JPH11283972A - 真空容器 - Google Patents
真空容器Info
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- JPH11283972A JPH11283972A JP8757898A JP8757898A JPH11283972A JP H11283972 A JPH11283972 A JP H11283972A JP 8757898 A JP8757898 A JP 8757898A JP 8757898 A JP8757898 A JP 8757898A JP H11283972 A JPH11283972 A JP H11283972A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum vessel
- plasma
- quartz glass
- vacuum container
- wall surface
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空容器を構成するセラミックスや石英ガラス
がハロゲン系腐食性ガスや混合ガス中の酸素などと反応
して反応生成物を生成し、該反応生成物がパーティクル
として剥がれ落ちて被加工物に悪影響を与えるまでの時
間を長くすることにより、真空容器のメンテナンス回数
を低減し、装置の稼動効率を高める。 【解決手段】少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又
はプラズマに曝される部位をセラミックス又は石英ガラ
スにより形成し、その表面に複数個の凹部３を設けてチ
ャンバやベルジャをなす真空容器１を構成する。
がハロゲン系腐食性ガスや混合ガス中の酸素などと反応
して反応生成物を生成し、該反応生成物がパーティクル
として剥がれ落ちて被加工物に悪影響を与えるまでの時
間を長くすることにより、真空容器のメンテナンス回数
を低減し、装置の稼動効率を高める。 【解決手段】少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又
はプラズマに曝される部位をセラミックス又は石英ガラ
スにより形成し、その表面に複数個の凹部３を設けてチ
ャンバやベルジャをなす真空容器１を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置やエッチ
ング装置におけるチャンバやベルジャなどの真空容器に
関するものである。
ング装置におけるチャンバやベルジャなどの真空容器に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において
は、反応ガスをプラズマ化して半導体ウエハに薄膜を形
成する成膜装置や微細加工を施すエッチング装置が用い
られており、反応ガスのプラズマ化は高温を要せず比較
的低温で処理ができるという利点を有している。
は、反応ガスをプラズマ化して半導体ウエハに薄膜を形
成する成膜装置や微細加工を施すエッチング装置が用い
られており、反応ガスのプラズマ化は高温を要せず比較
的低温で処理ができるという利点を有している。
【０００３】例えば、成膜装置は内壁にセラミック片を
貼り付けたチャンバ内に半導体ウエハを設置し、上記チ
ャンバ内に反応ガスとして原料ガスとハロゲン系腐食性
ガスを導入し、この反応ガスをプラズマ化することによ
り半導体ウエハ上に薄膜を形成するようになっており、
また、エッチング装置は釣鐘状をした石英ガラスからな
るベルジャ内に半導体ウエハを設置し、上記ベルジャ内
に反応ガスとしてハロゲン系腐食性ガスを導入し、この
反応ガスをプラズマ化することにより半導体ウエハに微
細加工を施すようになっていた（特開平５−２１７９４
６号公報参照）。
貼り付けたチャンバ内に半導体ウエハを設置し、上記チ
ャンバ内に反応ガスとして原料ガスとハロゲン系腐食性
ガスを導入し、この反応ガスをプラズマ化することによ
り半導体ウエハ上に薄膜を形成するようになっており、
また、エッチング装置は釣鐘状をした石英ガラスからな
るベルジャ内に半導体ウエハを設置し、上記ベルジャ内
に反応ガスとしてハロゲン系腐食性ガスを導入し、この
反応ガスをプラズマ化することにより半導体ウエハに微
細加工を施すようになっていた（特開平５−２１７９４
６号公報参照）。
【０００４】なお、反応ガスのプラズマ化には、チャン
バやベルジャなどの真空容器に導入された反応ガスに高
周波のマイクロ波を照射してプラズマ化する方法や、真
空容器に接続された導入管内の反応ガスに外部よりマイ
