및 광개시제를 포함하는 점착제 조성물이 상기 내열기재 상에서 에너지선의 조사에 의해 경화가 이루어진 것을 특징으로 한다.

내열 점착제층, 탄소 이중결합을 가진 고무, 가교제, 에너지선 경화형 아크릴수지, 광개시제, 점착테잎

Description

반도체 장치용 내열 점착테잎{Heat-Resistant Adhesive Tape for Semiconductor Device}

본 발명은 반도체 장치용 내열 점착테잎에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄소 이중결합을 가진 고무와 에너지선 경화형 아크릴 수지를 배합하여 제조과정에서 에너지선 조사를 통해 점착성을 유지하면서 동시에 우수한 내열성을 갖는 반도체 장치용 내열 점착테잎에 관한 것이다.

반도체 패키징 업체들은 최근의 급격한 반도체 장치(Device)의 기술변화에 대응하여 새로운 패키지를 발 빠르게 시장에 공급하는 것을 생존의 최우선 과제로 하고 있으며, 향후 수요가 급격히 증가할 것으로 전망되는 QFN, Stacked CSP, WLP, Flip Chip Bare Die, Fine-Pitch BGA, MCP 등의 경박단소 및 고부가가치 패키징 기술이 향후 시장 선점의 관건이 될 것으로 전망되고 있다.

이 중, QFN (Quad Flat Non-lead Package)은 CSP(Chip Scale Package)의 일종으로 보드의 공간을 최대화시키며 전기와 열 효과를 증대시킬 수 있는 특징을 지니고 있으며 주로 이동전화와 PDA 제조에 사용되고 있는데 그 구조상 하부에 전기접속부인 리드가 노출되어 있는 상태에서 패키징 공정이 이루어져야만 하며, 따라 서 제조과정의 초기부터 리드의 노출부위를 점착 테잎으로 마스킹하는 공정이 필수적이다.

또한, WLP(Wafer Level Package)는 전통적인 반도체 조립공정이 아닌, 웨이퍼를 그대로 둔 채 플라스틱 덮개 대신 절연막을 입히고 배선을 한 뒤 다시 절연막을 덧씌움으로써 조립공정을 끝내는 신기술 공법으로 원가절감과 성능을 최대화시킨 패키지를 말하며 주로 이동전화, 노트북, PDA, 디지털카메라, MP3, GPS 등에 사용되고 있는데, 그 제조공정을 보면 웨이퍼를 점착 테잎에 고정한 상태로 모든 공정이 이루어져야 하며 따라서 점착 테잎에 의해 웨이퍼의 이면을 마스킹하는 공정이 뒤따라야만 한다.

이하에서는 QFN 패키징 공정을 예로 공정순서에 따라 설명한다.

라미네이션(Lamination)공정 :

스트립(Strip) 혹은 릴(Reel) 단위로 공급되는 리드프레임의 이면에 점착 테잎을 부착하는 공정으로 고무 롤을 사용하거나 또는 가열된 프레스를 이용하여 가압하는 방식으로 테잎을 리드프레임에 견고하게 부착한다. 따라서, 사용되는 테잎은 기본적으로 점착특성을 가지고 있어야 하는데 점착층이 압력이나 열에 의해 변형이 되는 문제점이 있으며, 이럴 경우 부착된 리드 프레임에 잔류응력이 발생하여 연속적으로 이어지는 후공정에서 리드 프레임의 공정간 제조 편차를 가져오기 쉽고 특히 패키지 완성 후 신뢰성 평가에서 계면박리(Delamination)을 유발할 가능성이 있다.

다이접착(Die Bonding)공정 :

이면에 점착 테잎이 부착된 리드 프레임의 반대면은 DAP(Die Attach Pad, 이하 DAP)와 inner lead로 구성되어 있고 실리콘 다이를 DAP상에 에폭시 수지를 사용하여 접착하게 된다. 이 때 공정온도가 통상적으로 175 내지 190℃에 이르고 30분 내지 120분 동안 경화공정을 거치게 되는데, 점착 테잎의 변형이 있을 경우 다이접착의 균일도에 문제가 발생할 수 있다.

