JPH11222600A - 洗浄液および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属の除去効果が高く、コスト負担を軽減可
能な洗浄液を提供することである。 【解決手段】 クエン酸を含む水溶液にキレート剤を添
加した液を基板洗浄液として用いる。クエン酸とキレー
ト剤の相乗作用により高い金属除去効果が得られる。こ
のため、低濃度のクエン酸水溶液に少量のキレート剤を
添加した洗浄液で従来の洗浄液と同等以上の金属もしく
は金属化合物除去効果を得ることができる。特にキレー
ト剤として、エチリデンジホスホン酸、メチレンホスホ
ン酸、およびメチルジホスホン酸のいずれかであれば上
記相乗作用を顕著に発揮する。半導体装置の製造工程に
おいて、ＣＭＰ工程後に行う基板洗浄工程において、こ
の洗浄液を用いて基板を洗浄すれば、効果的に基板表面
上に残る砥粒、砥液、および被研磨材を効果的に除去で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造工
程で行われる半導体基板の洗浄に関する。特に、半導体
基板表面上の金属残留物除去を目的とする基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、多くの半導体製造工程において、
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い
た平坦化が行われている。例えば、配線として用いられ
るタングステン（Ｗ）膜をＣＭＰ法を用いて平坦化を行
う場合は、アルミナ粒子を砥粒として用いて基板表面を
機械的に研磨するとともに、鉄イオン等を含む酸性のエ
ッチング液を砥液として用いて基板表面の化学的研磨を
同時に行う。

【０００３】ＣＭＰ工程直後の基板表面は、エッチング
液中に含まれる鉄（Ｆｅ）イオンやエッチングされたタ
ングステン（Ｗ）、或いは砥粒であるアルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）等の種々の金属や金属化合物が付着しているた
め、これらを取り除くべく基板の洗浄が必要である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、純水のみを用
いた一般的な洗浄方法ではこれらの金属や金属酸化物を
十分に除去することはできない。基板表面に金属や金属
酸化物が残留すると、半導体素子の電気特性に種々の悪
影響を及ぼし、歩留まりを低下させる。

【０００５】そこで、従来ＣＭＰ工程後の基板洗浄工程
においては、一般に金属イオンの除去効果が高いことで
知られるクエン酸（Ｃ₆Ｈ₈Ｏ₇）水溶液を洗浄液として
用いている。しかし、クエン酸の金属除去反応の速度は
遅いため、実用上許容できる時間内に洗浄工程を終了さ
せるためにはかなり高濃度のクエン酸水溶液を用いる必
要がある。よって、従来はクエン酸濃度３０vol％以上
の水溶液が洗浄液として用いられていた。基板の洗浄に
は大量の洗浄液を必要とするため、必要なクエン酸にか
かる原料コストは高額なものとなっていた。

【０００６】また、このような高濃度のクエン酸水溶液
を洗浄液として用いても、金属を含む付着物の除去効果
は必ずしも現状で十分ではなく、しばしば残留金属が原
因と思われる特性不良が発生していた。

【０００７】本発明の目的は、高い金属もしくは金属化
合物除去効果を有し、かつ安価な洗浄液を提供すること
である。

【０００８】本発明の別の目的は、ＣＭＰ工程を用いた
半導体製造方法において、高い歩留まりを提供できる半
導体装置の製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体基板洗浄液の特徴は、クエン酸を含
む水溶液にキレート剤が添加されていることである。

【００１０】上記本発明の洗浄液の特徴によれば、クエ
ン酸とキレート剤の相乗作用により高い金属除去効果が
得られる。このため、低濃度のクエン酸水溶液に少量の
キレート剤を添加した洗浄液で従来の洗浄液と同等以上
の金属もしくは金属化合物除去効果を得ることができ
る。必要なクエン酸量を削減できるため、洗浄液の原料
コストを安くできる。

【００１１】上記キレート剤が、ホスホン酸系、リン酸
系およびカルボン酸系のいずれかに属するものであれ
ば、上記相乗作用を効果的に発揮する。

【００１２】特に上記キレート剤が、エチリデンジホス
ホン酸、メチレンホスホン酸、およびメチルジホスホン
酸のいずれかであれば上記相乗作用を顕著に発揮する。

【００１３】なお、上記キレート剤が、エチリデンジホ
スホン酸、メチレンホスホン酸、およびメチルジホスホ
ン酸のいずれかに属する場合、クエン酸濃度１vol％以
上のクエン酸水溶液に上記キレート剤を１０ppm以上添
加した洗浄液は、クエン酸濃度を従来の洗浄液の１０分
の１程度に抑えながら、少なくとも従来と同等の洗浄効
果を得ることができる。

