JPH1070096A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1070096A JPH1070096A JP22637796A JP22637796A JPH1070096A JP H1070096 A JPH1070096 A JP H1070096A JP 22637796 A JP22637796 A JP 22637796A JP 22637796 A JP22637796 A JP 22637796A JP H1070096 A JPH1070096 A JP H1070096A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- silicon substrate
- oxide film
- metal
- hydrochloric acid
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来法による、過酸化水素とアンモニア水と
の混合液や、過酸化水素と塩酸との混合液による洗浄で
は、埋め込み平坦化されたタングステン等のメタルの溶
解が発生するため、平坦化が損なわれ、ボイドパターン
不良が発生する。 【解決手段】 シリコン基板１上に溝部を有するシリコ
ン酸化膜２を形成し、該溝部内部及びシリコン酸化膜２
表面上にメタルを堆積させた後、化学的機械研磨によ
り、溝部にタングステン５を埋め込み且つシリコン酸化
膜２表面を露出させ平坦化する。次に、アイススクラバ
洗浄し、その後、塩酸水を上記基板の両面に噴射するこ
とによって、シリコン基板１を洗浄する。
の混合液や、過酸化水素と塩酸との混合液による洗浄で
は、埋め込み平坦化されたタングステン等のメタルの溶
解が発生するため、平坦化が損なわれ、ボイドパターン
不良が発生する。 【解決手段】 シリコン基板１上に溝部を有するシリコ
ン酸化膜２を形成し、該溝部内部及びシリコン酸化膜２
表面上にメタルを堆積させた後、化学的機械研磨によ
り、溝部にタングステン５を埋め込み且つシリコン酸化
膜２表面を露出させ平坦化する。次に、アイススクラバ
洗浄し、その後、塩酸水を上記基板の両面に噴射するこ
とによって、シリコン基板１を洗浄する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に化学的機械研磨（ＣＭＰ：ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）に
て、タングステン等の金属を絶縁膜に形成された溝やコ
ンタクトホールに埋め込み、平坦後のウエハ両面の洗浄
方法に関するものである。
法に関し、特に化学的機械研磨（ＣＭＰ：ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）に
て、タングステン等の金属を絶縁膜に形成された溝やコ
ンタクトホールに埋め込み、平坦後のウエハ両面の洗浄
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、層間絶縁膜の平坦化を目的とした
ＣＭＰ後の洗浄方法としては、純水によるスクラバ洗
浄のみ、純水によるスクラバ洗浄後に薄いＨＦ処理、
純水によるスクラバ洗浄後にアルカリ薬液洗浄等があ
る。
ＣＭＰ後の洗浄方法としては、純水によるスクラバ洗
浄のみ、純水によるスクラバ洗浄後に薄いＨＦ処理、
純水によるスクラバ洗浄後にアルカリ薬液洗浄等があ
る。
【０００３】上記の方法は、研磨後のウエハの両面に
純水をリンスしながら、ブラシ等を用いて洗浄するもの
である。また、上記の方法は、研磨後のウエハをスク
ラバ洗浄によりウエハの両面を洗浄し、研磨材を十分に
除去した後、希薄したＨＦ溶液を用いた処理を行うこと
により、研磨されていない清浄な面を露出させる方法で
ある。更に、上記の方法は、研磨後のウエハをスクラ
バ洗浄した後に、アルカリ薬液として、アンモニア水と
過酸化水素とを混合した水溶液を用い、処理温度を５０
〜９０℃、処理時間を５〜２０分間程度として行う事に
より、研磨材に含まれる可動イオンとしてデバイスに悪
影響を及ぼすＮａ、Ｋのアルカリ金属や、Ｆｅ、Ｃｒ等
の重金属を除去するものである。
純水をリンスしながら、ブラシ等を用いて洗浄するもの
である。また、上記の方法は、研磨後のウエハをスク
ラバ洗浄によりウエハの両面を洗浄し、研磨材を十分に
除去した後、希薄したＨＦ溶液を用いた処理を行うこと
により、研磨されていない清浄な面を露出させる方法で
ある。更に、上記の方法は、研磨後のウエハをスクラ
バ洗浄した後に、アルカリ薬液として、アンモニア水と
過酸化水素とを混合した水溶液を用い、処理温度を５０
〜９０℃、処理時間を５〜２０分間程度として行う事に
より、研磨材に含まれる可動イオンとしてデバイスに悪
影響を及ぼすＮａ、Ｋのアルカリ金属や、Ｆｅ、Ｃｒ等
