JPH1041284A

JPH1041284A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH1041284A
Application number: JP8215172A
Authority: JP
Inventors: Jiyunichi Arami; 淳一荒見; Tomomi Kondo; 智美近藤; Hiroo Ono; 博夫小野; Koji Miyata; 浩二宮田
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd; Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd; Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-07-26
Filing date: 1996-07-26
Publication date: 1998-02-13
Anticipated expiration: 2016-07-26
Also published as: JP3281545B2

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の異方性セグメント磁石で構成したダイ
ポールリング磁石を備えた装置の磁場漏れを遠近に渡っ
て防止する。【解決手段】処理容器３の外周に配置するダイポール
リング磁石４１の外周に磁性体からなるシールドリング
４５を配置する。シールドリング４５の外周に、カウン
ター磁石６１を設ける。近接した場所への磁場漏れはシ
ールドリング４５によって防止され、遠方へと漏洩する
磁場は、カウンター磁石６１によって形成される磁場で
キャンセルされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て、エッチング処理を始めとする各種のプラズマ処理を
施すためのプラズマ処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から半導体製造プロセスにおいて
は、エッチング処理を始めとして、スパッタリング処理
やＣＶＤ処理などの処理に際し、処理容器内に処理ガス
を導入すると共にこの処理ガスをプラズマ化して、該プ
ラズマ雰囲気で、被処理基板、例えば半導体ウエハ（以
下、「ウエハ」という）の表面に所定の処理を行うよう
に構成されたプラズマ処理装置が用いられているが、今
日ではデバイスの集積度が益々高くなり、またウエハも
大口径化していることから、これらのプラズマ処理装置
においては、微細な処理を高速かつ均一に実施できるこ
とがとりわけ重視されている。

【０００３】例えばエッチング装置を例にとれば、高密
度のプラズマを処理容器内に発生させて、微細な処理を
可能としつつエッチングレートを向上させ、しかもウエ
ハ面内でのエッチングレートの均一性が良好であること
が望まれる。

【０００４】この点に関し、例えば特開平６−５３１７
７号公報においては、複数の異方性セグメント磁石を処
理容器の外周に環状に配置して構成されるダイポールリ
ング磁石（Dipole Ring Magnet）を備えたプラズマ生成
装置が開示されている。この装置は、磁場の均一性を向
上させて従来のマグネトロンプラズマを利用した装置よ
りも均一なプラズマ密度を実現しようとするものであ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで今日では、量
産性を向上させるため、複数の処理容器を近接配置し
た、いわゆるマルチチャンバタイプの半導体デバイス製
造システムが用いられることがある。かかるシステムに
おいて、例えば前記したマグネトロンプラズマを利用し
たプラズマ装置を相互に近接させると、各装置からの漏
洩した磁場が影響し、所定の均一な磁場が得られないお
それがある。

【０００６】磁場の漏洩を防止するために、例えば周囲
に磁気シールドを施すために磁性体を配置することが考
えられるが、発明者らによれば、前記した構成のダイポ
ールリング磁石を備えたプラズマ生成装置においては、
そのような磁性体をダイポールリング磁石の周囲に配置
した場合、確かにチャンバに極めて近い場所では磁場漏
れが抑えられるが、例えばウエハ中心から４ｍ〜６ｍの
距離では、逆に漏れ磁場強度が大きくなることが判明し
た。これは、遠方からみると、結果的に磁性体自身が１
つの磁場発生手段となるからだと考えられる。これで
は、周辺電子機器に影響を与えたり、マルチチャンバタ
イプの半導体デバイス製造システムを構築するにあた
り、設計上大きな制限を受ける。しかもウエハの径が大
きくなると、よりいっそう漏れ磁場強度が大きくなると
考えられ、好ましくない。

【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記した複数の異方性セグメント磁石を処理容器
の外周に環状に配置したダイポールリング磁石を備えた
プラズマ処理装置において、当該装置の近接した場所及
び前記した４ｍ〜６ｍの相対的に遠い箇所でも漏れ磁場
がないようにして、周辺機器への磁気影響を防止すると
共に、マルチチャンバタイプの半導体デバイス製造シス
テムを構築にするにあたり、設計の自由度及び磁場強度
の均一性を向上させることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、処理容器内に処理ガスを導入す
ると共に、この処理ガスをプラズマ化して処理容器内の
被処理基板に対して所定の処理を行う装置であって、複
数の異方性セグメント磁石を処理容器の外周に環状に配
置したダイポールリング磁石を備えたプラズマ処理装置
において、前記ダイポールリング磁石の側面に磁性体を
配置すると共に、この磁性体にさらに磁場漏洩防止用の
磁界発生手段を設けたことを特徴とする。

