CN105463385B - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，包括筒形电极(10)，所述筒形电极(10)在一端设有开口部(11)，且内部被导入工艺气体。筒形电极(10)与施加高频电压的高频电源连接。等离子体处理装置包括旋转台(3)作为搬送部，旋转台(3)使工件(W)通过筒形电极(10)的开口部(11)的正下方。等离子体处理装置还包括磁性构件(17)，所述磁性构件(17)在开口部(11)的附近，形成包含与工件(W)的搬送方向大致平行的磁力线的磁场(B)。本发明能够减少等离子体的泄漏，且使蚀刻速率提高。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及一种等离子体(plasma)处理装置。

背景技术

在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜的情况。薄膜可以通过对工件重复进行形成金属等的膜的成膜、及对所形成的膜重复进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制成。

成膜及膜处理可以利用各种方法而进行，作为其中之一，有使用等离子体的方法。成膜是在真空容器内配置包含要成膜的材料的靶材(target)。向真空容器内导入惰性气体，且对靶材施加直流电压使惰性气体等离子体化而生成离子，并使该离子碰撞靶材。从靶材击出的材料堆积在工件上，由此进行成膜。

膜处理是在真空容器内配置用于使等离子体产生的电极，且将已成膜的工件配置在电极的下方。向真空容器内导入工艺气体(process gas)，且对电极施加高频电压使工艺气体等离子体化而生成离子。在蚀刻的情况下，工艺气体使用氩气等惰性气体。在氧化处理的情况下，工艺气体使用氧气，在氮化处理的情况下，工艺气体使用氮气。通过使所生成的离子碰撞工件上的膜，而进行对膜进行蚀刻、或者生成氧化物或氮化物等膜处理。

存在如下的等离子体处理装置：在一个真空容器的内部配置旋转台(table)，且沿旋转台的上方的周向配置多个成膜用单元(unit)与膜处理用单元，以便能够连续进行这种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1及专利文献2)。将工件保持于旋转台上进行搬送，且使其通过成膜单元与膜处理单元的正下方，由此形成光学膜等。

例如，如专利文献1及专利文献2般的将电极形成为上端封闭的筒状(以下，称为“筒形电极”)的膜处理单元中，将工艺气体导入至筒形电极的内部，由此，等离子体产生于筒形电极的内部。将筒形电极的开口部以与旋转台的面隔开狭小的间隙(clearance)而相向的方式配置，且构成为工件在狭小的间隙处通过开口部的下方。由此，能够一面减少等离子体的外部流出一面进行膜处理。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2002-256428号公报

[专利文献2]日本专利特公昭57-27183号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在膜处理单元中，为了使蚀刻速率或化合物生成速率提高，需要使对电极施加的电压增加，或者使导入的工艺气体的压力增加。然而，如果电压或气压增加，则有如下可能性：产生于筒形电极内部的等离子体向外部扩散，自偏压(self-bias voltage)反转，而使膜处理不成立。

本发明为了解决所述课题，目的在于抑制筒形电极的内部的放电向外部泄漏，使等离子体处理装置的处理稳定化且使处理速度提高。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明的等离子体处理装置包括：筒形电极，在一端设有开口部，且内部被导入工艺气体；电源，对所述筒形电极施加电压；搬送部，对工件在所述开口部的正下方进行搬入及搬出；以及磁性构件，在所述开口部的附近，形成包含与所述工件的搬送方向平行的磁力线的磁场。

[发明的效果]

通过利用磁性构件在筒形电极的开口部的附近形成磁场，筒形电极的内部的等离子体的电子被磁场捕捉，从而即便在高电压及高气压的条件下，筒形电极的内部的放电也不易泄漏至外部。由此，能够抑制自偏压的反转，而稳定地进行膜处理。而且，通过磁场包含与工件的搬送方向平行的磁力线，而在筒形电极的内部形成磁场的隧道(tunnel)，等离子体被该隧道引导而均等地扩散，所以离子遍布工件整体。因此，能够使等离子体处理装置的蚀刻速率及化合物生成速率提高，且能够提高可靠性。

