JP2010114203A - 化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 217
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 149
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 132
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 22
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 abstract description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 22
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 19
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Mg++].[Al+3] GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- QQXSEZVCKAEYQJ-UHFFFAOYSA-N tetraethylgermanium Chemical compound CC[Ge](CC)(CC)CC QQXSEZVCKAEYQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRLCXMPFXYVHGS-UHFFFAOYSA-N tetramethylgermane Chemical compound C[Ge](C)(C)C ZRLCXMPFXYVHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- AXWLFOKLQGDQFR-UHFFFAOYSA-N zinc iron(2+) manganese(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Fe+2].[Zn+2].[Mn+2].[O-2].[O-2] AXWLFOKLQGDQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
【解決手段】化合物半導体基板40上に、有機金属気相成長法によってIII族窒化物半導体の結晶層を化合物半導体基板40上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように化合物半導体基板40を取り付け、化合物半導体基板40の上方に結晶成長面と対向する側に放射状の複数の溝63が形成された保護部材60を取り付け、保護部材60の中央部に設けられた第1の貫通孔61を介して、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。
【選択図】図3
Description
このようにして付着、堆積した反応生成物は、基板に対しMOCVD法による化合物半導体の製膜を行った後、清掃を行うことによって除去される。
また、基板上に付着した反応生成物の数あるいは量が著しく多いと、化合物半導体層を形成した基板自体を破棄せざるを得なくなってしまうため、化合物半導体層を形成した基板の製造における歩留まりの低下を招いていた。
図1は本実施の形態が適用される化合物半導体製造装置の一例としてのMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置1の断面構成を示す図である。また、図2は、図1に示すMOCVD装置1のII−II断面図である。
このMOCVD装置1は、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させるための基板110(後述する図4参照)やさらにその上に予め任意の組成の化合物半導体層を少なくとも1層形成してなる化合物半導体基板(一例として化合物半導体基板40も挙げられ、本明細書ではこれらを被形成体ともいう)を任意に選ぶことができ、例えば化合物半導体基板40を用いる場合には、その結晶成長面が上方を向くように配置し、且つ、エピタキシャル成長を行わせる結晶の原料となる原料ガスを、化合物半導体基板40の上方から供給する所謂縦型の構成を有している。
これらのうち、反応容器10は、円筒状の形状を有し上方に向かう開口が形成されるとともにその内部に支持体20を収容する収容部11と、円板状の形状を有しこの収容部11の上部に取り付けられる蓋部12とを備える。
一方、収容部11の底面には、反応室内に供給された原料ガスを反応室の外部に排出するための複数の排気管が貫通形成されている。さらに、収容部11の底面中央部には、後述する軸21を通すための貫通孔も形成されている。
本実施の形態では、MOCVD装置1を用いて基板110上に予め任意の組成の化合物半導体層を形成した化合物半導体基板40上に、さらにIII族窒化物半導体層を形成する。このため、原料として、III族の元素を含む有機金属と窒素を含むアンモニアNH3とを使用する。ただし、有機金属は主として液体原料であるため、液体状の有機金属に窒素N2および水素H2にてバブリングを行い、得られた窒素N2および水素H2および有機金属を混合させてなる有機金属ガスMOを原料ガスとして供給する。本実施の形態では、供給管13より有機金属ガスMOおよびアンモニアNH3の供給を行う。
なお、支持体20の内部には、支持体20に設けられた6個の凹部の底面に向けて窒素N2を供給するための貫通孔(図示せず)が形成されている。なお、支持体20に設けられた6個の凹部の底面に対する窒素N2の供給手法については、適宜設定変更して差し支えない。
そして、各基板保持体30は、それぞれが化合物半導体基板40を保持した状態で、上述した図示しない貫通孔を介して供給される窒素N2の流れにより、図2に示す矢印B方向に回転するようになっている。
