JP2010206008A - 不揮発性半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板100のチャネル領域101上にトンネル絶縁膜110を介して電荷蓄積層130を形成した不揮発性半導体メモリであって、トンネル絶縁膜110中に、第1の導電性微粒子を含む第1の微粒子層121をチャネル側に、第1の導電性微粒子よりも平均粒径が大きい複数の第2の導電性微粒子を含む第2の微粒子層122を電荷蓄積層側に設け、第1の導電性微粒子における電子1個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔE1 を、第2の導電性微粒子の電子1個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔEよりも小さくし、ΔE1 とΔEとの差を熱揺らぎのエネルギー(kBT)よりも大きくした。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる不揮発性半導体メモリの素子構造を示す断面図である。なお、以下では1つのメモリの構成を示すが、このメモリをスイッチング素子等と組み合わせて複数個配置することにより、半導体記憶装置を構成することができる。
図5(a)〜(c)は、本発明の第2の実施形態に係わる不揮発性半導体メモリの素子構造及び製造工程を示す断面図である。
図7(a)〜(c)は、本発明の第3の実施形態に係わる不揮発性半導体メモリの素子構造及び製造工程を示す断面図である。
q/(2πεd)>kBT
つまり
d<dmax=q/(2πεkBT)
を満たすことが望ましい。典型的なトンネル膜がシリコン酸化膜の場合、
dmax=30nm
である。
ΔE−ΔE1 >kBT
つまり、熱揺らぎよりも有意な差で低い
ΔE1 <ΔE−kBT
であることが望ましい。最小粒径をd、バッファの粒径をd1 とすると、
q/(2πεd)―q/(2πεd1 )>kBT
と表現でき、即ちバッファ粒径は、
d1 >d/[1−kBT/{q/(2πεd)}]=d/(1−d/dmax)
であることが望ましい。典型的なトンネル絶縁膜がシリコン酸化膜の場合、dmax=q/(2πεkBT)=30nmより、
d1 >d/{1−d/(30nm)}
であることが望ましい。
ΔE−ΔE1 >kBT
では、厚さToxとして制御可能な最も薄いシリコン酸化膜厚1nm程度の場合を考えたとしても、
(ΔE−ΔE1)/qTox>0.26 [MV/cm]
であるが、書き込み・消去時のトンネル膜にかかる電界はおおよそ10MV/cm程度であるので、十分な効果を得るには十分とは言えない。よって、バッファ層ΔE1 は相対的にもっと低いことが望ましい。電界低減の効果が1MV/cm(=0.1V/nm)以上であれば10%程度以上の効果が見込めてより望ましい。即ち、
ΔE/qTox−ΔE1 /qTox≧0.1 [V/nm]
つまり
ΔE1 ≦ΔE−0.1[eV/nm]×Tox
であることがより望ましい。粒径では
d1 >d/[1−(0.1[eV/nm]×Tox)/{q/(2πεd)}]
であることがより望ましい条件である。Toxは、バッファ層が消去に効果がある最小微結晶層の上側にある場合、Toxはバッファ層の蓄積部側のトンネル膜厚、バッファ層が書き込みに効果がある最小微結晶層の下側にある場合、Toxはバッファ層のチャネル側のトンネル膜厚である。典型的なトンネル絶縁膜がシリコン酸化膜で、厚さToxは高速書き込み・消去の実現のため制御可能な最も薄い膜厚1nmの場合を考えると、
ΔE1 ≦ΔE−0.1 [eV]
粒径では
d1 >d/{1−d/(8.5nm)}
であることがより望ましい。
ΔE/qTox−ΔE1/qTox≧0.2 [V/nm]
つまり
ΔE1 ≦ΔE−0.2[eV/nm]×Tox
であることがより望ましい。粒径では
d1 >d/[1−(0.2[eV/nm]×Tox)/{q/(2πεd)}]
であることがより望ましい条件である。典型的なトンネル絶縁膜がシリコン酸化膜で、厚さToxは高速書き込み・消去の実現のため制御可能な最も薄い膜厚1nmの場合を考えると、
ΔE1 ≦ΔE−0.2 [eV]
粒径では
d1>d/[1−d/4nm]
であることがより望ましい。
ΔE−(ΔE1/Tox1)×Tox2 ≧ΔE1
だとバッファ層から最小微結晶層へのエネルギー障壁ができる可能性があり、逆に、
ΔE−(ΔE1/Tox1)×Tox2 <ΔE1
であればエネルギー障壁はできない。これが、ΔE1 の望ましい下限を与え、
ΔE1 >ΔE/(1+Tox2/Tox1)
が望ましい条件である。クーロンブロッケイドエネルギーから見積もられる典型的な粒径の望ましい上限は、
d1 <(1+Tox2/Tox1)d
となる。
ΔE1 >ΔE/2
粒径では
d1 <2d
が望ましい範囲である。
d1 <(1+Tox2/Tox1)1/2d
となり、これがバッファ層粒径d1 のより望ましい上限を与える。
d1 <21/2d
が望ましい範囲である。さらに、第2の典型的な場合としては、書込消去高速性を維持しながら記憶保持を確保する必要上、Tox2 を厚めにする形態である。書込においてはチャネル側、消去においては電荷蓄積部側の構造がよりに強く影響するため、Tox1 は薄くすることが望ましい。
d1 <2d
が望ましい範囲である。
q/(2Cself)=q/(2πεd)
で与えられる。導電性微粒子の形状が球に近いものでない場合は、その導体形状に応じて決まる自己容量Cselfに対し、