附图说明

图1是示意性表示本发明的第一实施方式的等离子体处理装置的构成的平面图。

图2是图1的A-A剖面图。

图3是图1的B-B剖面图。

图4(a)是将图3简化且示意性地表示筒形电极内产生的等离子体与利用磁性构件而形成的磁场的图。图4(b)是膜处理单元的经简化的平面图，且是示意性地表示筒形电极内产生的等离子体与利用磁性构件而形成的磁场的图。

图5是表示本发明的第一实施方式的变形例的膜处理单元的经简化的平面图。

图6是本发明的第二实施方式的等离子体处理装置的概略构成图。

图7(a)是将图6简化且示意性地表示筒形电极内产生的等离子体与利用磁性构件而形成的磁场的图。图7(b)是膜处理单元的经简化的平面图，且是示意性地表示筒形电极内产生的等离子体与利用磁性构件而形成的磁场的图。

图8是表示本发明的其他实施方式的膜处理单元的构成的剖面图。

附图标记：

1：腔室

2：排气部

3：旋转台

3a：保持部

4a、4b、4c、4d、4f、4g：处理单元(成膜单元)

4e：处理单元(膜处理单元)

5：装载锁定部

6：靶材

7：DC电源

8：溅射气体导入部

9：隔离壁

10：筒形电极

11：开口部

12：外部护罩

13：内部护罩

14：凸缘

15：RF电源

16：工艺气体导入部

17：磁性构件

17a：第一磁铁

17b：第二磁铁

18：支撑台

20：控制部

21：绝缘材料

B：磁场

P：搬送路径

r：半径方向

W：工件

具体实施方式

[第一实施方式]

[构成]

参照附图对本发明的实施方式进行具体说明。

如图1及图2所示，等离子体处理装置具有大致圆筒型的腔室(chamber)1。在腔室1设有排气部2，能够将腔室1的内部排气成真空。在腔室1的内部配置有大致圆形的旋转台3。旋转台3的中心轴与未图示的驱动机构连结。旋转台3通过驱动机构的驱动而以中心轴为旋转轴进行旋转。在旋转台3的上表面，设有多个保持工件W的保持部3a。多个保持部3a沿旋转台3的周向以等间隔设置。通过旋转台3的旋转，而使由保持部3a保持的工件W沿旋转台3的周向移动。换言之，在旋转台3的面上，形成有工件的圆形的移动轨迹即搬送路径(以下，称为“搬送路径P”)。

以后，当仅称为“周向”时表示“旋转台3的周向”，当仅称为“半径方向”时表示“旋转台3的半径方向”。而且，本实施方式中，作为工件W的示例，使用平板状的基板，但进行等离子体处理的工件W的种类并不限定于特定者。例如，也可以使用中心具有凹部或凸部的弯曲的基板。

在旋转台3上方，设有等离子体处理装置中的进行各步骤的处理的单元(以下，称为“处理单元”)。各处理单元沿形成于旋转台3的面上的工件的搬送路径P，以彼此隔开规定的间隔而相邻的方式配置。使由保持部3a保持的工件W通过各处理单元的下方，由此进行各步骤的处理。

图1的例中，沿旋转台3上的搬送路径P配置有七个处理单元4a～处理单元4g。本实施方式中，处理单元4a、处理单元4b、处理单元4c、处理单元4d、处理单元4f、处理单元4g是对工件W进行成膜处理的成膜单元。处理单元4e是对利用成膜单元而形成于工件W上的膜进行处理的膜处理单元。本实施方式中，将成膜单元作为进行溅射(sputtering)的单元来说明。另外，将膜处理单元作为进行蚀刻的单元来说明。在处理单元4a与处理单元4g之间设有装载锁定(load-lock)部5，该装载锁定部5自外部将未处理的工件W搬入腔室1的内部，且将处理完的工件W搬出至腔室1的外部。另外，本实施方式中，将工件W的搬送方向设为沿图1的顺时针方向从处理单元4a的位置朝向处理单元4g的方向。当然这是一例，搬送方向、处理单元的种类、以及顺序及数量并不限定于特定者，可以适当决定。

