JP2010275572A - 貫通シリコンビアを有するめっき物及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属(A)との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。
【選択図】なし
Description
しかし、配線の微細化が進み、アスペクト比が大きくなってきており、スバッタリングで均一で薄い銅薄膜を形成するのが困難となっている。
貫通シリコンビア形成時の問題点として、微細配線形成時と同様、高アスペクト比のビア内側壁のスパッタ銅シード層のカバレッジ不足が挙げられる。このカバレッジ不足は、その後の電気銅めっき時のボイド発生につながるため、解決する必要がある。
(1)基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属(A)との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。
(2)バリア層を構成する金属(A)が、Ru、Ni、Co、Pd、Pt、Rh、Ir、Mo、Ag、Au、Mn、Nb、Ta、Tiのいずれか1種類以上であることを特徹とする前記(1)記載のめっき物。
(3)バリア層においてタングステンが30原子%以上、95原子%以下であることを特徴とする前記(1)または(2)記載のめっき物。
(4)バリア層を構成する金属(A)がRuであることを特徴とする前記(1)から(3)のいずれかに記載のめっき物。
(5)バリア層を構成する金属(A)がNiであることを特徴とする前記(1)から(3)のいずれかに記載のめっき物。
(6)バリア層を構成する金属(A)がCoであることを特徴とする前記(1)から(3)のいずれかに記載のめっき物。
(7)基材上に前記バリア層を形成し、しかる後にめっき液に浸漬して無電解置換銅めっきを行った後、同一のめっき液で電気銅めっきを行うことにより、銅シード層の形成に引き続き銅配線層の形成を行うことを特徴とする前記(1)から(6)のいずれかに記載のめっき物の形成方法。
(8)前記めっき液が、銅塩、錯化剤を含み、pH9以上であることを特徴とする前記(7)記載のめっき物の形成方法。
(9)前記めっき液が、銅塩、錯化剤を含み、pH11以上であることを特徴とする前記(7)または(8)に記載のめっき物の形成方法。
(10)前記めっき液が、非イオン性の界面活性剤を含むことを特徴とする前記(7)から(9)のいずれかに記載のめっき物の形成方法。
(11)前記銅塩が硫酸銅、錯化剤がEDTAであることを特徴とする前記(7)から(10)のいずれかに記載のめっき物の形成方法。
前記めっき物は、基材上に前記バリア層を形成し、しかる後にめっき液に浸漬して無電解置換銅めっきを行った後、そのまま同一のめっき液で電気銅めっきを行い、銅シード層の形成に引き続き銅配線層の形成を行うことにより形成することができる。
合金薄膜の膜厚は1〜100nmであることが好ましく、より好ましくは3〜50nmである。
貫通シリコンビアの場合、導電性を十分に確保すれば、完全にビアを埋め込まなくても使用できるので、銅層の膜厚はそれ程厚くなくてもよく、酸性電気銅めっき液を用いなくても十分の厚さを確保できる。
使用する銅塩、錯化剤はそれぞれ公知のものでよく特に制限はない。
銅塩としては、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅などが挙げられ、硫酸銅が好ましい。銅塩はめっき液中0.1〜100g/L、好ましくは1〜50g/L含有されることが好ましい。
錯化剤としては、EDTA、酒石酸などが挙げられ、EDTAが好ましい。錯化剤はめっき液中1〜200g/L、好ましくは5〜100g/L含有されることが好ましい。
また、本発明においてめっき液は、浴温20〜30℃で行うのが、浴安定性および銅の析出速度の点から好ましく、無電解めっきは30〜300秒浸漬するのが好ましい。また、電気銅めっきは、カソード電流密度は0.05〜0.5A/dm2で行うことが好ましい。
基材として、貫通シリコンビアとするためのビア径50μm、深さ200μmの有底のビアを設けたシリコン基板に、絶縁膜として酸化シリコンを成膜し、更にスパッタ法によりRuを20at%含有するW合金を10nm成膜したものを使用した。この基板を下記に記載するめっき液に60秒浸漬し、その後電気銅をアノードにして0.1A/dm2のカソード電流密度で1分間電気めっきを行った。
めっき液: EDTA4H 40g/L
硫酸銅5水和物 2.5g/L
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル 0.2g/L
pH 12.5(TMAHで調整)
25℃
これにより、膜厚15nmの均一な銅薄膜が得られた。貫通シリコンビア内側壁の表面SEM観察により、銅薄膜は、めっき膜の抜けがなく、緻密で、かつ平滑であることを確認した。また、スコッチテープ剥離テスト(ニチバン製セロテープ(登録商標)CT−18使用)によるめっき膜の剥離がなく、バリア膜と銅めっき膜との密着性が良好であることを確認した。4端針法によるシート抵抗は7.0Ω/□であった。
