JP2011049506A - 希土類高配向磁性薄膜とその製造方法、磁器部材および希土類永久磁石 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の希土類高配向磁性薄膜の製造方法は、基材の被覆面上に第1組成の第1被覆層を形成する第1被覆工程と、その第1被覆層上に第1組成とは異なる第2組成の第2被覆層を形成する第2被覆工程とを少なくとも備えてなり、希土類磁性薄膜全体としての合金組成が所望する希土類磁石合金の組成に調整される。これにより、磁化容易軸方向に結晶配向した高配向の希土類磁性薄膜が得られる。
【選択図】図1
Description
ここで、強い磁気特性を示すNd2Fe14B相は、結晶構造が複雑で、薄膜作成時に常温域では得られず、少なくとも一旦は高温にする必要がある。しかしそのような高温域でR-Fe−B系の各結晶を特定方向へ配向成長させることは容易でなく、この傾向は磁石のサイズが小さくなるほど顕著である。
(1)本発明の希土類高配向磁性薄膜の製造方法は、基材の被覆面上に第1組成の第1被覆層を形成する第1被覆工程と、該第1被覆層上に該第1組成とは異なる第2組成の第2被覆層を形成する第2被覆工程とを少なくとも備え、少なくとも前記第1被覆層と前記第2被覆層とからなり、全体を100原子%としたときに8〜30原子%の希土類元素(以下「R」と記す)と4〜20原子%のホウ素(B)と残部である鉄(Fe)とを含み、特定方向に配向して結晶成長した希土類高配向磁性薄膜が得られることを特徴とする。
(1)本発明は、単に上記の製造方法としてのみならず、それにより得られた配向度の著しく高い希土類高配向磁性薄膜としても把握される。
本明細書でいう配向度とは、飽和磁化(Ms)に対する残留磁化(Mr)の比(Mr/Ms)である。本発明の希土類高配向磁性薄膜の場合、この配向度が97%以上さらには98%以上ともなり得る。
さらに本発明は、基材上に形成された希土類高配向磁性薄膜のみならず、その希土類高配向磁性薄膜とそれが形成される基材とからなる磁器部材としても把握され得る。磁器部材の種類、用途などは問わないが、例えば、高密度記録媒体、超小型電動機の界磁部材(ロータまたはステータ)などがある。
上述した希土類高配向磁性薄膜は、基材の被覆面上に形成されたものであるが、その薄膜自体を単独でみれば希土類永久磁石となり得る。
そこで本発明は、全体を100原子%としたときに8〜30原子%のRと4〜20原子%のBと残部であるFeとを含み、膜厚が1〜200nmであり、配向度(Mr/Ms)が98%以上である特定方向へ配向して結晶成長した希土類高配向磁性箔からなることを特徴とする希土類永久磁石としても把握される。この希土類永久磁石は、希土類高配向磁性箔単体のみならず、その箔を結合させた結合体等でもよい。なお、希土類高配向磁性箔は一旦形成された薄膜を基材から剥離したものでもよい。
特に断らない限り、本明細書でいう「x〜y」は、下限xおよび上限yを含む。また、本明細書に記載した各下限および各上限は任意に組合わせて「a〜b」のような範囲を構成し得る。さらに、本明細書に記載した範囲内に含まれる任意の数値を、数値範囲を設定するための上限値または下限値とすることができる。
(1)組成
希土類高配向磁性薄膜(以下、希土類高配向磁性箔を含む)は、全体として、強力な磁気特性を発現するR-Fe−B系合金結晶からなる。Rがネオジウム(Nd)の場合であれば、Nd2Fe14Bが主相となると好ましい。
本発明の希土類高配向磁性薄膜の膜厚は、非常に小さくnmレベルである。具体体には、膜厚が1〜200nmであると好ましい。膜厚の上限値または下限値は上記範囲内で任意に選択し設定し得る。特に膜厚が5〜100nmのときに高配向でかつ高特性の薄膜が得られる。
本発明の希土類高配向磁性薄膜は、その構成元素からして酸化され易い。酸化されると、結晶構造が所望のNd2Fe14Bなどから部分的に変化するため磁気特性が低下する。そこで本発明の希土類高配向磁性薄膜は、そのような酸化を抑制する保護被膜を少なくとも最表面に有すると好ましい。
