CN105706212B - 溅射沉积源、溅射沉积的设备及其组装方法 - Google Patents
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Abstract
描述了一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种溅射阴极及其操作及制造方法。实施例涉及一种用于在真空腔室中沉积的设备。本发明的实施例特别涉及用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，用于在真空腔室中溅射沉积的设备，以及组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。
背景技术
PVD工艺在某些技术领域(例如显示器制造)中获得越来越多的关注。良好沉积速率可利用对于某些PVD工艺的足够的层特性而获得。例如，溅射为显示器制造或其他应用的一项重要沉积工艺。溅射(例如，磁控溅射)为用于涂布基板(例如，玻璃基板或塑料基板)的技术。溅射通过经由使用等离子体溅射目标来产生涂布材料流。在此工艺期间，材料通过与来自等离子体的高能颗粒碰撞而从目标的表面释放。溅射可受等离子体参数(诸如压力、功率、气体和磁场)控制。在真空中，经溅射的材料从目标朝向一个或多个基板或工件行进，并粘附至该一个或多个基板或工件的表面。包括金属、半导体及介电材料的各种材料可被溅射至期望的规格。因此，在包括半导体处理、光学涂层、食品包装、磁性记录以及防护服涂层的各种应用中，已发现磁控溅射被接受。
磁控溅射装置包括：电源，用于将能量沉积到气体中以击打和维持等离子体；磁性元件，用于控制离子的运动；以及目标，用于通过经由等离子体的溅射来产生涂布材料。利用具有不同的电配置、磁性配置以及机械配置的各种装置完成溅射。这些配置包括DC或AC电磁场或射频能量的源以产生等离子体。更明确而言，可使用RF溅射法溅射非导电材料。
RF-PVD对于多个应用(例如非导电材料的溅射)而言是受期望的。然而，RF-溅射工艺常常产生电弧及寄生等离子体。在用于RF溅射的设备和系统的组装与调试期间，已经尝试利用大量个别努力来解决这些问题。
发明内容
鉴于上述，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备，以及一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。本发明的进一步的方面、优点以及特征从从属权利要求、说明书与附图中显而易见。
根据一个实施例，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源，以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。
根据另一个实施例，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备。该设备包括用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源；以及真空腔室。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF 电源，以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。
根据进一步的实施例，提供一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。该方法包括：穿过设备的壁部分插入导体棒；将真空腔室内部的至少一个部件连接至导体棒；以及将导体棒连接至RF电源的返回路径。
附图说明
为了可详细理解本发明的以上详述特征的方式，可通过参照实施例对简要概述于上的本发明进行更具体的描述。附图涉及本发明的实施例并且描述如下：
图1示出了根据本文中所描述的实施例的具有定义的RF返回路径的溅射沉积源的示意图；
图2示出了根据本文中所描述的实施例的从包括定义的RF返回路径与匹配箱的溅射沉积源的后侧的示意性透视图；
图3A示出了图1的示意性放大视图；
图3B示出了类似于图3A的放大视图，其中根据本文中所描述的实施例提供了对所定义的返回路径的进一步的修改；
图4示出了根据本文中所描述的实施例的具有包括定义的RF返回路径的溅射沉积源的溅射沉积设备；