d=Cself/(πε)
により実効的な粒径dを特定することができる。
第1〜3の実施形態においては、a−Si膜を加熱してできるSi微結晶を利用して微粒子層を作製するものであるが、他に自己整合的な形成方法の例もある。
なお、本実施形態では、上側Siナノ微結晶をマスクとした酸化による自己整合的なSiナノ微結晶の堆積構造作成例として、第1の実施形態に対応する書き込み高速化を可能とするものについて述べたが、高速書き込み・消去を可能とする第2の実施形態や、高速消去を可能とする第3の実施形態についても、上側Siナノ微結晶をマスクとした酸化による自己整合的な形成が可能である。
図12の断面図を参照しながら、本発明の第3の実施形態と同様に、低電圧高速消去を維持しながらの記憶保持改善を可能とする不揮発性半導体メモリの第5の実施形態を述べる。
(第6の実施形態)
第1〜5の実施形態では、より粒径の大きい導電性微粒子をバッファとすることで、低いエネルギーバリアがトンネル過程のバッファとなり、高速書き込み又は高速消去を可能にすることを述べたが、「より大きい導電性微粒子バッファ層」を多重構造にすることで、より高速書き込み/消去を可能にできる。
ΔE1 ≦ΔE−0.1[eV/nm]×Tox
d1 >d/[1−(0.1[eV/nm]×Tox)/{q/(2πεd)}]
或いは
ΔE1 ≦ΔE−0.2[eV/nm]×Tox
d1 >d/[1−(0.2[eV/nm]×Tox)/{q/(2πεd)}]
で記述される。ここで、Toxは、消去に効果がある場合は最上層バッファ層と電荷蓄積部の間のトンネル絶縁膜厚、図13のように書き込みに効果がある場合は、最下層バッファ層とチャネル間のトンネル絶縁膜厚である。ΔEとdは、消去に効果がある多重構造の場合は最上層バッファ層の直下、つまり上から2番目のバッファ微粒子層のエネルギーバリアと粒径である。バッファ層が書き込みに効果がある多重構造の場合は最下バッファ層の直上、つまり下から2番目のバッファ微粒子層のエネルギーバリアと粒径である。
ΔE1 >ΔE/(1+Tox2/Tox1)
d1 <(1+Tox2/Tox1)d
で記述され、多重構造が消去に寄与する場合、Tox1 は最上層バッファ層と蓄積部間トンネル膜厚、Tox2 は最上層バッファ層のチャネル側トンネル膜厚である。多重構造が書き込みに寄与する場合、Tox1 は最下層バッファ層とチャネル間トンネル膜厚、Tox2 は最下層バッファ層の蓄積部側トンネル膜厚とすればよい。ΔEとdは、消去に効果がある多重構造の場合は最上バッファ層の直下、つまり上から2番目のバッファ微粒子層のエネルギーバリアと粒径である。バッファ層が書き込みに効果がある多重構造の場合は最下層バッファ層の直上、つまり下から2番目のバッファ微粒子層のエネルギーバリアと粒径である。
ここまでの実施形態では、情報電荷蓄積部として、シリコン窒化膜のようなトラップ層や、n+ ポリSiのような浮遊ゲートを典型例に挙げたが、情報電荷蓄積部もSiナノ微結晶とすることができる。
図16は、本発明の第8の実施形態に係わる不揮発性半導体メモリの素子構造及び製造工程を示す断面図である。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、半導体基板及び導電性微粒子としてSiを用いたが、必ずしもSiに限らず各種の半導体材料を用いることができる。同様に、トンネル絶縁膜、ブロック絶縁膜、電極間絶縁膜、ゲート電極の材料等は、仕様に応じて適宜変更可能である。また、第2,第6の実施形態では、微粒子層の多層構造として3層の例を説明したが、更に多くの層を積層したものであってもよい。さらに、製造方法は実施形態に示した方法に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。
102,202,302,402,502,602,702…ソース/ドレイン拡散層(n+ 層)
110…トンネル絶縁膜
111,211,311,411,511,611,711,811…熱酸化膜(第1のトンネル絶縁膜)
112,212,312,412,512,612,712,812…熱酸化膜(第2のトンネル絶縁膜)
113,213,313,413,513,613,713,813…熱酸化膜(第3のトンネル絶縁膜)
121,221,321,421,521,621,721,821…第1の微粒子層
122,222,322,422,522,622,722,822…第2の微粒子層
126,127,426,526,826,827…a−Si膜
130,230,330,430,630…電荷蓄積層
140,240,340,440,640,740,840…ブロック絶縁膜
150,250,350,450,650,750…ゲート電極
223,623…第3の微粒子層
214,614…熱酸化膜(第4のトンネル絶縁膜)
730,830…Siナノ微結晶層(電荷蓄積層)
Claims (14)
- 半導体基板のチャネル領域上に形成された第1のトンネル絶縁膜と、
前記第1のトンネル絶縁膜上に形成された、クーロンブロッケイド条件を満たす第1の導電性微粒子を含む第1の微粒子層と、
前記第1の微粒子層上に形成された第2のトンネル絶縁膜と、
前記第2のトンネル絶縁膜上に形成された、前記第1の導電性微粒子よりも平均粒径が小さくクーロンブロッケイド条件を満たす第2の導電性微粒子を含む第2の微粒子層と、
前記第2の微粒子層上に少なくとも第3のトンネル絶縁膜を介して形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を具備し、
