JP2010153274A5 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 減圧された処理室内に処理ガスの誘導結合プラズマを生成することにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
   前記処理室内に設けられ，前記被処理基板を載置する載置台と，
   前記処理室内に前記処理ガスを導入するガス供給部と，
   前記処理室内を排気して減圧する排気部と，
   前記載置台に対向して配置された板状誘電体と，
   前記板状誘電体の上側に配設された高周波アンテナと，
   前記高周波アンテナを上方から覆うように設けられたシールド部材と，
   前記板状誘電体と前記載置台との間に前記誘導結合プラズマを生成するための高周波を前記高周波アンテナに印加する高周波電源と，を備え，
   前記高周波アンテナは，前記板状誘電体の中心軸周りに巻回する平面渦巻きコイル状であって，その両端を開放するとともに，巻き方向長さの中点又はその中点の近傍を接地点とし，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子からなることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記アンテナ素子に対する前記シールド部材の高さを調整するシールド高さ調整機構を設け，このシールド高さ調整機構によって前記アンテナ素子と前記シールド部材との距離を調整可能としたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記板状誘電体に対する前記高周波アンテナの高さを調整するアンテナ高さ調整機構を設け，このアンテナ高さ調整機構によって前記アンテナ素子と前記板状誘電体との距離を調整可能としたことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記高周波アンテナの接地点よりも内側又は外側の部分においてインピーダンスが５０オームとなる位置を，前記高周波電源からの高周波を印加する給電ポイントにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記高周波電源の出力側に設けた高周波パワーメータと，
   前記高周波パワーメータによって検出される高周波電力に応じて，前記シールド高さ調整機構を制御して前記シールド部材の高さを調整して前記アンテナ素子の共振周波数が最適になるように自動的に調整する制御部と，
   を備えたことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
6. 減圧された処理室を備えるプラズマ処理装置において前記処理室内に処理ガスの誘導結合プラズマを生成することにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって，
   前記プラズマ処理装置は，
   前記処理室内に設けられ，前記被処理基板を載置する載置台と，
   前記処理室内に前記処理ガスを導入するガス供給部と，
   前記処理室内を排気して減圧する排気部と，
   前記載置台に対向して配置された板状誘電体と，
   前記板状誘電体の上側に配設され，その板状誘電体の中心軸周りに巻回する平面渦巻きコイル状であって，その両端を開放するとともに，巻き方向長さの中点又はその中点の近傍を接地点とし，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子からなる高周波アンテナと，
   前記高周波アンテナを上方から覆うように設けられたシールド部材と，
   前記板状誘電体と前記載置台との間に前記誘導結合プラズマを生成するための高周波を前記高周波アンテナに印加する高周波電源と，
   前記アンテナ素子に対する前記シールド部材の高さを調整可能なシールド高さ調整機構を設け，前記シールド高さ調整機構と，
   前記高周波電源の出力側に設けた高周波パワーメータと，
   を備え，
   前記シールド部材の高さ調整を行う際に，前記高周波パワーメータによって検出される高周波電力に応じて，前記シールド高さ調整機構を制御して前記シールド部材の高さを調整して前記アンテナ素子の共振周波数が最適になるように自動的に調整した上で，前記被処理基板に対するプラズマ処理を実行することを特徴とするプラズマ処理方法。