基材として、実施例1と同じシリコン基板を用い、絶縁膜として酸化シリコンを成膜し、更にスパッタ法によりCoを30at%含有するW合金を15nm成膜したものを使用した。この基板を実施例1と同じめっき液に60秒浸漬し、その後電気銅をアノードにして0.1A/dm2のカソード電流密度で1分間電気めっきを行った。
これにより、膜厚15nmの均一な銅薄膜が得られた。貫通シリコンビア内側壁の表面SEM観察により、銅薄膜は、めっき膜の抜けがなく、緻密で、かつ平滑であることを確認した。また、スコッチテープ剥離テスト(ニチバン製セロテープ(登録商標)CT−18使用)によるめっき膜の剥離がなく、バリア膜と銅めっき膜との密着性が良好であることを確認した。4端針法によるシート抵抗は8.0Ω/□であった。
基材として、実施例1と同じシリコン基板を用い、絶縁膜として酸化シリコンを成膜し、更にスパッタ法によりNiを40at%含有するW合金を15nm成膜したものを使用した。この基板を実施例1と同じめっき液に60秒浸漬し、その後電気銅をアノードにして0.1A/dm2のカソード電流密度で1分間電気めっきを行った。
これにより、膜厚15nmの均一な銅薄膜が得られた。貫通シリコンビア内側壁の表面SEM観察により、銅薄膜は、めっき膜の抜けがなく、緻密で、かつ平滑であることを確認した。また、スコッチテープ剥離テスト(ニチバン製セロテープ(登録商標)CT−18使用)によるめっき膜の剥離がなく、バリア膜と銅めっき膜との密着性が良好であることを確認した。4端針法によるシート抵抗は7.5Ω/□であった。
基材として、実施例1と同じシリコン基板を用い、絶縁膜として酸化シリコンを成膜し、更にスパッタ法によりCoを50at%含有するW合金を15nm成膜したものを使用した。この基板を実施例1と同じめっき液に60秒浸漬し、その後電気銅をアノードにして0.1A/dm2のカソード電流密度で1分間電気めっきを行った。
これにより、膜厚15nmの均一な銅薄膜が得られた。貫通シリコンビア内側壁の表面SEM観察により、銅薄膜は、めっき膜の抜けがなく、緻密で、かつ平滑であることを確認した。また、スコッチテープ剥離テスト(ニチバン製セロテープ(登録商標)CT−18使用)によるめっき膜の剥離がなく、バリア膜と銅めっき膜との密着性が良好であることを確認した。4端針法によるシート抵抗は8.2Ω/□であった。
基材として、実施例1と同じシリコン基板を用い、絶縁膜として酸化シリコンを成膜し、更にスパッタ法によりRuを20at%含有するW合金を10nm成膜したものを使用した。この基板を実施例1と同じめっき液に60秒浸漬し、その後めっき液を下記の酸性硫酸銅浴に交換後、含リン銅をアノードにして0.1A/dm2のカソード電流密度で1分間電気めっきを行った。
酸性硫酸銅浴: 硫酸銅5水和物 160g/L
硫酸 40g/L
塩素 50mg/L
添加剤 微量
25℃
これにより、膜厚12nmの銅薄膜が得られた。しかし、貫通シリコンビア内側壁の表面SEM観察により、得られた銅薄膜には、めっき液入れ替え時に置換めっきで析出した銅薄膜の一部が溶解した影響で、所々めっき膜の抜けが見られた。
Claims (11)
- 基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属(A)との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。
- バリア層を構成する金属(A)が、Ru、Ni、Co、Pd、Pt、Rh、Ir、Mo、Ag、Au、Mn、Nb、Ta、Tiのいずれか1種類以上であることを特徹とする請求項1記載のめっき物。
- バリア層においてタングステンが30原子%以上、95原子%以下であることを特徴とする請求項1または2記載のめっき物。
- バリア層を構成する金属(A)がRuであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のめっき物。
- バリア層を構成する金属(A)がNiであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のめっき物。
- バリア層を構成する金属(A)がCoであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のめっき物。
- 基材上に前記バリア層を形成し、しかる後にめっき液に浸漬して無電解置換銅めっきを行った後、同一のめっき液で電気銅めっきを行うことにより、銅シード層の形成に引き続き銅配線層の形成を行うことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のめっき物の形成方法。
- 前記めっき液が、銅塩、錯化剤を含み、pH9以上であることを特徴とする請求項7記載のめっき物の形成方法。
- 前記めっき液が、銅塩、錯化剤を含み、pH11以上であることを特徴とする請求項7または8に記載のめっき物の形成方法。
- 前記めっき液が、非イオン性の界面活性剤を含むことを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載のめっき物の形成方法。
- 前記銅塩が硫酸銅、錯化剤がEDTAであることを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載のめっき物の形成方法。
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