将作为成膜单元的处理单元4a的构成例示于图2。其他成膜单元4b、成膜单元4c、成膜单元4d、成膜单元4f、成膜单元4g也可以与成膜单元4a同样地构成，但也可以应用其他构成。如图2所示，成膜单元4a具备靶材6，该靶材6作为溅射源而安装于腔室1的内部的上表面。靶材6是包含要堆积于工件W上的材料的板状的构件。靶材6设置于当工件W通过成膜单元4a的下方时与工件W相向的位置。靶材6与对靶材6施加直流电压的直流(DirectCurrent，DC)电源7连接。而且，在腔室1的内部的上表面的安装有靶材6的部位的附近，设置有将溅射气体导入腔室1的内部的溅射气体导入部8。溅射气体可以使用例如氩气等惰性气体。在靶材6的周围，设置有用于减少等离子体的流出的隔离壁9。另外，电源可以应用DC脉冲电源、射频(Radio Frequency，RF)电源等众所周知的电源。

将膜处理单元4e的构成例示于图2～图4(a)、图4(b)。图2是图1的A-A剖面图。图3是图1的B-B剖面图。图4(a)是将图3的一部分简化的示意图，且表示膜处理单元4e的作用。图4(b)是将膜处理单元4e简化的平面图，且表示膜处理单元4e的作用。

膜处理单元4e具备设置于腔室1的内部的上表面且形成为筒状的电极(以下，称为“筒形电极”)10。筒形电极10为方筒状，在一端具有开口部11，另一端被封闭。筒形电极10贯通设于腔室1的上表面的贯通孔，以开口部11侧的端部位于腔室1的内部，封闭的端部位于腔室1的外部的方式配置。筒形电极10经由绝缘材料21而支撑于腔室1的贯通孔的周缘。筒形电极10的开口部11配置于与形成于旋转台3上的搬送路径P相向的位置。即，旋转台3作为搬送部来搬送工件W并使其通过开口部11的正下方。而且，开口部11的正下方的位置成为工件W的通过位置。

如图4(b)所示，筒形电极10从上方来看为扇形，该扇形的直径从旋转台3的半径方向r上的中心侧朝向外侧扩大。筒形电极10的开口部11也同样为扇形。保持于旋转台3上的工件W通过开口部11的下方的速度在旋转台3的半径方向r上越朝向中心侧越慢，越朝向外侧越快。因此，如果开口部11为简单的长方形或正方形，则在半径方向上的中心侧与外侧，工件W通过开口部11的正下方的时间产生差异。使开口部11的直径从半径方向r上的中心侧朝向外侧扩大，由此能够使工件W通过开口部11的时间成为固定，从而能够使后述的等离子体处理均等地进行。但是，只要通过的时间差为在制品方面不会成为问题的程度，则也可以是长方形或正方形。

如上所述，筒形电极10贯通腔室1的贯通孔，一部分露出至腔室1的外部。如图3所示，该筒型电极10中的露出至腔室1的外部的部分被外部护罩(shield)12覆盖。利用外部护罩12将腔室1的内部的空间保持为气密。筒形电极10的位于腔室1的内部的部分的周围被内部护罩13覆盖。内部护罩13是与筒形电极10同轴的方筒状，且支撑于腔室1的内部的上表面。内部护罩13的筒的各侧面与筒形电极10的各侧面大致平行地设置。内部护罩13的下端在高度方向上与筒形电极10的开口部11为相同位置，且在内部护罩13的下端，设有与旋转台3的上表面平行地延伸的凸缘(flange)14。通过该凸缘14，抑制筒形电极10的内部产生的等离子体流出至内部护罩13的外部。由旋转台3搬送的工件W通过旋转台3与凸缘14之间的间隙而搬入筒形电极10的开口部的正下方，再次通过旋转台3与凸缘14之间的间隙而从筒形电极10的开口部的正下方搬出。

筒形电极10与用于施加高频电压的RF电源15连接。在RF电源15的输出侧串联连接有匹配箱(matching box)(未图示)。RF电源也连接于腔室1，筒形电极10为阴极(cathode)，腔室1为阳极(anode)。另外，腔室1及旋转台3接地。具有凸缘14的内部护罩13也接地。

另外，筒形电极10与工艺气体导入部16连接，经由工艺气体导入部16从外部的工艺气体供给源向筒形电极10的内部导入工艺气体。工艺气体可以根据膜处理的目的而适当变更。例如，当进行蚀刻时，可以使用氩气等惰性气体作为蚀刻气体。当进行氧化处理时，可以使用氧气。当进行氮化处理时，可以使用氮气。RF电源15及工艺气体导入部16均经由设于外部护罩12的贯通孔而连接于筒形电极10。

