JP2011057833A - 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 - Google Patents
洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011057833A JP2011057833A JP2009208529A JP2009208529A JP2011057833A JP 2011057833 A JP2011057833 A JP 2011057833A JP 2009208529 A JP2009208529 A JP 2009208529A JP 2009208529 A JP2009208529 A JP 2009208529A JP 2011057833 A JP2011057833 A JP 2011057833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- cleaning
- mass
- hard disk
- cerium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物において、(A)成分:ホスホン酸系キレート剤を1〜50質量%、(B)成分:ヒドロキシカルボン酸および/またはその塩を1〜20質量%含有し、かつ、前記(A)成分と(B)成分の質量比が、(A)成分/(B)成分=50/50〜90/10であり、界面活性剤の含有量が1質量%未満であり、純水で2質量%に希釈した希釈液の25℃におけるpHが5.0以下であることを特徴とする洗浄剤組成物。
【選択図】なし
Description
例えば、ハードディスク基板は、酸化セリウムやアルミナ等の研磨材で粗研磨した後、さらにコロイダルシリカ等の研磨材で仕上げ研磨を行う。特に、ガラス製ハードディスク基板を研磨する場合は、粗研磨の際に酸化セリウムを用いるのが一般的である。
粗研磨後や仕上げ研磨後のハードディスク基板の表面には、研磨で生じた砥粒や研磨カスが残留するため、各研磨の後にこれらを除去する必要がある。
また、ガラス基板用の洗浄剤組成物として、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)と非イオン性界面活性剤とを、両者の質量比がHEDP/界面活性剤=1/20〜1/5となるように含有する洗浄剤組成物(特許文献2参照)や、キレート剤としてヒドロキシカルボン酸またはホスホン酸と、界面活性剤とを含有する洗浄剤(特許文献3参照)が提案されている。
また、特許文献2、3に記載の洗浄剤組成物は、必ずしも酸化セリウムに対する洗浄性を満足するものではなかった。
また、前記(A)成分が、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸および/またはその塩であることが好ましい。
さらに、前記(B)成分が、グリコール酸および/またはその塩であることが好ましい。
[洗浄剤組成物]
本発明の洗浄剤組成物は、酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄用であり、(A)成分:ホスホン酸系キレート剤と、(B)成分:ヒドロキシカルボン酸および/またはその塩とを含有する。
本発明の洗浄剤組成物は、(A)成分としてホスホン酸系キレート剤を含有する。
ホスホン酸系キレート剤としては、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)および/またはその塩、ニトリロトリスメチレンホルホン酸(NTMP)および/またはその塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸(EDTMP)および/またはその塩などが挙げられる。
これらホスホン酸の塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、または水酸化テトラメチルアンモニウムなどが挙げられる。
ガラス製ハードディスク基板の粗研磨用の研磨材として好適に使用される酸化セリウムは、通常、水中での電荷がゼロである。従って酸化セリウムは水中で分散しにくく、基板の表面に付着しやすい。(A)成分の含有量が1質量%以上であれば、基板と該基板の表面に付着した酸化セリウムなどの研磨材にマイナスの電荷を付与でき、これらのマイナスゼータ電位を高めることができる。その結果、基板と酸化セリウムの静電的反発力が強まり(酸化セリウムが分散しやすくなり)、酸化セリウムが基板から離れやすくなる。加えて、一旦、酸化セリウムが基板から離れると再付着しにくくなることによって、酸化セリウムに対する洗浄性が向上すると考えられる。さらに、酸化セリウムをある程度溶解できるため、洗浄性が向上しやすくなる。一方、(A)成分の含有量が50質量%を越えても洗浄性の向上は頭打ちになるばかりではなく、製造コストがかかりやすくなる。
本発明の洗浄剤組成物は、(B)成分としてヒドロキシカルボン酸および/またはその塩を含有する。
ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、グリコール酸、クエン酸、グルコン酸、サリチル酸、乳酸、ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、酒石酸、没食子酸、ヒドロキシイミノジ酢酸(HIDA)、ヒドロキシイミノジ琥珀酸(HIDS)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、ジヒドロキシエチルグリシン(DHEG)、1,3−ジアミノ−2−ヒドロキシプロパン四酢酸(DTPA−OH)、ヘプトグルコン酸等が挙げられる。
これらヒドロキシカルボン酸の塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、または水酸化テトラメチルアンモニウムなどが挙げられる。
グリコール酸は、酸化セリウムに由来する微粒子汚れに対して高い剥離力を示すため、酸化セリウムに対する洗浄性が特に向上する。従って、(B)成分としてはグリコール酸および/またはその塩が特に好ましい。
