JP2003289005A - 高配向磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
高配向磁性薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２０ｋＯｅ以上の保磁力を持つ高配向磁性薄
膜を大量生産するのに適した簡便な製造プロセスからな
る製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気的に孤立した微粒子構造を備え、一
方向に配向している高配向磁性薄膜の製造方法におい
て、スパッタリングにより、ＦｅおよびＣｏのうちの少
なくとも１種類の金属と、Ｐｔ、Ｐｄのうちの少なくと
も１種類の金属との合金薄膜を、表面温度が６５０℃以
上である基板上に成膜する。
膜を大量生産するのに適した簡便な製造プロセスからな
る製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気的に孤立した微粒子構造を備え、一
方向に配向している高配向磁性薄膜の製造方法におい
て、スパッタリングにより、ＦｅおよびＣｏのうちの少
なくとも１種類の金属と、Ｐｔ、Ｐｄのうちの少なくと
も１種類の金属との合金薄膜を、表面温度が６５０℃以
上である基板上に成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、高配向磁
性薄膜の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、この出願の発明は、高い保磁力を備えており、磁気
記録媒体や薄膜磁石へ応用可能な高配向磁性薄膜の製造
方法に関するものである。
性薄膜の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、この出願の発明は、高い保磁力を備えており、磁気
記録媒体や薄膜磁石へ応用可能な高配向磁性薄膜の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明の課題】近年の情報化社会の発展に
伴い、大量の情報を処理および記憶することの可能な超
高密度磁気記録媒体の開発が切望されている。超高密度
磁気記録媒体に必要とされる特性には、１）磁気記録媒
体を構成する磁性体が磁気的に孤立した微粒子構造であ
ること、２）磁性体微粒子が熱擾乱に打ち勝つこと、そ
して、３）一方向に配向していることが挙げられる。こ
れらの特性を実現して磁気記憶媒体を製造する方法とし
て、化学的な方法および機械的な方法が公知である。化
学的な方法においては、有害廃棄物、結晶配向制御、製
造コスト等の問題がある。また、リソグラフィーなどに
代表される機械的方法においては、製造時間およびコス
トの問題が技術的課題として残されており、いずれの方
法においても工業的に大量生産することは困難である。
伴い、大量の情報を処理および記憶することの可能な超
高密度磁気記録媒体の開発が切望されている。超高密度
磁気記録媒体に必要とされる特性には、１）磁気記録媒
体を構成する磁性体が磁気的に孤立した微粒子構造であ
ること、２）磁性体微粒子が熱擾乱に打ち勝つこと、そ
して、３）一方向に配向していることが挙げられる。こ
れらの特性を実現して磁気記憶媒体を製造する方法とし
て、化学的な方法および機械的な方法が公知である。化
学的な方法においては、有害廃棄物、結晶配向制御、製
造コスト等の問題がある。また、リソグラフィーなどに
代表される機械的方法においては、製造時間およびコス
トの問題が技術的課題として残されており、いずれの方
法においても工業的に大量生産することは困難である。
【０００３】磁気記録媒体の高密度化を行うためには、
強磁性微粒子のサイズを小さくする必要がある。しか
し、強磁性微粒子のサイズを小さくすることで、熱擾乱
による超常磁性化の影響を受けやすくなり、その結果、
磁気記録が不安定となるという問題がある。
強磁性微粒子のサイズを小さくする必要がある。しか
し、強磁性微粒子のサイズを小さくすることで、熱擾乱
による超常磁性化の影響を受けやすくなり、その結果、
磁気記録が不安定となるという問題がある。
【０００４】一方、Ｌ１0構造を有するＦｅＰｔ規則相
は７×１０6Ｊ／ｍ3という高い一軸磁気異方性を有する
ためにナノサイズの超微細粒子であっても強磁性を維持
することができ、このため次世代の超高密度磁気記録媒
体用材料として期待されている。この材料で単磁区粒子
を生成した場合においては、磁化回転による保磁力２Ｋ
u／Ｍsは１２０ｋＯｅにも達するものと理論的には考え
られるが、現実には、そのような高い保磁力は実現する
ことは不可能である。しかし、結晶配向させた孤立単磁
区粒子を分散させることにより、極めて高い保磁力の磁
性薄膜を創製できる可能性がある。
は７×１０6Ｊ／ｍ3という高い一軸磁気異方性を有する
ためにナノサイズの超微細粒子であっても強磁性を維持
することができ、このため次世代の超高密度磁気記録媒
体用材料として期待されている。この材料で単磁区粒子
を生成した場合においては、磁化回転による保磁力２Ｋ
u／Ｍsは１２０ｋＯｅにも達するものと理論的には考え
られるが、現実には、そのような高い保磁力は実現する
ことは不可能である。しかし、結晶配向させた孤立単磁
区粒子を分散させることにより、極めて高い保磁力の磁
性薄膜を創製できる可能性がある。
【０００５】また、ＦｅＰｔはＮｄやＳｍ系の希土類磁
石に比して耐食性および耐酸化性に優れている。希土類
磁石では、通常、耐食性や耐酸化性を上げるために元素
を添加するが、この元素添加により磁気特性が劣化す
る。一方、ＦｅＰｔでは元素添加の必要がないため、Ｆ
ｅＰｔそのものの磁気特性が磁石特性に反映され、非常
に有利である。このような耐食性にすぐれた高保磁力薄
膜磁石が実現されれば、超小型電磁気部品、マイクロマ
シン用超小型磁石、生体用微小磁界発生源などへ応用さ
れるものと期待される。
石に比して耐食性および耐酸化性に優れている。希土類
磁石では、通常、耐食性や耐酸化性を上げるために元素
を添加するが、この元素添加により磁気特性が劣化す
る。一方、ＦｅＰｔでは元素添加の必要がないため、Ｆ
ｅＰｔそのものの磁気特性が磁石特性に反映され、非常