の重金属を除去するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の酸化膜用の研磨
材（スラリー）は研磨粒子にコロイダルシリカを用い、
スラリー中の不純物濃度は１ｐｐｍ以下であり、研磨し
たウエハは純水を用いたブラシスクラバ洗浄やアイスス
クラバ洗浄を用いることにより、ウエハの残留不純物濃
度を１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下に低減できる。
材（スラリー）は研磨粒子にコロイダルシリカを用い、
スラリー中の不純物濃度は１ｐｐｍ以下であり、研磨し
たウエハは純水を用いたブラシスクラバ洗浄やアイスス
クラバ洗浄を用いることにより、ウエハの残留不純物濃
度を１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下に低減できる。
【０００５】一方、タングステン等のメタル（金属）用
スラリーは研磨粒子にＡｌ2Ｏ3を用いており、また、高
レート（数Å／ｍｉｎ）や高選択比を得るために、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の金属を添加しているため、上
述の酸化膜用スラリーと同様の洗浄方法で洗浄しても、
ＦｅやＡｌが×１０12〜×１０13ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程
度ウエハに残留する。
スラリーは研磨粒子にＡｌ2Ｏ3を用いており、また、高
レート（数Å／ｍｉｎ）や高選択比を得るために、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の金属を添加しているため、上
述の酸化膜用スラリーと同様の洗浄方法で洗浄しても、
ＦｅやＡｌが×１０12〜×１０13ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程
度ウエハに残留する。
【０００６】また、研磨によって露出する表面が異なる
膜である場合、例えば、コンタクトプラグとＣＭＰを利
用して形成する場合、層間絶縁膜とコンタクトプラグ用
金属とが露出するため、ＨＦ溶液で処理すると、ＳｉＯ
2のエッチングレートが大きく、平坦化が損なわれる。
膜である場合、例えば、コンタクトプラグとＣＭＰを利
用して形成する場合、層間絶縁膜とコンタクトプラグ用
金属とが露出するため、ＨＦ溶液で処理すると、ＳｉＯ
2のエッチングレートが大きく、平坦化が損なわれる。
【０００７】また、従来法による、過酸化水素とアンモ
ニア水との混合液や、過酸化水素と塩酸との混合液によ
る洗浄では、埋め込み平坦化されたタングステン等のメ
タルの溶解が発生するため、平坦化が損なわれ、ボイド
パターン不良が発生する。
ニア水との混合液や、過酸化水素と塩酸との混合液によ
る洗浄では、埋め込み平坦化されたタングステン等のメ
タルの溶解が発生するため、平坦化が損なわれ、ボイド
パターン不良が発生する。
【０００８】更に、表３の蛍光分析の測定結果に示すよ
うに、ＣＭＰ処理後、アイススクラバ処理後、ＨＦ処理
やアンモニア過酸化水素液処理を行っても、Ｆｅの除去
は行えていない。尚、表３におけるＮＤは測定不可能で
あったことを示す。
うに、ＣＭＰ処理後、アイススクラバ処理後、ＨＦ処理
やアンモニア過酸化水素液処理を行っても、Ｆｅの除去
は行えていない。尚、表３におけるＮＤは測定不可能で
あったことを示す。
【０００９】
【表３】
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
半導体装置の製造方法は、半導体基板上に溝部を有する
絶縁膜を形成し、該溝部内部及び上記絶縁膜表面上にメ
タルを堆積させた後、化学的機械研磨により、上記溝部
に上記メタルを埋め込み且つ上記絶縁膜表面を露出させ
平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法におい
て、上記化学的機械研磨を行った後、アイススクラバ洗
浄し、その後、塩酸水を上記半導体基板の上記メタル形
成面又は両面に噴射することによって、上記半導体基板
を洗浄する工程を有することを特徴とするものである。
半導体装置の製造方法は、半導体基板上に溝部を有する
絶縁膜を形成し、該溝部内部及び上記絶縁膜表面上にメ
タルを堆積させた後、化学的機械研磨により、上記溝部
に上記メタルを埋め込み且つ上記絶縁膜表面を露出させ
平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法におい
て、上記化学的機械研磨を行った後、アイススクラバ洗
浄し、その後、塩酸水を上記半導体基板の上記メタル形
成面又は両面に噴射することによって、上記半導体基板