此外，在旋转台3的下方，设置有磁性构件17。磁性构件17载置于安装在腔室1的底面的支撑台18上，且配置于隔着旋转台3而与筒形电极10的开口部11相向的位置。如图4(a)、图4(b)所示，磁性构件17可以由包含第一磁铁17a与第二磁铁17b的一对棒状的永久磁铁构成。第一磁铁17a与第二磁铁17b是隔开规定的间隔而以彼此不同的极性的部分相向的方式配置。所谓“以彼此不同的极性的部分相向的方式配置”，是指以第一磁铁17a的N极侧与第二磁铁17b的S极侧相向的方式，且以第一磁铁17a的S极侧与第二磁铁17b的N极侧相向的方式配置。而且，第一磁铁17a与第二磁铁17b分别以与旋转台3的旋转方向正交的方式配置。

通过将第一磁铁17a与第二磁铁17b隔开规定的间隔而以使不同的极性的部分相向的方式配置，在第一磁铁17a与第二磁铁17b之间产生磁场B。如图4(a)所示，该磁场B包含如下的磁力线，该磁力线沿上下通过旋转台3而形成为从第一磁铁17a朝向第二磁铁17b的圆弧形状。此外，该磁场B在筒形电极10的开口部11的附近，包含与旋转台3平行或大致平行的磁力线。如图4(b)所示，将第一磁铁17a与第二磁铁17b以与旋转台3的旋转方向正交的方式配置，因此，磁场B与形成于旋转台3的工件W的搬送方向平行。第一磁铁17a与第二磁铁17b的间隔可以考虑磁铁的磁力，以形成于两个磁铁之间的磁场能获得足以捕捉后述的等离子体的电子的磁力的方式适当决定。图4(b)中，使第一磁铁17a与第二磁铁17b隔开相当于开口部11的周向宽度的间隔而相向，但也可以如图5的变形例所示，设置比开口部11的周向宽度更窄的间隔而相向。即便使用廉价且磁力弱的磁铁，通过使彼此的距离靠近，也易于捕捉等离子体的电子。

另外，第一磁铁17a与第二磁铁17b的磁力、配置间隔、与旋转台3的隔开距离优选在工件W上的磁通密度成为200高斯(Gauss)以上的条件下进行设定。

等离子体处理装置还具备控制部20。控制部20包含可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)或中央处理器(Central Processing Unit，CPU)等运算处理装置。控制部20进行关于溅射气体及工艺气体向腔室1内的导入及排气的控制、DC电源7及RF电源15的控制、以及旋转台3的旋转速度的控制等控制。

[作用]

对本实施方式的等离子体处理装置的作用进行说明。从装载锁定室将未处理的工件W搬入腔室1内。搬入的工件W由旋转台3的保持部3a保持。腔室1的内部利用排气部2排气而成为所需的真空状态。对旋转台3进行驱动，由此沿搬送路径P搬送工件W使其通过各处理单元4a～处理单元4g的下方。

成膜单元4a中，从溅射气体导入部8导入溅射气体，且从DC电源7对溅射源施加直流电压。通过直流电压的施加使溅射气体等离子体化，而产生离子。如果产生的离子碰撞靶材6，则靶材6的材料飞出。飞出的材料堆积于通过成膜单元4a的下方的工件W上，由此，在工件W上形成薄膜。其他成膜单元4b、成膜单元4c、成膜单元4d、成膜单元4f、成膜单元4g也以同样的方法进行成膜。但是，不一定需要利用所有成膜单元进行成膜。

利用成膜单元4a～成膜单元4d进行成膜后的工件W继续在搬送路径P上由旋转台3搬送，在膜处理单元4e中，通过筒形电极10的开口部11的正下方的位置，即膜处理位置。如上所述，本实施方式中，对在膜处理单元4e中进行蚀刻的示例进行说明。膜处理单元4e中，从工艺气体导入部16向筒形电极10内导入蚀刻气体，且从RF电源15对筒形电极10施加高频电压。通过高频电压的施加使蚀刻气体等离子体化，而产生离子。产生的离子碰撞通过筒形电极10的开口部11的下方的工件W上的薄膜，由此，对薄膜进行蚀刻。另外，筒形电极10的内部的等离子体在旋转台3的半径方向r上扩散。