基板110は、III族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成され、基板110上にIII族窒化物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板110を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化ケイ素(シリコンカーバイド:SiC)、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化ケイ素(シリコンカーバイド:SiC)が好ましい。
上述したように、基板110はIII族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成される。このため、図1に示すMOCVD装置1を用いて化合物半導体層100を成膜する前に、バッファ機能を発揮する中間層120を基板110上に設けておくことが好ましい。特に、中間層120が単結晶構造であることは、バッファ機能の面から好ましい。単結晶構造を有する中間層120を基板110上に成膜した場合、中間層120のバッファ機能が有効に作用し、中間層120上に成膜される下地層130と化合物半導体層100とは、良好な結晶性を持つ結晶膜となる。
中間層120は、Alを含有することが好ましく、III族窒化物であるAlNを含むことが特に好ましい。
下地層130に用いる材料としては、Gaを含むIII族窒化物(GaN系化合物半導体)が用いられ、特に、AlGaN、又はGaNを好適に用いることができる。下地層130の膜厚は0.1μm以上、好ましくは0.5μm以上、さらに好ましくは1μm以上である。
n型半導体層140は、n型コンタクト層140aおよびn型クラッド層140bから構成される。
ここで、n型コンタクト層140aとしては、下地層130と同様にGaN系化合物半導体が用いられる。また、下地層130およびn型コンタクト層140aを構成する窒化ガリウム系化合物半導体は同一組成であることが好ましく、これらの合計の膜厚を0.1μm〜20μm、好ましくは0.5μm〜15μm、さらに好ましくは1μm〜12μmの範囲に設定することが好ましい。
発光層150は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層150aと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層150bとが交互に繰り返して積層され、且つ、n型半導体層140側及びp型半導体層160側にそれぞれ障壁層150aが配される順で積層して形成される。本実施の形態において、発光層150は、6層の障壁層150aと5層の井戸層150bとが交互に繰り返して積層され、発光層150の最上層及び最下層に障壁層150aが配され、各障壁層150a間に井戸層150bが配される構成となっている。
また、井戸層150bには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ga1-sInsN(0<s<0.4)等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
発光層150全体の膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚、即ち臨界膜厚領域であることが好ましい。例えば、発光層150の膜厚は、1nm〜500nmの範囲であることが好ましく、100nm前後の膜厚であればより好ましい。また、井戸層150bの膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚であることが好ましい。
p型半導体層160は、p型クラッド層160aおよびp型コンタクト層160bから構成される。p型クラッド層160aとしては、好ましくは、AldGa1-dN(0<d≦0.4)のものが挙げられる。p型クラッド層160aの膜厚は、好ましくは1nm〜400nmであり、より好ましくは5nm〜100nmである。
一方、p型コンタクト層160bとしては、AleGa1-eN(0≦e<0.5)を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層が挙げられる。p型コンタクト層160bの膜厚は、特に限定されないが、10nm〜500nmが好ましく、より好ましくは50nm〜200nmである。
発光素子チップLCにおいては、p型半導体層160のp型コンタクト層160b上に透明正極170が積層され、さらにその上に正極ボンディングパッド180が形成されるとともに、n型半導体層140のn型コンタクト層140aに形成された露出領域140cに負極ボンディングパッド190が積層されている。
透明正極170を構成する材料としては、例えば、ITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−Ga2O3)等の従来公知の材料が挙げられる。また、透明正極170の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。透明正極170は、p型半導体層160上のほぼ全面を覆うように形成しても良く、格子状や樹形状に形成しても良い。
透明正極170上に形成される電極としての正極ボンディングパッド180は、例えば、従来公知のAu、Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Ta、Ni、Cu等の材料から構成される。正極ボンディングパッド180の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。
正極ボンディングパッド180の厚さは、例えば100nm〜2000nmの範囲内であり、好ましくは300nm〜1000nmの範囲内である。
負極ボンディングパッド190は、基板110上に成膜された中間層120および下地層130の上にさらに成膜された化合物半導体層100(n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160)において、n型半導体層140のn型コンタクト層140aに接するように形成される。このため、負極ボンディングパッド190を形成する際は、p型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140の一部を除去し、n型コンタクト層140aの露出領域140cを形成し、この上に負極ボンディングパッド190を形成する。