を洗浄する工程を有することを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項２記載の本発明の半導体装置
の製造方法は、上記塩酸水における塩酸の濃度が１０％
乃至２０％の範囲にあることを特徴とする、請求項１記
載の半導体装置の製造方法である。
の製造方法は、上記塩酸水における塩酸の濃度が１０％
乃至２０％の範囲にあることを特徴とする、請求項１記
載の半導体装置の製造方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態に基づいて、
本発明を詳細に説明する。
本発明を詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施の形態の半導体装置
の製造方法における、タングステン埋め込み平坦化工程
までの工程を示す図であり、図２は本発明の一実施の形
態の半導体装置の製造方法における洗浄工程を示す図で
ある。
の製造方法における、タングステン埋め込み平坦化工程
までの工程を示す図であり、図２は本発明の一実施の形
態の半導体装置の製造方法における洗浄工程を示す図で
ある。
【００１４】また、図１及び図２において、１はウエハ
状態のシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はコンタ
クトホール形成用のフォトレジストパターン、４はバリ
アメタル、５はコンタクトプラグとなるタングステン、
６は微凍結粒子をウエハに噴射する噴射ガン、７は微凍
結粒子により一度離脱したパーティクルの再付着を防ぐ
ために洗浄時にウエハに純水を供給する純水供給ノズ
ル、８は上面が研磨面となるＣＭＰ処理後のシリコン基
板、９は薬液供給用ノズル、１０はスピンドライヤを示
す。
状態のシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はコンタ
クトホール形成用のフォトレジストパターン、４はバリ
アメタル、５はコンタクトプラグとなるタングステン、
６は微凍結粒子をウエハに噴射する噴射ガン、７は微凍
結粒子により一度離脱したパーティクルの再付着を防ぐ
ために洗浄時にウエハに純水を供給する純水供給ノズ
ル、８は上面が研磨面となるＣＭＰ処理後のシリコン基
板、９は薬液供給用ノズル、１０はスピンドライヤを示
す。
【００１５】以下に、図１及び図２を用いて、本発明の
半導体装置の製造工程を説明する。
半導体装置の製造工程を説明する。
【００１６】まず、シリコン基板１にシリコン酸化膜２
を、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成し（図１
（ａ））、その後、該シリコン酸化膜２上にフォトリソ
グラフィ工程により、所定の形状のフォトレジストパタ
ーン３を形成し、該フォトレジストパターン３をマスク
にシリコン酸化膜２をエッチングして、コンタクトホー
ルを形成する（図１（ｂ））。
を、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成し（図１
（ａ））、その後、該シリコン酸化膜２上にフォトリソ
グラフィ工程により、所定の形状のフォトレジストパタ
ーン３を形成し、該フォトレジストパターン３をマスク
にシリコン酸化膜２をエッチングして、コンタクトホー
ルを形成する（図１（ｂ））。
【００１７】次に、コンタクトホール側面及び底面を含
む全面にバリアメタル４、例えばＴｉＮ／Ｔｉをスパッ
タ法にて堆積させ（図１（ｃ））、その後、コンタクト
ホールが完全に埋め込まれるようにＣＶＤ法により、全
面にタングステン５を堆積させる（図１（ｄ））。
む全面にバリアメタル４、例えばＴｉＮ／Ｔｉをスパッ
タ法にて堆積させ（図１（ｃ））、その後、コンタクト
ホールが完全に埋め込まれるようにＣＶＤ法により、全
面にタングステン５を堆積させる（図１（ｄ））。
【００１８】次に、Ａｌ2Ｏ3を研磨粒子とするタングス
テン用スラリーを用いて、ＣＭＰ装置にて研磨を行い
（図１（ｅ））、その直後に、シリコン基板１に付着し
たスラリーを軽く洗い流すために純水にて水研磨を、圧
力を３．０ｐｓｉ、プラテンを１８ｒｐｍ、キャリアを
３０ｒｐｍ、処理時間を６０ｓｅｃとして行う。
テン用スラリーを用いて、ＣＭＰ装置にて研磨を行い
（図１（ｅ））、その直後に、シリコン基板１に付着し
たスラリーを軽く洗い流すために純水にて水研磨を、圧
力を３．０ｐｓｉ、プラテンを１８ｒｐｍ、キャリアを
３０ｒｐｍ、処理時間を６０ｓｅｃとして行う。
【００１９】その後、ＣＭＰ処理後のシリコン基板８を
ウエットな状態のままで、微凍結粒子により１度離脱し
たパーティクルの再付着を防ぐために純水供給ノズル７
から純水をシリコン基板８の両面に供給しながら、噴射
ガン６から微凍結粒子をシリコン基板８の両面に噴射
し、アイススクラバ洗浄を行う（図２（ａ））。