に有利である。このような耐食性にすぐれた高保磁力薄
膜磁石が実現されれば、超小型電磁気部品、マイクロマ
シン用超小型磁石、生体用微小磁界発生源などへ応用さ
れるものと期待される。
【０００６】従来の高保磁力ＦｅＰｔ薄膜としては、Ｍ
ｇＯ（００１）に成膜されたＰｔ下地にスパッタ法で製
膜したもの（Ｍ．Ｗａｔａｎａｂｅ， Ｍ．Ｈｏｍｍ
ａ：Ｊ． Ｍａｇｎ． Ｍａｇｎ． Ｍａｔｅｒ．，
１７７／１８１， １２４５（１９９８））や、ＭｇＯ
基板にＦｅシード層とＰｔ層を蒸着した後にＦｅＰｔを
蒸著して高保磁力を実現したもの（Ｙ．Ｉｄｅ ｅｔ
ａｌ．：Ｊ． Ｍａｇｎ． Ｍａｇｎ． Ｍａｔｅ
ｒ．， １７７／１８１，１２４５（１９９８））など
が公知であるが、いずれも膜を多段の成膜プロセスによ
り製造されることから、大量生産に不向きである。
ｇＯ（００１）に成膜されたＰｔ下地にスパッタ法で製
膜したもの（Ｍ．Ｗａｔａｎａｂｅ， Ｍ．Ｈｏｍｍ
ａ：Ｊ． Ｍａｇｎ． Ｍａｇｎ． Ｍａｔｅｒ．，
１７７／１８１， １２４５（１９９８））や、ＭｇＯ
基板にＦｅシード層とＰｔ層を蒸着した後にＦｅＰｔを
蒸著して高保磁力を実現したもの（Ｙ．Ｉｄｅ ｅｔ
ａｌ．：Ｊ． Ｍａｇｎ． Ｍａｇｎ． Ｍａｔｅ
ｒ．， １７７／１８１，１２４５（１９９８））など
が公知であるが、いずれも膜を多段の成膜プロセスによ
り製造されることから、大量生産に不向きである。
【０００７】そこで、この出願の発明は、以上の通りの
事情に鑑みてなされたものであり、２０ｋＯｅ以上の保
磁力を持つ高配向磁性薄膜を大量生産するのに適した簡
便な製造プロセスからなる製造方法を提供することを課
題としている。
事情に鑑みてなされたものであり、２０ｋＯｅ以上の保
磁力を持つ高配向磁性薄膜を大量生産するのに適した簡
便な製造プロセスからなる製造方法を提供することを課
題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、第１に、磁気的に孤立し
た微粒子構造を備え、一方向に配向している高配向磁性
薄膜の製造方法において、ＦｅおよびＣｏのうちの少な
くとも１種類の金属と、ＰｔおよびＰｄ、のうちの少な
くとも１種類の金属との合金薄膜を、表面温度が６５０
℃以上である基板上にスパッタリング成膜することを特
徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を提供する。
の課題を解決するものとして、第１に、磁気的に孤立し
た微粒子構造を備え、一方向に配向している高配向磁性
薄膜の製造方法において、ＦｅおよびＣｏのうちの少な
くとも１種類の金属と、ＰｔおよびＰｄ、のうちの少な
くとも１種類の金属との合金薄膜を、表面温度が６５０
℃以上である基板上にスパッタリング成膜することを特
徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を提供する。
【０００９】この出願の発明は、上記の高配向磁性薄膜
の製造方法として、第２に、基板上に成膜される合金薄
膜の膜厚が、４５ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項１記載の高配向磁性薄膜の製造方法を、第３に、基板
上に膜厚が２０ｎｍ以下の高融点金属を島状に形成し、
次いで、形成された島状の高融点金属上に合金薄膜を成
膜することを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を、
第４に、基板上に成膜される合金薄膜がＦｅＰｔ合金薄
膜であって、ＦｅＰｔ合金薄膜におけるＦｅＰｔ相の合
金組成がＦｅxＰｔ1-x（ただし、０．４＜ｘ＜０．６）
であることを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を、
第５に、基板上に成膜される合金薄膜上に、高飽和磁化
磁性材料を成膜することを特徴とする高配向磁性薄膜の
製造方法を、第６に、高飽和磁化磁性材料がＦｅまたは
ＦｅＣｏの内のいずれかであることを特徴とする高配向
磁性薄膜の製造方法を、第７に、合金薄膜を成膜する基
板が、ＭｇＯ（１１０）、ＮａＣｌ（１１０）、ＧａＡ
ｓ（１１０）、および、Ｓｉ（１１０）のうちのいずれ
かから選択されることを特徴とする高配向磁性薄膜の製
造方法を、第８に、合金薄膜を成膜する基板が、ＭｇＯ
（００１）、ＮａＣｌ（００１）、ＧａＡｓ（００
１）、および、Ｓｉ（００１）のうちのいずれから選択
されることを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を、
第９に、ＭｇＯ（００１）基板を（００１）面から僅か
に傾斜して切り出したｍｉｓｃｕｔ基板において２次元
の原子ステップを作成したものを基板とし、この基板上
に合金薄膜を成膜し、２次元的に規則性を持って配列し
た自己組織パターン媒体を作成することを特徴とする高
配向磁性薄膜の製造方法を提供する。
の製造方法として、第２に、基板上に成膜される合金薄
膜の膜厚が、４５ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項１記載の高配向磁性薄膜の製造方法を、第３に、基板
上に膜厚が２０ｎｍ以下の高融点金属を島状に形成し、
次いで、形成された島状の高融点金属上に合金薄膜を成
膜することを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を、
第４に、基板上に成膜される合金薄膜がＦｅＰｔ合金薄
膜であって、ＦｅＰｔ合金薄膜におけるＦｅＰｔ相の合
金組成がＦｅxＰｔ1-x（ただし、０．４＜ｘ＜０．６）
であることを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を、
第５に、基板上に成膜される合金薄膜上に、高飽和磁化
磁性材料を成膜することを特徴とする高配向磁性薄膜の
製造方法を、第６に、高飽和磁化磁性材料がＦｅまたは
ＦｅＣｏの内のいずれかであることを特徴とする高配向
磁性薄膜の製造方法を、第７に、合金薄膜を成膜する基
板が、ＭｇＯ（１１０）、ＮａＣｌ（１１０）、ＧａＡ
ｓ（１１０）、および、Ｓｉ（１１０）のうちのいずれ
