JP2011020886A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を備えてなるシリカ容器を製造する方法であって、
   前記シリカ基体を形成するためのシリカ粒子である基体用原料粉を準備する工程と、
   回転対称性を有しており、減圧用の孔が内壁に分配されて形成された、炭素製の外型枠を回転させながら、前記外型枠の内壁に前記基体用原料粉を導入し、該基体用原料粉を前記外型枠の内壁に応じた所定形状に仮成形してシリカ基体の仮成形体とする工程と、
   前記シリカ基体の仮成形体の内周側からＨ_２ガスを１０ｖｏｌ．％を超える比率で含有する還元性ガスを供給しつつ、前記外型枠に形成されている減圧用の孔によって減圧することにより、前記シリカ基体の仮成形体を外周側から減圧して脱ガスするとともに、炭素電極による放電加熱溶融法により前記シリカ基体の仮成形体の内側から加熱することによって、前記シリカ基体の仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、前記シリカ基体の仮成形体の内側部分を溶融ガラス体とし、前記シリカ基体を形成する工程と、
   前記シリカ基体の内側から、結晶質シリカからなり、前記基体用原料粉よりもシリカ純度が高い内層用原料粉を散布しつつ、放電加熱溶融法により内側から加熱することによって、前記シリカ基体の内側表面上に透明シリカガラスからなる内層を形成する工程と
   を含むことを特徴とするシリカ容器の製造方法。
2. 前記基体用原料粉にＡｌを１０〜１０００ｗｔ．ｐｐｍの濃度で含有させることを特徴とする請求項１に記載のシリカ容器の製造方法。
3. 前記内層用原料粉のＬｉ、Ｎａ、Ｋの各濃度を６０ｗｔ．ｐｐｂ以下とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗの各濃度を３０ｗｔ．ｐｐｂ以下とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリカ容器の製造方法。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のシリカ容器の製造方法において、前記放電加熱溶融法によりシリカ基体を形成する工程又は内層を形成する工程の放電加熱後の冷却を、Ｏ_２ガスを含有する酸化性ガス雰囲気下にて行うことを特徴とするシリカ容器の製造方法。
5. 前記酸化性ガスのＯ_２ガス含有比率を１〜３０ｖｏｌ．％とすることを特徴とする請求項４に記載のシリカ容器の製造方法。
6. 少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を備えてなるシリカ容器であって、
   前記シリカ基体は、酸素欠損型欠陥を含むものであり、外周部分に気泡を含有する白色不透明層部を有し、内周部分に実質的に気泡を含有しないシリカガラスからなる無色透明層部を有するものであり、前記シリカ基体の内側表面上に、該シリカ基体よりシリカ純度が高い透明シリカガラスからなる内層を備えることを特徴とするシリカ容器。
7. 前記シリカ基体に含まれる酸素欠損型欠陥の密度が、前記無色透明層部において、光路長１０ｍｍ当たりの、波長２４０ｎｍでの光透過率が８０％以下を示すものであることを特徴とする請求項６に記載のシリカ容器。
8. 前記シリカ基体の無色透明層部を真空下で１０００℃に加熱したときに放出するＨ_２Ｏ分子が１×１０^１７分子／ｃｍ^３以下であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のシリカ容器。
9. 前記シリカ基体の無色透明層部におけるＨ_２分子濃度が５×１０^１６分子／ｃｍ^３以下であることを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載のシリカ容器。
10. 前記シリカ基体の無色透明層部の１４００℃における粘度が１０^１０．５Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項６ないし請求項９のいずれか一項に記載のシリカ容器。
11. 前記シリカ基体のＯＨ基濃度が６０ｗｔ．ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項６ないし請求項１０のいずれか一項に記載のシリカ容器。
12. 前記シリカ基体がＡｌを１０〜１０００ｗｔ．ｐｐｍの濃度で含有することを特徴とする請求項６ないし請求項１１のいずれか一項に記載のシリカ容器。
13. 前記内層は、ＯＨ基濃度が３０ｗｔ．ｐｐｍ以下であり、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの各濃度が６０ｗｔ．ｐｐｂ以下であり、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗの各濃度が３０ｗｔ．ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項６ないし請求項１２のいずれか一項に記載のシリカ容器。