JPH0422861A - 炭酸ガス検知装置 - Google Patents

炭酸ガス検知装置

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JPH0422861A
JPH0422861A JP2128512A JP12851290A JPH0422861A JP H0422861 A JPH0422861 A JP H0422861A JP 2128512 A JP2128512 A JP 2128512A JP 12851290 A JP12851290 A JP 12851290A JP H0422861 A JPH0422861 A JP H0422861A
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JP
Japan
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heating
carbon dioxide
gas sensing
control means
period
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JP2128512A
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English (en)
Inventor
Tooru Onouchi
徹 小野内
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Panasonic Ecology Systems Co Ltd
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Matsushita Seiko Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、空調、農畜産、防災・防犯、環境計測などの
炭酸ガス濃度を計測、あるいは制御する場所に使用する
炭酸ガス検知装置に関する。
従来の技術 近年、空調、農畜産分野を中心に炭酸ガスの計測、制御
に対するニーズが高まり、種々の方式の検知器をはじめ
とする応用機器が開発、実用化が進められている。しか
し、実用上、その信頼性、およびメンテナンス性に課題
がある。また、それらの課題は特にセンサに起因した問
題が大半を占めるといっても過言ではない。
ところで、従来の単一素子型の炭酸ガスセンサとして雰
囲気の炭酸ガスに対してボテンシオメトリックな出力を
持つ固体電解質型の素子、あるいはゼオライトやアパタ
イト素子に見られる抵抗変化型素子が挙げられる。
従来、この種の炭酸ガス検知装置は第9図および第10
図のように炭酸ガスセンサとして固体電解質型のものを
使用したものが一般的であった。
以下、その構成について説明する。
図に示すように、炭酸ガスセンサ1はガス感知部2とこ
のガス感知部2を加熱するヒータ部3とを備え、ガス感
知部2は固体電解質からなるイオン伝導体としてのNA
S ICON (ナトリウムイオン伝導性セラミックス
)板4の両端に一対の多孔質な電極層5.6を設け、さ
らに一方の電極層5の一部あるいは全部を覆う形状で炭
酸ナトリウム7が担持され、他方の電極層6には混合伝
導性セラミックス(たとえば、L a 1−x S r
 xCo O3)が担持されている。炭酸ナトリウム7
を担持している電極層5を陰極層と称し、混合伝導性セ
ラミックス8を担持している電極層6を陽極層と称し、
ガス感知部2を構成していた。また、ガス感知部2には
片面下部に加熱用のヒータ部3を備え、ガス感知部2を
動作温度にヒータ部3で加熱し、陰陽極層5,6より雰
囲気の炭酸ガス濃度を電気的に検出していた。
ヒータ部3には加熱手段9により所定の直流電圧を加え
、ガス感知部2を300〜500℃に加熱することによ
りガス感知部2に発生した電圧出力は濃度演算手段10
において電気的な信号処理し、雰囲気中の炭酸ガス濃度
に比例した炭酸ガス濃度信号を濃度出力手段11より出
力される。
発明が解決しようとする課題 このような従来の炭酸ガス検知装置では、以下のような
課題を有していた。すなわち、その第1の課題として、
炭酸ガスセンサ1を実用上、高精度かつ、高速応答性を
付与させるためには、可能な限り高温で駆動させる必要
がある。しかし、第11図に示すように駆動温度の上昇
に伴い、熱的な反応に起因する経時的な出力のドリフト
が生じ易くなり、ガス感知部2の寿命を著しく阻害する
ことになった。
つぎに第2の課題として、ガス感知部2の電極層5に担
持している炭酸ナトリウム7は吸湿性をもっているため
、湿度雰囲気下で加熱、冷却を繰り返すと電極層5から
剥離脱落したり、結露水により溶出したりして素子の寿
命を阻害することになった。
本発明は上記課題を解決するもので、素子を間欠的に駆
動させ、正味の駆動時間を短縮させることにより、高温
駆動条件下においても経時的なドリフトを減少させ、長
期間にわたり高い信頼性を有する炭酸ガス検知装置を提
供することを第1の目的としている。
また、上記第1の目的に加えて長期間高湿度雰囲気下で