와이어본딩(Wire Bonding)공정 :

점착 테잎을 이용한 일반적인 QFN 패키지의 주된 문제는 본드 형성시 안정성이다. 기 다이 접착공정을 거친 리드 프레임상의 다이와 복수의 리드를 본딩와이어에 의해 전기적으로 접속하게 되는데 이 때 공정온도가 190 내지 250℃에 이르고 접촉시 전단력이 50 내지 200gf에 이르기 때문에 부착된 점착 테잎의 영향으로 리드 프레임과 다이의 와이어 접속력이 약해지게 된다.

수지 봉지 공정(EMC molding) :

QFN제조시의 수지 봉지 공정에서는 175 내지 190℃에서 8GP정도의 압력으로 3내지 5분 동안 소자를 수지 봉지한다. 따라서 점착 테잎의 점착제층이 고온에 노출되어 열에 의해 변형됨으로써 봉지수지의 압력이 가해질 때 점착제층이 리드프레임으로부터 부분적으로 박리되어 리드나 반도체 소자 탑재부의 하부방향으로 봉지수지가 침투되는 소위 '레진블리드(resin bleed)'불량이 발생하게 된다.

테잎 박리 공정(Detaping) :

수지 봉지 공정이 완료된 후 부착된 점착 테잎은 완성된 반도체 소자로부터 박리공정을 거치게 되는데, 이 때 주로 박리과정에서 강한 접착력에 의해 점착제의 잔류가 남을 소지가 매우 크다. 특히 점착제 성분과 봉지 수지의 성분간의 상호작용이 있을 경우에는 접착 후 박리시에 응집파괴가 일어나기 쉽고 이로 인해 완성된 패키지의 표면이 오염되기 쉽다.

수지 봉지 후 세척(Deflash) :

일반적으로 QFN에 사용되는 점착 테잎은 상기 수지 봉지 공정에서의 레진 블리드를 방지하기 위한 목적이 크다. 그러나 이용하는 테잎에 따라서 상기 테잎 박리 공정에서와 같이 점착제 잔류물 및 레진 블리드를 남기기 쉽고 이를 제거하기 위해서 봉지 후에 추가적인 세척 공정이 필요할 수 있는데 이러한 추가적인 세척공정은 전체 패키지 비용을 최고 5%까지 높일 수 있다.

이후 완성된 패키지는 절단에 의해 개별화(Singulation)가 이루어지고 개별 소자는 반도체 부품에 별도의 접속 유닛을 이용하여 전기적 접속을 이루게 된다.

상기와 같은 반도체 소자의 제조공정을 위해 필수적으로 사용되어야만 하는 점착 혹은 접착 테잎은 특개2002-184801호 공보 및 특개 2000-294579호 공보에 소개되고 있는데 실리콘 점착제나 아크릴 점착제를 사용한 점착 테잎을 주로 소개하고 있다. 그러나 실리콘 점착제나 아크릴 점착제를 사용한 경우 고온에서의 접착강도가 낮아 와이어본딩시 접합 불량율이 상대적으로 높으며, 점착제의 응집력이 취약하여 응집파괴에 의한 잔류물이 남기 쉽고 또한 가열에 의하여 점착제로부터 아웃가스(Outgas) 성분이 누출되는 경우가 있다. 특히 실리콘계의 경우에는 이러한 아웃가스 성분이 리드프레임 표면에 부착되어 본딩와이어의 접합불량을 유발하기가 쉽고 실리콘 점착제의 실리콘 성분들이 패키지 표면에 전사되어 오염을 발생시키는 문제점을 안고 있다.