(B)成分の含有量が1質量%以上であれば、酸化セリウムなどの研磨材を剥離できるので、特に酸化セリウムに対する洗浄性が向上する。一方、(B)成分の含有量が20質量%を超えても洗浄性の向上は頭打ちになるばかりではなく、製造コストがかかりやすくなる。
すなわち、本発明においては、(A)成分と(B)成分の質量比が、(A)成分/(B)成分=50/50〜90/10であり、60/40〜80/20であることが好ましい。
上述したように、界面活性剤は洗浄効果に優れる物質であり、洗浄剤に一般的に用いられる成分ではあるが、酸化セリウム等の研磨材の凝集や、研磨材に由来する微粒子汚れの基板への付着を促進しやすい。そのため、界面活性剤の含有量が増える程、研磨材に対する洗浄性は低下しやすくなる。
本発明の洗浄剤組成物には、界面活性剤を含有させてもよいが、界面活性剤を含有しないのが最も好ましい。界面活性剤を含有させる場合、その含有量は、洗浄剤組成物100質量%中、1質量%未満であり、0.7質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましい。界面活性剤の含有量が1.0質量%未満であれば、研磨材、特に酸化セリウムに対して優れた洗浄性を発現できる。
表面張力は、界面活性剤中のアルキル基の炭素数が増えるほど、小さくなる傾向にある。従って、本発明において界面活性剤に分類される化合物は、アルキル基の炭素数が7以上の比較的長鎖の化合物である。
イオン性界面活性剤としては、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、石鹸、アルファオレフィンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキル硫酸エステル、アルキルエーテル硫酸エステル、メチルタウリン酸、アラニネート、スルホコハク酸、硫酸化油、エーテルカルボン酸、第4級アンモニウム、イミダゾリニウムベタイン系、アミドプロピルベタイン系、アミノジプロピオン酸、アルキルアミン、アルキルアミドの塩等が挙げられる。
また、ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレングリコールエーテル、ポリオキシアルキレンポリアルキルアリールエーテル、脂肪酸エステル、アルキルアミンEO付加体、アルキルアミドEO付加体、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。
本発明の洗浄剤組成物は、(A)成分、(B)成分、および界面活性剤以外のその他の成分を、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて含有してもよい。
その他の成分としては、例えば、溶媒、pH調整剤、消泡剤、グリコールエーテル類、防腐剤、酸化防止剤、無機塩、分散剤等が挙げられる。
溶媒としては、例えば純水、エタノールやイソプロパノールなどのアルコール、及びアルコールと水の混合物が挙げられる。溶媒の含有量は、洗浄剤組成物100質量%中、50.0〜99.5質量%が好ましく、60.0〜98.0質量%がより好ましい。
本発明の洗浄剤組成物は、純水で2質量%に希釈した希釈液の25℃におけるpHが、5.0以下であり、4.0以下が好ましく、3.0以下がより好ましい。
酸性下において、研磨材、特に酸化セリウムは溶解しやすい傾向にある。従って、洗浄剤組成物のpHが5.0以下であれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを溶解させつつ短時間で効果的に洗浄することができる。なお、本発明の洗浄対象となるハードディスク基板はガラス製であるため、酸性下においても腐食する恐れがない。pHの下限値については特に制限されないが、1.0以上が好ましい。
洗浄剤組成物のpHの測定は、pHメータ(東亜ディーケーケー社製、「HM−20S」)とpH電極(東亜ディーケーケー社製、「GST−5211C」)を用いて、25℃の希釈液に対してpH電極を浸漬し15秒経過後の指示値を読み取ることにより行う。
本発明の洗浄剤組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、常法に準じて各成分を順次混合することにより調製できる。
本発明の洗浄剤組成物は、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄性に優れる。
本発明の洗浄剤組成物は、(A)成分としてホスホン酸キレート剤を1〜50質量%と、(B)成分としてヒドロキシカルボン酸および/またはその塩を1〜20質量%含有する。各成分によって酸化セリウムなどの研磨材を溶解することで、酸化セリウムに対する洗浄性が向上すると考えられる。また、(A)成分によって、基板と酸化セリウムにマイナスの電荷を付与し、これらのマイナスゼータ電位が高まることで、基板と酸化セリウムの静電的反発力が強まる。その結果、酸化セリウムが基板から離れやすくなると共に、一旦酸化セリウムが基板から離れると再付着しにくくなることによって、酸化セリウムに対する洗浄性が向上すると考えられる。
さらに、(A)成分と(B)成分の含有量を特定の範囲に規定することで、界面活性剤の含有量を1質量%未満に軽減しても優れた洗浄性を維持できる。
本発明のハードディスク基板の洗浄方法は、本発明の洗浄剤組成物を純水で0.1〜20.0質量%に希釈して用いる方法である。
洗浄剤組成物を0.1質量%以上に希釈すれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対して優れた洗浄性を十分に発揮できる。一方、洗浄剤組成物を20.0質量%以下に希釈すれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対して優れた洗浄性を維持しつつ、砥粒や研磨カスを十分に除去できる。
以下、本発明のガラス製ハードディスク基板の洗浄方法の一例について具体的に説明する。
