JP2010531876A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 式（Ｉ）：
   

   

   ［式中：
   Ｍはカチオンであり；
   ＲＥは希土類金属であり；
   Ｘは対アニオンであり；そして
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、水素、炭素原子数１〜８のアルキル、アリール、ハロおよびアルコキシからなる群より選択される］
   により表される希土類金属錯体。
2. 前記希土類錯体が式：
   

   

   により表される、請求項１に記載の希土類金属錯体。
3. 式（Ｉ）：
   

   

   ［式中：
   Ｍはカチオンであり；
   ＲＥは希土類金属であり；
   Ｘは対アニオンであり；そして
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、水素、炭素原子数１〜８のアルキル、アリール、ハロおよびアルコキシからなる群より選択される］
   の希土類金属錯体の調製方法であって、前記方法が、
   （ｉ）式（ＩＩ）：
   

   

   ［式中、
   Ｍはカチオンであり；そして
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、水素、炭素原子数１〜８のアルキル、アリール、ハロおよびアルコキシからなる群より選択される］
   により表される、５，６−ジアリール−３−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアジントリスルホン酸誘導体の三アルカリ塩；および
   （ｉｉ）式：
   ＲＥ^３＋Ｘ_３ ⁻
   ［式中、
   ＲＥは希土類金属であり；そして
   Ｘは対アニオンである]
   により表される希土類金属塩；
   を接触させる段階を含み、反応体（ｉ）および（ｉｉ）を接触させる前記段階を、溶媒の存在下、前記式（Ｉ）の希土類金属錯体を生じるのに足る温度および時間で実施する、前記方法。