かから選択されることを特徴とする高配向磁性薄膜の製
造方法を、第８に、合金薄膜を成膜する基板が、ＭｇＯ
（００１）、ＮａＣｌ（００１）、ＧａＡｓ（００
１）、および、Ｓｉ（００１）のうちのいずれから選択
されることを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法を、
第９に、ＭｇＯ（００１）基板を（００１）面から僅か
に傾斜して切り出したｍｉｓｃｕｔ基板において２次元
の原子ステップを作成したものを基板とし、この基板上
に合金薄膜を成膜し、２次元的に規則性を持って配列し
た自己組織パターン媒体を作成することを特徴とする高
配向磁性薄膜の製造方法を提供する。
【００１０】以上のとおりのこの出願の発明は、スパッ
タ時に基板の加熱を行い、基板上ステップに核生成する
島状微結晶の自己組織化を促進することで、たとえば一
軸配向したＦｅＰｔ孤立単磁区粒子を均一に分散させ、
４０ｋＯｅの高い保磁力を実現する。同時に、高飽和磁
化を有する軟磁性相を成膜することにより、大きな最大
エネルギー積を有する磁石の実現が可能となる。
タ時に基板の加熱を行い、基板上ステップに核生成する
島状微結晶の自己組織化を促進することで、たとえば一
軸配向したＦｅＰｔ孤立単磁区粒子を均一に分散させ、
４０ｋＯｅの高い保磁力を実現する。同時に、高飽和磁
化を有する軟磁性相を成膜することにより、大きな最大
エネルギー積を有する磁石の実現が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】この出願の発明は、上記のとおり
の特徴をもつものであるが、以下に、その実施の形態に
ついて説明する。
の特徴をもつものであるが、以下に、その実施の形態に
ついて説明する。
【００１２】この出願の発明は、磁気的に孤立した微粒
子構造を備え、一方向に配向している高配向磁性薄膜の
製造方法である。この出願の発明である高配向磁性薄膜
の製造方法においては、薄膜が（１）核生成→（２）島
状→（３）連続状という初期成長過程を経て成長するこ
とに着目し、基板温度を上昇させて原子拡散の活発な温
度領域において、基板上に合金薄膜をスパッタ成膜する
ものである。このとき、合金薄膜を形成する合金微粒子
は島状となって形成される。
子構造を備え、一方向に配向している高配向磁性薄膜の
製造方法である。この出願の発明である高配向磁性薄膜
の製造方法においては、薄膜が（１）核生成→（２）島
状→（３）連続状という初期成長過程を経て成長するこ
とに着目し、基板温度を上昇させて原子拡散の活発な温
度領域において、基板上に合金薄膜をスパッタ成膜する
ものである。このとき、合金薄膜を形成する合金微粒子
は島状となって形成される。
【００１３】また、基板とエピタキシャル成長させるこ
とにより、膜面に垂直方向に一軸磁気異方性を有するＬ
１0構造を持つ合金薄膜が製造される。
とにより、膜面に垂直方向に一軸磁気異方性を有するＬ
１0構造を持つ合金薄膜が製造される。
【００１４】基板上に成膜される合金薄膜は、Ｆｅおよ
びＣｏのうちの少なくとも１種類の金属と、Ｐｔおよび
Ｐｄのうちの少なくとも１種類の金属との合金薄膜から
なるものである。
びＣｏのうちの少なくとも１種類の金属と、Ｐｔおよび
Ｐｄのうちの少なくとも１種類の金属との合金薄膜から
なるものである。
【００１５】高保磁力を示す合金薄膜を形成するために
は、高い一軸磁気異方性を有する規則化したＬ１0型構
造を有する合金を生成する必要がある。工業的に広く用
いられているスパッタ法や蒸着法などの気相急冷法など
により合金薄膜を成膜すると、磁気異方性の小さい不規
則相であるｆｃｃ合金相の薄膜が形成されることにな
る。完全に規則化した合金微粒子を島状に成長させるた
めには、スバッタ成膜時の基板温度を６５０℃以上に維
持する必要がある。
は、高い一軸磁気異方性を有する規則化したＬ１0型構
造を有する合金を生成する必要がある。工業的に広く用
いられているスパッタ法や蒸着法などの気相急冷法など
により合金薄膜を成膜すると、磁気異方性の小さい不規
則相であるｆｃｃ合金相の薄膜が形成されることにな
る。完全に規則化した合金微粒子を島状に成長させるた
めには、スバッタ成膜時の基板温度を６５０℃以上に維
持する必要がある。
【００１６】高保磁力を示す合金薄膜を合成するには、
島状の合金微粒子の磁化過程が磁壁移動よりも磁化回転
が支配的となる組織を有する必要があることから、合金
薄膜の膜厚が４５ｎｍ以下となるようにスパッタ成膜が
行われる。
島状の合金微粒子の磁化過程が磁壁移動よりも磁化回転
が支配的となる組織を有する必要があることから、合金
薄膜の膜厚が４５ｎｍ以下となるようにスパッタ成膜が
行われる。
【００１７】高保磁力を有する高配向磁性薄膜を超高密
度磁気記録媒体用途に利用するためには島状の合金微粒
子の粒径を微小とする必要がある。金属の表面エネルギ
ーは融点に比例し、表面エネルギーの大きい金属はぬれ
性が小さいので、膜厚を例えば２０ｎｍ以下となるよう
に薄く成膜すれば、合金微粒子の形状は小さな島状とな
る。この島状の合金微粒子上に、さらに合金を成膜する
ことで、島状の合金微粒子を初期成長核として作用さ
せ、島状の合金微粒子を微小に形成することが可能とな
る。
度磁気記録媒体用途に利用するためには島状の合金微粒
子の粒径を微小とする必要がある。金属の表面エネルギ
ーは融点に比例し、表面エネルギーの大きい金属はぬれ
性が小さいので、膜厚を例えば２０ｎｍ以下となるよう
に薄く成膜すれば、合金微粒子の形状は小さな島状とな
る。この島状の合金微粒子上に、さらに合金を成膜する
ことで、島状の合金微粒子を初期成長核として作用さ
せ、島状の合金微粒子を微小に形成することが可能とな
る。
【００１８】スパッタリングそのもののプロセスについ
ては公知のものをはじめとして各種の装置や条件を適宜
に採用することができる。ターゲットとしても、たとえ
ば合金を構成する各々の純金属を用いた同時スパッタリ
ングでもよく、組成が予備的に調整された合金ターゲッ
トを用いてもよい。
ては公知のものをはじめとして各種の装置や条件を適宜
に採用することができる。ターゲットとしても、たとえ
ば合金を構成する各々の純金属を用いた同時スパッタリ