图5示出了根据本文中所描述的实施例的包括定义的RF返回路径的又一溅射沉积源；以及
图6示出了用于溅射沉积的组装方法及设备。
具体实施方式
现将详细参照本发明的各种实施例，所述实施例的一个或多个示例图示于诸图中。在以下附图的描述中，相同附图标记代表相同部件。一般而言，仅描述了各实施方式的差异。各示例以解释说明本发明的方式提供，而并非意欲限制本发明。此外，示出或描述为一个实施例的一部分的特征可用于其它实施例或与其它实施例一起使用以产生又一实施例。所述描述意欲包括这种修改和变型。
当于此提及RF功率，RF电源以及RF电流时，有时分别参照“热路径”和“返回路径”。藉此，返回路径是可与AC网路中的中性导体比较的。热路径是可与驱动AC网路中的功率的导体比较的。
图1示出了用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源100。溅射沉积源包括沉积设备的真空腔室的壁部分102。根据某些实施例，壁部分102 可以是整个真空腔室的一部分。根据其他实施例，真空腔室的壁部分可以是溅射沉积源100的门，该门被设置于真空腔室中，其中该门形成真空腔室的一部分。因此，该门也可以是真空腔室的壁部分。
溅射沉积源100包括目标20。如图1中示例性示出的，溅射沉积源通常还可包括磁控管。磁控管为通常由永磁体提供的磁体组件，以便在溅射沉积期间限制等离子体。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的典型实施例，磁控管30可在目标20的表面上在至少一个方向上移动。因此，可有利地影响目标上的赛道(race track)，例如为了在需要更换目标20之前增加可被使用的目标材料的量。
可利用RF溅射实施很多应用，例如非导电材料的溅射或高电阻率(例如106Ohmcm)的材料的溅射。因此，RF溅射提供高溅射速率。然而，对于RF溅射而言，难以向目标提供功率。一般而言，RF电源连接至匹配箱 (matchbox)。匹配箱使电源的内部电阻适应于等离子体的负载阻抗。
RF电源的“热”导体连接至目标。在共同的RF溅射沉积源中， RF功率的返回路径由真空腔室的部件或源的部件(例如保持器)所提供，即，未定义至匹配箱的返回路径。因为导体中的RF电流的渗透深度是慢的(趋肤效应)，所以电流沿着表面流动，并且例如被槽口、两个零件之间的电连接以及真空沉积源和/或真空腔室的其他机械部分阻碍。这可导致在用于溅射沉积的设备中所实现的腔室及零件内的不受控制的局部放电。例如，这种领域可以是载体、目标、基板等。局部放电可导致电弧(例如硬弧或μ弧)以及寄生等离子体。
根据本文中所描述的实施例，提供RF电流的定义的返回路径。RF电流的所定义的返回路径减少或甚至解决上述问题中的一个或多个。因此，由于本文中所描述的实施例，可提供沉积条件的改善的稳定性、更好的层质量、减少的或甚至没有目标损坏和/或减少的电弧或甚至没有电弧。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的某些实施例，RF频率可以是在5与30MHz之间的范围内，一般是13.56MHz。
如图1中所示，通常经由匹配箱从电源提供RF功率的“热”RF 路径由接合桥(junction bridge)122及数个连接器124提供。典型地，连接器连接(例如对称的)至目标的背板，以用于向目标20提供RF功率。匹配箱功率连接器由热路径薄板金属222所提供。例如，热路径薄板金属在组装沉积源和/或用于溅射沉积的设备时被用螺丝拧紧至接合桥122。
根据本文中所描述的实施例，返回路径由一个或多个导体棒 110提供。根据又进一步的实现方式，导体棒可被连接至返回路径RF功率收集薄板金属112。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实现方式，返回路径RF功率收集薄板金属112可被提供至电源薄板金属213及212，以便提供RF电流至匹配箱和/或电源的返回路径。
根据本文中所描述的实施例，提供一个或多个薄板金属，例如热路径薄板金属、返回路径RF功率收集薄板金属、电源薄板金属及其他薄板金属，以用于分别将RF功率引导至目标20以及从目标20引导至匹配箱和电源。典型地，那些薄板金属可由选自由银、铜、铝、金或其组合所构成的组的材料制成。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实施例，薄板金属可具有至少0.1mm，典型地1mm至5mm的厚度和/或可具有10mm或以上，典型地20mm至70mm的宽度。因此，由于趋肤效应在导体中具有小渗透深度的 RF电流可有利地分别从电源或匹配箱被引导，以及分别被引导至匹配箱或电源。