【００１４】特に、クエン酸濃度３±０.３vol％のクエ
ン酸水溶液に上記キレート剤を３０±３ppm添加した洗
浄液は、従来の洗浄液以上の金属もしくは金属化合物除
去効果を発揮する。

【００１５】上記本発明の別の目的を達成するため、本
発明の半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ工程後に行う基
板洗浄工程において、洗浄液として、クエン酸を含む水
溶液にキレート剤を添加した溶液を用いることを特徴と
する。

【００１６】ＣＭＰ工程では、一般に金属イオンを含む
砥液や金属酸化物等の砥粒を用いた基板表面の機械的研
磨が行われるため、ＣＭＰ工程後の基板表面にはこれら
の金属もしくは金属化合物が多く残留している。クエン
酸を含む水溶液にキレート剤を添加した溶液は、クエン
酸とキレート剤との相乗作用により高い金属除去効果を
発揮する。よって、この洗浄液を用いてＣＭＰ工程後の
基板洗浄を行うことにより、基板表面の金属付着物を効
果的に除去して、清浄な基板表面を得ることができる。
よって、洗浄後の残留金属に起因する不良の発生を抑制
し、製品歩留まりを上げることができる。

【００１７】また、クエン酸とキレート剤との相乗作用
により、低濃度のクエン酸水溶液に少量のキレート剤を
添加した洗浄液で従来の洗浄液と同等以上の金属もしく
は金属化合物除去効果を得ることができるため、必要な
クエン酸の量を削減でき、プロセスコストを安くでき
る。

【００１８】特に、Ｃｕ配線形成のためのＣＭＰ工程後
に行う基板洗浄工程において、洗浄液として、クエン酸
を含む水溶液にキレート剤を添加した溶液を用いた場合
は、Ｃｕ配線の表面にできる酸化銅の層を効果的に除去
することができる。その結果、良好な電気特性を有する
Ｃｕ配線を形成することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる洗浄液およ
びこの洗浄液を用いた洗浄方法の実施の形態について説
明する。

【００２０】本実施の形態に係る洗浄液の特徴は、低濃
度のクエン酸水溶液にキレート剤を微量添加しているこ
とである。例えば、この洗浄液は従来ＣＭＰ工程後の基
板洗浄に用いられているクエン酸水溶液の１０分の１の
濃度のクエン酸水溶液に、ホスホン酸系キレート剤を約
３０ppm添加したものである。

【００２１】以下、この本実施の形態に係る洗浄液を用
いて実際に基板サンプルの洗浄を行い、その金属除去効
果について従来の洗浄液等との比較を行った。以下、本
発明者等が行った検討結果について説明する。

【００２２】（検討結果）まずこの検討においては、Ｃ
ＭＰ工程後に行う基板洗浄を想定し、洗浄前に予め通常
のＣＭＰ工程に準ずる条件で被洗浄材である基板サンプ
ルの前処理を行った。

【００２３】基板サンプルは、基板表面に酸化シリコン
（ＳｉＯ₂）膜が形成されたシリコン（Ｓｉ）基板を使
用した。即ち、砥粒としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）粒子を
用い、砥液として硝酸鉄溶液を用いて、約６０秒間基板
サンプル表面の機械的な研磨しながら同時に基板表面の
化学的なエッチングを行った。

【００２４】洗浄液としては、本実施の形態にかかる洗
浄液を含む次の３種類の洗浄液を用意した。即ち、
（１）純水のみからなる洗浄液、（２）従来使用してい
た洗浄液、（３）本実施の形態にかかる洗浄液である。
ここで従来の洗浄液（２）とは、濃度３０±３vol％の
クエン酸水溶液であり、本実施の形態に係る洗浄液
（３）とは濃度約３±０．３vol％のクエン酸水溶液に
キレート剤を約３０±３ppm添加したものである。

【００２５】なお、上記キレート剤としては、ホスホン
酸系のキレート剤である１−ヒドロキシエチリデン−
１、１−ジホスホン酸（Ｃ₂Ｈ₈Ｏ₇Ｐ₂）を用いた。

【００２６】前処理した３枚の基板サンプルを１枚ずつ
上記３種類の洗浄液のいずれかを用いて洗浄した。洗浄
形態としては、所定の洗浄液を基板表面に５００mｌ／m
inの流速で３０秒間滴下する形態を用いた。

