JP2010272641A - 窒化物半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体装置は、III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体50と、該半導体積層体50における発光端面を覆うように形成された第1コート膜23とを有している。第1コート膜23は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜であり、該結晶性膜は、結晶配向面における傾斜角度と回転角度とが互いに同一である複数のドメインの集合体からなり、単位面積当たりの各ドメインの境界の長さは、7μm−1以下である。
【選択図】図2
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。
12 n型GaN層
13 n型クラッド層
14 n型光ガイド層
15 多重量子井戸活性層
16 p型光ガイド層
17 p型電子ブロック層
18 p型超格子クラッド層
19 p型コンタクト層
20 マスク層
21 P側電極
22 N側電極
23 第1コート膜
23a 光出射領域
24 第2コート膜
25 多層コート膜
50 半導体積層体
51 半導体レーザ装置
50a リッジ導波路
52 ステム
52a 電極端子
52b レーザ保持部
53 キャップ
53a 窓部
54 ガラス板
55 気体
61 レーザバー
62 回折線
Claims (7)
- III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体における前記発光端面を覆うように形成された第1の保護膜とを備え、
前記第1の保護膜は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜であり、
前記結晶性膜は、結晶配向面における傾斜角度と回転角度とが互いに同一である複数のドメインの集合体からなり、
単位面積当たりの前記各ドメインの境界の長さは、7μm−1以下であることを特徴とする窒化物半導体発光装置。 - III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体における前記発光端面を覆うように形成された第1の保護膜とを備え、
前記第1の保護膜は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜であり、
前記結晶性膜は、結晶配向面における傾斜角度と回転角度とが互いに同一である複数のドメインの集合体からなり、
前記複数のドメインのうち前記発光端面の光透過領域と対向するドメインの面積は、前記光透過領域の面積よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体発光装置。 - 前記第1の保護膜は、前記結晶配向面における傾斜角度及び回転角度が共に2°以内である単一のドメインを有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記第1の保護膜は、前記半導体積層体の結晶軸配向と同一の結晶軸配向を持つ結晶構造を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記第1の保護膜は、前記半導体積層体の結晶軸配向と異なる結晶軸配向を持つ結晶構造を有していることを特徴とする請求項1〜3に記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記半導体積層体の結晶構造は六方晶であり、
前記発光端面はM面であり、
前記第1の保護膜はC軸配向していることを特徴とする請求項1〜3及び5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置。 - 前記第1の保護膜を覆うように形成された第2の保護膜をさらに備え、
前記第2の保護膜は、酸素を含む非晶質膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置。
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