상기와 같은 점착 테잎류의 문제점들을 해결하기 위하여 많은 노력들이 이루어져 왔는데, 그 중에서 특개 2003-336015호 공보에서는 열경화형 접착제를 적용한 접착 테잎을 제안하고 있다. 상기 공보에서는 에폭시계의 열경화성 수지를 사용함으로써 열에 의해 접착제층이 경화가 이루어지고 이로 인해 고온에서의 접착강도가 높아져 와이어본딩시에 뛰어난 안정성을 부여한다고 주장하고 있다. 그러나 높은 접착강도로 인해 수지 봉지 공정 후에 박리에 어려움이 있어 강제로 박리할 경우 반도체 소자의 물리적 변형이나 손상의 우려가 크고 박리후에도 반도체 소자의 표면에 경화 잔류물이 남을 소지가 매우 크다고 할 수 있다.

또한, 일반적으로 와이어본딩 특성을 향상시키기 위해 와이어본딩 공정 전에 플라즈마(Plasma) 세정을 실시하여 표면에 부착한 불순물을 제거하게 되는데, 이 과정에서 노출된 접착제 표층이 플라즈마 세정에 의해 더욱 거칠어지게 되고 이로 인해 접착제와 봉지수지간의 상호작용이 비례적으로 커짐으로써 테잎 박리시의 불량을 더욱 심화시킬 우려가 있다.

이를 개선하기 위하여 특별한 박리성분을 접착제에 배합한다거나 또는 열경화성 수지와 일반 고무계열의 수지를 상호 적절히 배합하는 방법도 종래에 소개되고 있으나 복합적인 물성을 모두 만족시키기에는 더욱 근본적인 개선이 필요하며, 따라서 종래의 기술로는 이러한 개선요구를 충족하기가 힘들다고 할 수 있겠다.

본 발명에서는 상기와 같은 반도체 장치를 제조하기 위해 필수적인 점착 테잎의 개선요구물성을 다각적으로 검토한 끝에 서로 상반되어 나타나는 점착특성과 내열특성을 동시에 구현할 수 있도록 하기 위하여 탄소 이중결합을 가진 고무와 에너지선 경화형 아크릴수지를 사용하고 이를 에너지선으로 조사하여 가교반응을 유도함으로써 점착제 내에 견고하게 결합시키는 방법을 창안하기에 이르렀다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 탄소 이중결합을 가진 고무와 에너지선 경화형 아크릴 수지를 배합하여 제조과정에서 에너지선 조사를 통해 점착성을 유지하면서 동시에 우수한 내열성을 갖는 반도체 장치용 내열 점착테잎을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 보다 분명해 질 것이다.

상기 목적은, 내열기재 및 상기 기재상의 내열 점착제층을 구비하되, 상기 내열 점착제층은 탄소 이중결합을 가진 고무, 가교제, 에너지선 경화형 아크릴수지 및 광개시제를 포함하는 점착제 조성물이 상기 내열기재 상에서 에너지선의 조사에 의해 경화가 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 내열 점착테잎에 의해 달성된다.

여기서, 상기 내열기재의 유리전이 온도는 150℃ 이상인 내열성 필름이고, 100℃ 내지 200℃에서 기재의 열팽창계수가 5 ppm/℃ 내지 50 ppm/℃인 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 탄소 이중결합을 가진 고무는 적어도 하나 이상의 탄소 이중결합을 분자의 반복 단위 내에 가지고 있고, 중량평균분자량이 2,000 내지 900,000인 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 에너지선 경화형 아크릴수지는 적어도 하나 이상의 탄소 이중결합을 분자 내에 가지고 있는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 에너지선은 자외선이고, 상기 에너지선 경화는 자외선 A영역을 기준으로 10∼7,000 mJ/㎠의 광량으로 경화한 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 우수한 점착특성을 가진 고무를 이용하고 그 중, 탄소 이중결합을 가진 고무를 사용하여 에너지선 경화형 아크릴수지와 제조과정에서 에너지선의 조사에 의해 가교구조를 이룸으로써 우수한 내열특성을 발현할 수 있는 등의 효과를 가진다.