【００２７】洗浄後、ＶＰＤ（Vapor Phase Detecto
r）法を用いて、各基板サンプル表面に残留している鉄
（Ｆｅ）とアルミニウム（Ａｌ）の原子量を測定した。
この結果を図１に示す。

【００２８】純水のみを洗浄液（１）として用いた場
合、洗浄後の基板サンプル表面からはＦｅ原子が２．０
×１０¹⁴atoms／cm² 、Ａｌ原子が１．５×１０¹⁴atoms
／cm²と大量の残留金属が検出された。

【００２９】これに対し、従来使用していた洗浄液
（２）である濃度３０vol％のクエン酸水溶液を洗浄液
として用いた場合は、洗浄後の基板サンプル表面からは
Ｆｅ原子が８×１０¹²atoms／cm² 、Ａｌ原子が５×１
０¹²atoms／cm² 検出された。純水のみを洗浄液として
用いた場合に比較し、残留金属原子量はかなり減少し
た。即ち、クエン酸水溶液によって、砥液として用いた
硝酸鉄および砥粒として用いたアルミナが効果的に除去
されたことがわかる。

【００３０】しかし、本実施の形態にかかるクエン酸水
溶液にホスホン酸系キレート剤を添加した洗浄液を用い
た場合は、洗浄後の基板サンプル表面からはＦｅ原子が
４×１０¹²atoms／cm² 、Ａｌ原子が４×１０¹²atoms／
cm² しか検出されず、残留金属量はさらに減少してい
た。

【００３１】このように上記検討結果より、本実施の形
態にかかる洗浄液を用いれば、クエン酸濃度が従来の洗
浄液の１０分の１でしかないにもかかわらず、ＣＭＰ工
程において砥液として用いる硝酸鉄、および砥粒として
用いるアルミナに対し従来の洗浄液に比較してより高い
除去効果が得られることが確認できた。

【００３２】ところで、ここで用いたホスホン酸系キレ
ート剤のみを含む水溶液を洗浄液として使用しても、ク
エン酸水溶液からなる洗浄液と比較してその金属もしく
は金属化合物を除去する効果は極めて低い。即ち、ホス
ホン酸系キレート剤は金属もしくは金属化合物と直接反
応しにくいと考えられる。よって、クエン酸水溶液にホ
スホン酸系キレート剤を添加したことにより得られた高
い金属除去効果は、単純に金属除去効果のある２種の洗
浄剤を足し合わせて得られる効果ではなく、クエン酸と
キレート剤および金属との複合的な反応により得られる
相乗効果と考えられる。

【００３３】図２は、発明者等が予想するクエン酸とキ
レート剤および金属との間で起こる複合的な反応例を示
す。即ち、同図中の化学式（１）に示すように、クエン
酸水溶液にキレート剤が添加された洗浄液を用いて基板
を洗浄する場合、基板上に付着している金属または金属
化合物中に含まれる金属は、まずクエン酸と優先的に反
応して金属錯体を形成すると考えられる。例えば、残留
砥液液に含まれる鉄とクエン酸とが反応して、クエン酸
鉄（ＦｅＣ₆Ｈ₅Ｏ₇）等の金属錯体を形成する。

【００３４】添加されたホスホン酸系キレート剤は、化
学式（２）に示すように、クエン酸と基板表面上の金属
とが反応してできた金属錯体と反応するのではないかと
考えられる。即ち、キレート剤はこの金属錯体から金属
イオンを引き抜き、引き抜いた金属イオンと反応してキ
レート化合物を形成し、その一方、金属錯体は金属イオ
ンを引き抜かれてクエン酸に戻る。こうして再生された
クエン酸は、再び化学式（１）で示す金属除去反応を繰
り返す。

【００３５】この推察によれば、ホスホン酸系キレート
剤の添加は、クエン酸の有する金属除去機能を再利用可
能なものに変える効果を有するといえる。この結果、ク
エン酸の金属除去機能が繰り返し発揮されるため、少量
のクエン酸を使用しながら、多量のクエン酸を使用する
のと同等の効果を得られるのではないかと考えられる。

【００３６】なお、発明者等の経験によれば、上述した
検討では濃度３±０．３vol％のクエン酸水溶液に該キ
レート剤を３０±３ppm添加したものを洗浄液として用
いているが、該キレート剤の添加量をそのままにしてク
エン酸濃度を減らすと、これに伴い洗浄能力は劣化し
た。その一方、クエン酸濃度をこれ以上増やしても洗浄
能力はあまり変化しなかった。