ングでもよく、組成が予備的に調整された合金ターゲッ
トを用いてもよい。
【００１９】基板上に成膜される合金薄膜がたとえばＦ
ｅＰｔ合金薄膜とした場合、ＦｅＰｔ合金薄膜における
ＦｅＰｔ相の合金組成比がＦｅxＰｔ1-x（ただし、０．
４＜ｘ＜０．６）となるように成膜を行うことが好まし
い。合金組成比をこの範囲に設定したとき、成膜される
ＦｅＰｔ合金薄膜は、高い一軸磁気異方性定数を示し、
極めて高い保磁力が得られる。
ｅＰｔ合金薄膜とした場合、ＦｅＰｔ合金薄膜における
ＦｅＰｔ相の合金組成比がＦｅxＰｔ1-x（ただし、０．
４＜ｘ＜０．６）となるように成膜を行うことが好まし
い。合金組成比をこの範囲に設定したとき、成膜される
ＦｅＰｔ合金薄膜は、高い一軸磁気異方性定数を示し、
極めて高い保磁力が得られる。
【００２０】また、この出願の発明の高配向磁性薄膜の
製造方法においては、基板上に成膜される合金薄膜上
に、高飽和磁化磁性材料を成膜してもよい。高飽和磁化
磁性材料としては、ＦｅまたはＦｅＣｏの内のいずれか
が適宜に選択される。このように高保磁力を有する合金
薄膜と高飽和磁化軟磁性粒子とを強磁性的にカップリン
グさせることで、高い最大エネルギー積を有する磁石が
生成される。
製造方法においては、基板上に成膜される合金薄膜上
に、高飽和磁化磁性材料を成膜してもよい。高飽和磁化
磁性材料としては、ＦｅまたはＦｅＣｏの内のいずれか
が適宜に選択される。このように高保磁力を有する合金
薄膜と高飽和磁化軟磁性粒子とを強磁性的にカップリン
グさせることで、高い最大エネルギー積を有する磁石が
生成される。
【００２１】さらに、この出願の発明の高配向磁性薄膜
の製造方法においては、基板の結晶配向の制御を行うこ
とで、基板上に成膜される合金薄膜に磁気異方性を付与
する。磁気記録媒体には、磁化容易軸を面内に配向させ
た面内磁気記録媒体と磁化容易軸を基板に対して垂直方
向に配向させた垂直磁気記録媒体との２種類があり、基
板を、ＭｇＯ（１１０）、ＮａＣｌ（１１０）、ＧａＡ
ｓ（１１０）、および、Ｓｉ（１１０）のうちのいずれ
かから選択することで、磁化容易軸を面内に配向させる
ことが可能となり、また、基板を、ＮａＣｌ（００
１）、ＧａＡｓ（００１）、および、Ｓｉ（００１）の
うちのいずれかから選択することで、磁化容易軸を垂直
方向に配向させることが可能となる。
の製造方法においては、基板の結晶配向の制御を行うこ
とで、基板上に成膜される合金薄膜に磁気異方性を付与
する。磁気記録媒体には、磁化容易軸を面内に配向させ
た面内磁気記録媒体と磁化容易軸を基板に対して垂直方
向に配向させた垂直磁気記録媒体との２種類があり、基
板を、ＭｇＯ（１１０）、ＮａＣｌ（１１０）、ＧａＡ
ｓ（１１０）、および、Ｓｉ（１１０）のうちのいずれ
かから選択することで、磁化容易軸を面内に配向させる
ことが可能となり、また、基板を、ＮａＣｌ（００
１）、ＧａＡｓ（００１）、および、Ｓｉ（００１）の
うちのいずれかから選択することで、磁化容易軸を垂直
方向に配向させることが可能となる。
【００２２】この出願の発明においては、ＭｇＯ（００
１）基板を（００１）面から僅かに傾斜して切り出した
ｍｉｓｃｕｔ基板において２次元の原子ステップを作成
したものを基板とし、この基板上に合金薄膜を成膜する
ことで、２次元的に規則性を持って配列した自己組織パ
ターン媒体を作成してもよい。
１）基板を（００１）面から僅かに傾斜して切り出した
ｍｉｓｃｕｔ基板において２次元の原子ステップを作成
したものを基板とし、この基板上に合金薄膜を成膜する
ことで、２次元的に規則性を持って配列した自己組織パ
ターン媒体を作成してもよい。
【００２３】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製
造方法においては、下地を必要としないため、１段階で
のスパッタでＦｅＰｔ微粒子を形成している点、さらに
蒸着法とは異なり、工業的な生産が容易なスパッタ法を
用いている点が従来技術との大きな相違点である。しか
も、このような簡便な手法により４０ｋＯｅ以上の高い
保磁力を実現している。
造方法においては、下地を必要としないため、１段階で
のスパッタでＦｅＰｔ微粒子を形成している点、さらに
蒸着法とは異なり、工業的な生産が容易なスパッタ法を
用いている点が従来技術との大きな相違点である。しか
も、このような簡便な手法により４０ｋＯｅ以上の高い
保磁力を実現している。
【００２４】この出願の発明は、以上の特徴を持つもの
であるが、以下に実施例を示し、さらに具体的に説明す
る。
であるが、以下に実施例を示し、さらに具体的に説明す
る。
【００２５】
【実施例】ヘリコンスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ社製 Ｍ
Ｂ９９−０００１）を用い、ＦｅとＰｔをターゲットと
してＦｅＰｔ薄膜を成膜した。成膜の条件については、
雰囲気ガスにはＡｒガスを使用し、真空度は、到達が５
×１０-10Ｔｏｒｒ、成膜時が１．４×１０-3Ｔｏｒｒ
であって、スパッタ投入電力はＦｅターゲットについて
は７０Ｗ、Ｐｔターゲットについては２７Ｗとした。
Ｂ９９−０００１）を用い、ＦｅとＰｔをターゲットと
してＦｅＰｔ薄膜を成膜した。成膜の条件については、
雰囲気ガスにはＡｒガスを使用し、真空度は、到達が５
×１０-10Ｔｏｒｒ、成膜時が１．４×１０-3Ｔｏｒｒ
であって、スパッタ投入電力はＦｅターゲットについて
は７０Ｗ、Ｐｔターゲットについては２７Ｗとした。
【００２６】図１は、その際の膜厚を２０ｎｍとし、成
膜時の基板温度を５００〜７００℃の間で変化させた時
の磁化曲線の変化である。６５０℃以上の磁化曲線の領
域において、保磁力が急激に増加していることから、高
保磁力を有するＦｅＰｔ薄膜は６５０℃以上で成膜する
ことが必要であることがわかる。
膜時の基板温度を５００〜７００℃の間で変化させた時
の磁化曲線の変化である。６５０℃以上の磁化曲線の領
域において、保磁力が急激に増加していることから、高
保磁力を有するＦｅＰｔ薄膜は６５０℃以上で成膜する
ことが必要であることがわかる。
【００２７】図２は、ＭｇＯ（００１）単結晶基板上に
基板温度を６５０℃として成膜された、膜厚が２０ｎｍ