素子を間欠的に駆動させても安定した出力が得られる高
信頼度の炭酸ガス検知装置を提供することを第2の目的
としている。
課題を解決するための手段 本発明は上記第1の目的を達成するために、第一の手段
の炭酸ガス検知装置は、ガス感知部を酸化物系セラミッ
クで構成しがっ前記ガス感知部を動作温度に加熱するた
めのヒータ部を具備した炭酸ガスセンサと、前記炭酸ガ
スセンサを駆動温度に保持する加熱手段と、前記加熱手
段を間欠的にON−OFF加熱制御するための加熱制御
手段と、前記炭酸ガスセンサの検知信号から雰囲気中の
炭酸ガス濃度を算出する濃度演算手段と、前記濃度演算
手段から受けた炭酸ガス濃度信号を出力する濃度出力手
段とを備え、前記加熱手段は加熱制御手段により間欠的
にON−OFF制御するようにしたこ七を第1の課題解
決手段としている。
また、iJ2の目的を達成するために、上記第1の課題
解決手段に加えて、加熱制御手段はガス感知部温度が1
00℃以上に保持されるように加熱手段を制御するよう
にしたことを第2の課題解決手段としている。
さらに、第1および第2の目的を達成するために、上記
第2の課題解決手段に加えて、加熱制御手段は外部トリ
ガ発生手段の外部トリが信号で駆動するようにしたこと
を第3の課題解決手段としている。
作   用 本発明は上記した第1の課題解決手段により、加熱手段
が間欠的にON−OFF駆動され、ガス感知部の実駆動
時間が短縮されるため熱的な反応によるガス感知部の経
時的なドリフト量が軽減される。
また、第2の課題解決手段により、加熱制御手段により
加熱手段がOFF駆動状態でもガス感知部温度は100
℃以上に保持され、高湿雰囲気下で間欠的にON−OF
F駆動させてもガス感知部の炭酸ナトリウムは雰囲気中
の水分の吸、放出による陰極層からの剥離がな(なる。
さらに、第3の課題解決手段により、外部トリガ信号発
生手段からの出力信号にのみ加熱制御手段により加熱手
段が駆動できかつ、OFF駆動時もガス感知部が100
℃以下にならず、外部トリガ信号の出力条件を目的に応
じ設定することにより、−層ガス感知部の実駆動時間を
短縮でき、かつ高湿下でも湿度の影響を受けることがな
い。
実  施  例 以下、本発明の第1の課題解決手段の実施例について、
第1図および第2図に基づいて説明する。なお、従来例
と同じ構成のものは同一符号をつけて詳細な説明は省略
する。
図に示すように、炭酸ガスセンサ1はガス感知部2とそ
れを動作温度に加熱するヒータ部3とで構成している。
ヒータ部3は加熱手段9に接続し、その温度を一定に保
持するように電力を供給している。加熱手段9は加熱制
御手段12に接続し、その駆動状態を制御している。濃
度演算手段10はガス感知部2の信号を入力とし、炭酸
ガス濃度を演算する。濃度出力手段11は濃度演算手段
10の信号を入力とし、炭酸ガス濃度を電気信号として
出力する。
ヒータ部3はリレー接点13を介して加熱手段9に接続
している。加熱制御手段12は加熱手段9を周期的にO
N−OFF加熱駆動させるための周期信号を発生させる
無安定マルチバイブレータ14と、その信号を入力とし
リレー15をON−OFFする信号を出力するコンパレ
ータ16と、コンパレータ16の信号を受けてリレー接
点13を開閉するリレー15とから構成している。
上記構成において動作を第3図を参照しながら説明する
無安定マルチバイブレータ14は周期Tで連続的に発振
し、周期Tの電気信号を出力している。
コンパレータ16はその周期Tの電気信号を入力し、自
身の持っているしきい値と比較しHi gh。
Low信号を出力する。リレー15はコンパレータ16
の信号に応じてリレー接点13を開閉させる。その結果
、ヒータ部3は加熱手段9によって周期Tで間欠的にO
N−OFF加熱駆動され、実質的な駆動時間は半分に短
縮される。
このように第1の課題解決手段の実施例の炭酸ガス検知
装置によれば、ガス感知部2の実駆動時間が短縮され、
熱的な劣化による経時的な出力信号のドリフトを抑制で
き、寿命を延ばすことができる。
つぎに、第2の手段の実施例について第4図に基づいて
説明する。なお、上記実施例と同じ構成のものは同一符
号をつけて詳細な説明は省略する。
図に示すように、加熱制御手段12は余熱回路17を有
しており、この余熱回路17はヒータ部3のアース側と
反対の端子18を介してヒータ部3に接続している。な
お、予熱回路17のヒータ部3への供給電圧はヒータ部
3の加熱温度が少なくとも100℃以上になるように設
定している。
以上の構成において動作を第5図を参照しながら説明す
る。
ヒータ部3は上記第1の課題解決手段の実施例と同様に
、周期Tで開閉を繰り返すリレー接点13を介して加熱
手段9により間欠的にON−OFF加熱駆動される。リ
レー接点13が開いている場合、すなわち、加熱手段9
と非接続的な場合でも、予熱回路17と常に接続され、
100℃以上に予熱される。したがって、実質的な駆動
時間を半減させるとともに、OFF加熱時も、ガス感知
部2を常に100℃以上に保持される。
このように第2の課題解決手段の実施例の炭酸ガス検知
装置によれば、加熱制御手段12に予熱回路17を設け
