JP2010161281A5 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010161281A5 JP2010161281A5 JP2009003551A JP2009003551A JP2010161281A5 JP 2010161281 A5 JP2010161281 A5 JP 2010161281A5 JP 2009003551 A JP2009003551 A JP 2009003551A JP 2009003551 A JP2009003551 A JP 2009003551A JP 2010161281 A5 JP2010161281 A5 JP 2010161281A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- semiconductor substrate
- insulating film
- film
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (2)
- 第１導電型の半導体基板の主面に形成されたメモリセルを有する半導体装置であって、
前記メモリセルは、第１ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成された選択ゲートと、
前記選択ゲートの一方の側壁に形成され、第２ゲート絶縁膜を介して前記選択ゲートおよび前記半導体基板と絶縁されたメモリゲートと、
前記選択ゲートの近傍の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるソース領域と、
前記メモリゲートの近傍の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるドレイン領域とを有し、
前記第２ゲート絶縁膜は、少なくとも電位障壁膜と、前記電位障壁膜上に積層された電荷保持膜とを含んで構成され、
前記選択ゲートの基板界面は、前記メモリゲートの基板界面よりも下方に位置していることを特徴とする半導体装置。 - 前記メモリセルのデータ書き込みは、前記第２ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記半導体基板側から前記電荷蓄積膜中にホットエレクトロンを注入させることによって行われ、
前記メモリセルのデータ消去は、前記第２ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記半導体基板側から前記電荷蓄積膜中にホットホールを注入させることによって行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009003551A JP5519154B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 半導体装置 |
| US12/683,935 US8044455B2 (en) | 2009-01-09 | 2010-01-07 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009003551A JP5519154B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010161281A JP2010161281A (ja) | 2010-07-22 |
| JP2010161281A5 true JP2010161281A5 (ja) | 2012-02-16 |
| JP5519154B2 JP5519154B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=42396977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009003551A Expired - Fee Related JP5519154B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8044455B2 (ja) |
| JP (1) | JP5519154B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681279B (zh) * | 2012-09-21 | 2016-12-21 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN103779196B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| US10014380B2 (en) | 2012-12-14 | 2018-07-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory first process flow and device |
| US9368606B2 (en) * | 2012-12-14 | 2016-06-14 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory first process flow and device |
| US9368644B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-06-14 | Cypress Semiconductor Corporation | Gate formation memory by planarization |
| CN113506720B (zh) * | 2021-06-21 | 2024-04-26 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种晶圆背面平整度改善的方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046002A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその動作方法 |
| TW546840B (en) * | 2001-07-27 | 2003-08-11 | Hitachi Ltd | Non-volatile semiconductor memory device |
| JP4601287B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2010-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2004303918A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2004363122A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
| KR100690911B1 (ko) * | 2005-07-18 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 2비트 메모리 셀을 포함하는 비휘발성 반도체 집적 회로장치 및 그 제조 방법 |
| JP5142494B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2013-02-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5142501B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-02-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2008059768A1 (fr) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Nec Corporation | Dispositif à semi-conducteur |
-
2009
- 2009-01-09 JP JP2009003551A patent/JP5519154B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-07 US US12/683,935 patent/US8044455B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010282987A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010161281A5 (ja) | 半導体装置 | |
| US8693243B2 (en) | Memory array | |
| JP2010183022A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013533628A5 (ja) | ||
| CN107039451A (zh) | 数据储存装置及其驱动方法 | |
| JP2012028756A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013102133A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012015498A5 (ja) | ||
| JP2009290189A5 (ja) | ||
| TW200717804A (en) | Semiconductor device | |
| JP2007300098A5 (ja) | ||
| JP2010153828A5 (ja) | 半導体装置 | |
| TW200701236A (en) | Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays | |
| JP2011192982A5 (ja) | 半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の駆動方法 | |
| JP2007318112A5 (ja) | ||
| JP2010258431A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012080092A5 (ja) | ||
| JPWO2009104688A1 (ja) | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 | |
| JP2010135778A5 (ja) | 半導体装置 | |
| CN106024791A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN102456694B (zh) | 一种存储器结构 | |
| JP2013008434A5 (ja) | ||
| JP2009302521A5 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| JP2011176163A5 (ja) |