ガラス製ハードディスク基板を粗研磨する方法としては特に限定されず、例えば、研磨機を用いて研磨材を含む研磨スラリーを供給しながら基板を加圧して表面を研磨する方法などが挙げられる。
さらに、純水をスプレー等で吹き付けて濯ぎ、基板に残存する洗浄剤組成物等を除去する。
純水で基板を濯いだ後は、公知の方法で乾燥して、基板に残存する純水を除去する。
ガラス製ハードディスク基板を仕上げ研磨する方法としては特に限定されず、粗研磨と同様にして行えばよい。
洗浄剤組成物で洗浄した後は、純水をスプレー等で吹き付けて濯ぎ、基板に残存する洗浄剤組成物等を除去する。
純水で基板を濯いだ後は、公知の方法で乾燥して、基板に残存する純水を除去する。
従って、本発明によって洗浄したガラス製ハードディスク基板は、小型化や高容量化を目的としたハードディスク用に最適である。
HEDP:1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸4Na(ライオン社製の「フェリオックス115−A」をNaOHで中和して調製)、
NTMP:ニトリロトリスメチレンホスホン酸(キレスト社製の「キレストPH−320」)、
グリコール酸:丸和物産社製の「グリコール酸」、
クエン酸:関東化学社製の「クエン酸(鹿特級)」、
グルコン酸:関東化学社製の「グルコン酸溶液」、
界面活性剤:ジオクチルスルホコハク酸Na(ライオン社製の「リパール870P」、表面張力:27mN/m)、
NaOH:水酸化ナトリウム(純正化学社製の「水酸化ナトリウム」)。
なお、表1、2に示す「バランス」とは、洗浄剤組成物に含まれる各成分の総量が100質量%になるように調整した、洗浄剤組成物中の純水の配合量を意味する。
洗浄剤組成物を純水(イオン交換水)で1%に希釈して希釈液を調製し、25℃における希釈液の表面張力を測定した。
表面張力の測定は、全自動表面張力計(協和科学社製、「KYOWA CBVP SURFACE TENSIOMETER A3」)を使用し、25℃に設定して、Wilhelmy法に基づき、白金プレートを用いて測定した。
洗浄剤組成物を純水で2%に希釈して希釈液を調製し、25℃における希釈液のpHを測定した。
pHの測定は、pHメータ(東亜ディーケーケー社製、「HM−20S」)とpH電極(東亜ディーケーケー社製、「GST−5211C」)を用いて、25℃の希釈液に対してpH電極を浸漬し15秒経過後の指示値を読み取ることにより行った。
洗浄後の基板をハロゲンランプで照射して、酸化セリウム由来の微粒子汚れ(パーティクル)の残存の程度を目視観察し、以下の評価基準にて洗浄性を評価した。なお、汚れが落ちているほど、酸化セリウム由来の微粒子汚れに対する洗浄性が高いことを意味する。
◎:微粒子汚れが観察されず、非常に良好。
○:わずかに微粒子汚れが残存しているが、概ね良好。
△:全体的に微粒子汚れが残存しているが、微粒子汚れが付着していない部分も存在する。
×:殆ど微粒子汚れが落ちていない。
表1に示す配合(%)で、各成分を混合して洗浄剤組成物を調製した。マグネチックスターラーの入った樹脂製のビーカーに純水980mLを入れ、マグネチックスターラーを回転させながら洗浄剤組成物を20mL添加し、2%に希釈した。希釈後の洗浄剤組成物のpHを表1に示す。
ついで、基板表面を純水で濯いだ後、希釈した洗浄剤組成物を25℃で射出しながら、洗浄ブラシを基板の両面に押し当てた状態で10秒間回転させ、洗浄を行った。その後、基板を純水で満たした水槽に浸漬させた状態で、純水をオーバーフローさせることで濯ぎを10分間行った。ついで、基板を水槽から取り出し、ドライエアーで乾燥した。
乾燥後の基板について、上記の評価方法で洗浄性の評価を行った。結果を表1に示す。
表2に示す配合(%)で、各成分を混合して洗浄剤組成物を調製した以外は実施例1〜9と同様にしてガラス製ハードディスク基板を洗浄した。
乾燥後の基板について、上記の評価方法で洗浄性の評価を行った。結果を表2に示す。
特に、実施例1〜3を比較すると、(B)成分としてグリコール酸を用いた実施例1の場合がより良好な洗浄性を示した。
また、実施例1、4を比較すると、(A)成分としてHEDPを用いた実施例1の場合がより良好な洗浄性を示した。
また、実施例1、5、6を比較すると、(A)成分と(B)成分の質量比が2:1である実施例1の場合がより良好な洗浄性を示した。
また、実施例1、9を比較すると、界面活性剤を含有しない実施例1の場合がより良好な洗浄性を示した。
以上の結果より、本発明の洗浄剤組成物は、研磨材、特に酸化セリウム由来の微粒子汚れに対する洗浄性に優れていた。
(A)成分を含有しない比較例2、および(A)成分の含有量が0.5%と少なく、かつ(A)成分に比べて(B)成分の含有量が多い比較例6で得られた洗浄剤組成物は、実施例1〜9で得られた洗浄剤組成物に比べて洗浄性が劣っていた。特に、(A)成分を含有しない比較例2の場合は洗浄性の低下が顕著であった。
(A)成分に比べて(B)成分の含有量が多い比較例3、4で得られた洗浄剤組成物は、実施例1〜9で得られた洗浄剤組成物に比べて洗浄性が劣っていた。
界面活性剤を1%含む比較例7で得られた洗浄剤組成物は、実施例1〜9で得られた洗浄剤組成物に比べて洗浄性が劣っていた。
pHが6.0である比較例8で得られた洗浄剤組成物は、実施例1〜9で得られた洗浄剤組成物に比べて洗浄性が劣っていた。
Claims (4)
- 酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物において、
(A)成分:ホスホン酸系キレート剤を1〜50質量%、(B)成分:ヒドロキシカルボン酸および/またはその塩を1〜20質量%含有し、かつ、前記(A)成分と(B)成分の質量比が、(A)成分/(B)成分=50/50〜90/10であり、
界面活性剤の含有量が1質量%未満であり、
純水で2質量%に希釈した希釈液の25℃におけるpHが5.0以下であることを特徴とする洗浄剤組成物。 - 前記(A)成分が、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸および/またはその塩であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄剤組成物。