前記第1の導電性微粒子における電子1個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔE1 の方が、前記第2の導電性微粒子の電子1個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔEよりも小さく、ΔE1 とΔEとの差が熱揺らぎのエネルギー(kBT)よりも大きいことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 前記第3のトンネル絶縁膜は前記第2の微粒子層に接して形成され、前記第3のトンネル絶縁膜上に、クーロンブロッケイド条件を満たす第3の導電性微粒子を含む第3の微粒子層が形成され、前記第3の微粒子層上に第4のトンネル絶縁膜を介して前記電荷蓄積層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記第1の導電性微粒子の平均粒径をd1[nm]、前記第2の導電性微粒子の平均粒径をd[nm]、ボルツマン定数をkB、温度をT、前記各トンネル絶縁膜の誘電率をε、素電荷をqとしたとき、
d1 >d/[1−kBT/{q/(2πεd)}]
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1のトンネル絶縁膜をTox[nm]としたとき、
前記エネルギーの平均値ΔE1 とΔEが
ΔE1 ≦ΔE−0.1×Tox [eV]
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1の導電性微粒子の平均粒径をd1[nm]、前記第2の導電性微粒子の平均粒径をd[nm]、前記各トンネル絶縁膜の誘電率をε、素電荷をq、前記第1のトンネル絶縁膜をTox[nm]としたとき、
d1 >d/[1−(0.1×Tox[eV]/{q/(2πεd)}]
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1のトンネル絶縁膜をTox[nm]としたとき、
前記エネルギーの平均値ΔE1 とΔEが
ΔE1 ≦ΔE−0.2×Tox [eV]
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1の導電性微粒子の平均粒径をd1[nm]、前記第2の導電性微粒子の平均粒径をd[nm]、前記各トンネル絶縁膜の誘電率をε、素電荷をq、前記第1のトンネル絶縁膜をTox[nm]としたとき、
d1 >d/[1−(0.2×Tox[eV]/{q/(2πεd)}]
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記エネルギーの平均値ΔE1 とΔEが、
ΔE1 >ΔE/2
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1の導電性微粒子の平均粒径d1[nm]と前記第2の導電性微粒子の平均粒径d[nm]とが、
d1 <2d
の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 半導体基板のチャネル領域上に第1のトンネル絶縁膜を介して形成された、クーロンブロッケイド条件を満たす第1の導電性微粒子を含む第1の微粒子層と、
前記第1の微粒子層上に第2のトンネル絶縁膜を介して形成された、前記第1の導電性微粒子よりも平均粒径が大きくクーロンブロッケイド条件を満たす第2の導電性微粒子を含む第2の微粒子層と、
前記第2の微粒子層上に第3のトンネル絶縁膜を介して形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を具備し、
前記第1の導電性微粒子の平均粒径d1[nm]と前記第2の導電性微粒子の平均粒径d[nm]とが、d1 <2dの関係を満たし、
前記第2の導電性微粒子における電子1個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔE1 の方が、前記第1の導電性微粒子の電子1個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔEよりも小さく、ΔE1 とΔEとの差が熱揺らぎのエネルギー(kBT)よりも大きいことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1及び第2の導電性微粒子がSiナノ微結晶からなることを特徴とする請求項1又は10記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記第1〜第3のトンネル絶縁膜がシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項1又は10記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記電荷蓄積層は、キャリアをトラップする誘電体又は導電体であることを特徴とする請求項1又は10記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記第1の導電性微粒子及び前記第2の導電性微粒子がそれぞれ、チャネル面上に面密度2.5×1011cm-2以上存在することを特徴とする請求項1又は10記載の不揮発性半導体メモリ。
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