TWI659445B - 射頻(rf)-濺鍍沉積源、沉積設備及其之組裝方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之濺鍍沉積源。濺鍍沉積源包括：一真空腔室之壁面部分；一目標，在濺鍍沉積期間提供一待沉積之材料；一射頻(RF)電源供應部，用於提供射頻(RF)功率至目標；一功率連接器，用於連接目標與射頻電源供應部；以及一導體桿，經由壁面部分從真空腔室之內部延伸至真空腔室之外部，其中導體桿係連接至真空腔室之內部的一個或多個組件，且其中導體桿係連接至真空腔室之外部的射頻電源供應部以產生一條經由導體桿之定義的射頻(RF)返回路徑。

Description

射頻(RF)-濺鍍沉積源、沉積設備及其之組裝方法
本發明之實施例是有關於一種濺鍍陰極及其之操作及製造方法。實施例關於一種用於在一真空腔室中沉積之設備。本發明之實施例特別是有關於一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之濺鍍沉積源，一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備，以及一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備之組裝方法。
物理氣相沉積(Physical vapor deposition，PVD)製程在某些技術領域(例如顯示器製造)中獲得越來越多的關注。一良好沉積速率可利用關於某些PVD製程之足夠的層特徵而獲得。舉例而言，濺鍍係為顯示器製造或其他應用之一項重要沉積製程。濺鍍係為一種用於塗層基板的技術，濺鍍例如是磁控濺鍍，而塗層基板例如是玻璃或塑膠基板。藉由透過一電漿之使用來濺鍍一目標，以濺鍍產生一塗層材料之流。在這製程中，藉由 使用來自電漿之高能量微粒產生的碰撞，材料從該目標之表面釋放。濺鍍係可受電漿參數控制，電漿參數例如是壓力、功率、氣體以及一磁場。在真空中，濺鍍材料從此目標朝向一個或多個基板或工作件運行，並黏著至一個或多個基板或工作件之表面。包括金屬、半導體及介電材料之多樣化的材料，可被濺鍍成期望的規格。因此，在各種應用中，包括半導體處理、光學塗層、食品包裝、磁性記錄，以及保護磨耗度塗層，已發現磁控濺鍍被接受。
磁控濺鍍裝置包括：一電源供應部，用於沉積能量進入一氣體以擊打及維持一電漿；數個磁性元件，用於控制離子之運動；以及數個目標，用於透過藉由電漿之濺鍍來產生塗層材料。濺鍍係利用具有不同的電性、磁性以及機械架構之多樣化的裝置來達成。這些架構包括DC或AC電磁場或射頻能量之來源以產生電漿。更明確而言，非導電材料可藉由使用射頻(RF)濺鍍法而被濺鍍。
RF-PVD對於複數個應用，例如非導電材料之濺鍍，而言是受期望的。然而，一射頻(RF)-濺鍍製程常常產生電弧(arcing)及寄生電漿。在用於射頻濺鍍之設備及系統之裝配與調試期間，已經利用巨大的個別努力來採取解決這些問題之嘗試。
依據上述，提供一種依據獨立申請專利範圍第1項之用於在一真空腔室中濺鍍沉積之濺鍍沉積源，一種依據申請 專利範圍第12項之用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備，以及一種依據獨立申請專利範圍第14項之用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備之組裝方法。本發明之更進一步的實施樣態、優點以及特徵係從附屬項、說明與附圖可清楚理解到。
依據一個實施例，提供一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之濺鍍沉積源。濺鍍沉積源包括一真空腔室之壁面部分；一目標，提供一在濺鍍沉積期間被沉積之材料；一射頻(RF)電源供應部，用於提供射頻(RF)功率給目標；一功率連接器，用於連接目標與射頻電源供應部；以及一導體桿，經由壁面部分從真空腔室之內部延伸至真空腔室之外部，其中導體桿係連接至真空腔室之內部的一個或多個組件，且其中導體桿係連接至真空腔室之外部的射頻電源供應部，用於產生一條經由導體桿之定義的射頻(RF)返回路徑。