根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实施例，可例如以铜或银或金涂布本文中所描述的薄板金属。因为电流未深深地渗透导体，所以期望表面处的良好导电性。例如，薄板金属还可包含不锈钢并且利用银层或铜层涂布。因此，还可考虑像成本及材料强度之类的方面。
根据又进一步的实施例，除了薄板金属的宽度和/或厚度之外或者替代薄板金属的宽度和/或厚度，可考虑表面积的大小。例如，每单位长度的表面积大小可以是22mm2/mm，即，每1毫米长度的薄板金属22mm2，或以上。
图2示出了用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源的示意性透视图，并且图3A/B示出了溅射沉积源的放大横截面图。如图2中所示，提供匹配箱230。匹配箱230可被连接至匹配箱门232。匹配箱门232在图2中被示为处于打开位置，并且可被关闭，例如如由图2中的箭头所指示的。匹配箱230 被连接至热路径薄板金属222与电源薄板金属212，以用于提供RF电流的定义的返回路径。在图2中，示出目标20的背侧。进一步，示出用于向目标20提供热路径的接合桥122和连接器124。提供导体棒110，并且返回路径RF功率收集薄板金属112被连接至导体棒110。
根据可与本文中所描述的其他实施例结合的某些实施例，返回路径RF功率收集薄板金属112中的一个或多个可被用螺丝拧紧至相邻的部件，以便为RF电流提供适当的导电路径。如图3A和3B中示例性示出的，返回路径 RF功率收集薄板金属112是利用螺丝352连接至导体棒110。导体棒110通过真空腔室的壁部分102从真空腔室的内部(图3A和3B中的下侧)延伸至真空腔室的外部(图3A和3B中的上侧)。因此，本文中所描述的实施例的典型修改包括其中设置有一个或多个螺纹311的导体棒110。因此，薄板金属或另一个部件可被用螺丝拧紧至导体棒，以便为RF电流提供适当的返回路径。
根据可与本文中所描述的其他实施例结合的典型实施例，导体棒110具有第一部分310、图3A和3B中的上部，以及第二部分312、图3A 和3B中的下部。相比于第二部分312，第一部分310是较宽的。因此，导体棒 110被配置成被插入在壁部分102中的开口中。导体棒110藉此从真空腔室的内部延伸至真空腔室的外部。根据典型示例，第一部分310可包括凹槽314，使得 O型环可被插入在其中，以便为技术真空提供真空密封。
根据典型的实施例，绝缘体360可被设置在导体棒110与壁部分102之间。如图3A中的示例所示，绝缘体360也可包括用于接收O型环的凹槽。替代地，如图3B中所示，导体棒可被直接设置于腔室壁中。藉此，提供进一步的电连接，即，真空腔室的返回路径，即，真空腔室的壁。因此，腔室壁至返回路径的单独连接可能具有减少的关联性。
作为凹槽314的替代，导体棒110的第一部分310可具有一表面，该表面具有配置用于提供真空密封的粗糙度。可提供该表面以取代凹槽 314。在这种替代中，相应的凹槽可被设置于绝缘体360的上端(见图3A)或壁部分102(见图3B)处，并且导体棒110提供密封表面。
根据可与本文中所描述的其他实施例结合的某些实施例，导体棒110的第二部分312也可包括用于接收螺丝354的螺纹313或两个或两个以上的螺纹313。因此，设置于真空腔室中的部件140可被连接至导体棒110，以便提供定义的RF返回路径。例如，部件140可以是具有元件“344”、“342”和“346”的屏蔽盒。屏蔽盒可进一步限制等离子体。诸如屏蔽盒之类的部件140 和/或其他部件被连接至导体棒110，以便提供RF返回路径。典型地，选自由屏蔽盒、屏蔽、腔室壁部分、用于工艺气体的导管、像这样的真空腔室外壳以及用于基板的传输或支撑系统所构成的组的元件中的一个或多个可被连接至导体棒。
如图3A和3B中所示且根据可与本文中所描述的其他实施例结合的实施例，导体棒110延伸越过壁部分102。藉此，提供间隙334。又进一步，部件140被安装至导体棒110，使得提供暗室区域332。提供间隙334和/或暗室区域332以具有0.5mm或以上的至壁部分102或相邻部件的空间。例如，间隙334可以是0.8mm至1.5mm，并且暗室区域332可以是1.5mm至3mm，例如大约2mm。间隙334及暗室区域332的尺寸允许RF返回路径的表面电流。进一步，设计那些间隙的尺寸，以减少这些区域中的电弧或寄生等离子体。
