JP2010513018A - スーパーキャパシタ脱塩装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図2
Description
12 負電極アセンブリ
14 正電極アセンブリ
16 フィード流
18 負電極
20 多孔質材料
22 カチオン交換材料
23 アニオン
24 正電極
25 カチオン
26 多孔質材料
28 アニオン交換材料
30 カチオン
32 アニオン
34 希薄出力
36 スーパーキャパシタ脱塩装置
38 負電極アセンブリ
40 電極
42 表面
44 カチオン交換層
46 正電極アセンブリ
48 正電極
50 表面
52 アニオン交換層
54 カチオン
56 アニオン
62 スーパーキャパシタ脱塩装置
64,66 電極アセンブリ
68 負電極
70 カチオン交換材料
74 正電極
76 アニオン交換材料
80 スーパーキャパシタ脱塩装置
82 負電極アセンブリ
84 正電極アセンブリ
86 負電極
88,92 イオン交換材料膜
90 正電極
94 スペーサ
Claims (43)
- 多孔質材料を含み、反対電荷のイオンを吸着するように構成された充電可能な電極と、
前記充電可能な電極の多孔質材料と接触しているイオン交換材料とを含み、
前記イオン交換材料は前記充電可能な電極と同一に充電され、また前記イオン交換材料は反対電荷のイオンに対して透過性でありかつ同一電荷のイオンに対して少なくとも部分的に不透過性である、
電極アセンブリ。 - 前記イオン交換材料が充電可能な電極の表面上に配置された層を形成する、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記層の厚さが0.0001mm〜1mmの範囲にある、請求項2記載の電極アセンブリ。
- 前記層の電気抵抗が0.1Ωcm2〜50Ωcm2の範囲にある、請求項2記載の電極アセンブリ。
- 前記層がバインダー及び樹脂を含む、請求項2記載の電極アセンブリ。
- 前記樹脂が、Amberlite IR−120、Dowex 50、Diaion SK−IA、Amberlite IRA−400、Diaion SA−10A又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項5記載の電極アセンブリ。
- 前記バインダーがポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン又はこれらの誘導体を含む、請求項5記載の電極アセンブリ。
- 前記イオン交換材料がバインダーを含有する、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記バインダーが少なくとも部分的に前記充電可能な電極内に配置されている、請求項8記載の電極アセンブリ。
- 前記イオン交換材料の量が電極材料の全重量に基づいて1重量%〜70重量%の範囲にある、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記イオン交換材料が0.1μm〜10μmの範囲の粒度を有する粒子からなる、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記電極アセンブリがスーパーキャパシタ脱塩装置に用いられる、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記装置の電流効率が40%〜99%の範囲にある、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記装置の作動中に前記イオン交換材料に電圧を印加しない、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記充電可能な電極が負電極であり、前記イオン交換材料はアニオンが電極の細孔体積から抜け出すのを少なくとも部分的に防止するように構成されたカチオン交換材料であり、前記カチオン交換材料はカチオンが前記イオン交換材料内を通過するのを許すように構成されている、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記カチオン交換材料がアニオンモノマーから生成したポリマーを含む、請求項15記載の電極アセンブリ。
- 前記アニオンモノマーが、スルホネート、ホスホネート、カルボキシレート又はボーレートのアニオン化合物、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項16記載の電極アセンブリ。
- 前記カチオン交換材料が、非イオン性モノマーから生成したポリマーのスルホネート、ホスホネート、カルボキシレート又はボーレート、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項15記載の電極アセンブリ。