依據另一個實施例，提供一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備。此設備包括一用於在真空腔室中濺鍍沉積之濺鍍沉積源；以及真空腔室。來源包括一真空腔室之壁面部分；一目標，提供一在濺鍍沉積期間被沉積之材料；一射頻電源供應部，用於提供射頻功率給目標；一功率連接器，用於連接目標與射頻電源供應部；以及一導體桿，經由壁面部分從真空腔室之內部延伸至真空腔室之外部，其中導體桿係連接至真空腔室之內部的一個或多個組件，且其中導體桿係連接至真空腔室之外部的射 頻電源供應部，用於產生一條經由導體桿之定義的射頻返回路徑。
依據一更進一步的實施例，提供一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備之組裝方法。此方法包括將一導體桿插入通過此設備之一壁面部分；將真空腔室之內部的至少一組件連接至導體桿；以及將導體桿連接至一射頻電源供應部之返回路徑。
20‧‧‧目標
30‧‧‧磁控管
100‧‧‧濺鍍沉積源
102‧‧‧壁面部分
110‧‧‧導體桿/連接器桿
112‧‧‧薄板金屬/薄板
122‧‧‧接合橋
124‧‧‧連接器
140‧‧‧組件
212、213‧‧‧電源供應部薄板金屬
222‧‧‧熱路徑薄板金屬
230‧‧‧火柴盒
232‧‧‧火柴盒門
310‧‧‧第一部分
311‧‧‧螺紋
312‧‧‧第二部分
313‧‧‧螺紋
314‧‧‧溝槽
320‧‧‧支撐
324‧‧‧支撐
332‧‧‧暗室區域
334‧‧‧間隙
342‧‧‧元件
344‧‧‧溝槽/元件
346‧‧‧元件
352‧‧‧螺栓
354‧‧‧螺栓
360‧‧‧絕緣體
362‧‧‧絕緣體
500‧‧‧設備
501‧‧‧真空腔室
502‧‧‧基板
504‧‧‧凸緣
510‧‧‧基板支撐
530‧‧‧電源供應部
602‧‧‧支撐
612‧‧‧薄板金屬
620‧‧‧目標
702、704‧‧‧步驟
為便於可詳細理解本揭露書之上述列舉的特徵之方式，參考實施例可具有以上簡要總結的本發明之更特別的說明。圖式是有關於本發明之實施例且說明於下：第1圖顯示依據於此所說明之實施例之具有一定義的射頻(RF)返回路徑之一濺鍍沉積源之概要視圖；第2圖顯示依據於此所說明之實施例之從包括一定義的射頻返回路徑與火柴盒之濺鍍沉積源之後側之概要透視圖；第3A圖顯示第1圖之概要放大視圖；第3B圖顯示類似於第3A圖之放大視圖，其中依據於此所說明之實施例提供此定義的返回路徑之更進一步的修改；第4圖顯示依據於此所說明之實施例之具有一包括一定義的射頻返回路徑之濺鍍沉積源之一濺鍍沉積設備； 第5圖顯示依據於此所說明之實施例之包括一定義的射頻返回路徑之又另一種濺鍍沉積源；及第6圖顯示用於濺鍍沉積之組裝方法及設備。
現在將詳細參考本發明之各種實施例，這些實施例之一個或多個例子係顯示於這些圖中。在圖式之下述說明之內，相同的參考數字表示相同的組件。一般而言，只說明相關於個別實施例之差異。每個例子係經由本發明之說明而提供，且並未意圖作為本發明之限制。又，作為一個實施例之一部分所顯示或說明之特徵可被使用在其他實施例上或與其相關聯，用於又產生一更進一步的實施例。此說明意圖包括這種修改及變化。
當於此提及射頻(Radio Frequency,RF)功率，射頻(RF)電源供應部以及射頻(RF)電流時，其有時分別被稱為“熱路徑”與“返回路徑”。因此，返回路徑係可與一AC網路中之中性導體比較。熱路徑係可與驅動一AC網路中之功率之導體比較。
第1圖顯示用於在一真空腔室中濺鍍沉積之一濺鍍沉積源100。濺鍍沉積源包括一沉積設備之一真空腔室之一壁面部分102。依據某些實施例，壁面部分102可以是整個真空腔室之一部分。依據其他實施例，真空腔室之壁面部分可以是濺鍍沉積源100之門，此門係設置於真空腔室中，其中此門形成真空 腔室之一部分。因此，此門亦可以是真空腔室之一壁面部分。
濺鍍沉積源100包括一目標20。如第1圖所示範顯示的，濺鍍沉積源一般亦可包括一磁控管。磁控管係為一般由永久磁鐵所提供之一磁鐵零件，以便在濺鍍沉積期間限制電漿。依據可與於此所說明之其他實施例結合之典型的實施例，磁控管30可朝至少一方向在目標20之表面上面移動。因此，可有利地影響目標上之競賽軌道(race track)，譬如為了在需要更換目標20之前增加可被使用之目標材料之數量。