【００３７】また、クエン酸濃度３±０．３vol％に対
しては該キレート剤の添加量が３０±３ppmの場合にお
いて最も高い洗浄効果が得られ、クエン酸濃度１±０．
１vol％に対しては該キレート剤の添加量が１０±１ppm
の場合において最も高い洗浄効果が得られた。このよう
に、クエン酸水溶液の濃度とキレート剤の添加量との比
には、上記の比率において良好な洗浄効果が得られる。
なお、クエン酸濃度１±０．１vol％の場合において
も、従来の洗浄液とほぼ同程度の洗浄効果が得られた。

【００３８】（Ｗ配線形成におけるＣＭＰ工程後洗浄の
例）上述した検討においては、表面にＳｉＯ₂膜が形成
されたシリコン基板をＣＭＰ処理したものを洗浄した
が、一般の半導体製造工程においては、ＣＭＰ処理は主
に配線形成工程で基板表面の平坦化手段として広く用い
られている。

【００３９】以下、半導体製造工程におけるＷ配線形成
のためのＣＭＰ処理後の基板洗浄工程において、本実施
の形態にかかる洗浄液を用いて基板を洗浄する方法の実
施例について説明する。

【００４０】半導体基板上に必要なゲート酸化膜やゲー
ト電極および各種拡散領域から形成されるメモリやＣＭ
ＯＳデバイス等を形成した後、基板表面上にはＳｉＯ₂
膜等で層間絶縁膜が形成される。各種拡散領域から電極
の引き出しを行うため層間絶縁膜に必要なコンタクトホ
ールが形成される。この後、スパッタ法等を用いてＷ薄
膜を形成し、各コンタクトホールの埋め込みを行う。基
板表面は、コンタクトホールや下地パターンの形状を反
映した起伏のあるＷ層で覆われる。

【００４１】この後、ＣＭＰ工程を用いて基板表面を層
間絶縁膜が露出するまで研磨して、基板表面の平坦化を
図るとともに、埋め込み配線層を形成する。例えば、砥
粒として平均粒径０．３５μｍ以下のアルミナ粒子を用
い、砥液として濃度７．９wt％の硝酸鉄水溶液を用い
て、約１２０秒間のＣＭＰ処理を行い、凸部のＷ膜を約
０．５μｍ削り基板表面を平坦化する。

【００４２】この後、上述した本実施の形態に係る洗浄
液、即ち濃度３±０.３vol％のクエン酸水溶液にキレー
ト剤である１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホス
ホン酸（Ｃ₂Ｈ₈Ｏ₇Ｐ₂）を約３０±３ppm添加して作製
した洗浄液を基板表面に５００ｍｌ／ｍｉｎの流速で約
３０秒間滴下する。滴下中は、基板を回転させて洗浄液
が基板表面前面に行き渡るようにする。この後、純水に
よる注ぎ洗浄を行う。

【００４３】こうして砥液として用いた硝酸鉄や、砥粒
として用いたアルミナ等の金属を含む化合物が被研磨材
であるＷ等の金属とともに従来より効果的に除去でき
る。特にイオン化率の高いＦｅのようにクエン酸と金属
錯体を形成し易いものはより効果的に除去されうる。

【００４４】（Ｃｕ配線形成におけるＣＭＰ工程後洗浄
の例）上述する本実施の形態に係る洗浄液は、最近開発
が進められているＣｕ配線の形成工程で行うＣＭＰ工程
後の洗浄の際にも利用できる。Ｃｕを対象としたＣＭＰ
処理も上述するＷを対象としたＣＭＰ工程とほぼ同様な
手順で行うことができるが、Ｃｕ配線は一般の配線材料
に較べ極めて酸化されやすいため、ＣＭＰ工程直後の配
線表面には酸化銅の層が残るという問題が指摘されてい
る。この酸化層は、銅配線の電気的な特性の劣化をもた
らすため除去することが望まれる。

【００４５】発明者等が、クエン酸濃度３±０．３vol
％に対して１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホス
ホン酸を３０±３ppm添加した本実施の形態に係る洗浄
液を用いて、Ｃｕ配線のＣＭＰ工程後の基板洗浄を行っ
たところ、Ｃｕ自体をほとんど除去することなく表面の
酸化銅の層のみを効果的に除去できることが確認でき
た。