クロ波を照射してプラズマ化したものを真空容器にまで
導く方法が採用されている。
バやベルジャなどの真空容器に導入された反応ガスに高
周波のマイクロ波を照射してプラズマ化する方法や、真
空容器に接続された導入管内の反応ガスに外部よりマイ
クロ波を照射してプラズマ化したものを真空容器にまで
導く方法が採用されている。
【０００５】そして、これら真空容器の少なくともハロ
ゲン系腐食性ガス及び／又はプラズマに曝される部位に
は前述したようにセラミックスや石英ガラスが使用さ
れ、その表面はプラズマにより腐食されないようにする
ために平滑に形成されていた。
ゲン系腐食性ガス及び／又はプラズマに曝される部位に
は前述したようにセラミックスや石英ガラスが使用さ
れ、その表面はプラズマにより腐食されないようにする
ために平滑に形成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、反応ガスと
して使用されているフッ素系や塩素系などのハロゲン系
腐食性ガスは、真空容器の内壁面を構成するセラミック
スや石英ガラスと反応して内壁面上にハロゲン化物を生
成し、該ハロゲン化物が蒸発したりプラズマによって摩
耗して半導体ウエハにパーティクルとして堆積する結
果、半導体ウエハに悪影響を与えるといった課題があっ
た。
して使用されているフッ素系や塩素系などのハロゲン系
腐食性ガスは、真空容器の内壁面を構成するセラミック
スや石英ガラスと反応して内壁面上にハロゲン化物を生
成し、該ハロゲン化物が蒸発したりプラズマによって摩
耗して半導体ウエハにパーティクルとして堆積する結
果、半導体ウエハに悪影響を与えるといった課題があっ
た。
【０００７】また、上記ハロゲン化物は、真空容器中に
導入される混合ガス中の酸素などと反応して酸化物や酸
窒化物となって真空容器の低温部に付着するのである
が、ある程度堆積すると剥がれ落ちて半導体ウエハに堆
積する結果、ハロゲン化物と同様に半導体ウエハに悪影
響を与えるといった課題があった。
導入される混合ガス中の酸素などと反応して酸化物や酸
窒化物となって真空容器の低温部に付着するのである
が、ある程度堆積すると剥がれ落ちて半導体ウエハに堆
積する結果、ハロゲン化物と同様に半導体ウエハに悪影
響を与えるといった課題があった。
【０００８】その為、定期的に装置を停止させて真空容
器の内壁面に生成されるハロゲン化物などの反応生成物
を除去するメンテナンスを施さなければならないのであ
るが、この作業を頻繁に行わなければならないことから
装置の稼働効率が悪いといった課題があった。
器の内壁面に生成されるハロゲン化物などの反応生成物
を除去するメンテナンスを施さなければならないのであ
るが、この作業を頻繁に行わなければならないことから
装置の稼働効率が悪いといった課題があった。
【０００９】
【発明の目的】本発明の目的は、ハロゲン系腐食性ガス
との反応によって生成されるハロゲン化物などの反応生
成物がパーティクルとして剥がれ落ちるまでの時間を長
くして、定期的に行うメンテナンス回数を減らすことに
より装置の稼働効率を高めることができる真空容器を提
供することにある。
との反応によって生成されるハロゲン化物などの反応生
成物がパーティクルとして剥がれ落ちるまでの時間を長
くして、定期的に行うメンテナンス回数を減らすことに
より装置の稼働効率を高めることができる真空容器を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、チャンバやベルジャなどの真空容器におい
て、少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又はプラズ
マに曝される部位をセラミックス又は石英ガラスにより
形成するとともに、その表面に複数個の凹部を設けたこ
とを特徴とする。
題に鑑み、チャンバやベルジャなどの真空容器におい
て、少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又はプラズ
マに曝される部位をセラミックス又は石英ガラスにより
形成するとともに、その表面に複数個の凹部を設けたこ
とを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１２】図１は本発明の真空容器を用いたエッチン
グ装置の概略を示す模式図であり、１は釣鐘状をしたベ
ルジャと呼ばれる真空容器で、セラミックス又は石英ガ
ラスからなり、この真空容器１の内壁面２には複数個の
凹部３を形成してある。また、上記真空容器１の頂部に
は一体的に伸びる導入管４を設けてあり、該導入管４の
周囲には高周波コイル５が設置してある。そして、真空