多數應用，譬如非導電材料之濺鍍或一高電阻率(例如106Ohm cm)之材料之濺鍍，可利用射頻濺鍍而被實施。因此，RF濺鍍提供一高濺鍍速率。然而，對射頻濺鍍而言，難以提供電力給此目標。一般而言，射頻電源供應部係連接至一火柴盒(matchbox)。火柴盒使電源供應部之內部電阻適應於電漿之負載阻抗。
射頻電源供應部之“熱”導體係連接至此目標。在共同的射頻濺鍍沉積源中，射頻功率之返回路徑係由真空腔室之組件或來源之組件所提供，來源之組件例如是固持器。亦即，未定義至火柴盒之返回路徑。因為導體中的射頻電流之滲透之深度是慢的，亦即趨膚效應(skin effect)，所以電流沿著表面流動，且譬如係被凹槽、在兩個部分之間的電性連接部，以及真空沉積源及/或真空腔室之其他機械部分所妨礙。這可導致在用於濺鍍沉 積之設備中所實施之腔室及部件之內的不受控制的局部放電。舉例而言，這種技藝可以是一載體、目標、基板等。局部放電可導致電弧與寄生電漿。電弧例如是硬弧或μ弧。
依據於此所說明之實施例，提供一條供射頻電流用之定義的返回路徑。供射頻電流用之定義的返回路徑減少或甚至解決上述問題之一個或多個。因此，由於於此所說明之實施例，可提供沉積條件之改善的穩定度、更好的層品質、減少或甚至沒有目標損壞及/或減少電弧或甚至沒有電弧。依據可與於此所說明之其他實施例結合之某些實施例，射頻頻率可以是在5與30MHz之間的範圍內，一般是13.56MHz。
如第1圖所示，一般經由火柴盒而從電源供應部提供射頻功率之“熱”射頻路徑係藉由接合橋(junction bridge)122及數個連接器124而提供。一般而言，連接器係連接(例如對稱的)至目標之一支撐板，用於提供射頻功率給目標20。火柴盒功率連接器係由一熱路徑薄板金屬222所提供。舉例而言，熱路徑薄板金屬係在沉積源及/或用於濺鍍沉積之設備之組裝之時被螺鎖至接合橋122。
依據於此所說明之實施例，返回路徑係由一個或多個導體桿110所提供。依據又更進一步的實施例，導體桿可被連接至一返回路徑射頻功率收集薄板金屬112。依據可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，返回路徑射頻功 率收集薄板金屬112可被提供至電源供應部薄板金屬213及212，以便提供一返回路徑，以供射頻電流到達火柴盒及/或電源供應部。
依據於此所說明之實施例，提供一個或多個薄板金屬，譬如一熱路徑薄板金屬、一返回路徑射頻功率收集薄板金屬、一電源供應部薄板金屬及其他薄板金屬，用於分別將射頻功率導引至目標20，並從目標20導引至火柴盒與電源供應部。一般而言，那些薄板金屬可以由一選自於由銀、銅、鋁、金或其之組合所構成之群組之材料所構成。依據可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，薄板金屬可具有至少0.1公厘(mm)，一般是1公厘至5公厘之厚度及/或可具有一10公厘或以上，一般是20公厘至70公厘之寬度。因此，由於趨膚效應，具有一導體中之小滲透深度之射頻電流，可有利地分別從電源供應部或火柴盒被導引，並分別被導引至火柴盒或電源供應部。
依據可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，於此所說明之薄板金屬可被塗層以例如銅或銀或金。因為電流並未深深地穿過此導體，所以期望於此表面之一良好導電性。舉例而言，薄板金屬亦可包括不銹鋼並係塗層以一銀層或一銅層。因此，亦可考量像成本及材料強度之實施樣態。
依據又更進一步的實施例，與薄板金屬之寬度及/或厚度並存或者兩者擇一地，可考量表面積之尺寸。舉例而言， 每單位長度之表面積尺寸可以是22平方公厘(mm2)/公厘(mm)，亦即，每1公厘長度之薄板金屬，其表面積尺寸是22平方公釐或以上。
第2圖顯示用於在真空腔室中濺鍍沉積之一濺鍍沉積源之概要透視圖，而第3A/3B圖顯示一濺鍍沉積源之放大剖面圖。如第2圖所示，提供一火柴盒230。火柴盒230可被連接至火柴盒門232。火柴盒門232在第2圖中係顯示位於一打開位置，且可被關閉，例如如以第2圖中之箭號所表示的。火柴盒230係連接至一熱路徑薄板金屬222與電源供應部薄板金屬212，用於提供一條定義的返回路徑給射頻電流。在第2圖中，顯示目標20之背面。更進一步的，顯示用於提供熱路徑至目標20之接合橋122與連接器124。導體桿110係被提供，且返回路徑射頻功率收集薄板金屬112係連接至導體桿110。