この保護被膜は、Cr、Ag、Au、Pt、Mo、Cu、Ti、Ta、Ru、W、Irなどの単体、合金または化合物からなると好ましい。
(1)被覆層の組成
本発明の製造方法は、組成の異なる複数の被覆層を積層しつつ、薄膜全体としては所望の磁石合金組成からなる希土類高配向磁性薄膜を形成する方法である。既述したように、各被覆層の組成は特に限定されるものではなく、積層する被覆層の組成の種類は2つでもそれ以上でもよい。
なお、希土類磁性薄膜の結晶構造または配向度が初期被覆層の影響を受けるメカニズムは必ずしも定かではないが、現状では次のように考えられる。すなわち、形成したい合金膜に近い組成を初期層に用いることで、それ以降の層が初期層の結晶構造を反映して結晶成長を行うため所望の合金膜が成長し易くなる。
組成により相違するものの、Nd2Fe14B相などの希土類磁石合金を得るには、約500℃以上の高温にする必要がある。もっとも高温環境下では、一般的に各結晶の方位が乱れ、結晶方位の揃った希土類磁性薄膜を得ることは一般的に難しい。
被覆工程中の被覆層の形成速度(厚さ方向)である被覆速度は0.1〜5Å/sであると好適である。被覆速度が過小では形成時間が長く酸化の影響が現れて好ましくない。被覆速度が過大では膜厚制御が困難となり好ましくない。特に被覆速度が0.4〜1Å/sで高配向および高特性の薄膜が得られ易い。
被覆工程は、既述したように、組成の異なる被覆層を形成する第1被覆工程と第2被覆工程とを少なくとも備えれば足りる。本発明の場合、希土類磁性薄膜の最終的な厚さは高々数十nmである。従って、途中段階の被覆層の厚さも数〜十数nmレベルである。薄膜の形成方法として真空蒸着などもあるが、本発明のような非常に薄い被覆層を均一に安定して形成するには、スパッタリングなどが好ましい。
本発明の製造方法は、前述したように、希土類磁性薄膜の酸化による劣化を抑制し得るために、その表面に保護被膜を形成する保護被覆工程を備えると好適である。
保護被覆工程も前記の被覆工程と同様にスパッタリングなどにより行える。この場合、保護被膜用のターゲットの種類にも依るが、保護被覆工程は通常、室温域で行えば足りる。また、そのターゲットには、Cr、Ag、Au、Pt、Mo、Cu、Ti、Ta、Ru、W、Irなどの単体、合金または化合物などを用いることができる。
本発明の希土類高配向磁性薄膜が形成される基材の材質や形態は基本的には問わない。もっとも、希土類磁性薄膜の結晶成長に適した基材(またはその被覆面)を用意することで、希土類磁石合金結晶をエピタキシャル成長させて希土類磁性薄膜を形成することも可能となる。これにより、結晶方位が特定方向に揃った(つまり配向した)、配向度の大きな(磁化異方性の大きな)希土類磁性薄膜が得られ得る。
本発明の希土類高配向磁性薄膜の用途として、磁気記録媒体などが考えられる。希土類高配向磁性薄膜で被覆された基材からなる磁器部材として、磁気ケース、磁気ディスク、超小型電動機のロータまたはステータなどがある。
《試料の製造》
〈試料No.A1〉
(1)基材と下地処理工程
本発明に係る希土類高配向磁性薄膜を形成する基材として、MgO単結晶基板(以下単に「基板」という。)を用意した。このMgO単結晶基板は、(001)面が基板面になるように加工し、表面粗度を低くするため研磨を行ったものである(フルウチ化学株式会社製、MgO(100)単結晶)。
加熱した基板の下地層上に、スパッタリングによってFeを主成分とする磁性層(被覆層)を積層した(被覆工程)。
具体的には、625℃に加熱した基板の下地層上に、組成の異なる2種の磁性層を交互に積層した。すなわち、先ずはNd15Fe70B15 組成(第1組成)の鉄合金をターゲットにして、基板の被覆面上に膜厚4nmの初期被覆層(第1被覆層)を形成した(第1被覆工程)。次に、その初期被覆層上に、Fe80B20 組成(第2組成)の鉄合金をターゲットにして、初期被覆層上に膜厚1nmの第2被覆層を形成した(第2被覆工程)。その後、この第1被覆工程と第2被覆工程を順次交互に合計6回繰り返すことで、膜厚合計が30nmとなる磁性層を形成した。なお、いずれの被覆工程でも、被覆層の被覆速度は0.4〜1Å/sにした。