のＦｅＰｔ薄膜のＸ線回折パターンである。２θ＝２８
°付近に超格子反射である（００１）からの反射が観測
される、また、２θ＝５８°付近に（００２）からの反
射が、また２θ＝７８°付近に超格子反射である（００
３）からの反射が観測される。超格子反射線が明療に観
測されることから規則化したＦｅＰｔが形成されている
ことがわかる。また規則度は０．９５±０．０５であ
る。このＸ線回折パターンよりＦｅＰｔ膜が基板とＭｇ
Ｏ（００１）／／ＦｅＰｔ（００１）の方位関係を持っ
て成長していることがわかる。
基板温度を６５０℃として成膜された、膜厚が２０ｎｍ
のＦｅＰｔ薄膜のＸ線回折パターンである。２θ＝２８
°付近に超格子反射である（００１）からの反射が観測
される、また、２θ＝５８°付近に（００２）からの反
射が、また２θ＝７８°付近に超格子反射である（００
３）からの反射が観測される。超格子反射線が明療に観
測されることから規則化したＦｅＰｔが形成されている
ことがわかる。また規則度は０．９５±０．０５であ
る。このＸ線回折パターンよりＦｅＰｔ膜が基板とＭｇ
Ｏ（００１）／／ＦｅＰｔ（００１）の方位関係を持っ
て成長していることがわかる。
【００２８】図３は、基板温度を６５０℃として成膜さ
れた膜厚２０ｎｍのＦｅＰｔ薄膜の膜面内方向および膜
垂直方向の磁化曲線である。これらの磁化曲線より膜面
内方向が磁化困難軸であり、また、膜垂直方向が磁化容
易軸であることがわかる。さらに、膜垂直方向の保磁力
は約２５ｋＯｅであり、この値は従来報告されている連
続膜の保磁力と比較して２倍以上も大きな値である。
れた膜厚２０ｎｍのＦｅＰｔ薄膜の膜面内方向および膜
垂直方向の磁化曲線である。これらの磁化曲線より膜面
内方向が磁化困難軸であり、また、膜垂直方向が磁化容
易軸であることがわかる。さらに、膜垂直方向の保磁力
は約２５ｋＯｅであり、この値は従来報告されている連
続膜の保磁力と比較して２倍以上も大きな値である。
【００２９】図４は、基板温度７００℃で成膜された膜
厚５〜２００ｎｍのＦｅＰｔ薄膜の膜垂直方向の磁化曲
線である。５ｎｍの膜厚のＦｅＰｔ薄膜では約４６ｋＯ
ｅの保磁力を示している。膜厚が５ｎｍから４５ｎｍへ
増加すると、保磁力は４６ｋＯｅから減少するものの、
約２５ｋＯｅ以上の大きな値を示している。膜厚が５０
ｎｍ以上の領域で、磁化曲線は急激に変化を示し、保磁
力も急激に変化する。これは４５ｎｍ以下の薄膜と５０
ｎｍ以上の薄膜との間に、磁化過程に関して大きく異な
ることを示すものである。以上より、膜厚が小さい場合
において、薄膜は非常に大きな保磁力を示すことが明ら
かとなった。
厚５〜２００ｎｍのＦｅＰｔ薄膜の膜垂直方向の磁化曲
線である。５ｎｍの膜厚のＦｅＰｔ薄膜では約４６ｋＯ
ｅの保磁力を示している。膜厚が５ｎｍから４５ｎｍへ
増加すると、保磁力は４６ｋＯｅから減少するものの、
約２５ｋＯｅ以上の大きな値を示している。膜厚が５０
ｎｍ以上の領域で、磁化曲線は急激に変化を示し、保磁
力も急激に変化する。これは４５ｎｍ以下の薄膜と５０
ｎｍ以上の薄膜との間に、磁化過程に関して大きく異な
ることを示すものである。以上より、膜厚が小さい場合
において、薄膜は非常に大きな保磁力を示すことが明ら
かとなった。
【００３０】図５は、ＦｅＰｔ薄膜の膜面に対して垂直
方向の磁化曲線より求められた保磁力のＦｅＰｔ膜厚依
存性を示す。保磁力は、５ｎｍの約４６ｋＯｅから４５
ｎｍの約２５ｋＯｅへと減少し、さらに、膜厚が５０ｎ
ｍになると、保磁力が急激に約２．５ｋＯｅにまで減少
する。薄膜表面の電気抵抗の測定を行った結果、膜厚が
４５ｎｍでは８００ＭΩとなり、ＦｅＰｔ微粒子の形状
は電気的に孤立しており、また、膜厚が５０ｎｍでは８
００Ωとなっていることから、ＦｅＰｔ微粒子の形状は
連続状となっているものと考えられる。
方向の磁化曲線より求められた保磁力のＦｅＰｔ膜厚依
存性を示す。保磁力は、５ｎｍの約４６ｋＯｅから４５
ｎｍの約２５ｋＯｅへと減少し、さらに、膜厚が５０ｎ
ｍになると、保磁力が急激に約２．５ｋＯｅにまで減少
する。薄膜表面の電気抵抗の測定を行った結果、膜厚が
４５ｎｍでは８００ＭΩとなり、ＦｅＰｔ微粒子の形状
は電気的に孤立しており、また、膜厚が５０ｎｍでは８
００Ωとなっていることから、ＦｅＰｔ微粒子の形状は
連続状となっているものと考えられる。
【００３１】図６および図７は、電子顕微鏡により観察
したＦｅＰｔ薄膜の微細構造である。それぞれにおい
て、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚は、５、１０、１５、２０、４
５、５０、６０、１００ｎｍである。ＦｅＰｔ薄膜の膜
厚が、５、１０、１５および２０ｎｍの場合には、Ｆｅ
Ｐｔ微粒子の形状が島状になっていることが確認され、
個々の島はお互いに完全に孤立していることから、これ
らは磁気的にも孤立した粒子であると考えられる。膜厚
の増加により島の合体が観察され、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚
が４５ｎｍになると、それぞれの島は完全に孤立してい
るものの、一部の島が連続化する部分も見られる。Ｆｅ
Ｐｔ薄膜の膜厚が５０ｎｍの場合、島の連続化はさらに
進み、経路ができるものの、一部には完全に孤立した島
が存在する。ＦｅＰｔ膜厚が、６０ｎｍになると、Ｆｅ
Ｐｔ膜全体にわたる経路が構成される。以上で示した微
細構造観察により、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚が４５ｎｍから
５０ｎｍへと増加するときに観測された保磁力の急激な
減少が、膜構造が島状から連続状へ変化することに起因
していることがわかる。この臨界膜厚は、磁化反転を支
配する機構が磁化回転から磁壁の移動に遷移する領域に
対応しているものと考えられる。この微細構造観察よ
り、この高保磁力ＦｅＰｔ薄膜は、適当な基板を用いる
ことにより面内磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体への
応用が可能であることがわかる。さらに、島状構造を有
している高保磁力ＦｅＰｔに、ＦｅやＦｅＣｏなどの高