【０００９】発明者らの知見によれば、前記したダイポ
ールリング磁石を備えたプラズマ処理装置においては、
ダイポールリング磁石が静止している状態において、処
理容器内に形成される磁場ベクトルの平面からみた方向
（Ｘ方向）と、磁場強度の勾配が形成される方向（Ｙ方
向）とは直交している。このような特性を鑑みれば、前
記漏れ磁場をキャンセルさせる磁界発生手段は、前記磁
気ベクトルの方向に設けることが好ましい。

【００１０】具体的には、例えば磁場ベクトルが形成さ
れる方向（Ｘ方向）の外周にそれぞれ、磁界発生手段、
例えば当該方向に着磁されている磁石を設ければ、前記
漏れ磁場を好適にキャンセルすることができる。この磁
石は、単体のものでもよく、また適宜数を分散させても
よい。また保有する磁場の強さや配置エリアは、ダイポ
ールリング磁石が形成する磁場特性に応じて設定すれば
よい。形態については、板状、円弧状など適宜の形態の
ものが採用できる。

【００１１】なお請求項２のように、磁性体をダイポー
ルリング磁石と同期して処理容器の外周まわりに回転自
在とすれば、磁界発生手段を磁性体の一部に設けても、
全周に渡って磁場漏洩を防止することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明をエッチング装置に
適用した実施の形態について説明すると、図１は本実施
の形態にかかるエッチング装置１の断面を模式的に示し
ており、このエッチング装置１における処理室２は、酸
化アルマイト処理されたアルミニウムなどからなる円筒
形状の処理容器３内に形成され、この処理室２は気密に
閉塞自在に構成されている。また処理容器３自体は、例
えば接地線４に接続されるなどして接地されている。

【００１３】処理室２内の底部にはセラミックなどの絶
縁支持板５が設けられており、この絶縁支持板５の上部
に、被処理体例えば直径１２インチの半導体ウエハ（以
下、「ウエハ」という）Ｗを載置するための略円柱状の
サセプタ６が収容されている。このサセプタ６は、例え
ば酸化アルマイト処理されたアルミニウムからなってお
り、下部電極を構成する。

【００１４】サセプタ６は、上下動自在な支持体７によ
って支持されており、処理容器３外に設置されているモ
ータなどの駆動源８の作動により、図中の往復矢印に示
したように、上下動自在である。なお図１は、エッチン
グ時の位置を示しており、駆動源８によってサセプタ６
は、処理容器の側部下方に設けられている搬入出用のゲ
ートバルブ９まで下降自在である。また支持体７の外周
には、気密性を確保するためのベローズ１０が配置され
ている。

【００１５】サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保持す
るための静電チャック（図示せず）が設けられており、
ウエハＷはこの静電チャック上の所定位置に載置される
ようになっている。またサセプタ６の上面外周縁には、
導電性を有する環状のフォーカスリング１１が設けられ
ている。このフォーカスリング１１は、ウエハＷ周辺の
プラズマ密度の均一性を改善する機能を有している。

【００１６】処理容器３の底部には、例えばターボ分子
ポンプなどの真空引き手段１２に通ずる排気管１３が設
けられており、真空引き手段１２の作動によって、処理
容器３内は所定の減圧度、例えば１０ｍＴｏｒｒにま
で、真空引きすることが可能である。なおこのような処
理容器３内の排気、並びに真空引き手段１２の作動によ
る処理容器３内の減圧度の維持は、処理容器３に設けた
圧力センサ（図示せず）からの検出信号に基づいて自動
的に制御されるようになっている。