图2和3示出了导体棒110的实施例。该导体棒也可被指示为“RF剑(sword)”。在图2中，导体棒110在沿着目标20的表面延伸的返回路径 RF功率收集薄板金属112之下。如在图3A和3B中所示的横截面中可见的，第二部分312穿过壁部分102突出。
根据一个实施例，导体棒110也可沿着目标的表面、长度或尺寸延伸。此外或替代地，可提供两个或两个以上的短导体棒。对于细长的导体棒，根据一个替代，第二部分312可基本上沿着导体棒110的整个长度延伸。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的其他实施例，第二部分312可以是沿着导体棒110的长度分布的两个或两个以上的杆(pole)或柱(post)。
根据也可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实现方式，可提供两个或两个以上的导体棒。因此，例如，可减少一个导体棒的长度。例如，每一个导体棒可具有正方形形状或圆形形状，并且提供多个导体棒110。进一步，除了沿着如图2中所示的返回路径RF功率收集薄板金属112的长度延伸的导体棒110之外，还可提供短的导体棒，即，至少沿着目标在一个维度中的长度的50％延伸的导体棒。
图3A和3B的放大示意图进一步示出了目标20的支撑件324。典型地，支撑件320经由绝缘体362被安装至壁部分102。例如，绝缘体362可具有凹槽344，使得可插入O型环。藉此，可提供真空密封，使得溅射沉积设备的真空腔室可被排空至技术真空。
图4示出了用于在真空腔室501中溅射沉积的设备500。真空腔室501可通过凸缘504被排空。典型地，进一步的凸缘504可被设置于真空腔室的其他位置处。待利用来自目标20的材料涂布的基板502被基板支撑件510 所支撑。图2中所示的实施例包括两个溅射沉积源。如图4中所示，溅射沉积源可被设置在基板502上方，以便从顶部向下溅射目标20的材料。替代地，溅射沉积布置可以是由下而上的。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实施例，还可将基板502垂直布置在设备中以供溅射沉积。藉此，基板502 可以由辊支撑或被支撑在载体中，该载体由辊或另一传输和/或支撑系统所支撑。藉此，基板基本上垂直地取向，即，具有+-10°的与垂直布置的偏离。因此，在这种垂直布置中，溅射沉积源100被布置于设备500的侧壁处或毗邻设备500的侧壁布置。
如图4中示意性示出的，每一个溅射沉积源100包括电源530，电源530为RF电源。电源530被连接至匹配箱230。匹配箱230经由各种薄板金属(例如，热路径薄板金属222)将RF功率分别提供至接合桥、连接器和目标20。定义的RF返回路径由连接至返回路径RF功率收集薄板金属112的导体棒110所提供。进一步可选的薄板金属提供至匹配箱230，并且因此至电源530 的返回路径。
图4中所示的每个溅射沉积源100是用于真空腔室中的溅射沉积。溅射沉积源100包括目标20。如图4中示例性示出的，溅射沉积源一般还可包括磁控管。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的典型实施例，磁控管 30可在至少一个方向上在目标20的表面上移动。
RF电源的“热”导体连接至目标。在共同的RF溅射沉积源中， RF功率的返回路径由真空腔室的部件或源的部件(例如，保持器)所提供，即，未定义至匹配箱的返回路径。根据本文中所描述的实施例，提供RF电流的定义的返回路径。如图4中还示出的，通常经由匹配箱而从电源提供RF功率的“热”RF 路径由接合桥及数个连接器124所提供。典型地，连接器被连接至目标的背板或目标的支撑件，以用于向目标20提供RF功率。匹配箱功率连接器由热路径薄板金属222所提供。根据本文中所描述的实施例，所定义的返回路径由一个或多个导体棒110所提供。根据又进一步的实现方式，导体棒可被连接至返回路径RF 功率收集薄板金属112。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实现方式，返回路径RF功率收集薄板金属112可被提供至电源薄板金属，以便提供RF电流至匹配箱和/或电源的返回路径。
