JP2005174442A - 磁気記録媒体及びその基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 85
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 85
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims abstract description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 7
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 abstract description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 abstract description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 abstract description 3
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 abstract 2
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- ZUFQCVZBBNZMKD-UHFFFAOYSA-M potassium 2-ethylhexanoate Chemical compound [K+].CCCCC(CC)C([O-])=O ZUFQCVZBBNZMKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YOSXTSJZQNTKKX-UHFFFAOYSA-M potassium;heptanoate Chemical compound [K+].CCCCCCC([O-])=O YOSXTSJZQNTKKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WQEDQSDEIXNCCI-UHFFFAOYSA-M potassium;nonanoate Chemical compound [K+].CCCCCCCCC([O-])=O WQEDQSDEIXNCCI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- KAKVFSYQVNHFBS-UHFFFAOYSA-N (5-hydroxycyclopenten-1-yl)-phenylmethanone Chemical compound OC1CCC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 KAKVFSYQVNHFBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 fatty acid alkali salt Chemical class 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- QDIGBJJRWUZARS-UHFFFAOYSA-M potassium;decanoate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCC([O-])=O QDIGBJJRWUZARS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】 スラリー中のヘプタン酸カリウムなどの高級脂肪酸アルカリとNi−Pなどの金属系合金メッキから溶出するNiイオンなどの金属イオンとが反応して生成するヘプタン酸Niなどの高級脂肪酸金属塩を、リンゴ酸など酸の水溶液に浸漬することによりヘプタン酸などの高級脂肪酸に変換して洗浄除去する基板洗浄工程を備え、酸の水溶液には、金属系合金メッキを構成する金属よりも酸化還元電位の高い不純物金属であって酸の水溶液に溶出した不純物金属の金属系合金メッキを構成する金属と置換しての再析出を防止するためのエチレンジアミン四酢酸(EDTA)などのキレート剤を含有する。
【選択図】 図1
Description
磁気記録装置を構成する磁気記録媒体や磁気ヘッドの高度化・高精密化のためには、設計、材料の高度化は勿論のこと、製造プロセスの高度化も重要な課題であり、洗浄工程の高度化もその対象である。
現在、磁気ディスクは大容量化が進み、3.5インチのAl基板系記録媒体で80ギガバイト/ディスクが主流を占めるようになり、その結果、磁気ヘッドの浮上高さも10nmを切るようになってきている。このため、磁性記録膜を成膜する前の基板の洗浄品質は、高さ10nm以上の異物が存在すると、磁気ヘッドが異物にぶつかり、ヘッド墜落やHitモードと呼ばれるエラーの原因となる。また、このような異物があると、磁性記録膜の特性が変わったりすることや磁性記録膜が成膜できないなどの理由により、リード・ライト(R/W)エラーと呼ばれるエラーが発生する。
テクスチャ加工工程のように工程で汚染される有機系パーティクルを洗浄・除去することは勿論、装置・あるいは環境からの汚染によるCu、Fe、Zn、Al等の金属系パーティクル等をも高さ10nm以下まで洗浄・除去する必要があり、磁気ディスク基板の洗浄においても、シリコン(Si)半導体並の化学的、物理的洗浄方法の構築が不可欠となっている。
一方、磁気ディスク基板の場合にはアルミニウム合金母材の表面にNi−Pのメッキ膜が施されており、このNi−PはSiO2に比べてはるかに耐化学性が低く、このためSMPに浸漬すると、短時間で表面がエッチングされ、Raが著しく悪化してしまう。したがって、Ni−Pメッキを施したAl基板に対しては、いわゆるRCA洗浄を適用することが難しいことは良く知られている。