【００１７】前記処理室２の上部には、例えばアルミナ
からなる絶縁材２１を介して、上部電極２２が設けられ
ている。この上部電極２２は、導電性の材質、例えば酸
化アルマイト処理されたアルミニウムで構成されている
が、少なくとも前記ウエハＷに対向する面２２ａは、高
周波に対して導電性を有する他の材質、例えば単結晶シ
リコンで形成してもよい。またこの上部電極２２は、そ
の内部に中空部２２ｂを有する中空構造であり、さらに
上部電極２２の上部中央にはガス導入口２３が形成さ
れ、このガス導入口２３は前記中空部２２ｂと通じてい
る。そしてウエハＷに対向する面２２ａには、ウエハＷ
の被処理面全面に均一に処理ガスを供給するため、多数
の吐出口２２ｃが形成されている。

【００１８】前記ガス導入口２３には、ガス導入管２４
が接続され、さらにこのガス導入管２４には、バルブ２
５、流量調節のためのマスフローコントローラ２６を介
して、処理ガス供給源２７が接続されている。本実施の
形態では、処理ガス供給源２７から所定の処理ガス、例
えばＣＦ₄ガスやＣ₄Ｆ₈ガスなどのＣＦ系のエッチング
ガス等が供給されるようになっており、このエッチング
ガスは、マスフローコントローラ２６で流量が調節され
て、前記上部電極２２の吐出口２２ｃから、ウエハＷに
対して均一に吐出される構成となっている。

【００１９】次にこのエッチング装置１の高周波電力の
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ６に対しては、周波数が数百ｋＨｚ程度、例えば８０
０ｋＨｚの高周波電力を出力する第１の高周波電源３１
からの電力が、ブロッキングコンデンサなどを有する整
合器３２を介して供給される構成となっている。一方上
部電極２２に対しては、整合器３３を介して、周波数が
前記第１の高周波電源３１よりも高い１ＭＨｚ以上の周
波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出力する
第２の高周波電源３４からの電力が供給される構成とな
っている。

【００２０】そして前記処理容器３の外周には、磁場発
生手段として、いわゆるダイポールリング磁石４１が配
置されている。このダイポールリング磁石４１は、円環
状の回転ステージ４２の上に、図２にも示したように、
円環状に配列された３６個の円柱形のセグメント磁石Ｍ
1〜Ｍ36を有している。これら各セグメント磁石Ｍ1〜Ｍ
36は、同形同大であるが、回転ステージ４２に配置され
るときは、後述のようにその着磁方向が異なった方向に
向くように配置されている。そして前記回転ステージ４
２自体は、図１に示したように、モータなどの駆動手段
４３及びギヤなどの伝達機構４４によって、処理容器３
の外周を同心円状に回転するように構成されている。な
お回転する方向は、図１中の回転矢印Ｒで示した。また
回転ステージ４２上には、さらに前記ダイポールリング
磁石４１の外周を囲むように、円環状の磁性体からなる
シールドリング４５が設けられており、ダイポールリン
グ磁石４１と共に同期して回転する。

【００２１】前記したように各セグメント磁石Ｍ1〜Ｍ3
6は同形同大であるから、例えばセグメント磁石Ｍ1につ
いて説明すると、このセグメント磁石Ｍ1は、全体とし
て円柱形であり、例えば磁化させて磁石とするための同
形同大の円柱形の磁性材料５１、５２の間に、例えば同
径の、例えばアルミニウム材からなる非磁性体５２を挟
み込んだ構造を有している。そしてこのように構成され
た素材を磁化して、例えば図３の矢印に示したような方
向で磁性材料５１、５２を着磁させることによってセグ
メント磁石Ｍ1は構成されている（矢印の先がＮ極を示
している）。なお磁石材料５１、５２の着磁方向は全く
同一である。

【００２２】他のセグメント磁石Ｍ2〜Ｍ36は、このセ
グメント磁石Ｍ1と全く同一構成である。そしてこの３
６個の同一の着磁方向を持ったセグメント磁石を、回転
ステージ４２上に配置するにあたり、図４に示したよう
に、回転ステージ４２上を１８０゜ずれると（半周する
と）、セグメント磁石の着磁方向が元の方向に戻る（一
周する）ように、各セグメント磁石Ｍ1〜Ｍ36の着磁方
向が異なるように設定されている。例えば図４に即して
言うと、セグメント磁石Ｍ1とセグメント磁石Ｍ19と
は、同一の着磁方向であり、またセグメント磁石Ｍ18と
セグメント磁石Ｍ36とは、同一の着磁方向であり、本実
施形態においては、セグメント磁石Ｍ1〜Ｍ36は、等角
度ずつ着磁方向がずれるように設定されている。なお側
面からみた場合、各セグメント磁石Ｍ1〜Ｍ36の着磁方
向のＺ成分は０であり、サセプタ６上のウエハＷと平行
である。以上のようなセグメント磁石Ｍ1〜Ｍ36の配置
により、処理容器３内の磁場ベクトルは、図４の太矢印
に示した方向に向いている。