て加熱手段9を周期的にON−OFF駆動させても、常
にガス感知部2を100℃以上に保持でき、ガス感知部
2に水分が付着することがな(なり、ガス感知部2の炭
酸ナトリウムは雰囲気中の水分の吸湿、結露による陰極
層からの1離がなくなり、素子の破損を防止できる。
つぎに、第3の課題解決手段の実施例につぃ1第6図お
よび第7図に基づいて説明する。なお、上記第2の課題
解決手段の実施例と同じ構成のtのは同一符号をつけて
詳細な説明は省略する。
図に示すように、外部トリガ信号発生手段19は加熱制
御手段12に接続し、加熱制御手段12を起動させるト
リガ信号を外部がらの信号入力により発生する。なお、
外部信号として温度、混用などの周囲環境からの信号、
あるいは外部機器C発停信号などでもよい。
加熱制御手段12を構成しているコンパレータ16は外
部トリガ信号発生手段19に接続し、その信号を入力と
して、リレー15をON−OFFさせる信号を出力して
いる。外部トリガ信号発生手段19は、外部信号検出部
2oとトリガ信号発生部21から構成されている。外部
信号検出部2゜の検知素子22は抵抗23とハーフブリ
ッジを構成し、外部環境に応じた電圧を端子24に発生
する。トリガ信号発生部21は、外部信号検出120と
端子24を介して接続され、その出力は端子25を介し
てコンパレータ16に入力されている。
上記構成において、第8図(a) 、 (b)を参照し
ながら動作を説明すると、検知素子22は雰囲気の環境
変化に応じてその抵抗値を変化させ、抵抗23との中点
にあたる端子24に出力電圧を発生させる。トリガ信号
発生部21は外部信号検知部20の出力電圧を抵抗26
.27.28によって定まる増巾度でOPアンプ29に
より増巾し、端子25に外部トリガ信号を出力する。加
熱制御手段12は、第8図(b)のように、外部トリガ
信号発生手段19からの外部トリガ信号をコンパレータ
16で受け、リレー15のリレー接点13を開閉させる
制御信号を出力する。したがって、第8図(a)のよう
に、ヒータ部3は外部トリガ信号に応じて加熱手段9と
接続され、動作温度に加熱保持され、ガス感知部2は外
部トリガ信号を目的に応じて選択することにより実質的
な駆動時間を短縮できる。
このように第3の課題解決手段の実施例の炭酸ガス検知
装置によれば、加熱!1J1手段12を外部信号により
駆動制御可能となり、ガス感知部2の駆動時間を一層短
縮できて素子の寿命を延ばすことが可能となり、しかも
、OFF駆動時もガス感知部2が100℃以下にならず
、高湿下でも湿度の影響を受けることがない。
発明の効果 以上の実施例から明らかなように本発明によれば、炭酸
ガスセンサを駆動温度に保持する加熱手段を加熱制御手
段によりON−OFF制御するようにし、ガス感知部を
間欠的に動作温度に駆動可能となり、熱的な劣化による
経時的な出力信号のドリフトを抑制でき、寿命を延ばす
ことができる。
また、加熱制御手段はガス感知部の温度を100℃以上
に保持させるように加熱制御手段を制御するから、加熱
手段を周期的にON−OFF駆動させても、常にガス感
知部を100℃以上に加熱でき、ガス感知部を雰囲気の
水分の吸湿、結露から保護でき、素子の破損を阻止でき
る。
さらに、加熱、III m手段を外部トリガ信号発生手
段の外部トリガ信号で駆動するようにしたから、加熱制
御手段を外部信号により駆動制御可能となり、ガス感知
部の駆動時間を一層短縮でき、より一層素子の寿命を延
ばすことが可能となる。
以上のように、素子寿命を向上させることが可能となり
、その結果、炭酸ガス検知装置の現場での校正、素子交
換の工数が低減され、そのメンテナンス性が著しく向上
する。その結果は、実用上天なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の炭酸ガス検知装置のブロッ
ク図、第2図は同炭酸ガス検知装置の加熱制御手段のブ
ロック図、第3図は同炭酸ガス検知装置の動作タイムチ
ャート、第4図は本発明の他の実施例の炭酸ガス検知装
置の加熱制御手段のブロック図、第5図は同炭酸ガス検
知装置の動作タイムチャート、第6図は本発明の別の実
施例の炭酸ガス検知装置のブロック図、第7図は同炭酸
ガス検知装置の加熱制御手段および外部トリガ信号発生
手段のブロック図、第8図(a) 、 (b)はそれぞ
れ同炭酸ガス検知装置の動作タイムチャート、第9図は
従来の炭酸ガスセンサの断面図、第10図は従来の炭酸
ガス検知装置のブロック図、第11図はガス感知部の出
力電圧の経時変化特性図である。 1・・・・・・炭酸ガスセンサ、2・・・・・・ガス感
知部、3・・・・・・ヒータ部、9・・・・・・加熱手
段、10・・・・・・濃度演算手段、11・・・・・・
濃度出力手段、12・・・・・・加熱制御手段。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1占用 図 第 図 トー・々載]゛又℃ノず 第 図 第 図 ずり 第11 図 1駆 動 逼4 廣 じC) 区 し)せ解婆 −Jl?h杷← 区 ζ) 稼 区