依據可與於此所說明之其他實施例結合之某些實施例，一個或多個薄板金屬112可被螺鎖至一鄰近的組件，以便提供適當的導電路徑給射頻電流。如第3A及3B圖所示，返回路徑射頻功率收集薄板金屬112係利用螺栓352而連接至導體桿110。導體桿110從真空腔室之內部，如第3A及3B圖中之下側，延伸通過真空腔室之壁面部分102，到達真空腔室之外部，如第3A及3B圖中之上側。因此，於此所說明之實施例之典型的修改包括導體桿110，導體桿110具有一個或多個螺紋311提供於其 中。因此，一薄板金屬或另一個組件可被螺鎖至導體桿，以便提供一條適當的返回路徑給射頻電流。
依據可與於此所說明之其他實施例結合之典型的實施例，導體桿110具有第一部分310、第3A及3B圖中之上部，以及一第二部分312、第3A及3B圖中之下部。與第二部分312比較而言，第一部分310是較寬的。因此，導體桿110係被設計成用於被插入在壁面部分102之一開口部中。導體桿110藉以從真空腔室之內部延伸至真空腔室之外部。依據典型的例子，第一部分310可包括數個溝槽314，以使一O型環可被插入，以便為一技術真空提供一真空密封。
依據典型的實施例，一絕緣體360可被設置在導體桿110與壁面部分102之間。如第3A圖中之例子所示，又絕緣體360可包括用於容納一O型環之數個溝槽。或者，如第3B圖所示，導體桿可直接被設置於腔室壁面中。因此，提供一更進一步的電性連接，亦即，真空腔室之返回路徑，亦即，真空腔室之壁面。因此，腔室壁面至返回路徑之一單獨連接可能具有減少之關聯性。
作為溝槽314之一替代方案，導體桿110之第一部分310可具有一表面，此表面具有設計成用於提供一真空密封之粗糙度。可提供此表面以取代溝槽314。在這種替代方案中，各個溝槽可被設置於絕緣體360之上端(參見第2A圖)或壁面部分 102(參見第3B圖)，且連接器桿110提供此密封表面。
依據可與於此所說明之其他實施例結合之某些實施例，導體桿110之第二部分312亦可包括用於接收螺栓354之一螺紋313或兩個以上的螺紋313。因此，設置於真空腔室中之組件140可被連接至導體桿110，以便提供一條定義的射頻返回路徑。舉例而言，組件140可以是具有元件344、342及346之屏蔽盒。屏蔽盒可更進一步限制電漿。組件140，例如是屏蔽盒，及/或其他組件係連接至導體桿110，以便提供射頻返回路徑。一般而言，選自於由一屏蔽盒、一屏蔽物、一腔室壁面部分、供處理氣體用之導管，真空腔室外殼等等，且供一基板用之一運送或支援系統所構成之群組之一個或多個元件，係可被連接至導體桿。
如第3A及3B圖所示及依據可與於此所說明之其他實施例結合之實施例，導體桿110延伸越過壁面部分102。因此，提供間隙334。更進一步地，組件140係安裝於導體桿110，以提供暗室區域332。間隙334及/或暗室區域332係被提供，以具有一0.5公厘或以上之至壁面部分102或一鄰近組件之空間。舉例而言，間隙334可以是0.8公厘至1.5公厘，而暗室區域332可以是1.5公厘至3公厘，例如大約2公厘。間隙334及暗室區域332之尺寸，允許射頻返回路徑之表面電流。又，那些間隙係尺寸被設計成，用於減少這些區域中的電弧或寄生電漿。
第2及3圖顯示一導體桿110之數個實施例。此導體桿亦可表示為“RF劍(sword)”。在第2圖中，導體桿110係在沿著目標20之表面延伸之返回路徑射頻功率收集薄板金屬112以下。如可在第3A及3B圖所顯示之剖面中看見的，第二部分312伸出通過壁面部分102。
依據一個實施例，一導體桿110亦可沿著目標之表面、長度或一尺寸延伸。此外或是或者，可提供兩個以上的短導體桿。關於一延長的導體桿，依據一個替代物，第二部分312可本質上沿著導體桿110之整個長度延伸。依據可與於此所說明之其他實施例結合之其他實施例，第二部分312可以是沿著導體桿110之長度被分配的兩個以上的竿(pole)或柱(post)。