【００２３】そしてシールドリング４５の外周の所定の
箇所には、図５に示したような磁場漏洩防止用の磁界発
生手段となるカウンター磁石６１が取り付けられてい
る。このカウンター磁石６１は、全体として略直方体の
形状をなし、当該形状の磁性材料を、例えば図５中の矢
印方向に着磁するように磁化したものである。

【００２４】かかる構成のカウンター磁石６１を、本実
施形態においては、図２、図４に示したように、前記磁
場ベクトルの方向に沿った位置、即ちセグメント磁石Ｍ
35〜Ｍ2、及びセグメント磁石Ｍ17〜Ｍ20の外方に位置
するように、各々上下二段にしてシールドリング４５の
外周に、計１６個取り付けられている。従って、セグメ
ント磁石Ｍ35〜Ｍ2側のカウンター磁石群と、セグメン
ト磁石Ｍ17〜Ｍ20側のカウンター磁石群とは、磁場ベク
トルの方向に沿って対向した位置関係を有している。な
おシールドリング４５に取り付ける際の各カウンター磁
石６１群の磁極については、セグメント磁石Ｍ35〜Ｍ2
側については、Ｎ極が外側に位置するように、セグメン
ト磁石Ｍ17〜Ｍ20側についてはＮ極が内側に位置するよ
うに取り付けられる。

【００２５】本実施の形態にかかるエッチング装置１の
主要部は以上のように構成されており、前記したような
ダイポールリング磁石４１の配置により、ウエハＷを側
面からＹ軸方向に向かってみると、図６に示したよう
に、ダイポールリング磁石４１が静止している状態にお
いては、ウエハＷを含む平面に対して、ほぼ平行な磁場
が形成されている。

【００２６】また同じくダイポールリング磁石４１が静
止している状態においては、即ち回転ステージ４２が停
止している状態では、図７に示したように、Ｙ軸上のＹ
（+）からＹ（-）の方向に、ウエハＷの一端から他端に
かけて磁場強度が次第に弱くなった傾斜磁場が形成され
ている。この場合の磁場強度は、例えばウエハＷ上で最
も強い箇所、即ち前記ウエハＷのＹ（+）方向の一端に
おいて例えば約６００Ｇ（ガウス）、ウエハＷの中心
（Ｃ）のところで約１２０Ｇ（ガウス）程度となるよう
に設定されている。

【００２７】次に本実施形態にかかるエッチング装置１
を用いて、例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ
₂）をエッチングする場合のプロセス、作用等について
説明すると、このエッチング装置１の側面には、ゲート
バルブ９を介して、搬送アームなどのウエハ搬送手段等
が収容されているロードロック室（図示せず）が並設さ
れており、被処理基板であるウエハＷの処理容器３内へ
の搬入出時においては、駆動源８の作動により、サセプ
タ６が所定の受け渡し位置まで降下する。

【００２８】そして前記ロードロック室（図示せず）か
らウエハＷが処理室２内に搬入され、静電チャック等の
保持手段によってサセプタ６上の所定位置に該ウエハＷ
がセットされる。次いで駆動源８の作動により、サセプ
タ６が所定のエッチング処理位置（図１に示された位
置）まで上昇する。同時に処理室２内が、真空引き手段
１２によって真空引きされていき、所定の減圧度になっ
た後、処理ガス供給源２７から所定の処理ガス、例えば
ＣＦ₄が所定の流量で供給され、処理室２の圧力が所定
の減圧度、例えば２０ｍＴｏｒｒに設定、維持される。