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガス感知部を酸化物系セラミックで構成しかつ前
    記ガス感知部を動作温度に加熱するヒータ部を具備した
    炭酸ガスセンサと、前記炭酸ガスセンサを駆動温度に保
    持する加熱手段と、前記炭酸ガスセンサの検知信号から
    雰囲気中の炭酸ガス濃度を算出する濃度演算手段と、前
    記濃度演算手段から受けた炭酸ガス濃度信号を出力する
    濃度出力手段とを備え、前記加熱手段は加熱制御手段に
    より間欠的にON−OFF制御するようにしてなる炭酸
    ガス検知装置。
  2. (2)加熱制御手段はガス感知部の温度を100℃以上
    に保持させるように加熱手段を制御してなる請求項1記
    載の炭酸ガス検知装置。
  3. (3)加熱制御手段は外部トリガ信号発生手段の外部ト
    リガ信号で駆動するようにしてなる請求項2記載の炭酸
    ガス検知装置。
JP2128512A 1990-05-17 1990-05-17 炭酸ガス検知装置 Pending JPH0422861A (ja)

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0694674A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Yazaki Corp 固体電解質型炭酸ガスセンサの初期安定化方法及び固体電解質型炭酸ガス検出装置
US5917103A (en) * 1995-05-31 1999-06-29 Heraeus Quarzglas Gmbh Method of manufacturing crucible for double-crucible crystal growing technique
US6916370B2 (en) 2002-01-17 2005-07-12 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same
JP2006017681A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Noritz Corp 湿度検出装置
JP2008304124A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Toshiba Corp 二酸化炭素濃度測定用センサーシステム
US7587912B2 (en) 2003-02-28 2009-09-15 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method
WO2010137221A1 (ja) 2009-05-26 2010-12-02 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2011007491A1 (ja) 2009-07-15 2011-01-20 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2011016177A1 (ja) 2009-08-05 2011-02-10 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2011070703A1 (ja) 2009-12-10 2011-06-16 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2013171937A1 (ja) 2012-05-15 2013-11-21 信越石英株式会社 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法
WO2014069264A1 (ja) * 2012-10-29 2014-05-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式ガスセンサ
US8915097B2 (en) 2009-04-28 2014-12-23 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd Silica container and method for producing the same
KR20140146189A (ko) 2013-04-08 2014-12-24 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 단결정 실리콘 인상용 실리카 용기 및 그 제조방법
US9376761B2 (en) 2012-01-13 2016-06-28 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Single-crystal silicon pulling silica container and method for producing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59190651A (ja) * 1983-04-13 1984-10-29 Toyota Motor Corp 酸素センサの加熱制御装置