따라서 본 발명에 따른 반도체 장치용 내열 점착테잎은 QFN, WLP 등과 같이 리드 프레임이나 웨이퍼의 고정이 필요한 반도체 패키지 제조공정에서 우수한 점착특성과 뛰어난 와이어본딩성, 비오염 특성을 보여주며 기타 동일하게 요구되는 분야에 바람직하게 사용할 수 있는 등의 효과를 가진다.

이하, 본 발명의 실시예를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통 상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.

본 발명자는 상기의 과제를 해결하기 위하여 뛰어난 점착특성을 보유한 고무계 바인더(binder)를 채용하고 고무계의 상대적으로 취약한 내열물성을 보완하기 위하여 에너지선 경화에 의해 가교구조를 형성할 수 있는 아크릴수지를 도입하는 것을 창안하였다. 이렇게 함으로써 QFN 등과 같은 반도체 소자의 제조시에 우수한 점착특성으로 수지누설을 방지하고 가교구조의 내열성으로 인해 뛰어난 와이어본딩성을 확보함과 동시에 박리시에는 점착제의 잔류물의 염려가 없어 반도체 장치의 실장강도가 높고 실장 신뢰성이 우수한 반도체 장치용 내열 점착테잎을 제공할 수 있다.

그 한 예로서, 하기 표에 일반적인 아크릴수지와 본 발명에서 사용한, 에너지선을 조사한 후의 점착제 조성물의 열분해온도를 측정한 결과를 다음 표1에 나타내었다.

[표 1]

	분해온도	중량감소분
탄소 이중결합을 가진 고무 + 에너지선 경화형 아크릴수지	300℃	0.86%
	429℃	5.02%
일반적인 아크릴수지	300℃	1.03%
	374℃	5.02%

상기 표 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 경우에 있어서는 중량감소의 5%가 발생하는 열분해온도가 종래의 아크릴수지에 비해 약 50 ^oC 이상 높아진 것을 확인할 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 장치용 내열 점착테잎은 내열기재 및 상기 기재상의 내열 점착제층을 구비하되, 상기 내열 점착제층은 탄소 이중결합을 가진 고무, 가교제, 에너지선 경화형 아크릴수지 및 광개시제를 포함하는 점착제 조성물이 상기 내열기재 상에서 에너지선의 조사에 의해 경화가 이루어진 것을 특징으로 한다.

상기 기재필름은 폴리에스터, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 트리아세틸셀롤로스, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트 등으로 이루어진 플라스틱 필름이 될 수 있으며 여기에 한정하지 않는다. 또한, 기재로서 플라스틱필름 대신 금속박을 사용할 수 있는데, 금, 은, 구리, 백금, 알루미늄, 마그네슘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 니켈, 아연, 팔라듐, 카드륨, 인듐, 주석, 납 등으로 이루어진 박, 또는 합금박, 또는 도금박을 사용할 수 있다.

상기 기재필름의 경우, 열팽창계수가 크면, 리드프레임과의 열팽창계수 차가 커지므로, 실온으로 되돌아 왔을 때, 시트에 부착된 리드프레임은 휨이 발생될 수 있으며, 이러한 휨 발생은 몰딩공정에서 치수불안정을 유발하여 위치변형에 의한 몰드플래쉬 불량이 발생할 염려가 있다. 따라서, 이러한 조건이 부합되는 내열성 기재로서는 유리전이 온도가 150℃이상의 내열성 필름이 바람직하고, 100℃ 내지 200℃에서 기재의 열팽창계수는 5 ppm/℃ 내지 50 ppm/℃이 바람직하며, 10 ppm/℃ 내지 25 ppm/℃이 더욱 바람직하다.

