JP2010283347A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 半導体デバイス製造で用いられる拡散バリアを形成する方法であって、該方法は、
   物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上にイリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、
   前記バリア層は、６０原子％超のイリジウム濃度で、前記バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される、
   前記方法。
2. 前記バリア層は、アモルファスなイリジウム−タンタル（α−ＴａＩｒ）層およびアモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層のうちの一つを含む、請求項１に記載の方法。
3. ＰＶＤによって、前記バリア層上に銅シード層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記パターン形成されるＩＬＤ層は、前記バリア層が堆積されることになる、下部金属層の上面部を露出させる、デュアル・ダマシン構造にパターン形成される、請求項１に記載の方法。
5. 半導体デバイスのための拡散バリア構造体であって、
   パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に形成されたイリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を含み、
   前記バリア層は、６０原子％超のイリジウム濃度で、前記バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように形成される、
   前記拡散バリア構造体。
6. 半導体デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
   中間誘電体（ＩＬＤ）層中にデュアル・ダマシン溝およびビア構造の一つ以上のパターンを形成するステップであって、前記中間誘電体層は下部導電体層の上に形成される、前記形成するステップと、
   物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、前記パターン形成されたＩＬＤ層と前記下部導電体層の露出部分との上に犠牲層を堆積するステップであって、前記犠牲層はイリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第一層を包含する、前記堆積するステップと、
   前記犠牲層の水平面を選択的に除去し、前記下部導電体層中に削り凹部を形成するステップと、
   ＰＶＤによって、前記ＩＬＤ層、前記犠牲層の残存垂直部分、および前記削り凹部に対応する前記下部導電体層の前記露出部分の上にバリア層を堆積するステップであって、前記バリア層は、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第二層を包含する、前記堆積するステップと、
   を含み、
   前記犠牲層およびバリア層の双方は、６０原子％超のイリジウム濃度で、結果としてアモルファス構造を有するように堆積される、
   前記方法。
7. 前記犠牲層は、アモルファスなイリジウム−タンタル（α−ＴａＩｒ）層およびアモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層のうちの一つを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記バリア層は、アモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層を含む、請求項７に記載の方法。
9. ＰＶＤによって、前記バリア層上に銅シード層を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
10. 半導体デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
    中間誘電体（ＩＬＤ）層中にビア・パターンを形成するステップであって、前記中間誘電体層は下部導電体層の上に形成される、前記形成するステップと、
    物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、前記パターン形成されたＩＬＤ層と前記下部導電体層の露出部分との上に犠牲層を堆積するステップであって、前記犠牲層はイリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第一層を包含する、前記堆積するステップと、
    前記犠牲層の水平面を選択的に除去し、前記下部導電体層中に削り凹部を形成するステップと、
    前記ＩＬＤ中に一つ以上の溝をパターン形成するステップと、
    ＰＶＤによって、前記ＩＬＤ層、前記犠牲層の残存垂直部分、および前記削り凹部に対応する前記下部導電体層の前記露出部分の上に犠牲層を堆積するステップであって、前記バリア層は、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第二層を包含する、前記堆積するステップと、
    を含み、
    前記犠牲層およびバリア層の双方は、６０原子％超のイリジウム濃度で、結果としてアモルファス構造を有するように堆積される、
    前記方法。
11. 前記犠牲層は、アモルファスなイリジウム−タンタル（α−ＴａＩｒ）層およびアモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層のうちの一つを含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記バリア層は、アモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層を含む、請求項１１に記載の方法。
13. ＰＶＤによって、前記バリア層上に銅シード層を形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。