依據亦可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，可提供兩個以上的導體桿。因此，舉例而言，可減少一個導體桿之長度。舉例而言，每一個導體桿可具有一正方形形狀或圓形形狀，且複數個導體桿110係被提供。又，除了延伸沿著如第2圖所顯示的返回路徑射頻功率收集薄板金屬112之長度之導體桿110以外，亦可提供短導體桿110，亦即，至少沿著一維之目標之長度的50%延伸之一導體桿。
第3A及3B圖之放大概要視圖更進一步顯示目標20之支撐324。一般而言，支撐320係經由一絕緣體362安裝於壁面部分102。舉例而言，絕緣體362可具有數個溝槽344，使 一O型環可被插入。因此，可提供一真空密封，以使濺鍍沉積設備之真空腔室可被抽成一技術真空。
第4圖顯示用於濺鍍沉積在一真空腔室501中之一設備500。真空腔室501可經由凸緣504被抽真空。一般而言，更進一步的凸緣504可被設置於真空腔室之其他位置。待塗層有來自目標20之材料之基板502，係被基板支撐510所支撐。於第2圖所顯示之實施例包括兩個濺鍍沉積源。如第4圖所示，濺鍍沉積源可被設置在基板502之上，以便從頂端朝下濺鍍目標20之材料。或者，濺鍍沉積配置可以是由下而上。依據可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，基板502亦可被垂直配置在一供濺鍍沉積用之設備。因此，基板502可以被滾輪所支撐或在一載體中，此載體係被滾輪或另一種運送及/或支援系統所支撐。因此，基板本質上垂直地被配向；亦即，以一偏離+-10°之垂直配置。因此，在這種垂直配置中，濺鍍沉積源100係被配置於或鄰近設備500之一側壁。
如第4圖所概要顯示的，每一個濺鍍沉積源100包括一電源供應部530，電源供應部530係為一射頻電源供應部。電源供應部530係連接至一火柴盒230。火柴盒230經由以熱路徑薄板金屬222為例之各種薄板金屬，將射頻功率分別提供給接合橋、連接器與目標20。一條定義的射頻返回路徑係由連接至返回路徑射頻功率收集薄板金屬112之導體桿110所提供。更進一 步可選擇的薄板金屬提供一返回路徑至火柴盒230，因而提供至電源供應部530。
於第4圖所顯示之每個濺鍍沉積源100係用於在一真空腔室中濺鍍沉積。濺鍍沉積源100包括一目標20。如第4圖所示範顯示的，濺鍍沉積源一般地亦可包括一磁控管。依據可與於此所說明之其他實施例結合之典型的實施例，磁控管30可朝至少一方向在目標20之表面上面移動。
射頻電源供應部之“熱”導體係連接至目標。在共同的射頻濺鍍沉積源中，射頻功率之返回路徑係由真空腔室之組件或來源之組件所提供，來源之組件例如是固持器。亦即，至火柴盒之返回路徑未被定義。依據於此所說明之實施例，提供一條供射頻電流用之定義的返回路徑。如亦顯示於第4圖中的，一般經由火柴盒而從電源供應部提供射頻功率之“熱”射頻路徑，係由接合橋及數個連接器124所提供。一般地，連接器係連接至一目標之支撐板或一供目標用之支撐，用於提供射頻功率至目標20。火柴盒功率連接器係由一熱路徑薄板金屬222所提供。依據於此所說明之實施例，定義的返回路徑係由一個或多個導體桿110所提供。依據又更進一步的實施例，導體桿可被連接至一返回路徑射頻功率收集薄板金屬112。依據可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，返回路徑射頻功率收集薄板金屬112可被提供至一電源供應部薄板金屬，以便提供一返回 路徑給至火柴盒及/或電源供應部之射頻電流。
第5圖顯示一濺鍍沉積源之又更進一步的例子。第5圖所顯示之濺鍍沉積源包括一可旋轉的目標620。可旋轉的目標620係被數個支撐602所支撐。一般地，支撐602亦可包括用於使可旋轉的目標620旋轉之機構。舉例而言，用於旋轉之機構可包括一致動器、一驅動皮帶、一動力傳動系統或被設計成用於使目標旋轉之馬達。支撐602一般亦包括用於從火柴盒230提供功率至目標620之連接器。於第5圖所顯示之本實施例中，導體桿110、收集薄板112與薄板金屬612及212係顯示在支撐602之外部。又，供特別由延伸通過壁面部分102之導體桿所提供之射頻電流用之返回路徑，亦可整合在支撐602之外殼中。