本発明者らの検討によると、スクラブ洗浄や超音波、電気分解水などの組み合わせだけでは、洗浄後の基板上に直径0.5μm以下で、高さ10nm程度の有機系の薄膜状パーティクルが存在することが原子間力顕微鏡(AFM)の測定などから分ってきた。また、テクスチャ加工後の洗浄前のNi−PメッキAl基板の表面に付着している物質を顕微IRやXPSで同定すると、テクスチャスラリーに含まれている高級脂肪酸のNi塩であることも分ってきた。
高級脂肪酸Niは、石鹸かすのようなもので、水に不溶な物質であり、また洗剤でも除去しにくい物質である。テクスチャスラリーに含まれている高級脂肪酸は、高級脂肪酸そのもの、あるいは高級脂肪酸アルカリとして添加されており、前者はアルカリ系洗剤で除去可能であり、後者は水溶性で、本来はスクラブ洗浄や超音波洗浄で容易に除去できる物質である。
本発明者らは種々の検討を重ねた結果、テクスチャ加工工程で生成される高級脂肪酸Niを効率的に除去するには、高級脂肪酸Niを洗剤で除去し易い高級脂肪酸に変換すれば良いとの考えに至り、水に不溶な固形物質である高級脂肪酸Niは、酸に浸漬して高級脂肪酸に変換すれば、油のような液状の物質に変わり、これは洗剤を併用したスクラブ洗浄にて容易に洗い落とせるとの考えに辿り着いた。
本発明は、上述の点に鑑み、スラリー中の高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリと基板加工中に金属系合金メッキ膜から溶出する金属イオンとが反応して生成される水に不溶な高級脂肪酸金属塩を高い割合で除去すると共に、Cuなどの酸化還元電位が高い不純物金属も十分に除去し、その結果、GH試験でのエラーの少ない磁気記録媒体を歩留まり良く得ることができる磁気記録媒体及びその基板の製造方法を提供することを目的とする。
すなわち、例えば基板製造工程で基板表面に直径0.5μm程度のCuパーティクルが付着したとすると、この状態ではCuも他のパーティクルと同様、特異的なことは起こらない。しかし、一旦、この状態でクエン酸などの酸の水溶液に浸漬されると、Cu粒子の表面から酸に溶け出すCuイオンが、Ni−Pメッキ膜のNiより酸化還元電位が高いために、Niと置換し、CuイオンがNi−Pメッキ膜表面に再析出し、Niが酸にイオンとして溶け出す。Ni−Pメッキ膜表面に再析出したCuは、いわゆる置換メッキと同じメカニズムで形成されるのでNi−P表面に強固に付着する。再析出して形成されるCu微粒子は、そのソースであるCuパーティクルの周辺に集中して形成する。
洗浄工程で例えばスクラブ洗浄のような物理的洗浄によりソースCuパーティクルは除去できる確率は高いが、しかし、再析出し強固に付着したCu微粒子はスクラブ洗浄等の物理的洗浄法では除去できずに、GH試験で欠陥として検出され、歩留まりを低下させる要因となる。
本発明者らは、Ni−Pなどの金属合金系メッキ構成元素より酸化還元電位の高い、例えばCuを酸浸漬中に安定化し再析出させなければ、Cuなどの微粒子の再析出のない、しかも高級脂肪酸Niなどの残渣の少ない基板が得られるとの結論に達し、これを達成する手段として、基板洗浄工程で基板を浸漬する酸の水溶液にCuに対して安定な錯体を作製するキレート剤を添加することに想到した。
すなわち、本発明は、上述の目的を達成するため、金属系母材あるいは無機系母材に金属系合金メッキを施してしてなる基板の表面にスラリーを用いて研磨加工又はテクスチャ加工を施す基板加工工程を有する磁気記録媒体用基板の製造方法において、前記スラリーには高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリが含まれており、当該高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリと前記金属系合金メッキから溶出する金属イオンとが反応して前記基板の表面に生成する高級脂肪酸金属塩を、前記基板を酸の水溶液に浸漬することにより高級脂肪酸に変換して当該基板の表面から洗浄除去する基板洗浄工程を備え、前記酸の水溶液には、前記金属系合金メッキを構成する金属よりも酸化還元電位の高い不純物金属であって当該酸の水溶液に溶出した不純物金属の当該金属系合金メッキを構成する金属と置換しての再析出を防止するためのキレート剤を含有することを特徴とする。
さらに、基板洗浄工程で基板を浸漬する酸の水溶液には、金属系合金メッキを構成する金属よりも酸化還元電位の高い不純物金属であって当該酸の水溶液に溶出した不純物金属の当該金属系合金メッキを構成する金属と置換しての再析出を防止するためのキレート剤を含有するので、工程環境から混入する酸化還元電位の高い不純物金属の溶解・再析出による微粒子の基板表面への形成を防止することができる。
ここで、テクスチャ加工に用いるスラリー中の高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリとテクスチャ加工中にNi−Pメッキ膜から溶出するNiイオンとが反応して生成する水に不溶な高級脂肪酸Niを高級脂肪酸に変換するためには基板を酸の水溶液に浸漬する。具体的にはリンゴ酸やクエン酸などの有機酸、リン酸、硫酸などの無機酸も適度の濃度にすれば使用することができる。
すなわち、テクスチャ加工後の基板洗浄工程にて基板を酸の水溶液に浸漬して水に不溶な高級脂肪酸Niを高級脂肪酸に変換し、スクラブ洗浄等の洗浄を施すことにより、基板表面パーティクルが大幅に低減し、その結果、GH試験良品率の高い、したがって安価で、高品質の磁気記録媒体を供給することができる。
ディスク基板としては、現在、公称3.5インチ、2.5インチ、1インチ、0.8インチなどさまざまな径のディスクが開発、あるいは製造されており、ディスク径に応じて基板厚さも変化している。ここでは現在最も市場占有率の高い3.5インチ基板を例にとって述べる。