如图3所示，在开口部11的正下方，以与旋转方向正交的方式配置有第一磁铁17a及第二磁铁17b。在第一磁铁17a与第二磁铁17b之间产生磁场B。该磁场B包含如下的磁力线，该磁力线从第一磁铁17a产生，通过旋转台3及工件W而到达工件W上方的开口部11的附近，再次通过工件W及旋转台3而到达第二磁铁17b。换言之，磁场B包含以跨越工件的方式形成的磁力线。通过如上所述般在开口部11的附近，换言之在开口部11与工件之间形成磁场，筒形电极10的内部的等离子体被磁场B捕捉，从而工件W附近的等离子体密度变高。离子变得容易碰撞保持于旋转台3上的工件W的膜。此外，磁场B包含与工件W的搬送方向平行的磁力线。因为该磁力线在筒形电极10的内部沿半径方向r扩散，所以形成半径方向的磁场的隧道。等离子体被该磁场的隧道捕捉，由此，等离子体容易沿半径方向r扩散，从而离子碰撞通过开口部11的正下方的工件W的整体。

利用膜处理单元4e进行膜处理后的工件W继而在成膜单元4f、成膜单元4g中进行成膜，而形成薄膜。这种处理通过旋转台3的旋转而重复进行，将形成有所需薄膜的工件W从装载锁定部5搬出至腔室1外。

[效果]

如上所述，本实施方式的等离子体处理装置具备筒形电极10，该筒形电极10在一端设有开口部11，且内部被导入工艺气体。筒形电极10与施加电压的RF电源15连接。等离子体处理装置具备旋转台3作为搬送部，旋转台3搬送工件W使其通过筒形电极10的开口部11的正下方。等离子体处理装置还具备磁性构件17，该磁性构件17在开口部11的附近，形成包含与工件W大致平行的磁力线的磁场B。

形成于开口部11的附近的磁场B捕捉产生于筒形电极10的内部的等离子体的电子，因此，产生等离子体的封闭效应，能够减少向筒形电极10外泄漏的等离子体。由此，能够抑制自偏压的反转，而稳定地进行膜处理。另外，在保持于旋转台3的工件W的附近，等离子体密度变高，因此，等离子体容易碰撞工件W上的膜，能够使蚀刻速率提高。此外，磁场B包含与工件W的搬送方向平行的磁力线。由此，在筒形电极10的内部的半径方向r上形成磁场的隧道。等离子体被该隧道捕捉，由此，由该隧道引导而沿半径方向r扩散，因此能够使离子碰撞工件W的整体。结果为，能够使等离子体处理装置的蚀刻速率或化合物生成速率提高，且能够使蚀刻精度提高。不仅是蚀刻，而且在进行氧化处理或氮化处理的情况下，也可以获得同样的效果。

磁性构件17是以彼此的极性不同的部分相向的方式配置的一对磁铁即第一磁铁17a与第二磁铁17b。第一磁铁17a与第二磁铁17b设置于开口部11的正下方且在工件W的通过位置的下方。磁场B以跨越通过膜处理位置的工件W的方式形成。通过如上所述般形成磁场B，等离子体密集于开口部11的周向中部附近，而能够抑制等离子体的扩散。而且，磁场B包含与工件W大致平行的磁力线，该磁力线形成于靠近工件的位置，因此，能够在工件W的附近获得高等离子体密度。

磁性构件17具体而言设置于旋转台3的下方。例如，当在现有的等离子体处理装置中组入磁性构件17时，无需对膜处理单元4e的构成施加变更，从而易于安装。

[第二实施方式]

接下来，参照图6及图7(a)、图7(b)对第二实施方式进行说明。另外，对于与第一实施方式的构成要素相同的构成要素，附上相同的符号并省略详细的说明。

第二实施方式中，如图6所示，将磁性构件17设置于筒形电极10的侧面的附近。具体而言，将磁性构件17安装于覆盖筒形电极10的内部护罩13的侧面。更具体而言，第一磁铁17a及第二磁铁17b与内部护罩13的在搬送方向上相向的侧面接触，且以支撑于腔室1的内部的上表面及内部护罩13的凸缘14的方式安装。

