JP2013530519A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. デバイスを形成する方法であって、
   基板を提供することと、
   前記基板の上に第１のＩＬＤ層を形成することであって、前記第１のＩＬＤ層が上面と第１の開口部とを有することと、
   前記第１の開口部内に第１の金属ライナを付着させることと、
   前記第１の開口部内に第１のメタライゼーション・レベルを形成することと、
   前記第１のＩＬＤ層の前記上面上に第１のキャップ層を形成することと、
   前記第１のキャップ層の上に第２のＩＬＤ層を形成することであって、前記第２のＩＬＤ層が上面と、前記第１のメタライゼーション・レベル内に延びる第２の開口部とを有することと、
   前記上面上と前記第２の開口部内に第２の金属ライナを付着させることと、
   前記第２の開口部内に第２のメタライゼーション・レベルを形成することと、
   前記第２のメタライゼーション・レベルのＣＭＰを実行することであって、前記第２のメタライゼーション・レベルの上面が前記第２の金属ライナの上面と同一表面上にあることと、
   前記第２のメタライゼーション・レベル上に第２のキャップ層を形成することであって、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）および炭化シリコン（ＳｉＣ）からなるグループから選択される誘電体キャップを選択的に付着させることを含む、前記第２のメタライゼーション・レベル上に第２のキャップ層を形成することと、
   前記第２のＩＬＤ層の前記上面から前記第２の金属ライナを除去すること
   を含み、
   前記第２のメタライゼーション・レベル上に第２のキャップ層を形成することの前に、前記第２のＩＬＤ層の前記上面の下の前記第２のメタライゼーション・レベルにくぼみを形成することをさらに含む、
   方法。
2. 前記誘電体キャップが、化学的気相堆積（ＣＶＤ）および原子層付着（ＡＬＤ）のうちの１つによって選択的に付着される、請求項１記載の方法。
3. 前記第２のＩＬＤ層の前記上面から前記第２の金属ライナを除去することが、四フッ化炭素（ＣＦ４）反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）およびフッ化キセノン（ＸｅＦ）ガス・エッチングのうちの１つを実行することを含む、請求項１記載の方法。
4. 前記第２のＩＬＤ層が、炭素ドープ酸化シリコン（ＳｉＣＯＨ）、多孔質ＳｉＣＯＨ、および酸化シリコン（ＳｉＯ）からなるグループから選択される、請求項１記載の方法。
5. 前記第２の金属ライナが、窒化タンタル（ＴａＮ）とタンタル（Ｔａ）のスタックの１つである、請求項１記載の方法。
6. 前記第２のメタライゼーション・レベルが銅である、請求項１記載の方法。
7. 前記第２のキャップに隣接するスペーサを形成することをさらに含む、請求項１記載の方法。
8. 前記第２のＩＬＤ層に少なくとも１つのトレンチを形成することをさらに含む、請求項１記載の方法。
9. 前記第２のＩＬＤ層に少なくとも１つのトレンチを形成することが、前記第２のＩＬＤ層の選択エッチングを実行することを含む、請求項８記載の方法。
10. 基板と、
    前記基板の上に形成された第１のＩＬＤ層であって、上面と第１の開口部とを有する第１のＩＬＤ層と、
    前記第１の開口部内に形成された第１の金属ライナと、
    前記第１の開口部内に形成された第１のメタライゼーション・レベルと、
    前記第１のＩＬＤ層の前記上面上に形成された第１のキャップ層と、
    前記第１のキャップ層の上に形成された第２のＩＬＤ層であって、上面と、前記第１のメタライゼーション・レベル内に延びる第２の開口部とを有する第２のＩＬＤ層と、
    前記第２の開口部内に付着させた第２の金属ライナと、
    前記第２の開口部内に形成された第２のメタライゼーション・レベルであって、前記第２のＩＬＤ層の前記上面の下にくぼんでいる第２のメタライゼーション・レベルと、
    前記第２のメタライゼーション・レベル上に形成された第２のキャップ層であって、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、および炭化シリコン（ＳｉＣ）からなるグループから選択される、第２のキャップ層と
    を含む、デバイス。
11. 前記第２のメタライゼーション・レベルが銅を含む、請求項１０記載のデバイス。
12. 前記第２のキャップ層に隣接して形成されたスペーサをさらに含む、請求項１０記載のデバイス。
13. 前記第２のＩＬＤ層に形成された少なくとも１つのトレンチをさらに含む、請求項１０記載のデバイス。