飽和磁化軟磁性材料を成膜することで、硬磁性相粒と軟
磁性相粒との間に強磁性的なカップリングが発生し、高
い最大エネルギー積を有する薄膜磁石の実現が可能性と
なる。また、膜厚５ｎｍの薄膜においては、
したＦｅＰｔ薄膜の微細構造である。それぞれにおい
て、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚は、５、１０、１５、２０、４
５、５０、６０、１００ｎｍである。ＦｅＰｔ薄膜の膜
厚が、５、１０、１５および２０ｎｍの場合には、Ｆｅ
Ｐｔ微粒子の形状が島状になっていることが確認され、
個々の島はお互いに完全に孤立していることから、これ
らは磁気的にも孤立した粒子であると考えられる。膜厚
の増加により島の合体が観察され、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚
が４５ｎｍになると、それぞれの島は完全に孤立してい
るものの、一部の島が連続化する部分も見られる。Ｆｅ
Ｐｔ薄膜の膜厚が５０ｎｍの場合、島の連続化はさらに
進み、経路ができるものの、一部には完全に孤立した島
が存在する。ＦｅＰｔ膜厚が、６０ｎｍになると、Ｆｅ
Ｐｔ膜全体にわたる経路が構成される。以上で示した微
細構造観察により、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚が４５ｎｍから
５０ｎｍへと増加するときに観測された保磁力の急激な
減少が、膜構造が島状から連続状へ変化することに起因
していることがわかる。この臨界膜厚は、磁化反転を支
配する機構が磁化回転から磁壁の移動に遷移する領域に
対応しているものと考えられる。この微細構造観察よ
り、この高保磁力ＦｅＰｔ薄膜は、適当な基板を用いる
ことにより面内磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体への
応用が可能であることがわかる。さらに、島状構造を有
している高保磁力ＦｅＰｔに、ＦｅやＦｅＣｏなどの高
飽和磁化軟磁性材料を成膜することで、硬磁性相粒と軟
磁性相粒との間に強磁性的なカップリングが発生し、高
い最大エネルギー積を有する薄膜磁石の実現が可能性と
なる。また、膜厚５ｎｍの薄膜においては、
【００３２】面を辺とする、ほぼ正方形の自己組織パタ
ーンが形成していることが観察され、しかも、この配列
が基板の原子ステップに沿っていることが判断される。
このことから、ｍｉｓｃｕｔ基板上に、ＦｅＰｔ薄膜を
成膜すると、２次元のパターン配列の形成が可能である
と考えられる。
ーンが形成していることが観察され、しかも、この配列
が基板の原子ステップに沿っていることが判断される。
このことから、ｍｉｓｃｕｔ基板上に、ＦｅＰｔ薄膜を
成膜すると、２次元のパターン配列の形成が可能である
と考えられる。
【００３３】図８は、膜厚を１５ｎｍとしてＭｇＯ（０
０１）およびＭｇＯ（１１０）単結晶基板上に作製され
た薄膜の電子顕微鏡により観察した微細構造である。Ｍ
ｇＯ（００１）単結晶基板上のＦｅＰｔは
０１）およびＭｇＯ（１１０）単結晶基板上に作製され
た薄膜の電子顕微鏡により観察した微細構造である。Ｍ
ｇＯ（００１）単結晶基板上のＦｅＰｔは
【００３４】面を辺とするほぼ正方形の自己組織パター
ンが形成されているが、ＭｇＯ（１１０）単結晶基板上
のＦｅＰｔは＜-１１０＞方向にのびた自己組織パター
ンが形成されている。この微細構造観察結果から、適当
な基板を選択することにより任意の方向にそろった自己
組織パターンが形成可能であることがわかる。
ンが形成されているが、ＭｇＯ（１１０）単結晶基板上
のＦｅＰｔは＜-１１０＞方向にのびた自己組織パター
ンが形成されている。この微細構造観察結果から、適当
な基板を選択することにより任意の方向にそろった自己
組織パターンが形成可能であることがわかる。
【００３５】以上の実施例を踏まえた上で、表面温度を
７００℃とした基板上に膜厚を４５ｎｍ以下として成膜
されたＦｅＰｔ薄膜は、約２５ｋＯｅ以上の非常に大き
な保磁力を示すことが明らかとなった。これは、面内お
よび垂直磁気記録媒体及び強力な薄膜磁石への応用が可
能であるものと考えられる。
７００℃とした基板上に膜厚を４５ｎｍ以下として成膜
されたＦｅＰｔ薄膜は、約２５ｋＯｅ以上の非常に大き
な保磁力を示すことが明らかとなった。これは、面内お
よび垂直磁気記録媒体及び強力な薄膜磁石への応用が可
能であるものと考えられる。
【００３６】
【発明の効果】この出願の発明によって、以上詳しく説
明したとおり、２０ｋＯｅ以上の保磁力を持つ高配向磁
性薄膜を大量生産するのに適した簡便な製造プロセスか
らなる製造方法が提供される。
明したとおり、２０ｋＯｅ以上の保磁力を持つ高配向磁
性薄膜を大量生産するのに適した簡便な製造プロセスか
らなる製造方法が提供される。
【００３７】この出願の発明の高配向磁性薄膜の製造方
法は、高い結晶磁気異方性を持つ材料として知られるＬ
１0構造をもつ合金相の組織をナノスケールで制御し、
磁気記録媒体や薄膜磁石へ応用するのに極めて有効な技
術といえる。
法は、高い結晶磁気異方性を持つ材料として知られるＬ
１0構造をもつ合金相の組織をナノスケールで制御し、
磁気記録媒体や薄膜磁石へ応用するのに極めて有効な技
術といえる。
【００３８】この出願の発明の高配向磁性薄膜の製造方
法により、自己組織化を利用して高保磁力を示す高配向
磁性合金薄膜の生成が可能となり、従来技術である化学
的方法および機械的方法と比しても簡便あることから、
高配向磁性薄膜の大量生産に有利であると考えられる。
情報ストレージデバイスの中でもハードディスク装置は
特に重要なデバイスのひとつとして位置づけられてお
り、更なる大容量記憶を実現する磁気記録媒体が望まれ
ており、さらに微小回路の磁界発生用磁石として大いに
期待されることからも、この出願の発明の実用化が強く
期待される。
法により、自己組織化を利用して高保磁力を示す高配向
磁性合金薄膜の生成が可能となり、従来技術である化学
的方法および機械的方法と比しても簡便あることから、
高配向磁性薄膜の大量生産に有利であると考えられる。
情報ストレージデバイスの中でもハードディスク装置は
特に重要なデバイスのひとつとして位置づけられてお