第6圖顯示一種用於在真空腔室中濺鍍沉積之組裝方法及設備。因此，在步驟702中，導體桿係被插入通過一設備之壁面部分及/或一供濺鍍沉積用之來源。在步驟704中，至少一組件係連接至真空腔室之內部的導體桿，且導體桿係連接至真空腔室之外部的一火柴盒及/或一電源供應部。
依據上述，利用射頻濺鍍或是射頻濺鍍及另一種濺鍍法之一組合之應用，可使用於此所說明之實施例。另一種濺鍍法例如是DC濺鍍、脈衝濺鍍或中頻濺鍍。因此，可藉由提供一條供射頻功率用之定義的返回路徑，而減少或甚至避免電弧及寄生電漿，此目標係利用射頻功率被濺鍍。
依據一個實施例，提供一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之濺鍍沉積源。此來源包括一真空腔室之壁面部分；一目標，在濺鍍沉積期間提供一待沉積之材料；一射頻電源供應部，用於提供射頻功率至目標；一功率連接器，用於連接目標與射頻電源供應部；以及一導體桿，經由壁面部分從真空腔室之內部延伸至真空腔室之外部，其中導體桿係連接至真空腔室之內部的一個或多個組件，且其中導體桿係連接至真空腔室之外部的射頻電源供應部，以產生一條經由導體桿之定義的射頻返回路徑。導體桿提供譬如與一個或多個薄板金屬結合之返回路徑之一部分。依據彼此可附加或替代被提供之典型的修改，導體桿可具有位於真空腔室之外部及/或位於真空腔室之內部之至少一螺紋；及/或導體桿可被連接至一返回路徑射頻功率收集薄板金屬；導體桿可具有一寬度之頭部部分，此寬度係比被設計成用於伸出通過壁面部分之一更進一步的部分之寬度來得寬，特別是其中導體桿之最小寬度係為5公厘或以上，一般而言是10公厘或以上。依據可與於此所說明之其他實施例結合之又更進一步的實施例，導體桿可包括具體形成供一O型環用之至少一溝槽，以提供一真空密封以供連接至壁面部分，例如設置於頭部部分中之至少一溝槽；射頻電源供應部係經由一火柴盒連接至功率連接器與導體桿；及/或功率連接器更包括一接合橋及一連接至接合橋，特別是被螺鎖至接合橋之熱路徑薄板金屬。舉例而言，返回路徑射頻功率收集薄板金屬係連接至一電源供應部薄板金屬，且特別是被螺鎖至電 源供應部薄板金屬。依據又更進一步可選擇的修改，導體桿可越過一壁面部分之內部表面伸出了至少0.8公厘，一般伸出了1公厘至3公厘，以使一間隙形成於壁面部分之內部表面與一個或多個組件之間。
依據另一實施例，提供一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備。此設備包括依據於此所說明之任何一個實施例，以及用於在真空腔室中濺鍍沉積之一濺鍍沉積源；以及真空腔室。舉例而言，壁面部分可以是連接至真空腔室之一來源的門。
依據又另一實施例，提供一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備之組裝方法。此方法包括將一導體桿插入通過一設備之壁面部分；將真空腔室之內部的至少一組件連接至導體桿；以及將導體桿連接至一射頻電源供應部之返回路徑。舉例而言，此方法更包括將一熱路徑薄板金屬螺鎖至一連接至一目標之接合橋；且其中將導體桿連接至一射頻電源供應部之返回路徑包括：將一電源供應部薄板金屬螺鎖至一返回路徑射頻功率收集薄板金屬。
雖然前文是有關於本發明之實施例，但在不背離其基本範疇之下可設計本發明之其他及更進一步的實施例，而其範疇係由以下之申請專利範圍所決定。

Claims (20)

  1. 一種濺鍍沉積源，用於在一真空腔室中濺鍍沉積，該濺鍍沉積源包括：該真空腔室之一壁面部分；一目標，在該濺鍍沉積期間提供一待沉積之材料；一射頻(RF)電源供應部，用於提供射頻(RF)功率至該目標；一功率連接器，用於連接該目標與該射頻電源供應部；以及一導體桿，經由該壁面部分從該真空腔室之內部延伸至該真空腔室之外部，其中該導體桿係連接至該真空腔室之內部的一個或多個組件，其中該導體桿係連接至該真空腔室之外部的該射頻電源供應部，以產生一條經由該導體桿之定義的射頻返回路徑，其中該一個或多個組件包括至少一屏蔽盒，且其中當該屏蔽盒連接至該導體桿時，一間隙提供於該屏蔽盒與該真空腔室之該壁面部分之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿係連接至一返回路徑射頻功率收集薄板金屬。