ウエットな状態のままで、微凍結粒子により１度離脱し
たパーティクルの再付着を防ぐために純水供給ノズル７
から純水をシリコン基板８の両面に供給しながら、噴射
ガン６から微凍結粒子をシリコン基板８の両面に噴射
し、アイススクラバ洗浄を行う（図２（ａ））。
【００２０】このアイススクラバの洗浄条件は、表面の
噴射速度が２２０ｍ／ｓｅｃ、裏面の噴射速度が３３０
ｍ／ｓｅｃ、洗浄時間は３０ｓｅｃとする。また、本実
施の形態では、噴射ガン６及び純水供給ノズル７を固定
しているため、シリコン基板８を回転させながら、前後
に移動させる。
噴射速度が２２０ｍ／ｓｅｃ、裏面の噴射速度が３３０
ｍ／ｓｅｃ、洗浄時間は３０ｓｅｃとする。また、本実
施の形態では、噴射ガン６及び純水供給ノズル７を固定
しているため、シリコン基板８を回転させながら、前後
に移動させる。
【００２１】次に、塩酸水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：１
０）を薬液供給用ノズル９から、シリコン基板８の両面
に１〜２分間供給する。この際、シリコン基板８を回転
させる際の回転数又は薬液の供給量を適正化すること
で、シリコン基板８に常に新しい塩酸水が供給されるよ
うにして、不純物の再汚染を防止する。具体的には、本
実施の形態において、シリコン基板８の回転数は５００
ｒｐｍ、薬液供給量は４５０ｍｌ／ｍｉｎとする。
０）を薬液供給用ノズル９から、シリコン基板８の両面
に１〜２分間供給する。この際、シリコン基板８を回転
させる際の回転数又は薬液の供給量を適正化すること
で、シリコン基板８に常に新しい塩酸水が供給されるよ
うにして、不純物の再汚染を防止する。具体的には、本
実施の形態において、シリコン基板８の回転数は５００
ｒｐｍ、薬液供給量は４５０ｍｌ／ｍｉｎとする。
【００２２】最後に、シリコン基板の両面に純水リンス
にて、回転数を５００ｒｐｍ、純水供給量を４５０ｍｌ
／ｍｉｎの条件で３０秒間洗浄を行い（図２（ｂ））、
スピンドライヤ１０にてシリコン基板８を乾燥させる
（図２（ｃ））。
にて、回転数を５００ｒｐｍ、純水供給量を４５０ｍｌ
／ｍｉｎの条件で３０秒間洗浄を行い（図２（ｂ））、
スピンドライヤ１０にてシリコン基板８を乾燥させる
（図２（ｃ））。
【００２３】表１に、タングステン用スラリーで研磨後
のシリコン基板８を、本発明を用いて洗浄した後の分析
結果を比較例とともに示す。尚、分析用のシリコン基板
８は、シリコン基板８上に熱酸化膜を２０００Å形成
し、その上にバリアメタルとして、ＴｉＮ／Ｔｉを６０
０Å／６００Åスパッタし、その上にタングステンをＣ
ＶＤ法にて４０００Å形成したものを、ＣＭＰ法により
ウエハ全表面が熱酸化膜になるまで、研磨したウエハを
使用した。
のシリコン基板８を、本発明を用いて洗浄した後の分析
結果を比較例とともに示す。尚、分析用のシリコン基板
８は、シリコン基板８上に熱酸化膜を２０００Å形成
し、その上にバリアメタルとして、ＴｉＮ／Ｔｉを６０
０Å／６００Åスパッタし、その上にタングステンをＣ
ＶＤ法にて４０００Å形成したものを、ＣＭＰ法により
ウエハ全表面が熱酸化膜になるまで、研磨したウエハを
使用した。
【００２４】また、分析は、気相分解処理後、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ，Ｃｕ及びＺｎについては誘導結合プラズマ質
量分析装置(ＩＣＰ−ＭＳ:Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃ
ｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ −Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて、また、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ及び
Ｆｅについてはフレームレス原子吸光光度計（ＦＬ−Ａ
ＡＳ：Ｆｌａｍｅｌｅｓｓ−Ａｔｏｍｉｃ Ａｂｓｏｒ
ｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて行っ
た。
ｒ、Ｎｉ，Ｃｕ及びＺｎについては誘導結合プラズマ質
量分析装置(ＩＣＰ−ＭＳ:Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃ
ｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ −Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて、また、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ及び