こうして基板上に磁性層(希土類磁性薄膜)を積層した後、それを室温まで冷却してから、その最表面にCrからなる保護被膜を上述のスパッタリングにより積層した(保護被覆工程)。この保護被膜は磁性層の酸化を抑止するために形成した。こうして、基板上を被覆する希土類磁性薄膜からなる試料No.A1を得た。
上記の試料No.A1に対して、第1被覆層の膜厚を4nmから8nmに、第2被覆層の膜厚を1nmから2nmに増加させた被覆工程を、順次交互に合計3回繰り返した。この際、基板の加熱温度(被覆温度)を200〜700℃の範囲で種々変化させることにより、5種類の希土類磁性薄膜(試料No.B1〜B5)を製作した。
上記の試料No.A1に対して、交互積層した被覆層の膜厚合計を5〜100nmの範囲で種々変化させて、5種類の希土類磁性薄膜(試料No.C1〜C8)を製作した。
上記の試料No.A1に対して、交互積層をせず(一つの被覆工程のみで)、単一組成の30nm(目標膜厚)の磁性層からなる試料No.D1およびD2も製作した。試料No.D1の磁性層はNd12Fe72B16 組成からなり、試料No.D2の磁性層はNd15Fe70B15組成からなる。
以上の各試料の成膜条件を表1にまとめて示した。
X線回折(XRD)または磁化曲線の測定により、上記した各種試料の特性を評価した。その結果を表1にまとめて記載した。また、一例として、試料No.A1、D1およびD2に係るXRDを図1に、試料No.A1に係る磁化曲線を図2に示した。なお、表1中に示したXRDピーク強度比は、Nd2Fe14B相のピーク強度の、Nd2Fe14B以外の相の強度に対する比( Nd2Fe14B (004)/ Nd1+eFe4B4 (004))である。また配向度は、飽和磁化(Ms)に対する残留磁化(Mr)の比(Mr/Ms)であり、磁化曲線から求めた。
(1)試料No.A1、D1およびD2
表1のXRDピーク強度比および図1のXRD図から明らかなように、本発明に係る試料No.A1は、XRDピーク強度比が試料No.D1またはD2よりも格段に大きくなっている。これにより、本発明のように組成の異なる被覆層を交互に積層する被覆工程を行うことで、c面配向したNd2Fe14B結晶成長がより促進されることが確認された。
一方、基板の被覆面に対して平行な平面方向の磁化曲線は角形が崩れており、飽和磁化(Ms)に対して残留磁化(Mr)が相当小さくなっている。
表1に示した被覆温度と配向度の関係から、被覆工程を行う際の温度は300℃以上さらには500℃以上であると、より大きな配向度が得られて好ましいことがわかる。
表1に示す合計膜厚保と配向度の関係から、交互積層する被覆層の膜厚が5nm程度でも、十分に高い配向度の希土類磁性薄膜が得られていることが解る。もっとも15〜100nm程度であると、より高い配向度の希土類磁性薄膜が安定的に得られて好ましいこともわかる。
試料No.A1、C6と試料No.B4とは、交互積層した第1被覆層と第2被覆層の膜厚が異なっている。多少のばらつきはあるものの、いずれの希土類磁性薄膜も高い配向度を示している。このことから交互積層する各被覆層の膜厚が配向度へ及ぼす影響は小さいと考えられる。
Claims (19)
- 基材の被覆面上に第1組成の第1被覆層を形成する第1被覆工程と、
該第1被覆層上に該第1組成とは異なる第2組成の第2被覆層を形成する第2被覆工程とを少なくとも備え、
少なくとも前記第1被覆層と前記第2被覆層とからなり、全体を100原子%としたときに8〜30原子%の希土類元素(以下「R」と記す)と4〜20原子%のホウ素(B)と残部である鉄(Fe)とを含み、特定方向に配向して結晶成長した希土類高配向磁性薄膜が得られることを特徴とする希土類高配向磁性薄膜の製造方法。 - 前記第1被覆工程または前記第2被覆工程は、500〜1000℃でなされる加熱被覆工程である請求項1に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記希土類高配向磁性薄膜は、膜厚が1〜200nmである請求項1または2に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記第1被覆工程または前記第2被覆工程は、前記第1被覆層または前記第2被覆層の形成される速度である被覆速度が、0.1〜5Å/sである請求項1または3に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記第1組成は、前記第1被覆層全体を100原子%としたときに8〜30原子%のRと4〜20原子%のBと残部であるFeとからなり、