このようにして得られたポリッシュ基板は磁性膜の配向性を高めるためにテクスチャ加工が施される。テクスチャ加工は0.1〜0.5μm径のダイアモンド砥粒と高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリ塩、分散材等を混合・分散したスラリーを含侵させた研磨用テープを、回転させたポリッシュ基板に押し付けて研磨する方法で行われる。テクスチャ加工工程に引き続き、テクスチャスラリーやNi−Pの研磨かすを除去するために洗浄が行われる。従来技術では、洗浄は洗剤を用いたスクラブ洗浄と純水や電気分解水などを用いた超音波洗浄との組み合わせが一般に行われている。
テクスチャスラリーに添加されている高級脂肪酸アルカリは、例えばヘプタン酸カリウム(C6H13COOK)、オクタン酸カリウム(C7H15COOK)、ノナン酸カリウム(C8H17COOK)、デカン酸カリウム(C9H19COOK)、ラウリン酸カリウム(C11H23COOK)などが用いられている。これらの高級脂肪酸アルカリは水溶性であり、したがってテクスチャ加工工程でNiと反応しなければ、簡単に洗浄で除去できる物質であるが、Niと反応すると下記(化1)の反応により水に不溶な高級脂肪酸Niとなり、除去が難しくなる。高級脂肪酸アルカリは、高級脂肪酸カリウムのほかに高級脂肪酸ナトリウムも用いられる。
さらに本実施形態では、上述したように高級脂肪酸Niを高級脂肪酸に変換するために実施される酸浸漬処理中に工程環境より基板表面に付着するCuパーティクルの溶解・再析出を防止するためにキレート剤を添加する。
このキレート剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)を0.05〜1.0重量%(wt.%)程度添加する。その他には、エチレンジアミン(ED)、トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン四酢酸(CyDTA)、ニトリロトリスメチレンホスホン酸(NTPO)、チオ尿素などをキレート剤として添加してもよい。
次いで、このようにして得られた洗浄基板上に磁性記録膜、カーボン保護膜、潤滑層等を形成して、磁気ディスク媒体を作製する。その後、媒体表面にのっているパーティクルを除去するためにテープバニッシュやヘッドバニッシュを行い、GH試験やR/W試験を行って完成品とする。
(1)基板加工工程
(1−1)ブランク材加工工程
ディスク基板として、アルミニウム合金板を内径25mm、外径95mmのドーナツ状に裁断し、内外周の裁断部をチャンファ加工後、両主表面を砥石によるグラインディング加工を施すことによりブランク材を得た。
(1−2)メッキ工程
このブランク材に厚さ約13μmのNi−P無電解メッキ膜を付け、メッキ液残渣を洗浄する。
(1−3)研磨加工工程
その後、アルミナ砥粒を用いた1次研磨、コロイダルシリカ砥粒を用いた2次研磨、それに引き続く洗浄によりポリッシュ基板を作製した。メッキ膜の研磨厚さは、約3μmで、したがって研磨後のメッキ厚さは凡そ10μmであった。
(1−4)テクスチャ加工工程
このようにして得られたポリッシュ基板に対し、ヘプタン酸カリウム、オクタン酸カリウム、ノナン酸カリウムなどの高級脂肪酸カリウム、および分散剤等を加えた水溶液に平均粒径0.1μmのダイアモンド砥粒を適量混合したテクスチャスラリーをポリエステル不織布製テープに含浸させ、基板を回転させながらテープを押し付けるテクスチャ加工を施すことにより、表面粗さRaを0.3nm程度に制御する。
(2)基板洗浄工程
(2−1)酸浸漬工程
次いでテクスチャ加工工程で基板表面についたテクスチャスラリー残渣、Ni−P研磨かすを洗浄除去するために、実施例1〜34については、表1に示すように酸の種類と濃度及びキレート剤の種類と添加量の異なる酸の水溶液に浸漬した。なお、キレート剤の添加のない比較例1〜4を同様に実施した。
(2−2)洗浄・乾燥工程
その後、洗剤を併用したスクラブ洗浄、及びその洗剤を除去するための純水スクラブ洗浄、それに引き続き周波数850kHzの超音波洗浄(メガソニック洗浄)を行い、スピン乾燥器にて基板を乾燥した。
(基板評価)
このような基板洗浄工程における洗浄効果を確認するために、洗浄・乾燥後の実施例1〜34及び比較例1〜4の基板について、表面外観検査装置としての日立DECO製ディスク表面検査装置NS1510でパーティクル数を評価した。
(3)成膜工程
そして、洗浄・乾燥後の基板上に、スパッタリングによりCr下地層、Cr合金中間層、Co合金磁性記録層を順次成膜し、その上にプラズマCVDによりカーボン保護層を成膜する。さらに液体潤滑剤を塗布して潤滑層を形成し、テープバニッシュを施して磁気ディスク媒体とする。
(媒体評価)
これらの磁気ディスク媒体をGH試験、R/W試験にて評価した。R/W試験のエラービットサイズは64bitsで判定した。GH試験はヘッド浮上量7.0nmにキャリブレーションした周速(5.0m/S)にて実施した。
(評価結果)
表1に、実施例1〜34及び比較例1〜4について、洗浄・乾燥後の基板表面のパーティクル数、GH試験良品率、R/W試験良品率、及びCu微粒子エラーの有無を示す。
Claims (7)
- 金属系母材あるいは無機系母材に金属系合金メッキを施してしてなる基板の表面にスラリーを用いて研磨加工又はテクスチャ加工を施す基板加工工程を有する磁気記録媒体用基板の製造方法において、前記スラリーには高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリが含まれており、当該高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリと前記金属系合金メッキから溶出する金属イオンとが反応して前記基板の表面に生成する高級脂肪酸金属塩を、前記基板を酸の水溶液に浸漬することにより高級脂肪酸に変換して当該基板の表面から洗浄除去する基板洗浄工程を備え、前記酸の水溶液には、前記金属系合金メッキを構成する金属よりも酸化還元電位の高い不純物金属であって当該酸の水溶液に溶出した不純物金属の当該金属系合金メッキを構成する金属と置換しての再析出を防止するためのキレート剤を含有することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記酸が有機酸であることを特徴とする請求