JPH01210861A (ja) * 1988-02-18 1989-08-24 Matsushita Seiko Co Ltd 炭酸ガスセンサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59190651A (ja) * 1983-04-13 1984-10-29 Toyota Motor Corp 酸素センサの加熱制御装置
JPH01210861A (ja) * 1988-02-18 1989-08-24 Matsushita Seiko Co Ltd 炭酸ガスセンサ

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0694674A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Yazaki Corp 固体電解質型炭酸ガスセンサの初期安定化方法及び固体電解質型炭酸ガス検出装置
US5917103A (en) * 1995-05-31 1999-06-29 Heraeus Quarzglas Gmbh Method of manufacturing crucible for double-crucible crystal growing technique
US6916370B2 (en) 2002-01-17 2005-07-12 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same
US7587912B2 (en) 2003-02-28 2009-09-15 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method
JP2006017681A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Noritz Corp 湿度検出装置
JP2008304124A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Toshiba Corp 二酸化炭素濃度測定用センサーシステム
US8915097B2 (en) 2009-04-28 2014-12-23 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd Silica container and method for producing the same
US8915096B2 (en) 2009-05-26 2014-12-23 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Silica container and method for producing the same
WO2010137221A1 (ja) 2009-05-26 2010-12-02 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2011007491A1 (ja) 2009-07-15 2011-01-20 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2011016177A1 (ja) 2009-08-05 2011-02-10 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
WO2011070703A1 (ja) 2009-12-10 2011-06-16 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
US9376761B2 (en) 2012-01-13 2016-06-28 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Single-crystal silicon pulling silica container and method for producing the same
WO2013171937A1 (ja) 2012-05-15 2013-11-21 信越石英株式会社 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法
WO2014069264A1 (ja) * 2012-10-29 2014-05-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式ガスセンサ
KR20140146189A (ko) 2013-04-08 2014-12-24 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 단결정 실리콘 인상용 실리카 용기 및 그 제조방법

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