또한, 본 발명에 사용되는 고무는 탄소 이중결합을 갖는 고무이면 특별히 한정하지 않고 사용이 가능하다. 예를 들면, 아크릴로니트릴부타디엔 고무를 들 수 있다. 아크릴로니트릴부타디엔 고무는 중량평균분자량이 2,000 내지 1,500,000, 바 람직하게는 3,000 내지 900,000, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 400,000의 분자량을 갖는 것으로, 아크릴로니트릴 함유율이 10 내지 60 중량부, 바람직하게는 20 내지 50 중량부인 것으로 한다. 이 때, 중량평균분자량이 2,000 보다 낮으면 접착제 내에서 바인딩성이 저하되어 필름의 형태를 수득하기가 어렵고 900,000 보다 높아지면 용매에 대한 용해성이 나빠질 뿐 아니라 필름 제조 시 점도가 증가하여 작업성이 불량해지고, 응집력이 지나치게 높아져 아크릴수지와 혼화성이 저하된다. 또한 아크릴로니트릴 함량이 10 중량부 보다 낮은 경우 용매 용해성이 매우 낮아지며, 60 중량부 보다 높아지면 친전자성인 니트릴기의 함량이 지나치게 많아져 전기적 절연성이 저하된다. 또한 아크릴수지와 결합력을 높이기 위하여 카르복실기 함유 아크릴로니트릴부타디엔 고무를 사용할 수도 있는데, 이는 아크릴로니트릴과 부타디엔을 약 10/90 내지 50/50의 몰비로 공중합시킨 공중합 고무의 말단기를 카르복실화한 것, 또는 아크릴로니트릴, 부타디엔과 아크릴산, 말레산 등의 카르복실기 함유 중합성 단량체의 삼원 공중합 고무 등을 들 수 있다. 구체적인 예로는, PNR-1H(상품명, 닛본 고세이 고무㈜ 제조), "니폴" 1072J, "니폴" DN612, "니폴" DN631(상품명, 이상 닛본 제온㈜ 제조), "하이커" CTBN(상품명, BF 굿 리치사 제조)등을 들 수 있다.

상기 고무와 가교구조를 형성하기 위한 에너지선 경화형 아크릴수지는 이중결합을 가진 아크릴 고분자, 아크릴 올리고머, 아크릴 모노머 등이 있으며 에너지선에 의해 경화가 가능한 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용이 가능하다. 상기 에너지선 경화형 아크릴수지는 적어도 하나의 탄소 이중결합을 분자 내에 가지고 있으며, 그 예로서는 일본공개특허공보 No.60(1985)-196956과 No.60(1985)-223139에서 공개된 저분자량 화합물들이 널리 사용된다. 예를 들어, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트와 같은 아크릴레이트 화합물을 포함한다.

본 발명에 따른 가교제는 고무를 가교시킬 수 있는 유기과산화물계의 가교제이면 모두 사용이 가능하다. 이러한 가교제로는, 디큐밀퍼옥사이드(DCP, dicumyl peroxide), 큐밀하이드록시퍼옥사이드(CHP, cumyl hydroxyperoxide) 등이 있다. 상기와 같은 유기과산화물계 가교제는 고무중량 대비 1내지 5중량부가 사용되는 것이 바람직하다.

나아가, 상기의 자외선경화형 저분자화합물의 경화를 개시하기 위해 광개시제를 사용 할 수 있는바, 이러한 광개시제로는, 예를 들어 벤조페논, 아세토페논, 디벤질, 디아세틸, 디페닐 설피드, 아조비스이소부티로니트릴 등이 있을 수 있다. 상기와 같은 광개시제는 에너지선 경화형 저분자화합물의 합계 100중량부에 대해 통상적으로 0.5 내지 10 중량부, 바람직하게는 1 내지 5 중량부의 비율로 사용된다.