り、更なる大容量記憶を実現する磁気記録媒体が望まれ
ており、さらに微小回路の磁界発生用磁石として大いに
期待されることからも、この出願の発明の実用化が強く
期待される。
【図１】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚を２０ｎｍと
し、成膜時の基板温度を５００〜７００℃の間で変化さ
せた時の磁化曲線を示した図である。
法の実施例において、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚を２０ｎｍと
し、成膜時の基板温度を５００〜７００℃の間で変化さ
せた時の磁化曲線を示した図である。
【図２】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、ＭｇＯ（００１）単結晶基板上に
基板温度を６５０℃として成膜された、膜厚が２０ｎｍ
のＦｅＰｔ薄膜のＸ線回折パターンを示した図である。
法の実施例において、ＭｇＯ（００１）単結晶基板上に
基板温度を６５０℃として成膜された、膜厚が２０ｎｍ
のＦｅＰｔ薄膜のＸ線回折パターンを示した図である。
【図３】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、基板温度を６５０℃としてＭｇＯ
（００１）基板上に成膜された膜厚２０ｎｍのＦｅＰｔ
薄膜の膜面内方向および膜垂直方向の磁化曲線を示した
図である。
法の実施例において、基板温度を６５０℃としてＭｇＯ
（００１）基板上に成膜された膜厚２０ｎｍのＦｅＰｔ
薄膜の膜面内方向および膜垂直方向の磁化曲線を示した
図である。
【図４】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、基板温度７００℃で成膜された膜
厚５〜２００ｎｍのＦｅＰｔ薄膜の膜垂直方向の磁化曲
線を示した図である。
法の実施例において、基板温度７００℃で成膜された膜
厚５〜２００ｎｍのＦｅＰｔ薄膜の膜垂直方向の磁化曲
線を示した図である。
【図５】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、ＦｅＰｔ薄膜の膜面に対して垂直
方向の磁化曲線より求められた保磁力のＦｅＰｔ膜厚依
存性を示した図である。
法の実施例において、ＦｅＰｔ薄膜の膜面に対して垂直
方向の磁化曲線より求められた保磁力のＦｅＰｔ膜厚依
存性を示した図である。
【図６】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、電子顕微鏡により観察したＦｅＰ
ｔ薄膜の微細構造について示した電子顕微鏡観察像であ
る。
法の実施例において、電子顕微鏡により観察したＦｅＰ
ｔ薄膜の微細構造について示した電子顕微鏡観察像であ
る。
【図７】図６に続くものとして、ＦｅＰｔ薄膜の微細構
造について示した電子顕微鏡観察像である。
造について示した電子顕微鏡観察像である。
【図８】この出願の発明である高配向磁性薄膜の製造方
法の実施例において、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚を１５ｎｍと
し、ＭｇＯ（００１）及びＭｇＯ（１１０）単結晶基板
上に作製したＦｅＰｔ薄膜の微細構造について示した電
子顕微鏡観察像である。
法の実施例において、ＦｅＰｔ薄膜の膜厚を１５ｎｍと
し、ＭｇＯ（００１）及びＭｇＯ（１１０）単結晶基板
上に作製したＦｅＰｔ薄膜の微細構造について示した電
子顕微鏡観察像である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 5/851 Ｇ１１Ｂ 5/851
Ｈ０１Ｆ 10/28 Ｈ０１Ｆ 10/28
41/18 41/18
(72)発明者 宝野 和博
茨城県つくば市千現一丁目２番１号 独立
行政法人物質・材料研究機構内
Ｆターム(参考） 4K029 AA04 AA06 AA24 BA24 BA26
BC06 BD11 CA05 EA01 EA08
5D006 BB01 BB07 BB08 CB01 CB07
FA09
5D112 AA02 AA05 BA02 BB02 BB05
FA04 FB26
5E049 AA01 AA04 AA09 AC05 BA01
CB01 DB02 GC02
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気的に孤立した微粒子構造を備え、一
方向に配向している高配向磁性薄膜の製造方法におい
て、ＦｅおよびＣｏのうちの少なくとも１種類の金属
と、ＰｔおよびＰｄのうちの少なくとも１種類の金属と
の合金薄膜を、表面温度が６５０℃以上である基板上に
スパッタリング成膜することを特徴とする高配向磁性薄
膜の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に成膜される合金薄膜の膜厚が、
４５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の高
配向磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に膜厚が２０ｎｍ以下の高融点金
属を島状に形成し、次いで、形成された島状の高融点金
属上に合金薄膜を成膜することを特徴とする請求項１記
載の高配向磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 基板上に成膜される合金薄膜がＦｅＰｔ
合金薄膜であって、ＦｅＰｔ合金薄膜におけるＦｅＰｔ
相の合金組成がＦｅxＰｔ1-x（ただし、０．４＜ｘ＜
０．６）であることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかの高配向磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に成膜される合金薄膜上に、高飽
和磁化磁性材料を成膜することを特徴とする請求項１乃
至４のいずれかの高配向磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 高飽和磁化磁性材料がＦｅまたはＦｅＣ