負極ボンディングパッド190の材料としては、正極ボンディングパッド180と同じ組成・構造でもよく、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
まず、所定の直径と厚さとを有するサファイア製の基板110を、図示しないスパッタリング装置にセットする。そして、スパッタリング装置にて、基板110上に、V族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させることにより、III族窒化物からなる中間層120を形成する。
続いて、中間層120が形成された基板110を、図1に示すMOCVD装置1にセットする。具体的に説明すると、中間層120が外側に向かうように、各基板110を各基板保持体30にセットし、各基板110がセットされた各基板保持体30を、支持体20に設けられた各凹部に、中間層120が上方を向くように配置する。そして、MOCVD装置1を用いて中間層120の上に下地層130の形成を行い、化合物半導体基板40を得る。
図6は、化合物半導体基板40を出発材料とする積層半導体ウェハSWの製造方法を説明するためのフローチャートである。
化合物半導体基板40を、図1に示すMOCVD装置1にセットする(ステップ201)。具体的に説明すると、下地層130が外側に向かうように、各基板110を各基板保持体30にセットし、各基板110がセットされた各基板保持体30を、支持体20に設けられた各凹部に、中間層120が上方を向くように配置する。そして、MOCVD装置1を用いて下地層130の上にn型コンタクト層140aを形成し(ステップ202)、n型コンタクト層140aの上にn型クラッド層140bを形成し(ステップ203)、n型クラッド層140bの上に発光層150すなわち障壁層150aと井戸層150bとを交互に形成し(ステップ204)、発光層150の上にp型クラッド層160aを形成し(ステップ205)、p型クラッド層160aの上にp型コンタクト層160bを形成し(ステップ206)、積層半導体ウェハSWを得る。
図6に示すプロセスによって得られた積層半導体ウェハSWのp型半導体層160上に透明正極170を積層し、その上に正極ボンディングパッド180を形成する。また、エッチング等を用いてn型コンタクト層140aに露出領域140cを形成し、この露出領域140cに負極ボンディングパッド190を設ける。
その後、基板110の中間層120の形成面とは反対の面を、所定の厚さになるまで研削及び研磨する。
そして、基板110の厚さが調整されたウェハを、例えば350μm角の正方形に切断することにより、発光素子チップLCを得る。
まず初めに、6枚の基板保持体30の凹部に、それぞれ1枚ずつ化合物半導体基板40をセットする。このとき、化合物半導体基板40の下地層130を外部に露出させるようにする。続いて、反応容器10の蓋部12を開け、それぞれに化合物半導体基板40がセットされた6枚の基板保持体30を、MOCVD装置1の支持体20に設けられた6個の凹部にセットする。このとき、化合物半導体基板40の下地層130が上方を向くようにする。
その後、保護部材60が取り付けられた蓋部12を閉じて収容部11と蓋部12とを密着させる。
本発明者は、図1に示すMOCVD装置1を用いて化合物半導体基板40上に化合物半導体層100の形成を行い、そのときに使用した保護部材60の構成と化合物半導体基板40上に形成された化合物半導体層100内に存在する異物の数との関係について検討を行った。ただし、ここでは、支持体20上に8枚の基板保持体30すなわち8枚の化合物半導体基板40を搭載できるMOCVD装置1を用いた。
図7において、縦軸は積層半導体ウェハSWの枚数を示しており、実施例、比較例1および比較例2のそれぞれにおける合格品、不合格品の数を示している。
図7より明らかなように、実施例においては、448枚の積層半導体ウェハSWのうち不合格品が1枚だけであったのに対し、比較例1では448枚のうち10枚が不合格品となり、比較例2では448枚のうち9枚が不合格品となった。
図8は、保護部材60の表面の他の構成例を示している。
まず、図8(a)に示すように、保護部材60の表面に、例えば規則性あるいは不規則性を有する多数の凹凸を形成するようにしてもよい。
また、図8(b)に示すように、保護部材60の表面に、一方向に向かう複数の溝63を形成するようにしてもよい。
さらに、図8(c)に示すように、保護部材60の表面に、一方向に向かう複数の溝63およびこの一方向と直交する方向に向かう他の複数の溝63とを形成するようにしてもよい。
さらにまた、図8(d)に示すように、保護部材60の表面に、同心円状に複数の溝63を形成するようにしてもよい。
そして、図8(e)に示すように、保護部材60の表面に、同心円状ではなく渦巻き状に溝63を形成するようにしてもよい。なお、図8(e)では、1本の溝63を渦巻き状に形成する例を示しているが、複数の溝63を渦巻き状に形成するものであってもよい。
Claims (12)
- 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、
反応容器と、
外部から前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、
前記反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように当該被形成体を支持する支持体と、
前記支持体に支持された前記被形成体の上方に配置され、前記被形成面と対向する対向面に凹凸が形成される対向部材と
を有することを特徴とする化合物半導体製造装置。 - 前記対向部材の前記対向面には、連続性を有する凹部からなる溝が形成されることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体製造装置。