Ｆｅについてはフレームレス原子吸光光度計（ＦＬ−Ａ
ＡＳ：Ｆｌａｍｅｌｅｓｓ−Ａｔｏｍｉｃ Ａｂｓｏｒ
ｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて行っ
た。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に示すように、ＣＭＰ法で研磨した
後、アイススクラバ処理のみを行ったウエハよりも、ア
イススクラバ処理後に、ＨＣｌ水処理を行った方が、Ａ
ｌについては、１．３×１０13ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度
から８×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度に、Ｆｅについ
ては、２×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度から１×１０
10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度に、Ｎｉについては３×１０
12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度から１．５×１０10ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ2程度に、Ｚｎについては、５×１０11ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2程度から０．５×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
程度に低減され、ウエハに付着したＡｌ、Ｆｅ、Ｎｉ及
びＺｎ等の不純物を洗浄する効果が高いことが分かっ
た。
後、アイススクラバ処理のみを行ったウエハよりも、ア
イススクラバ処理後に、ＨＣｌ水処理を行った方が、Ａ
ｌについては、１．３×１０13ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度
から８×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度に、Ｆｅについ
ては、２×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度から１×１０
10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度に、Ｎｉについては３×１０
12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度から１．５×１０10ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ2程度に、Ｚｎについては、５×１０11ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2程度から０．５×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
程度に低減され、ウエハに付着したＡｌ、Ｆｅ、Ｎｉ及
びＺｎ等の不純物を洗浄する効果が高いことが分かっ
た。
【００２７】更に、熱酸化膜が３０００Å形成されたウ
エハをＣＭＰ法で研磨し、アイススクラバ洗浄後、塩酸
水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：１０又は１：５）で３０秒間
洗浄した後、別の装置に移して、塩酸水（ＨＣｌ：Ｈ2
Ｏ＝１：１０又は１：５）で５分間又は１０分間洗浄し
た結果を表２に示す。
エハをＣＭＰ法で研磨し、アイススクラバ洗浄後、塩酸
水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：１０又は１：５）で３０秒間
洗浄した後、別の装置に移して、塩酸水（ＨＣｌ：Ｈ2
Ｏ＝１：１０又は１：５）で５分間又は１０分間洗浄し
た結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２に示すような、塩酸水の濃度、洗浄時
間においても、表１とほぼ同様の、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ及
びＺｎ等の不純物を洗浄する効果が得られた。
間においても、表１とほぼ同様の、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ及
びＺｎ等の不純物を洗浄する効果が得られた。
【００３０】また、塩酸水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：５）
で３０秒間洗浄した後、別の装置に移して、アンモニア