【００４６】この事実より、Ｃｕ配線形成の為のＣＭＰ
工程後の洗浄において本実施の形態に係る洗浄液を使用
すると、プロセスコストの低減のみならず、良好な電気
特性を有するＣｕ配線形成のために極めて有効であるこ
とがわかった。

【００４７】以上に述べたように、本実施の形態にかか
る洗浄液は、微量のキレート剤を添加することでクエン
酸濃度を従来の洗浄液に対し１０分の１程度に低減して
も、従来の洗浄液よりもより高い金属もしくは金属化合
物除去効果を得ることができる。この高い除去効果によ
り、残留金属による電気的な欠陥の発生数を削減でき、
デバイスの歩留まりを上げることができる。

【００４８】また、本実施の形態に係る洗浄液では、使
用するクエン酸の量が少量で済むため、洗浄液の原料コ
ストおよび洗浄工程のプロセスコストを大幅に削減でき
る。

【００４９】本実施の形態では、キレート剤として１−
ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（Ｃ₂Ｈ₈
Ｏ₇Ｐ₂）を用いているが、この他のホスホン酸系キレー
ト剤を用いても同様な効果を得ることができる。例えば
上述する以外のエチリデンジホスホン酸や、メチレンホ
スホン酸、若しくはメチルジホスホン酸等を用いること
ができる。メチレンホスホン酸の具体例としては、アミ
ノトリメチレンホスホン酸（Ｃ₂Ｈ₁₂Ｏ₉Ｐ₃Ｎ）等を挙
げることができる。

【００５０】また、上述したホスホン酸系キレート剤に
限らず、クエン酸と金属イオンとが形成する金属錯体中
の金属と選択的に反応し、あらたなキレート化合物を形
成しうるキレート剤であれば他のキレート剤でも使用で
きる。例えば、リン酸系或いはカルボン酸系のキレート
剤を用いても同様な効果が期待できる。

【００５１】また、金属イオンと結合して金属錯体を形
成することのできる酒石酸等の酸性溶液はクエン酸の代
替液として用いることが可能である。

【００５２】なお、上述の実施の形態においては、基板
表面のＷ膜をＣＭＰ処理した後に行う基板洗浄について
述べたが、ＣＭＰ処理によって研磨される対象はＷ層や
Ｃｕ層に限定されず、これ以外の配線材料であってもよ
い。さらには、ポリシリコンやシリコン基板等の半導体
やＳｉＯ₂膜やＳｉＮｘ膜等の絶縁膜が基板表面に形成
されており、これらの面をＣＭＰ処理する場合であって
も、金属化合物からなる砥粒を用いて表面を機械的に研
磨する場合や金属イオン等を含むエッチング液で表面を
エッチングするような場合には、エッチング後の基板表
面に金属イオン等が残るので上述する本実施の形態にか
かる洗浄液を用いて洗浄すれば、金属を効果的に除去す
る上で有効である。

【００５３】なお、本実施の形態に係る洗浄液は、ＣＭ
Ｐ処理後の半導体基板洗浄に限らず、金属残留物を除去
する目的で行われるあらゆる洗浄工程において利用でき
る。

【００５４】以上、実施例に沿って本発明について説明
したが、本発明は、これらに制限されるものではない。
例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なこと
は当業者に自明であろう。

【００５５】

【発明の効果】上述したように、本発明の洗浄液は、ク
エン酸を含む水溶液にキレート剤が添加されていること
を主な特徴とする。この特徴によれば、被洗浄物表面に
金属イオンが残留していると、まずクエン酸の有する金
属イオンとの強い反応性により、この金属イオンがクエ
ン酸と反応して金属錯体を形成する。さらに洗浄液中に
添加されたキレート剤がこの金属錯体中の金属を引き抜
き、金属化合物を形成しうるため、クエン酸の有する金
属除去効果が繰り返し発揮されうる。この結果、クエン
酸水溶液のみからなる洗浄液に比較し、高い金属除去効
果を発揮する。

【００５６】上記洗浄液を用いて、基板の洗浄を行え
ば、基板表面に付着残留している金属を効果的に除去す
ることが可能となる。基板表面の金属薄膜をエッチング
する場合や、金属イオンを含む溶液をエッチング溶液と
して用いて、基板表面の金属層や半導体層もしくは絶縁
体層をエッチングする場合において、エッチング工程後
の洗浄液として用いることにより、基板表面に付着残留
した金属を効果的に除去することができる。