- 前記原料供給口が前記対向部材に設けられた貫通孔にて構成され、
前記対向部材の前記対向面には、前記貫通孔を中心として内側から外側に向かう前記溝が形成されることを特徴とする請求項2記載の化合物半導体製造装置。 - 前記溝が、前記貫通孔を中心として放射状に複数形成されることを特徴とする請求項3記載の化合物半導体製造装置。
- 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を被形成体の被形成面に形成する化合物半導体の製造方法であって、
前記被形成面が上方を向くように反応容器内に前記被形成体を取り付け、
前記被形成体の上方に前記被形成面と対向する対向面に凹凸が形成された対向部材を配置し、
前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給すること
を特徴とする化合物半導体の製造方法。 - 前記対向面には、連続性を有する溝が形成されることを特徴とする請求項5記載の化合物半導体の製造方法。
- 前記対向部材に設けられた貫通孔を介して前記反応容器内に前記原料ガスを供給し、
前記対向面には、前記貫通孔を中心として内側から外側に向かう前記溝が形成されることを特徴とする請求項6記載の化合物半導体の製造方法。 - 前記対向面には、前記貫通孔を中心として放射状に複数の前記溝が形成されることを特徴とする請求項7記載の化合物半導体の製造方法。
- 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置で用いられる化合物半導体製造用治具であって、
凹凸を有し被形成面が上方を向くように配置される被形成体の上方に対向する対向面と、
前記対向面と当該対向面の裏面とを貫通するように形成され、前記被形成体の上方から当該被形成体に前記化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と
を有することを特徴とする化合物半導体製造用治具。 - 前記対向面には、連続性を有する溝が形成されることを特徴とする請求項9記載の化合物半導体製造用治具。
- 前記対向面には、前記原料供給口を中心として内側から外側に向かう前記溝が形成されることを特徴とする請求項10記載の化合物半導体製造用治具。
- 前記溝が、前記原料供給口を中心として放射状に複数形成されていることを特徴とする請求項11記載の化合物半導体製造用治具。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008284349A JP5453768B2 (ja) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114203A true JP2010114203A (ja) | 2010-05-20 |
JP5453768B2 JP5453768B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=42152902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008284349A Active JP5453768B2 (ja) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8591656B2 (ja) |
JP (1) | JP5453768B2 (ja) |
KR (1) | KR101253423B1 (ja) |
CN (1) | CN102197460B (ja) |
DE (1) | DE112009002396B4 (ja) |
TW (1) | TWI506678B (ja) |
WO (1) | WO2010053094A1 (ja) |
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- 2009-11-04 WO PCT/JP2009/068834 patent/WO2010053094A1/ja active Application Filing
- 2009-11-04 DE DE112009002396.7T patent/DE112009002396B4/de active Active
- 2009-11-04 US US13/126,110 patent/US8591656B2/en active Active
- 2009-11-04 KR KR1020117004936A patent/KR101253423B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-04 CN CN200980143008.0A patent/CN102197460B/zh active Active
- 2009-11-05 TW TW098137611A patent/TWI506678B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110033954A (ko) | 2011-04-01 |
DE112009002396T5 (de) | 2011-07-21 |
CN102197460B (zh) | 2014-07-23 |
WO2010053094A1 (ja) | 2010-05-14 |
US8591656B2 (en) | 2013-11-26 |
KR101253423B1 (ko) | 2013-04-11 |
CN102197460A (zh) | 2011-09-21 |
DE112009002396B4 (de) | 2022-02-03 |
US20110207299A1 (en) | 2011-08-25 |
TW201027598A (en) | 2010-07-16 |
TWI506678B (zh) | 2015-11-01 |
JP5453768B2 (ja) | 2014-03-26 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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