ｏの内のいずれかであることを特徴とする請求項５記載
の高配向磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 合金薄膜を成膜する基板が、ＭｇＯ
（１１０）、ＮａＣｌ（１１０）、ＧａＡｓ（１１
０）、およびＳｉ（１１０）のうちのいずれかから選択
されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの高
配向磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項８】 合金薄膜を成膜する基板が、ＭｇＯ（０
０１）、ＮａＣｌ（００１）、ＧａＡｓ（００１）、お
よびＳｉ（００１）のうちのいずれから選択されること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれかの高配向磁性薄
膜の製造方法。 - 【請求項９】 ＭｇＯ（００１）基板を（００１）面か
ら僅かに傾斜して切り出したｍｉｓｃｕｔ基板において
２次元の原子ステップを作成したものを基板とし、この
基板上に合金薄膜を成膜し、２次元的に規則性を持って
配列した自己組織パターン媒体を作成することを特徴と
する請求項１乃至６のいずれかの高配向磁性薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002090994A JP2003289005A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 高配向磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002090994A JP2003289005A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 高配向磁性薄膜の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007249096A Division JP4621899B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 磁気媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003289005A true JP2003289005A (ja) | 2003-10-10 |
Family
ID=29236188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002090994A Pending JP2003289005A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 高配向磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003289005A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142550A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | National Institute For Materials Science | 着磁可能な磁性薄膜構造体とその製造方法 |
| WO2008026439A1 (fr) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. | Film mince magnetique |
| US7771785B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-08-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic film and method of manufacturing magnetic film |
| JP2011049506A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | 希土類高配向磁性薄膜とその製造方法、磁器部材および希土類永久磁石 |
-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002090994A patent/JP2003289005A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005142550A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | National Institute For Materials Science | 着磁可能な磁性薄膜構造体とその製造方法 |
| JP4590600B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2010-12-01 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 着磁可能な磁性薄膜構造体とその製造方法 |
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| JP2008060347A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | 磁性薄膜 |
| US8158276B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-04-17 | Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. | FePtP-alloy magnetic thin film |
| JP2011049506A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | 希土類高配向磁性薄膜とその製造方法、磁器部材および希土類永久磁石 |
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