- 前記(B)成分が、グリコール酸および/またはその塩であることを特徴とする請求項1または2に記載の洗浄剤組成物。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の洗浄剤組成物を純水で0.1〜20.0質量%に希釈して用いることを特徴とするガラス製ハードディスク基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009208529A JP5417095B2 (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009208529A JP5417095B2 (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011057833A true JP2011057833A (ja) | 2011-03-24 |
JP5417095B2 JP5417095B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=43945831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009208529A Expired - Fee Related JP5417095B2 (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5417095B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012245458A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Kao Corp | 電子材料基板用酸性洗浄剤組成物 |
CN103562366A (zh) * | 2011-05-24 | 2014-02-05 | 旭硝子株式会社 | 清洗剂及玻璃基板的清洗方法 |
WO2014087995A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 花王株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
JP2014141668A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
JP2014141669A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
JP5967743B1 (ja) * | 2015-12-11 | 2016-08-10 | 株式会社ジェイトレイド | 水洗浄システム |
CN111040883A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 福吉米株式会社 | 用于冲洗或清洗附着有氧化铈颗粒的表面的组合物 |
WO2020171003A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 三菱ケミカル株式会社 | セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11222600A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-08-17 | Toshiba Corp | 洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2001044161A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
JP2003510840A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 化学機械研磨後の半導体表面のための清浄化溶液 |
JP2005174442A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 磁気記録媒体及びその基板の製造方法 |
JP2008532289A (ja) * | 2005-02-25 | 2008-08-14 | イーケイシー テクノロジー インコーポレーテッド | 銅とlow−k誘電材料を有する基板からレジスト、エッチング残渣、及び酸化銅を除去する方法 |
JP2009087523A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-23 | Sanyo Chem Ind Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤 |
-
2009
- 2009-09-09 JP JP2009208529A patent/JP5417095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11222600A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-08-17 | Toshiba Corp | 洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2001044161A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
JP2003510840A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 化学機械研磨後の半導体表面のための清浄化溶液 |
JP2005174442A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 磁気記録媒体及びその基板の製造方法 |