前記第2組成は、前記第2被覆層全体を100原子%としたときに25原子%以下のBと残部であるFeとからなる請求項1または4に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。 - 前記第1被覆工程もしくは前記第2被覆工程は、前記第1組成を有する第1原料もしくは前記第2組成を有する第2原料をターゲットとしたスパッタリング、または組成の異なる複数のターゲットを用いたスパッタリングによりなされる請求項1または5に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- さらに、前記希土類高配向磁性薄膜の配向結晶面と整合的な体心立方格子(b.c.c.)の結晶構造を有する下地層を、前記基材上に形成する下地処理工程を備える請求項1または6に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記下地材は、モリブデン(Mo)またはタンタル(Ta)からなる請求項7に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記基材は、前記希土類高配向磁性薄膜の結晶の配向方向に垂直な結晶面もつ単結晶からなる請求項1または8に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記基材は、酸化マグネシウム(MgO)の単結晶からなるMgO単結晶基材である請求項1または9に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- さらに、前記希土類高配向磁性薄膜の表面に該希土類高配向磁性薄膜の酸化を抑制する保護被膜を形成する保護被覆工程を備える請求項1に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 前記保護被膜は、クロム(Cr)からなる請求項11に記載の希土類高配向磁性薄膜の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法により得られたことを特徴とする希土類高配向磁性薄膜。
- 飽和磁化(Ms)に対する残留磁化(Mr)の比である配向度(Mr/Ms)は98%以上である請求項13に記載の希土類高配向磁性薄膜。
- 全体を100原子%としたときに8〜30原子%のRと4〜20原子%のBと残部であるFeとを含み、
膜厚が1〜200nmであり、
飽和磁化(Ms)に対する残留磁化(Mr)の比である配向度(Mr/Ms)が98%以上である特定方向に配向して結晶成長していることを特徴とする希土類高配向磁性薄膜。 - 酸化を抑制する保護被膜を少なくとも最表面に有する請求項13〜15のいずれかに記載の希土類高配向磁性薄膜。
- 基材と、該基材の表面に形成された請求項13〜16のいずれかに記載の希土類高配向磁性薄膜とからなることを特徴とする磁器部材。
- 全体を100原子%としたときに8〜30原子%のRと4〜20原子%のBと残部であるFeとを含み、
膜厚が1〜200nmであり、
飽和磁化(Ms)に対する残留磁化(Mr)の比である配向度(Mr/Ms)が98%以上である特定方向に配向して結晶成長した希土類高配向磁性箔からなることを特徴とする希土類永久磁石。 - 酸化を抑制する保護被膜を少なくとも最表面に有する請求項18に記載の希土類永久磁石。
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