이하, 본 발명은 다음과 같은 형태로 실시가 가능하며, 본 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

[실시예]

상술한 탄소 이중결합을 가진 고무, 가교제, 에너지선 경화형 아크릴수지 및 광개시제의 조성으로 이루어진 접착제를 메칠에틸케톤, 메탄올, 벤질알코올, 톨루 엔, 테트라하이드로퓨란, 클로로벤젠 등의 유기 용매를 이용해 균일하게 혼합하여, 이때의 점도가 10~1,000CPS이고, 내열성 기재필름 위에 건조 후의 두께가 5~50㎛가 되도록 도포하고 50~170℃에서 1~10분 동안 건조 후 다음 단계인 에너지선 경화방법을 거치고 나면 점착 테잎의 수득이 가능하다.

점착제 조성물을 수득한 다음 이를 기재에 코팅 후 경화시키는 방법으로, 경화방법은 가시광선, 자외선, 그리고 전자선과 같은 에너지선에 의해 경화반응을 함으로써, 접착제층 내에 가교구조를 유도할 수 있으며, 에너지선의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 자외선을 활용하여 경화시키는 것이 바람직하다. 자외선 경화는 매우 짧은 시간에 일어나는 화학적인 반응으로 짧은 시간 동안 일정량의 광량으로 완전히 경화시켜야만 한다. 만약, 일정 이하의 광량에서 경화반응을 시킨다면, 경화반응물 중에 미 반응이 포함되는 경우가 발생될 수 있으며, 일정 이상의 광량으로 경화시킬 경우에는 기재필름이나 점착수지의 분해가 일어날 수도 있다. 또한 자외선은 적외선을 수반하므로, 적외선의 열에 의한 부작용이 발생될 수도 있다. 따라서, 광량은 자외선 A영역을 기준으로 10∼7,000 mJ/㎠이 바람직하며, 400∼1000 mJ/㎠ 정도가 더욱 바람직하다. 그리고 자외선 램프는 크게 단파장(자외선 B, C) 영역을 주영역으로 포함하는 수은 램프와 장파장(자외선 A)영역을 주영역으로 포함하는 메탈할라이드 램프로 나누어 질 수 있고, 두 가지 램프를 혼합하여 사용하거나 각각의 램프를 사용하여 경화를 형성시킬 수 있으며, 광량조절은 램프 높이나 자외선의 조사시간을 통해 조절할 수 있다.

Claims (5)

1. 반도체 장치용 내열 점착테잎에 있어서,

   내열기재 및 상기 기재상의 내열 점착제층을 구비하되,

   상기 내열 점착제층은 탄소 이중결합을 가진 고무, 가교제, 에너지선 경화형 아크릴수지 및 광개시제를 포함하는 점착제 조성물이 상기 내열기재 상에서 에너지선의 조사에 의해 경화가 이루어진 것을 특징으로 하는, 반도체 장치용 내열 점착테잎.
2. 제1항에 있어서,

   상기 내열기재의 유리전이 온도는 150℃ 이상인 내열성 필름이고, 100℃ 내지 200℃에서 기재의 열팽창계수가 5 ppm/℃ 내지 50 ppm/℃인 것을 특징으로 하는, 반도체 장치용 내열 점착테잎.
3. 제1항에 있어서,

   상기 탄소 이중결합을 가진 고무는 적어도 하나 이상의 탄소 이중결합을 분자의 반복 단위 내에 가지고 있고, 중량평균분자량이 2,000 내지 900,000인 것을 특징으로 하는, 반도체 장치용 내열 점착테잎.
4. 제1항에 있어서,

   상기 에너지선 경화형 아크릴수지는 적어도 하나 이상의 탄소 이중결합을 분자 내에 가지고 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치용 내열 점착테잎.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 에너지선은 자외선이고, 상기 에너지선 경화는 자외선 A영역을 기준으로 10∼7,000 mJ/㎠의 광량으로 경화한 것을 특징으로 하는, 반도체 장치용 내열 점착테잎.