JP2010140995A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の製造方法は、準備工程とそれに続くダイシング工程を備える。準備工程は、次の構成を有する半導体ウエーハ10を準備する。即ち、スクライブ線領域22の伸びる方向に並ぶ一群のアクセサリパターンがスクライブ線領域に形成されている。そのアクセサリパターン列24の一端に位置する端部アクセサリパターン24fの幅Wcが端部アクセサリパターン24fに隣接する内側アクセサリパターン24eよりも広い。端部アクセサリパターン24fと半導体ウエーハ10のシリコン層との接合面積が内側アクセサリパターン24eとシリコン層との接合面積よりも広い。ダイシング工程は、上記のアクセサリパターン列を備えるウエーハに対して、アクセサリパターン列において端部アクセサリパターンがカット方向の下流側となるようにウエーハをカットしていく。
【選択図】図2
Description
準備工程は、次の構成を有する半導体ウエーハを準備する。即ち、スクライブ線領域の伸びる方向に並ぶ一群のアクセサリパターンがスクライブ線領域に形成されている。そのアクセサリパターン列の一端に位置する端部アクセサリパターンの幅が端部アクセサリパターンに隣接する内側アクセサリパターンの幅よりも広い。端部アクセサリパターンと半導体ウエーハのシリコン層との接合面積が内側アクセサリパターンとシリコン層との接合面積よりも広い。
端部アクセサリパターンは、幅が内側アクセサリパターンの幅よりも広く、半導体ウエーハのシリコン面との接合面積が内側アクセサリパターンの接合面積よりも広いという条件を満足していれば、TEGや電極パッドなどの機能を兼ねてもよい。或いは端部アクセサリパターンは、TEGや電極パッドの機能を果さないダミーであってもよい。
絶縁層32の表面と内側アクセサリパターン26aの端部付近の表面が、保護膜34で覆われている。保護膜34は、ポリイミドを主成分とした物質が用いられることが多い。
内側アクセサリパターン28aも、内側アクセサリパターン26aと同じ構造を有している。
なお、内側アクセサリパターン26aと同様に、絶縁層32の表面と内側アクセサリパターン24eの端部付近の表面が、保護膜34で覆われている。
シリコン層30と内側アクセサリパターン24eとの密着力は、絶縁層32と内側アクセサリパターン26aとの密着力よりも強いが、内側アクセサリパターン24eは、その全表面積に比してシリコン層30との接合面積が小さいので剥離し易い。アクセサリパターン24a〜24dも、内側アクセサリパターン24eと同じ構造を有している。
端部アクセサリパターン26b、28bも、端部アクセサリパターン24fと同じ構造を有している。
アクセサリパターンの幅Wb、Wcは、カーフ幅Waよりも広い。従って、切断された後も、カーフ幅の両側にアクセサリパターンの一部が残る。最下流に位置する端部アクセサリパターンもカット後に残る。その残った部分が防壁となって、上流側に隣接する内側アクセサリパターンに切削水やシリコン屑が衝突することが防止される。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:ダイシングフレーム
14:ダイシングブレード
16:切削水供給管
20:素子領域
22:スクライブ線領域
24、26、28:アクセサリパターン列
24e、26a、28a:内側アクセサリパターン
24f、26b、28b:端部アクセサリパターン
Claims (5)
- 半導体素子領域の周囲にスクライブ線領域が形成されている半導体ウエーハをカットして半導体装置を製造する方法であり、
スクライブ線領域の伸びる方向に並ぶ一群のアクセサリパターンがスクライブ線領域に形成されているとともに、アクセサリパターン列の一端に位置する端部アクセサリパターンのスクライブ線領域の伸びる方向に交差する方向の幅が端部アクセサリパターンに隣接する内側アクセサリパターンの幅よりも広く、端部アクセサリパターンと半導体ウエーハのシリコン層との接合面積が内側アクセサリパターンとシリコン層との接合面積よりも広い半導体ウエーハを準備する工程と、
前記アクセサリパターン列において端部アクセサリパターンがカット方向の下流側となるように半導体ウエーハをカットするダイシング工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 端部アクセサリパターンは、内側アクセサリパターンと同一の金属で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 端部アクセサリパターンの幅が、カーフ幅よりも広いことを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
- 端部アクセサリパターンとシリコン層との接合面積が、端部アクセサリパターンの表面積の70%以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。
- スクライブ線領域の伸びる方向に並ぶ一群のアクセサリパターンがスクライブ線領域に形成されており、
アクセサリパターン列の一端に位置する端部アクセサリパターンのスクライブ線領域の伸びる方向に交差する方向の幅が端部アクセサリパターンに隣接する内側アクセサリパターンの幅よりも広く、
端部アクセサリパターンと半導体ウエーハのシリコン層との接合面積が内側アクセサリパターンとシリコン層との接合面積よりも広い、
ことを特徴とする半導体装置。
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