【００２９】次いで上部電極２２に対して第２の高周波
電源３４から周波数が２７．１２ＭＨｚ、パワーが２ｋ
Ｗの高周波電力が供給されると、処理室２内のエッチン
グガス、即ちＣＦ₄ガスのガス分子が解離してプラズマ
化される。また同時にサセプタ６に対して第１の高周波
電源３１から周波数が８００ｋＨｚ、パワーが１ｋＷの
高周波電力が供給される。

【００３０】さらに駆動手段４３の作動によって回転ス
テージ４２が回転し、それによってダイポールリング磁
石４１が処理容器３の外周を回転すると、ウエハＷ上に
このウエハＷと平行かつ均一な磁場、即ち前記した高周
波電源によって形成された電界と直交する方向に平行磁
場が形成される。

【００３１】それによってプラズマ中の電子がドリフト
運動を起こし、その結果、中性分子との衝突によってさ
らに解離が起こって、処理容器３内のプラズマの密度は
極めて高いものとなる。また例えばドリフト運動を起こ
さない、バルク中の電子であっても、前記磁場によって
その拡散が抑えられる。従って、かかる点からもプラズ
マ密度は高くなっている。

【００３２】しかもウエハＷの一端から他端に移動する
に従って磁場強度が弱くなっているので、ドリフト運動
を起こした電子に対する前記拡散抑制効果は弱められ、
結果として端部での電子の集中は回避され、ウエハＷ上
に電子溜まりが生ずることはなく、ウエハＷ上のプラズ
マ密度の均一性は良好なものとなっている。

【００３３】このようなプラズマ雰囲気の下で、それに
よって生じた高密度のエッチャントイオンが、第１の高
周波電源３１からサセプタ６側に供給された相対的に低
い周波数の高周波（８００ｋＨｚ）によってその入射エ
ネルギーが、前記プラズマの生成過程とは独立に制御さ
れつつ、ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）を
エッチングしていく。従って、ウエハＷにダメージを与
えることなく、所定のエッチング処理を行うことが可能
である。また高速のエッチングレートと面内均一性の高
いエッチング処理がウエハＷに対してなされる。

【００３４】このとき前記ダイポールリング磁石４１に
よって発生した磁場は、処理容器３外周の全方向に渡っ
て漏洩しようとするが、ダイポールリング磁石４１の側
面外周には、磁性体のシールドリング４５が配置されて
いるので、近接した場所に対する磁場の漏洩は防止され
ている。しかもこのシールドリング４５の外周には、さ
らにカウンター磁石６１が配置されているので、遠方に
対する磁場漏れも防止されている。

【００３５】このことを確認するため、前記エッチング
装置１におけるシールドリング４５にカウンター磁石６
１を取り付けない場合と、取り付けた場合であっても、
カウンター磁石６１の厚み（ｔ）を変えた場合とにおけ
る、ウエハ中心からの距離と漏れ磁場強度との関係を調
べ、その結果を図８のグラフに示した。なおそのときの
条件は、次の通りである。（１）ダイポールリング磁石の強さ１２インチ径のウエハに対して、そのエッジ部で６００
Ｇ、中心部で１２０Ｇの磁場強度を発生させるもの（２）カウンター磁石の強さもちろん磁石の大きさに応じて強くなるが、大きさが５
０mm×５０mm×ｔ（mm）、強さが厚みｔ＝２mmで中心か
らＸ方向に５．５ｍの地点で１．２ｍＧの磁場（磁束密
度）を発生する方形磁石を１６個用い、以下２mmごとに
厚さを変化させた。従って、ｔ＝０mmはカウンター磁石
６１を取り付けていない場合を示す。

【００３６】図８のグラフに示したように、カウンター
磁石６１を取り付けない場合には、例えばウエハ中心か
ら５５００mm離れた場所で、０．７ｍＧの漏れ磁場強度
が観測された。これに対し、ｔ＝６mmの場合には、２５
００mm〜６０００mm離れた場所での漏れ磁場強度は殆ど
観測されなかった。従って、カウンター磁石６１の強度
を適当に設定することにより、処理容器３から離れた場
所に対する、磁場の漏洩をも防止することができる。

【００３７】したがってエッチング装置１と同一の装置
を相互に接近した場所に設置しても、相互に磁場の干渉
はなく、所期の高速かつ均一なエッチング処理が実施で
きる。また遠方に対する磁場漏れも防止されるので、周
辺機器に対する磁気的影響も防止することができる。

