JP2010251773A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 少なくとも表面が窒化物半導体で構成される窒化物半導体基板表面に少なくとも１つの凹部から成る掘り込み領域と掘り込まれていない領域である丘部とを備える加工基板を有し、
   前記加工基板が備える前記掘り込み領域及び前記丘部表面の双方に少なくとも１種類以上の窒化物半導体薄膜が積層された窒化物半導体発光素子であって、
   前記掘り込み領域を構成する前記凹部の底面部の両端部双方に、前記凹部の底面部の中央部より深く掘り込まれている底面窪みを有し、
   前記窒化物半導体薄膜は、前記凹部の底面部と側面部の境界部分に窪みが形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
2. 少なくとも表面が窒化物半導体で構成される窒化物半導体基板表面に少なくとも１つの凹部から成る掘り込み領域と掘り込まれていない領域である丘部とを備える加工基板を有し、
   前記加工基板が備える前記掘り込み領域及び前記丘部表面の双方に少なくとも１種類以上の窒化物半導体薄膜が積層された窒化物半導体発光素子であって、
   前記窒化物半導体成長層は、前記丘部の端部に突起部が形成されており、かつ、前記凹部の底面部と側面部の境界部に窪みが形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
3. 前記窒化物半導体薄膜は、ｎ型層と前記ｎ型層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型層とを積層した窒化物半導体成長層からなり、
   前記窒化物半導体成長層に発光領域を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
4. 前記発光領域の中央部と前記掘り込み領域の端部との間隔が、２０μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
5. 隣接する前記掘り込み領域に挟まれた前記丘部の幅が１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
6. 前記凹部の開口幅は、５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
7. 前記凹部の前記底面部の中央部における深さが２μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。