容器１内には被加工物Ｗを保持する支持部材６を設置し
てあり、該支持部材６上に被加工物Ｗを載置するととも
に、上記高周波コイル５によってマイクロ波を発生させ
て導入管４に対して垂直に照射することにより導入管４
に供給される反応ガスをプラズマ化し、真空容器１内へ
導くことにより被加工物Ｗをエッチングして微細加工を
施すようになっている。
グ装置の概略を示す模式図であり、１は釣鐘状をしたベ
ルジャと呼ばれる真空容器で、セラミックス又は石英ガ
ラスからなり、この真空容器１の内壁面２には複数個の
凹部３を形成してある。また、上記真空容器１の頂部に
は一体的に伸びる導入管４を設けてあり、該導入管４の
周囲には高周波コイル５が設置してある。そして、真空
容器１内には被加工物Ｗを保持する支持部材６を設置し
てあり、該支持部材６上に被加工物Ｗを載置するととも
に、上記高周波コイル５によってマイクロ波を発生させ
て導入管４に対して垂直に照射することにより導入管４
に供給される反応ガスをプラズマ化し、真空容器１内へ
導くことにより被加工物Ｗをエッチングして微細加工を
施すようになっている。
【００１３】そして、本発明によれば、真空容器１の少
なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又はプラズマに曝
される内壁面２に複数個の凹部３を形成し、真空容器１
内の表面積を大きくしてあることから、真空容器１を構
成するセラミックスや石英ガラスがハロゲン系腐食性ガ
スや混合ガス中の酸素などと反応して反応生成物を生成
したとしても、該反応生成物がパーティクルとして剥が
れ落ちるまでの時間を長くすることができる。しかも、
プラズマは凹部３内に回り込み易いことから反応生成物
を凹部３内に積極的に生成させることができ、真空容器
１の内壁面２における反応生成物の生成量を少なくする
ことができるため、真空容器１のメンテナンス回数を減
らし、装置の稼働効率を高めることができる。
なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又はプラズマに曝
される内壁面２に複数個の凹部３を形成し、真空容器１
内の表面積を大きくしてあることから、真空容器１を構
成するセラミックスや石英ガラスがハロゲン系腐食性ガ
スや混合ガス中の酸素などと反応して反応生成物を生成
したとしても、該反応生成物がパーティクルとして剥が
れ落ちるまでの時間を長くすることができる。しかも、
プラズマは凹部３内に回り込み易いことから反応生成物
を凹部３内に積極的に生成させることができ、真空容器
１の内壁面２における反応生成物の生成量を少なくする
ことができるため、真空容器１のメンテナンス回数を減
らし、装置の稼働効率を高めることができる。
【００１４】その上、真空容器１の側部では凹部３内に
生成された反応生成物が剥がれ落ちたとしても凹部３内
に保持することができるため、内壁面が平滑面からなる
従来の真空容器と比較して単位時間当たりの被加工物Ｗ
へのパーティクル量を低減することができる。
生成された反応生成物が剥がれ落ちたとしても凹部３内
に保持することができるため、内壁面が平滑面からなる
従来の真空容器と比較して単位時間当たりの被加工物Ｗ
へのパーティクル量を低減することができる。
【００１５】ところで、内壁面２に形成する凹部３とし
ては、孔や窪みあるいは溝を凹部３として用いることが
できる。例えば、図２（ａ）は内壁面２にドリル加工等
によって円形の孔３ａをほぼ等間隔に複数個穿設したも
のであり、図２（ｂ）は図２（ａ）の孔３ａに対してざ
ぐり孔３ｂを設け、断面形状を階段状とすることにより
表面積をさらに大きくしたものである。一方、図２
（ｃ）は内壁面２にダイヤモンドホイールによって細長
い窪み３ｃをある一定の間隔で複数個刻設したものであ
る。また、図２（ｄ）〜（ｆ）はいずれも内壁面２に断
面形状がコ字状、Ｖ字状、階段状をした溝３ｄを等間隔
に複数個刻設したものであり、図２（ｇ）は内壁面２に
溝３ｄを縦横にそれぞれ複数個刻設して格子状としたも
のである。
ては、孔や窪みあるいは溝を凹部３として用いることが
できる。例えば、図２（ａ）は内壁面２にドリル加工等
によって円形の孔３ａをほぼ等間隔に複数個穿設したも
のであり、図２（ｂ）は図２（ａ）の孔３ａに対してざ
ぐり孔３ｂを設け、断面形状を階段状とすることにより
表面積をさらに大きくしたものである。一方、図２
（ｃ）は内壁面２にダイヤモンドホイールによって細長
い窪み３ｃをある一定の間隔で複数個刻設したものであ
る。また、図２（ｄ）〜（ｆ）はいずれも内壁面２に断
面形状がコ字状、Ｖ字状、階段状をした溝３ｄを等間隔