【００３８】そのうえシールドリング４５は、ダイポー
ルリング磁石４１と共に回転するので、シールドリング
４５の一部にカウンター磁石６１を取り付けても、全周
囲に渡って遠方の磁場漏れを防止することができる。ま
た構造も極めて簡易であって、装置全体の設計に影響を
与えない。シールドリング４５を有する既存のこの種の
装置に対しても適用可能である。

【００３９】またダイポールリング磁石４１を構成した
異方性セグメント磁石であるセグメント磁石Ｍ1〜Ｍ36
は全て同一の円柱構造であり、１種類のセグメントを多
数製造して、その配置を変えることで所期のダイポール
リング磁石４１を構成することができる。従って、配置
状態を変えるだけで容易に所望の着磁方向の異方性セグ
メント磁石を得ることができ、また製造コストも低廉で
ある。

【００４０】なお前記実施の形態において用いたダイポ
ールリング磁石４１は、３６個のセグメント磁石Ｍ1〜
Ｍ36によって構成されていたが、もちろんセグメント磁
石の数は必要に応じて任意に選択したものであってもよ
い。カウンタ磁石６１も漏れ磁場に応じた数でよい。

【００４１】前記した実施の形態は、エッチング装置と
して構成した例であったが、これに限らず、本発明は他
のプラズマ処理装置、例えばアッシング装置、スパッタ
リング装置、ＣＶＤ装置としても具体化できる。さらに
被処理基板も、ウエハに限らず、ＬＣＤ基板であっても
よい。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、ダイポールリング磁石
を備えたプラズマ処理装置において、当該装置に近接し
た場所、及びそれより離れた場所のいずれにおいても、
装置からの漏れ磁場がない。従って、周辺機器に対する
磁気的影響を防止することができる。また適当に距離を
おいてプラズマ処理装置を設置しても、各装置において
所期の磁場の均一性が阻害されることはない。従って、
マルチチャンバタイプのシステムを構築する際の設計の
自由度が大きい。しかも磁界発生手段を磁性体外周に設
けるだけで、かかる効果が得られるので、装置全体の構
造等に影響を与えない。また特に請求項２の場合には、
磁界発生手段を磁性体の一部に設けても、全周に渡って
磁場漏洩を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかるエッチング装置の
断面説明図である。

【図２】図１のエッチング装置に用いたダイポールリン
グ磁石の斜視図である。

【図３】図２のダイポールリング磁石に用いたセグメン
ト磁石の斜視図である。

【図４】図２のダイポールリング磁石の各セグメント磁
石の着磁方向を示す斜視図である。

【図５】図２のダイポールリング磁石のシールドリング
に取り付けたカウンター磁石の斜視図である。

【図６】図１のエッチング装置におけるウエハ上の磁場
の様子を示す側面からみた説明図である。

【図７】図１のエッチング装置におけるウエハ上の磁場
勾配の様子を示す他の側面からみた説明図である。

【図８】図１のエッチング装置におけるウエハ中心から
の距離と漏れ磁場強度との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１エッチング装置２処理室３処理容器６サセプタ１２真空引き手段２２上部電極２７処理ガス供給源３１第１の高周波電源３４第２の高周波電源４１ダイポールリング磁石４２回転ステージ４５シールドリング６１カウンター磁石Ｍ1〜Ｍ36 セグメント磁石Ｗウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 ＣＨ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ (72)発明者小野博夫東京都港区赤坂５丁目３番６号東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者宮田浩二福井県武生市北府２丁目１番５号信越化学工業株式会社磁性材料研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器内に処理ガスを導入すると共
に、この処理ガスをプラズマ化して処理容器内の被処理
基板に対して所定の処理を行う装置であって、複数の異
方性セグメント磁石を処理容器の外周に環状に配置した
ダイポールリング磁石を備えたプラズマ処理装置におい
て、前記ダイポールリング磁石の側面に磁性体を配置すると
共に、この磁性体に、さらに磁場漏洩防止用の磁界発生
手段を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】磁性体は、ダイポールリング磁石と同期
して処理容器の外周まわりに回転自在であることを特徴
とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。