- 前記非イオン性モノマーが、スチレン、アクリレート、メタクリレート、アクリルアミド、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、エポキシ、シロキサン又はウレタンのモノマー、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項18記載の電極アセンブリ。
- 前記充電可能な電極が正電極であり、前記イオン交換材料はカチオンが電極の細孔体積から抜け出すのを少なくとも部分的に防止するように構成されたアニオン交換材料であり、前記アニオン交換材料はアニオンが前記イオン交換材料内を通過するのを許すように構成されている、請求項1記載の電極アセンブリ。
- 前記アニオン交換材料がカチオンポリマーを含む、請求項20記載の電極アセンブリ。
- 前記カチオンポリマーが、一級アミン、二級アミン、三級アミン、四級アンモニウム、イミダゾリウム、グアニジニウム、ピリジニウムの塩、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項21記載の電極アセンブリ。
- 前記アニオン交換材料が、三級アミン基を含む材料の四級化反応生成物を含む、請求項20記載の電極アセンブリ。
- 前記アニオン交換材料が、ポリ−ジメチル−アミノエチル−メタクリレートを含む、請求項20記載の電極アセンブリ。
- 前記アニオン交換材料が、導電性ポリマー材料を含む、請求項20記載の電極アセンブリ。
- 前記導電性ポリマー材料が、ポリアニリン、ポリピロール又はポリチオフェン、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項25記載の電極アセンブリ。
- 1対の反対電荷に充電される電極を備え、反対電荷に充電される電極の少なくとも一方が荷電イオンに対して選択透過性であるイオン交換材料を含む、スーパーキャパシタ脱塩装置。
- スーパーキャパシタ脱塩装置が、2対以上の反対電荷に充電される電極をスタック構造に配列した構成である、請求項27記載のスーパーキャパシタ脱塩装置。
- さらに、反対電荷に充電される電極間に配置され、一方の電極を他方の電極から電気絶縁するよう構成された絶縁性スペーサを備える、請求項27記載のスーパーキャパシタ脱塩装置。
- 電極材料とイオン交換材料の混合物を形成する工程と、
混合物を溶剤に調合してペーストを形成する工程と、
ペーストを成形して電極アセンブリを形成する工程とを含む、
電極アセンブリの製造方法。 - 前記電極材料が、炭素、活性炭、グラファイト、多孔質炭素粒子、炭素エアロゲル、カーボンナノチューブ、炭素布、炭素繊維、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項30記載の方法。
- イオン交換材料とバインダーの混合物を形成する工程と、
混合物を多孔質電極の表面に塗工して皮膜を形成する工程とを含む、
電極アセンブリの製造方法。 - さらに、混合物を架橋する工程を含む、請求項32記載の方法。
- 重合性材料を形成する工程と、
前記重合性材料を多孔質電極の表面に塗工してポリマー皮膜を形成する工程とを含む、
電極アセンブリの製造方法。 - 前記重合性材料が、イオン性もしくは非イオン性モノマー、イオン性もしくは非イオン性オリゴマー、イオン性もしくは非イオン性部分重合ポリマー、イオン性もしくは非イオン性完全重合ポリマー、又はこれらの2種以上の組合せを含む、請求項34記載の方法。
- 前記重合性材料がさらに、開始剤又は開始手段を含む、請求項34記載の方法。
- さらに、混合物を架橋する工程を含む、請求項34記載の方法。
- さらに、重合反応後に四級化工程を含む、請求項34記載の方法。
- さらに、重合反応後にスルホン化工程を含む、請求項34記載の方法。
- ポリマー皮膜を多孔質電極中に部分的に浸透させて複合電極を形成する、請求項34記載の方法。
- 複数の電極対を備え、電極対の各電極が流体が流通可能なギャップ又はチャンネルにより分離され、交互の電極対が直列に電気接続され、ギャップ又はチャンネルが別のギャップ又はチャンネルに並列に流体連結されている、システム。
- さらに、初期もしくは第1の作動モードの間複数の電極に比較的大きな電流を与え、後続のもしくは第2の作動モードの間複数の電極に比較的小さな電流を与えるように作動するコントローラを備える、請求項41記載のシステム。
- 電極対の少なくとも1つがバイポーラ電極である、請求項41記載のシステム。
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