图5示出了溅射沉积源的又进一步的示例。图5中所示的溅射沉积源包括可旋转的目标620。可旋转的目标620被支撑件602所支撑。典型地，支撑件602还可包括用于使可旋转的目标620旋转的装置。例如，用于旋转的装置可包括致动器、驱动带、动力传动系统或配置用于使目标旋转的电机。支撑件602通常还包括用于将功率从匹配箱230提供至可旋转的目标620的连接器。在图5中所示的实施例中，导体棒110、返回路径RF功率收集薄板金属112和薄板金属612及电源薄板金属212被示为在支撑件602外。然而，尤其由穿过壁部分102延伸的导体棒所提供的RF电流的返回路径也可被集成在支撑件602的外壳中。
图6示出了一种用于在真空腔室中溅射沉积的组装方法及设备。藉此，在步骤702中，穿过设备的壁部分和/或溅射沉积的源插入导体棒。在步骤704中，至少一个部件被连接至真空腔室内部的导体棒，并且导体棒被连接至真空腔室外部的匹配箱和/或电源。
鉴于上述，利用RF溅射或RF溅射与另一种溅射法(例如， DC溅射、脉冲溅射或中频溅射)的组合的应用可利用本文中所描述的实施例。因此，可通过提供RF功率的定义的返回路径来减少或甚至避免电弧及寄生等离子体，利用该RF功率溅射目标。
根据一个实施例，提供用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料； RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室的内部延伸至真空腔室的外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源，以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。导体棒例如与一个或多个薄板金属结合提供返回路径的一部分。根据可附加地或替代地提供至彼此的典型修改，导体棒可具有在真空腔室的外部和/或真空腔室的内部处的至少螺纹；和/或导体棒可被连接至返回路径RF功率收集薄板金属；导体棒可具有头部，该头部具有一宽度，该宽度比配置成穿过壁部分突出的进一步的部分的宽度更宽，具体地其中导体棒的最小宽度为5mm或以上，典型地10mm或以上。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实施例，导体棒可包括配置用于O 型环的至少一个凹槽，使得为至壁部分的连接提供真空密封，例如，设置于头部中的至少一个凹槽；RF电源经由匹配箱连接至功率连接器和导体棒；和/或功率连接器进一步包括接合桥和连接至接合桥，具体地用螺丝拧紧至接合桥的热路径薄板金属。例如，返回路径RF功率收集薄板金属被连接至电源薄板金属，并且具体地被用螺丝拧紧至电源薄板金属。根据又进一步可选的修改，导体棒可在壁部分的内表面上突出至少0.8mm，典型地突出1mm至3mm，使得间隙形成于壁部分的内表面与一个或多个部件之间。
根据另一实施例，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备。该设备包括根据本文中所描述的实施例中的任一个并且用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源；以及真空腔室。例如，壁部分可以是连接至真空腔室的源的门。
根据又一实施例，提供一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。该方法包括穿过设备的壁部分插入导体棒；将真空腔室内部的至少一个部件连接至导体棒；以及将导体棒连接至RF电源的返回路径。例如，该方法进一步包括将热路径薄板金属用螺丝拧紧至连接至目标的接合桥；并且其中将导体棒连接至RF电源的返回路径包括：将电源薄板金属用螺丝拧紧至返回路径RF功率收集薄板金属。
虽然前文针对本发明的实施例，但可设计本发明的其他及进一步的实施例而不背离本发明的基本范围，并且本发明的范围由以下的权利要求书所决定。
Claims (19)
1.一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，包括：
所述真空腔室的壁部分；
目标，所述目标在所述溅射沉积期间提供待沉积的材料；
RF电源，用于向所述目标提供RF功率；
功率连接器，用于将所述目标与所述RF电源连接；以及
