JP2011515582A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 処理チャンバと、
   基板を保持するために前記処理チャンバの中に配設された基板支持部材と、
   前記処理チャンバの中にガスを流し込むガス供給系と、
   マイクロ波を放射するための線状同軸マイクロ波アンテナを含み、前記線状同軸マイクロ波アンテナは誘電体材料によって包囲される線状導体を含み、前記線状同軸マイクロ波アンテナは、前記チャンバ内部に配設され、前記基板の長手に沿って延在し、前記マイクロ波アンテナは前記処理チャンバ内部の前記基板に対して移動できるマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
2. 前記マイクロ波アンテナが同軸マイクロ波線状源を含み、又は複数の平行な同軸マイクロ波線状源を有する平面源を含む請求項１記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
3. 電源が前記マイクロ波アンテナにパルス状電力又は連続電力を提供するようになされている請求項１記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
4. 前記マイクロ波アンテナの位置が前記基板に隣接している請求項１記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
5. 前記マイクロ波堆積及びエッチングシステムにプラズマ源を用いることができる請求項１記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
6. 前記マイクロ波アンテナの位置が、前記チャンバのほぼ中央の、前記プラズマ源と前記基板の間にある請求項５記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
7. 前記マイクロ波アンテナの位置が前記プラズマ源に隣接している請求項５記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
8. 前記プラズマ源がスパッタリングターゲットを含む請求項５記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
9. 前記スパッタリングターゲットが、金属、誘電体、又は半導体を含む請求項８記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
10. マグネトロンが、プラズマ密度を向上させるために前記ターゲットに隣接している請求項８記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
11. 前記プラズマ源が容量生成プラズマ源を含む請求項５記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
12. 前記プラズマ源が、プラズマを持続させるための電場を提供するＲＦ電圧を受ける誘導コイルを有する誘導結合源を含む請求項５記載のマイクロ波堆積及びエッチングシステム。
13. 基板支持部材全体を覆って基板を配設することにより処理チャンバの中に前記基板を取り付けるステップと、
    前記基板に対して前記基板の長手に沿って延在する線状同軸マイクロ波アンテナの位置を調節するステップであって、前記線状同軸マイクロ波アンテナは誘電体材料によって包囲される線状導体を含むステップと、
    前記マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を生成するステップと、
    前記生成されたマイクロ波の電力を調節するステップと、
    前記処理チャンバの中にガスを流し込むステップと、
    前記生成されたマイクロ波を用いて前記流動ガスから前記処理チャンバの内部にプラズマを生成するステップと、
    前記プラズマを用いて前記基板上に層を形成するステップとを含む基板上に膜を堆積する方法。
14. 前記処理チャンバにプラズマ源を導入するステップを更に含む請求項１３記載の基板上に膜を堆積する方法。
15. 前記マイクロ波アンテナが、前記処理チャンバの内部の前記基板と前記プラズマ源の間で移動できるように構成されている請求項１４記載の基板上に膜を堆積する方法。
16. 前記プラズマ源が、スパッタリングターゲット、容量生成プラズマ源、又は誘導結合プラズマ源を含む請求項１４記載の基板上に膜を堆積する方法。
17. 前記同軸マイクロ波アンテナが同軸マイクロ波線状源を含み、又は複数の平行な同軸マイクロ波線状源を有する平面源を含む請求項１３記載の基板上に膜を堆積する方法。
18. パルス電源又は連続電源を用いて前記マイクロ波電力を調節する請求項１３記載の基板上に膜を堆積する方法。
19. ＲＦ電力を用いて前記基板支持部材にバイアスをかけている請求項１３記載の基板上に膜を堆積する方法。
20. 前記同軸マイクロ波アンテナは水平位置にある請求項１３記載の基板上に膜を堆積する方法。