に複数個刻設したものであり、図２（ｇ）は内壁面２に
溝３ｄを縦横にそれぞれ複数個刻設して格子状としたも
のである。
【００１６】なお、凹部３の形状としては図２（ａ）〜
（ｇ）だけに限定されるものではなく、例えば、孔３
ａ、窪み３ｃ、溝３ｄのうち２つ以上が混在したもので
も良く、また、孔３ａの形状も円形だけに限定されるも
のではなく、三角形や四角形などの多角形をしたものや
楕円形をしたものなどどのような形状をしたものでも構
わない。さらに上記図２（ａ）〜（ｇ）以外に図２
（ｈ）のような多数の気孔を有する多孔質セラミク板を
貼り付けることもできる。
（ｇ）だけに限定されるものではなく、例えば、孔３
ａ、窪み３ｃ、溝３ｄのうち２つ以上が混在したもので
も良く、また、孔３ａの形状も円形だけに限定されるも
のではなく、三角形や四角形などの多角形をしたものや
楕円形をしたものなどどのような形状をしたものでも構
わない。さらに上記図２（ａ）〜（ｇ）以外に図２
（ｈ）のような多数の気孔を有する多孔質セラミク板を
貼り付けることもできる。
【００１７】ただし、内壁面２に存在する一つの凹部３
の開口面積は３ｍｍ2 以上、凹部３の深さは２ｍｍ以上
が良い。これは、凹部３の開口面積が３ｍｍ2 未満では
凹部３内へプラズマが回り込み難くなり、凹部３を設け
たことによるパーティクル低減効果が小さいからであ
り、また、凹部３の深さが２ｍｍ未満では表面積をそれ
ほど大きくすることができず、パーティクル低減効果が
小さいからである。
の開口面積は３ｍｍ2 以上、凹部３の深さは２ｍｍ以上
が良い。これは、凹部３の開口面積が３ｍｍ2 未満では
凹部３内へプラズマが回り込み難くなり、凹部３を設け
たことによるパーティクル低減効果が小さいからであ
り、また、凹部３の深さが２ｍｍ未満では表面積をそれ
ほど大きくすることができず、パーティクル低減効果が
小さいからである。
【００１８】また、内壁面２と凹部３とのエッジ部に
は、テーパ状や曲面状の面取りを施しておくことが望ま
しい。これは、プラズマエネルギーが鋭利な部分に集中
して腐食摩耗させ易いからであり、予め内壁面２と凹部
３とのエッジ部にテーパ状や曲面状の面取りを施して鋭
利な部分をなくしておくことにより、摩耗を抑えること
ができる。
は、テーパ状や曲面状の面取りを施しておくことが望ま
しい。これは、プラズマエネルギーが鋭利な部分に集中
して腐食摩耗させ易いからであり、予め内壁面２と凹部
３とのエッジ部にテーパ状や曲面状の面取りを施して鋭
利な部分をなくしておくことにより、摩耗を抑えること
ができる。
【００１９】さらに、真空容器１の内壁面２は中心線平
均粗さ（Ｒａ）で２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下と
することが良い。これは内壁面２に大きな凹凸がある
と、プラズマエネルギーが凸や凹のエッジに集中して腐
食摩耗させ易く、中心線平均粗さ（Ｒａ）が２μｍより
大きいと腐食摩耗が激しいからである。なお、より好ま
しくは内壁面２の凹凸が丸みを有していることが良く、
例えば、焼成後の表面粗さが上記範囲にある場合には焼
成したままの面とし、研磨加工を施した場合には熱処理
を加えて凹凸に丸みを持たせることが好ましい。
均粗さ（Ｒａ）で２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下と
することが良い。これは内壁面２に大きな凹凸がある
と、プラズマエネルギーが凸や凹のエッジに集中して腐
食摩耗させ易く、中心線平均粗さ（Ｒａ）が２μｍより
大きいと腐食摩耗が激しいからである。なお、より好ま
しくは内壁面２の凹凸が丸みを有していることが良く、
例えば、焼成後の表面粗さが上記範囲にある場合には焼
成したままの面とし、研磨加工を施した場合には熱処理
を加えて凹凸に丸みを持たせることが好ましい。
【００２０】また、このような真空容器１を構成するセ
ラミックスとしては、窒化珪素や窒化アルミニウムなど
の窒化物セラミックスや、アルミナ、マグネシア、アル
ミニウム−イットリウム−ガーネット（ＹＡＧ）などの
酸化物セラミックスを用いることができる。さらに、上
記セラミックスや石英ガラスはできるだけ高純度のもの
が良く、純度が９９．５％以上、好ましくは９９．８％
以上のものが耐摩耗性を高める上で好適である。
ラミックスとしては、窒化珪素や窒化アルミニウムなど
の窒化物セラミックスや、アルミナ、マグネシア、アル
ミニウム−イットリウム−ガーネット（ＹＡＧ）などの
酸化物セラミックスを用いることができる。さらに、上
記セラミックスや石英ガラスはできるだけ高純度のもの
が良く、純度が９９．５％以上、好ましくは９９．８％