項1に磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記酸が無機酸であることを特徴とする請求項1に磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記キレート剤が、エチレンジアミン(ED)、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン四酢酸(CyDTA)、ニトリロトリスメチレンホスホン酸(NTPO)及びチオ尿素から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記金属系合金メッキが、Ni−P,Co−P,Co−Ni−P又はCo−W−Pからなる合金メッキであり、前記金属系母材がAl合金であり、前記無機系母材がガラスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかの製造方法により製造された磁気記録媒体用基板上に少なくとも磁性記録膜を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
- 金属系母材あるいは無機系母材に金属系合金メッキを施してしてなる基板の表面にスラリーを用いて研磨加工又はテクスチャ加工を施す基板加工工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記スラリーには高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリが含まれており、当該高級脂肪酸あるいは高級脂肪酸アルカリと前記金属系合金メッキから溶出する金属イオンとが反応して前記基板の表面に生成する高級脂肪酸金属塩を、前記基板を酸の水溶液に浸漬することにより高級脂肪酸に変換して当該基板の表面から洗浄除去する基板洗浄工程と、該基板洗浄工程により洗浄された基板上に少なくとも磁性記録膜を形成する成膜工程とを備え、前記酸の水溶液には、前記金属系合金メッキを構成する金属よりも酸化還元電位の高い不純物金属であって当該酸の水溶液に溶出した不純物金属の当該金属系合金メッキを構成する金属と置換しての再析出を防止するためのキレート剤を含有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003412114A JP4228902B2 (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 磁気記録媒体及びその基板の製造方法 |
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---|---|---|---|
JP2003412114A JP4228902B2 (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 磁気記録媒体及びその基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005174442A true JP2005174442A (ja) | 2005-06-30 |
JP4228902B2 JP4228902B2 (ja) | 2009-02-25 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4228902B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100288301A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Hui Hwang Kee | Removing contaminants from an electroless nickel plated surface |
JP2011057833A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Lion Corp | 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 |
TWI747122B (zh) * | 2019-01-11 | 2021-11-21 | 美商Cmc材料股份有限公司 | 用於拋光記憶體硬碟以展現邊緣滾離之雙添加劑組合物 |
-
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---|---|---|---|---|
US20100288301A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Hui Hwang Kee | Removing contaminants from an electroless nickel plated surface |
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TWI747122B (zh) * | 2019-01-11 | 2021-11-21 | 美商Cmc材料股份有限公司 | 用於拋光記憶體硬碟以展現邊緣滾離之雙添加劑組合物 |
US11384253B2 (en) | 2019-01-11 | 2022-07-12 | Cmc Materials, Inc. | Dual additive composition for polishing memory hard disks exhibiting edge roll off |
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JP4228902B2 (ja) | 2009-02-25 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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