导体棒，穿过所述壁部分从所述真空腔室内部延伸至所述真空腔室外部，其中所述导体棒被连接至所述真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中所述导体棒被连接至所述真空腔室外部的所述RF电源，以生成穿过所述导体棒的定义的RF返回路径，
其中所述一个或多个部件包括至少屏蔽盒，并且当所述屏蔽盒连接到所述导体棒时，在所述屏蔽盒与所述真空腔室的所述壁部分之间提供间隙。
2.如权利要求1所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒被连接至返回路径RF功率收集薄板金属。
3.如权利要求1所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒具有头部，所述头部具有一宽度，所述宽度比配置成穿过所述壁部分突出的进一步的部分的宽度更宽。
4.如权利要求3所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒的最小宽度为5mm或以上，或者其中所述导体棒的最小宽度为10mm或以上。
5.如权利要求3所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒包括配置用于O型环的至少一个凹槽，使得为至所述壁部分的连接提供真空密封。
6.如权利要求5所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒包括设置于所述头部中的至少一个凹槽。
7.如权利要求1所述的溅射沉积源，其特征在于，所述RF电源经由匹配箱连接至所述功率连接器和所述导体棒。
8.如权利要求1所述的溅射沉积源，其特征在于，所述功率连接器进一步包括：
接合桥和连接至所述接合桥的热路径薄板金属。
9.如权利要求8所述的溅射沉积源，其特征在于，所述热路径薄板金属被用螺丝拧紧至所述接合桥。
10.如权利要求2所述的溅射沉积源，其特征在于，所述返回路径RF功率收集薄板金属被连接至电源薄板金属。
11.如权利要求10所述的溅射沉积源，其特征在于，所述返回路径RF功率收集薄板金属被用螺丝拧紧至所述电源薄板金属。
12.如权利要求1所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒在所述壁部分的内表面上突出至少0.8mm，使得间隙形成于所述壁部分的所述内表面与所述一个或多个部件之间。
13.如权利要求12所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒在所述壁部分的所述内表面上突出1mm至3mm，使得所述间隙形成于所述壁部分的所述内表面与所述一个或多个部件之间。
14.如权利要求1至13中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒具有在所述真空腔室的外部和所述真空腔室的内部中的至少一个处的至少螺纹。
15.一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备，包括：
用于在所述真空腔室中溅射沉积的如权利要求1至13中任一项所述的溅射沉积源；以及
所述真空腔室。
16.如权利要求15所述的设备，其特征在于，所述壁部分为连接至所述真空腔室的所述溅射沉积源的门。
17.一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法，包括：
穿过所述设备的壁部分插入导体棒；
将所述真空腔室内部的至少一个部件连接至所述导体棒；以及
将所述导体棒连接至RF电源，以生成穿过所述导体棒的定义的RF返回路径，
其中所述至少一个部件包括至少屏蔽盒，并且当所述屏蔽盒连接到所述导体棒时，在所述屏蔽盒与所述真空腔室的所述壁部分之间提供间隙。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
将热路径薄板金属用螺丝拧紧至连接至目标的接合桥；并且
其中，将所述导体棒连接至RF电源的所述返回路径包括：
将电源薄板金属用螺丝拧紧至返回路径RF功率收集薄板金属。
19.如权利要求17或18所述的方法，其特征在于，所述导体棒具有在所述真空腔室的外部和所述真空腔室的内部中的至少一个处的至少螺纹。
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