以上のものが耐摩耗性を高める上で好適である。
【００２１】さらに、上記セラミックスや石英ガラスか
らなる真空容器１の内壁面２側には、３０００ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上のビッカース硬度を有する硬質炭素膜７を被着
することもできる。
らなる真空容器１の内壁面２側には、３０００ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上のビッカース硬度を有する硬質炭素膜７を被着
することもできる。
【００２２】ここで硬質炭素膜７とは、ラマン分光スペ
クトルにおいて、１１６０±４０ｃｍ-1、１３４０±４
０ｃｍ-1、及び１５００±６０ｃｍ-1のいずれかにピー
クが存在するものであり、例えば、１３４０±４０ｃｍ
-1と１５００±６０ｃｍ-1にピークを有し、１５００±
６０ｃｍ-1をメインピークに持つ非晶質構造のダイヤモ
ンドライクカーボンや、１１６０±４０ｃｍ-1、１３４
０±４０ｃｍ-1、及び１５００±６０ｃｍ-1にそれぞれ
ピークを有し、かつ１３４０±４０ｃｍ-1をメインピー
クに持つ結晶質構造のダイヤモンドライクカーボン、あ
るいは１３４０±４０ｃｍ-1にのみピークを持つダイヤ
モンドが挙げられる。
クトルにおいて、１１６０±４０ｃｍ-1、１３４０±４
０ｃｍ-1、及び１５００±６０ｃｍ-1のいずれかにピー
クが存在するものであり、例えば、１３４０±４０ｃｍ
-1と１５００±６０ｃｍ-1にピークを有し、１５００±
６０ｃｍ-1をメインピークに持つ非晶質構造のダイヤモ
ンドライクカーボンや、１１６０±４０ｃｍ-1、１３４
０±４０ｃｍ-1、及び１５００±６０ｃｍ-1にそれぞれ
ピークを有し、かつ１３４０±４０ｃｍ-1をメインピー
クに持つ結晶質構造のダイヤモンドライクカーボン、あ
るいは１３４０±４０ｃｍ-1にのみピークを持つダイヤ
モンドが挙げられる。
【００２３】これらの硬質炭素７は原子間の結合力が強
く、緻密であることから、ビッカース硬度で３０００ｋ
ｇ／ｍｍ2 以上、結晶質構造のダイヤモンドライクカー
ボンやダイヤモンドにあっては８０００ｋｇ／ｍｍ2 以
上と高硬度を有するため、腐食性の強いハロゲン系腐食
性ガス下でプラズマに曝されても大きく腐食摩耗するこ
とがない。
く、緻密であることから、ビッカース硬度で３０００ｋ
ｇ／ｍｍ2 以上、結晶質構造のダイヤモンドライクカー
ボンやダイヤモンドにあっては８０００ｋｇ／ｍｍ2 以
上と高硬度を有するため、腐食性の強いハロゲン系腐食
性ガス下でプラズマに曝されても大きく腐食摩耗するこ
とがない。
【００２４】これらの硬質炭素膜７を内壁面２に被覆す
る方法としては、ＣＶＤ法、イオン化蒸着法、イオンビ
ーム法等の周知の薄膜形状手段を用いることができる。
る方法としては、ＣＶＤ法、イオン化蒸着法、イオンビ
ーム法等の周知の薄膜形状手段を用いることができる。
【００２５】なお、このような効果を得るためには、硬
質炭素膜７としてダイヤモンドライクカーボンを用いる
時にはその厚み幅は０．１〜２．０μｍの範囲が良く、
また、硬質炭素膜７としてダイヤモンドを用いる時には
その厚み幅は０．１〜１０．０μｍ、好ましくは、１．
０〜１０．０μｍの範囲が良い。
質炭素膜７としてダイヤモンドライクカーボンを用いる
時にはその厚み幅は０．１〜２．０μｍの範囲が良く、
また、硬質炭素膜７としてダイヤモンドを用いる時には
その厚み幅は０．１〜１０．０μｍ、好ましくは、１．
０〜１０．０μｍの範囲が良い。
【００２６】以上のように、本実施形態では、ベルジャ
をセラミックスや石英ガラスにより一体的に形成した例
を示したが、真空容器１の内壁面に接着やボルト止め等
の手段によってセラミック片や石英ガラス片を接合した
ものなど、少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又は
プラズマに曝される部位をセラミックスや石英ガラスに
より形成したものであれば良い。また、本実施形態では
ベルジャを例にとって説明したが、チャンバにも適用で
きることは言うまでもない。
をセラミックスや石英ガラスにより一体的に形成した例
を示したが、真空容器１の内壁面に接着やボルト止め等
の手段によってセラミック片や石英ガラス片を接合した
ものなど、少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又は
プラズマに曝される部位をセラミックスや石英ガラスに
より形成したものであれば良い。また、本実施形態では
ベルジャを例にとって説明したが、チャンバにも適用で