由此，第一磁铁17a及第二磁铁17b在筒形电极10的开口部11的附近，成为隔开相当于开口部11的宽度的间隔而相向的状态。而且，第一磁铁17a及第二磁铁17b以与旋转台3的旋转方向正交的方式配置。第一磁铁17a及第二磁铁17b与第一实施方式同样地，以彼此不同的极性的部分相向的方式配置。

如图7(a)、图7(b)所示，在安装于内部护罩13的侧面的第一磁铁17a与第二磁铁17b之间产生磁场B。磁场B在筒形电极10的开口部11的附近包含与旋转台3大致平行的磁力线。因为将第一磁铁17a与第二磁铁17b以与旋转台3的旋转方向正交的方式配置，所以磁场B与形成于旋转台3的工件W的搬送方向平行。

与第一实施方式同样地，该磁力线捕捉产生于筒形电极10的内部的等离子体中的电子，因此，产生封闭效应，能够减少向筒形电极10外泄漏的等离子体。由此，能够抑制自偏压的反转，而稳定地进行膜处理。而且，旋转台3附近的等离子体密度变高，因此，能够使蚀刻速率提高。

[其他实施方式]

本发明并不限定于所述实施方式。例如，所述实施方式中，关于膜处理是进行蚀刻，但也可以进行氧化处理或氮化处理。在氧化处理的情况下，可向膜处理单元4e导入氧气，在氮化处理的情况下，可向膜处理单元4e导入氮气。

所述实施方式中，使用旋转台3作为等离子体处理装置的搬送部，但并不限于此。只要是搬送工件W且能够依次向处理单元进行搬送者，便可以用作搬送部。例如，也可以利用旋转圆筒(drum)构成搬送部，将各处理单元配置于圆筒的周向。

所述实施方式中，在膜处理单元4e中，将筒形电极10以贯通腔室1的上表面的方式设置，且利用外部护罩12及内部护罩13覆盖筒形电极10的周围，但并不限于此。例如，也可以如图8所示，将筒形电极10经由绝缘材料21而载置于腔室1的上表面，且将筒形电极10的开口部11与腔室1的贯通孔连接。在该构造中，因为筒形电极10将腔室1的内部密封，所以能够省略外部护罩12。而且，腔室1的内部的上表面发挥与内部护罩13的凸缘14相同的作用，因此，也能够省略内部护罩13。虽然电子会碰撞从筒形电极10的开口部11向外部泄漏的工艺气体而进行电离，但因为使该电子在开口部11的附近向地面(ground)流动，所以结果为电离效应薄弱，因此，能够抑制等离子体的扩散。但是，如果开口部11与工件W的间隔宽，则在与腔室1的壁面远离的部位会引起电离，导致等离子体扩散，因此，优选使旋转台3与腔室1的上表面的距离短，而抑制等离子体向筒形电极10外部泄漏扩散。

另外，收容搬送部及各处理单元的腔室1的形状或处理单元的种类及配置形态也并不限于特定者，可以根据工件W的种类或设置环境而适当变更。

所述实施方式中，使用一对棒磁铁作为磁性构件17，但并不限于此。只要能够形成包含与旋转台3平行的磁力线的磁场B，则可以使用其他形状的磁性构件。而且，也可以代替永久磁铁而使用在铁芯的周围卷绕有线圈(coil)的电磁铁等。

Claims (4)

1.一种等离子体处理装置，通过等离子体对于工件施加处理，其特征在于包括：

筒形电极，在一端设有开口部，且内部被导入工艺气体；

电源，对所述筒形电极施加电压；

搬送部，搬送所述工件使其通过所述开口部的正下方；以及

磁性构件，在所述开口部的附近，形成包含与所述工件的搬送方向平行的磁力线的磁场，

所述磁场形成在：由所述搬送部搬送的所述工件通过所述筒形电极的所述开口部的正下方的位置。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述磁性构件是一对磁铁，设于所述开口部的正下方的所述工件的通过位置的下方，且彼此的极性不同的部分相向，在所述一对磁铁之间形成磁场，所述磁场包含跨越通过所述通过位置的所述工件的磁力线。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述搬送部是在上表面保持所述工件并被旋转驱动的旋转台，

所述磁性构件设于所述旋转台的下方，且产生与旋转台的旋转方向平行的磁力线。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述磁性构件是一对磁铁，配置于所述筒形电极的侧面的附近，且彼此的极性不同的部分相向。