【００５７】Ｗ等の配線形成の際に必要とされるＣＭＰ
工程では、被研磨層が金属であるとともに、砥粒として
アルミナ等の金属酸化物を用い、砥液として酸化鉄等の
金属イオンを含むエッチング液を使用するため、工程後
に基板表面に付着残留する金属が多量である。よって、
このＣＭＰ工程後の基板表面洗浄工程において上記洗浄
液を用いれば、効果的に基板表面の残留金属を除去し、
残留金属が要因となる半導体素子の欠陥等の発生を未然
に防止し、信頼性の高い半導体装置を作製することが可
能となる。

【００５８】特に、Ｃｕ配線形成のためのＣＭＰ工程後
に行う基板洗浄工程において、本発明の洗浄液を用いた
洗浄を行えば、Ｃｕ配線の表面にできる酸化銅の層を効
果的に除去することができる。

【００５９】また、上記洗浄液は、低濃度のクエン酸で
高い金属イオン除去効果が発揮でき、しかも金属除去効
果をより長期的に維持しうるため、洗浄液のコストを従
来より下げることが可能であるとともに、洗浄液の繰り
返し利用により洗浄プロセスそのもののコストの引き下
げも可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における洗浄液を用いた洗
浄効果を示す図表である。

【図２】本発明の実施の形態に係る洗浄液を用いて基板
を洗浄した場合の洗浄液と残留金属との反応例を示す。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 クエン酸を含む水溶液にキレート剤が添
   加されていることを特徴とする洗浄液。
2. 【請求項２】 前記キレート剤が、 ホスホン酸系、リン酸系およびカルボン酸系のいずれか
   に属することを特徴とする請求項１に記載の洗浄液。
3. 【請求項３】 前記キレート剤が、 エチリデンジホスホン酸、メチレンホスホン酸、および
   メチルジホスホン酸のいずれかに属することを特徴とす
   る請求項１に記載の洗浄液。
4. 【請求項４】 前記クエン酸を含む水溶液が、 クエン酸濃度１vol％以上の水溶液であり、 前記キレート剤が、 前記クエン酸を含む水溶液に対して１０ppm以上添加さ
   れることを特徴とする請求項３に記載の洗浄液。
5. 【請求項５】 前記クエン酸を含む水溶液が、 クエン酸濃度３±０.３vol％の水溶液であり、 前記キレート剤が、前記クエン酸を含む水溶液に対し、
   ３０±３ppm添加されていることを特徴とする請求項４
   に記載の洗浄液。
6. 【請求項６】 ＣＭＰ工程後に行う基板洗浄工程におい
   て、 洗浄液として、クエン酸を含む水溶液にキレート剤を添
   加した溶液を用いることを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記キレート剤として、 ホスホン酸系、リン酸系およびカルボン酸系のいずれか
   に属するキレート剤を用いることを特徴とする請求項６
   に記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記キレート剤として、 エチリデンジホスホン酸、メチレンホスホン酸、および
   メチルジホスホン酸のいずれかに属するキレート剤を用
   いることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製
   造方法。
9. 【請求項９】 前記クエン酸を含む水溶液が、クエン酸
   濃度１vol％以上の水溶液であり、 前記キレート剤が、前記クエン酸を含む水溶液に対し１
   ０ppm以上添加されていることを特徴とする請求項８に
   記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記キレート剤としてエチリデンジホ
    スホン酸を用い、 前記クエン酸を含む水溶液が、クエン酸濃度３±０.３v
    ol％の水溶液であり、 前記キレート剤が、前記クエン酸を含む水溶液に対し３
    ０±３ppm添加されていることを特徴とする請求項８に
    記載の半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 Ｃｕ配線を有する半導体装置の製造方
    法において、Ｃｕ配線形成のためのＣＭＰ工程後に行う
    基板洗浄工程が、 洗浄液として、クエン酸を含む水溶液にキレート剤を添
    加した溶液を用いることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
12. 【請求項１２】 前記キレート剤として、 エチリデンジホスホン酸、メチレンホスホン酸、および
    メチルジホスホン酸のいずれかを用いることを特徴とす
    る請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記クエン酸を含む水溶液が、 クエン酸濃度１vol％以上の水溶液であり、 前記キレート剤が、 前記クエン酸を含む水溶液に対し１０ppm以上添加され
    ていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置
    の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記キレート剤としてエチリデンジホ
    スホン酸を用い、 前記クエン酸を含む水溶液が、クエン酸濃度３±０.３v
    ol％の水溶液であり、 前記キレート剤が、前記クエン酸を含む水溶液に対し３
    ０±３ppm添加されていることを特徴とする請求項１１
    に記載の半導体装置の製造方法。