きることは言うまでもない。
【００２７】（実施例）ここで、本発明の真空容器と従
来の真空容器をＲＩＥタイプのエッチング装置に組み込
んで、６インチサイズの半導体ウエハをエッチングする
作業を１６０時間（１日８時間を２０日間）繰り返した
あとに真空容器の摩耗具合を測定する実験を行った。
来の真空容器をＲＩＥタイプのエッチング装置に組み込
んで、６インチサイズの半導体ウエハをエッチングする
作業を１６０時間（１日８時間を２０日間）繰り返した
あとに真空容器の摩耗具合を測定する実験を行った。
【００２８】本実験では、いずれも真空容器を純度９
９．５％のアルミナセラミックスにより形成し、この真
空容器内の真空度を１０-4ｔｏｒｒとした状態で、反応
ガスとしてＳＦ6 を導入するとともに、１３．５６ＭＨ
ｚのマイクロ波を照射してプラズマを発生させることに
より半導体ウエハにエッチングを施し、真空容器の摩耗
具合を半導体ウエハ上に見られるパーティクル数をカウ
ントすることにより評価した。なお、評価はＳＥＭ（走
査電子顕微鏡）により５０００倍に拡大し、視野８０ｍ
ｍ×６０ｍｍの写真上で０．５ｍｍ以上のパーティクル
が５個未満を○、５個以上で１０個未満を△、１０個以
上を×として判断した。
９．５％のアルミナセラミックスにより形成し、この真
空容器内の真空度を１０-4ｔｏｒｒとした状態で、反応
ガスとしてＳＦ6 を導入するとともに、１３．５６ＭＨ
ｚのマイクロ波を照射してプラズマを発生させることに
より半導体ウエハにエッチングを施し、真空容器の摩耗
具合を半導体ウエハ上に見られるパーティクル数をカウ
ントすることにより評価した。なお、評価はＳＥＭ（走
査電子顕微鏡）により５０００倍に拡大し、視野８０ｍ
ｍ×６０ｍｍの写真上で０．５ｍｍ以上のパーティクル
が５個未満を○、５個以上で１０個未満を△、１０個以
上を×として判断した。
【００２９】また、本発明の真空容器には、凹部を図２
（ａ）に示すような円形の孔３ａを等間隔に複数個穿設
したものを使用した。
（ａ）に示すような円形の孔３ａを等間隔に複数個穿設
したものを使用した。
【００３０】それぞれの結果は表１に示す通りである。
【００３１】
【表１】
【００３２】この結果、試料Ｎｏ．１の従来の真空容器
は、内壁面に凹部がないために８０時間処理後において
既に５〜１０個のパーティクルが発生し、１６０時間処
理後においては１０個以上のパーティクルが発生してい
た。
は、内壁面に凹部がないために８０時間処理後において
既に５〜１０個のパーティクルが発生し、１６０時間処
理後においては１０個以上のパーティクルが発生してい
た。
【００３３】これに対し、試料Ｎｏ．２〜１３の本発明
の真空容器は、内壁面に凹部を設けてあることから１６
０時間処理後においてもパーティクルを１０個未満に抑
えることができた。
の真空容器は、内壁面に凹部を設けてあることから１６
０時間処理後においてもパーティクルを１０個未満に抑
えることができた。
【００３４】特に、試料Ｎｏ．４，８のように凹部の開
口部の直径と凹部の深さを同じにすれば、１６０時間処
理後におけるパーティクル数を５個未満にまで抑えるこ
とができ優れていた。
口部の直径と凹部の深さを同じにすれば、１６０時間処
理後におけるパーティクル数を５個未満にまで抑えるこ
とができ優れていた。
【００３５】このように、真空容器の内壁面に複数個の
凹部を形成することにより、摩耗を低減し、真空容器の
メンテナンス回数を低減できることが判る。
凹部を形成することにより、摩耗を低減し、真空容器の
メンテナンス回数を低減できることが判る。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、チャン
バやベルジャをなす真空容器の少なくともハロゲン系腐
食性ガス及び／又はプラズマに曝される部位をセラミッ
クス又は石英ガラスにより形成し、その表面に複数個の
凹部を設けたことから、真空容器を構成するセラミック
スや石英ガラスがハロゲン系腐食性ガスや混合ガス中の
酸素などと反応して反応生成物を生成したとしても、該
反応生成物がパーティクルとして被加工物に悪影響を与
えるまでの時間を長くすることができるため、真空容器
のメンテナンス回数を減らし、装置の稼動効率を高める
ことができる。
バやベルジャをなす真空容器の少なくともハロゲン系腐
食性ガス及び／又はプラズマに曝される部位をセラミッ
クス又は石英ガラスにより形成し、その表面に複数個の
凹部を設けたことから、真空容器を構成するセラミック
スや石英ガラスがハロゲン系腐食性ガスや混合ガス中の
酸素などと反応して反応生成物を生成したとしても、該
反応生成物がパーティクルとして被加工物に悪影響を与