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍沉積源，其中該返回路徑射頻功率收集薄板金屬係連接至一電源供應部薄板金屬。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之濺鍍沉積源，其中該返回路徑射頻功率收集薄板金屬係被螺鎖至該電源供應部薄板金屬。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍沉積源，其中該返回路徑射頻功率收集薄板金屬係被螺鎖至該導體桿，以便提供該射頻返回路徑。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿包括一個具有一寬度之頭部部分，該寬度係比設計成用於伸出通過該壁面部分之一更進一步的部分之該寬度來得寬。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿之一最小寬度係為5公厘(mm)或以上。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿之一最小寬度係為10公厘或以上。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿包括具體形成供一O型環用之至少一溝槽，以提供一真空密封，以供該連接至該壁面部分。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿包括設置於該頭部部分中之至少一溝槽。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之濺鍍沉積源，其中該射頻電源供應部係經由一火柴盒連接至該功率連接器與該導體桿。
  12. 如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之濺鍍沉積源，其中該功率連接器更包括：一接合橋及一連接至該接合橋之熱路徑薄板金屬。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之濺鍍沉積源，其中該熱路徑薄板金屬係被螺鎖至該接合橋。
  14. 如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿越過該壁面部分之一內部表面伸出了至少0.8公厘，以使該間隙形成於該壁面部分之該內部表面與該一個或多個組件之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿越過該壁面部分之該內部表面伸出了1公厘至3公厘，以使該間隙形成於該壁面部分之該內部表面與該一個或多個組件之間。
  16. 如申請專利範圍第1至5項中之任何一項所述之濺鍍沉積源，其中該導體桿具有位於該真空腔室之該外部及該真空腔室之該內部之至少一者之至少一螺紋。
  17. 一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備，包括：如申請專利範圍第1至16項中之任何一項所述之一種濺鍍沉積源，供在該真空腔室中濺鍍沉積；以及該真空腔室。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之設備，其中該壁面部分係為連接至該真空腔室之該濺鍍沉積源之一門。
  19. 一種用於在一真空腔室中濺鍍沉積之設備之組裝方法，包括：將一導體桿插入通過該設備之一壁面部分；將該真空腔室之至少一組件內部連接至該導體桿；以及將該導體桿連接至一射頻電源供應部，以產生一條經由該導體桿之定義的射頻返回路徑，其中該至少一組件包括至少一屏蔽盒，且當該屏蔽盒連接至該導體桿時，一間隙提供於該屏蔽盒與該真空腔室之該壁面部分之間。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該方法更包括：將一熱路徑薄板金屬螺鎖至一連接至一目標之接合橋；以及其中，該連接該導體桿至一射頻電源供應部之該返回路徑包括：將一電源供應部薄板金屬螺鎖至一返回路徑射頻功率收集薄板金屬。
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