水（ＮＨ3：Ｈ2Ｏ＝１：５）で５分間又は１０分間洗浄
した後、更に、塩酸水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：５）で５
分間又は１０分間洗浄した場合、Ｆｅの除去が不十分で
あった。
で３０秒間洗浄した後、別の装置に移して、アンモニア
水（ＮＨ3：Ｈ2Ｏ＝１：５）で５分間又は１０分間洗浄
した後、更に、塩酸水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：５）で５
分間又は１０分間洗浄した場合、Ｆｅの除去が不十分で
あった。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明を用
いることにより、デバイスに悪影響を及ぼす重金属によ
る２次汚染やデバイス特性の劣化、歩留まりの低下を防
ぐことができ、デバイスの信頼性を向上させることがで
きる。
いることにより、デバイスに悪影響を及ぼす重金属によ
る２次汚染やデバイス特性の劣化、歩留まりの低下を防
ぐことができ、デバイスの信頼性を向上させることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置の、コンタ
クトプラグ形成工程までの製造工程図である。
クトプラグ形成工程までの製造工程図である。
【図２】本発明の一実施の形態における洗浄工程図であ
る。
る。
１ シリコン基板 ２ シリコン酸化膜 ３ フォトレジストパターン ４ バリアメタル ５ タングステン ６ 噴射ガン ７ 純水供給ノズル ８ ＣＭＰ処理後のシリコン基板 ９ 薬液供給用ノズル １０ スピンドライヤ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に溝部を有する絶縁膜を形
成し、該溝部内部及び上記絶縁膜表面上にメタルを堆積
させた後、化学的機械研磨により、上記溝部に上記メタ
ルを埋め込み且つ上記絶縁膜表面を露出させ平坦化する
工程を有する半導体装置の製造方法において、 上記化学的機械研磨を行った後、アイススクラバ洗浄
し、その後、塩酸水を上記半導体基板の上記メタル形成
面又は両面に噴射することによって、上記半導体基板を
洗浄する工程を有することを特徴とする、半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 上記塩酸水における塩酸の濃度が１０％
乃至２０％の範囲にあることを特徴とする、請求項１記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22637796A JPH1070096A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22637796A JPH1070096A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070096A true JPH1070096A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16844181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22637796A Pending JPH1070096A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1070096A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432815B2 (en) | 1998-12-21 | 2002-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of cleaning a silicon substrate after blanket depositing a tungsten film by dipping in a solution having hydrofluoric acid, hydrochloric acid, and/or ammonium hydroxide prior to patterning the tungsten film |
| KR100355871B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-10-12 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22637796A patent/JPH1070096A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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