えるまでの時間を長くすることができるため、真空容器
のメンテナンス回数を減らし、装置の稼動効率を高める
ことができる。
【図１】本発明の真空容器を用いたエッチング装置の概
略を示す模式図である。
略を示す模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は真空容器の内壁面におけるさ
まざまな凹部を示す部分斜視図である。
まざまな凹部を示す部分斜視図である。
１・・・真空容器、２・・・内壁面、３・・・凹部、３
ａ・・・孔、３ｂ・・・ざぐり孔、 ３ｃ・・・窪み、
３ｄ・・・溝、４・・・導入管、５・・・高周波コイ
ル、６・・・支持部材、Ｗ・・・被加工物
ａ・・・孔、３ｂ・・・ざぐり孔、 ３ｃ・・・窪み、
３ｄ・・・溝、４・・・導入管、５・・・高周波コイ
ル、６・・・支持部材、Ｗ・・・被加工物
Claims (1)
- 【請求項１】少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又
はプラズマに曝される部位がセラミックス又は石英ガラ
スからなり、その表面に複数個の凹部を有することを特
徴とする真空容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08757898A JP3540936B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 真空容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08757898A JP3540936B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 真空容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283972A true JPH11283972A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3540936B2 JP3540936B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=13918895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08757898A Expired - Fee Related JP3540936B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 真空容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3540936B2 (ja) |
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-
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- 1998-03-31 JP JP08757898A patent/JP3540936B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8591656B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-11-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Compound semiconductor manufacturing device, compound semiconductor manufacturing method, and jig for manufacturing compound semiconductor |
| WO2019203369A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | 日本碍子株式会社 | 真空容器用セラミック構造材及びその製法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3540936B2 (ja) | 2004-07-07 |
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Legal Events
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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