JP2008532289A (ja) * | 2005-02-25 | 2008-08-14 | イーケイシー テクノロジー インコーポレーテッド | 銅とlow−k誘電材料を有する基板からレジスト、エッチング残渣、及び酸化銅を除去する方法 |
JP2009087523A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-23 | Sanyo Chem Ind Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103562366A (zh) * | 2011-05-24 | 2014-02-05 | 旭硝子株式会社 | 清洗剂及玻璃基板的清洗方法 |
JP2012245458A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Kao Corp | 電子材料基板用酸性洗浄剤組成物 |
WO2014087995A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 花王株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
JP2014111238A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Kao Corp | ガラス基板の洗浄方法 |
JP2014141668A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
JP2014141669A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
JP5967743B1 (ja) * | 2015-12-11 | 2016-08-10 | 株式会社ジェイトレイド | 水洗浄システム |
CN111040883A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 福吉米株式会社 | 用于冲洗或清洗附着有氧化铈颗粒的表面的组合物 |
WO2020171003A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 三菱ケミカル株式会社 | セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5417095B2 (ja) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5417095B2 (ja) | 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 | |
TWI388659B (zh) | Detergent composition | |
JP5286290B2 (ja) | 洗浄剤組成物および電子デバイス用基板の洗浄方法、並びに電子デバイス用基板 | |
TWI440711B (zh) | 鹼性非離子型界面活性劑組合物 | |
TWI490332B (zh) | Alkaline detergent compositions for hard surfaces | |
JP5518392B2 (ja) | 電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法 | |
JP2003221600A (ja) | 基板表面洗浄液及び洗浄方法 | |
WO2012161270A1 (ja) | 洗浄剤およびガラス基板の洗浄方法 | |
TWI440712B (zh) | 垂直磁性記錄方式硬碟基板用水系清潔劑組合物 | |
CN106929868A (zh) | 一种用于金属基板抛光后的清洗液及其使用方法 | |
JP5659152B2 (ja) | 半導体用基板の洗浄方法および酸性溶液 | |
JP2015181079A (ja) | 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物 | |
JP5500911B2 (ja) | ハードディスク基板用洗浄剤組成物、およびハードディスク基板の洗浄方法 | |
JP2014141668A (ja) | 電子材料用洗浄剤 | |
JP2014141669A (ja) | 電子材料用洗浄剤 | |
JP4485786B2 (ja) | 半導体基板用洗浄液 | |
JP2011170952A (ja) | 磁気ディスク基板用洗浄剤 | |
JP2015063677A (ja) | 磁気ディスク基板用洗浄剤 | |
JP2012219186A (ja) | ハードディスク基板用洗浄剤 | |
JP2014199688A (ja) | 磁気ディスク基板用洗浄剤 | |
JP2012252773A (ja) | 電子材料製造工程用パーティクル固着防止液 | |
WO2016208412A1 (ja) | ガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物 | |
JP5808649B2 (ja) | 電子材料用洗浄剤 | |
JP6208575B2 (ja) | 洗浄剤組成物 | |
JP2005075924A (ja) | シリカスケール除去剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120718 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130820 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131003 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131022 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131118 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |