JP2010103486A - 基板処理装置のセットアップ方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】処理炉を複数備える基板処理装置の運用を開始させる際のセットアップ工程の所要時間を短縮させる。
【解決手段】複数の処理炉制御部ＰＭＣ１，ＰＭＣ２を統合制御部９０及び第１の操作部１００からそれぞれ切り離し、擬似統合制御部及び第２の操作部を備えたテスト端末を複数の処理炉制御部にそれぞれ接続し、第２の操作部から複数の処理炉制御部へ、擬似統合制御部を介してテスト動作命令を送信させ、テスト動作命令を受信した複数の処理炉制御部により、複数の処理炉ＰＭ１，ＰＭ２の動作を並行してテストさせ、複数の処理炉制御部から第２の操作部へ、擬似統合制御部を介してテスト動作報告を送信させる。
【選択図】図５

Description

本発明は、複数の処理炉を備えた基板処理装置に関し、特に基板処理装置の運用を開始
する前の準備作業に関する。

ＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法の一工程を実施する従来の基板処理装置は、基板を
処理する処理室を備えた複数の処理炉と、複数の処理炉にそれぞれ接続されて処理炉の動
作を個別に制御する複数の処理炉制御部と、複数の処理炉制御部にそれぞれ接続され、複
数の処理炉制御部を介して複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、統合制
御部及び複数の処理炉制御部にそれぞれ接続され、統合制御部を介して複数の処理炉制御
部に動作命令を送信すると共に、統合制御部を介して前記複数の処理炉制御部から動作報
告を受信する操作部と、を備えていた。

基板処理装置の運用を開始するには、基板処理装置の設置工程、電気設備の配線工程、
ガス供給ライン及び排気ラインの接続工程を実施した後、Ｉ／Ｏチェック（基板処理装置
が備える各種入出力バルブＩ／Ｏの動作チェック）、インターロックチェック（基板処理
装置が備える各種チャンバ内や減圧室内の減圧動作チェック）、ロボットティーチング（
基板処理装置が備える搬送機構の搬送動作チェック）等のさまざまな工程（以下、これら
を総称してセットアップ工程と呼ぶ）を、処理炉毎にそれぞれ実施する必要があった。

基板処理装置の運用を迅速に開始するには、処理炉毎に実施するセットアップ工程を可
能な限り一度に並行して実施し、セットアップ工程の合計所要時間を短縮することが好ま
しい。

しかしながら、セットアップ工程に投入する作業員を増員しても、セットアップ工程の
合計所要時間を短縮することは困難であった。従来の基板処理装置において、Ｉ／Ｏチェ
ック、インターロックチェック、ロボットティーチング等のセットアップ工程は、作業員
が操作部から動作命令を送信して行う必要があり、基板処理装置が備える操作部の台数（
１台）に限りがある以上、一度に並行して実施することは困難だったのである。

セットアップ工程の所要時間を短縮するには、セットアップ工程を実施させる専用のテ
ストプログラムを処理炉制御部に組み込み、複数の処理炉制御部にセットアップ工程を並
行して実行させる方法も考えられる。しかしながら、運用開始後に使用される本番のプロ
グラムと、処理炉制御部に組み込むテストプログラムとは異なるプログラムであるから、
上述の方法でセットアップ工程を実施したとしても、本番のプログラムを実行したときに
問題が発生するか否かを確認することは困難であった。

そこで本発明は、処理炉を複数備える基板処理装置の運用を開始させる際に、セットア
ップ工程の所要時間を短縮させることが可能な基板処理装置のセットアップ方法を提供す
ることを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室を備えた複数の処理炉と、前記複数の
処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介し
て前記複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、前記統合制御部及び前記複
数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合制御部を介して前記複数の処
理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記複数の処理炉制御
部から動作報告を受信する第１の操作部と、を備えた基板処理装置のセットアップ方法で
あって、前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第１の操作部からそれぞれ
切り離された状態で、擬似統合制御部及び第２の操作部を備えたテスト端末を前記複数の
処理炉制御部にそれぞれ接続し、前記第２の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記
擬似統合制御部を介して処理炉テスト動作命令を送信させ、前記処理炉テスト動作命令を
受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理炉の動作を並行してテストさせ
、前記複数の処理炉制御部から前記第２の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法
が提供される。

本発明にかかる基板処理装置のセットアップ方法によれば、処理炉を複数備える基板
処理装置の運用を開始させる際に、セットアップ工程の所要時間を短縮させることが可能
となる。

本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。 本発明の他の実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロー図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作を例示する概略図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される処理炉テスト工程のフロー図である。 本発明の一実施形態にかかる処理炉テスト工程における制御手段の動作を例示する概略図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される搬送テスト工程のフロー図である。 本発明の一実施形態にかかる搬送テスト工程における制御手段の動作を例示する概略図である。 従来の操作部用プログラムからＰＭＣ操作用プラグラムを抜き出してテストプログラムを作成する様子を示す概略構成図である。 本発明の一実施形態にかかるテスト端末用プログラムの構成を例示する概略図である。 従来のセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。 本発明の一実施形態にかかるセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について説明する。

（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１、図３を用いて
説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図で
ある。図３は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図で
ある。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。

（真空側の構成）
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室（トランスファチャ
ンバ）ＴＭと、予備室としてのバキュームロックチャンバ（ロードロック室）ＶＬ１，Ｖ
Ｌ２と、基板としてのウエハＷを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャン
バＰＭ１，ＰＭ２と、ウエハＷを冷却する冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２と、が設けられて
いる。バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、冷
却チャンバＣＳ１，ＣＳ２は、真空搬送室ＴＭの外周に星状（クラスタ状）に配置されて
いる。

真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることが出来るロ
ードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空
搬送室ＴＭの筐体は、平面視が六角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。

真空搬送室ＴＭ内には、真空搬送機構としての真空ロボットＶＲが設けられている。真
空ロボットＶＲは、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１
，ＰＭ２、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２との間で、ウエハＷの搬送を基板載置部であるア
ームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットＶＲは、エレベータＥＶによって
、真空搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。また、バキューム
ロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、及び冷却チャンバＣ
Ｓ１，ＣＳ２の前の所定の位置（ゲートバルブ近傍）には、ウエハＷの有無を検知する基
板検知手段としてのウエハ有無センサ（図示しない）が設置されている。

プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又はＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法によりウエハＷ上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハＷ表面に酸化膜又は
窒化膜を形成する工程、あるいはウエハＷ上に金属薄膜を形成する工程を実施して、ウエ
ハＷに付加価値を与えるように構成されている。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２には、
図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図３に示すプロセスチ
ャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１、
プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）１２、プ
ロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオ
ン／オフを制御するための入出力バルブＩ／Ｏ１４、などが設けられる。ガス排気機構に
よりプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室内）を排気しつつ、ガス導入機構により
処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力を供給して処理室
内にプラズマを生成することで、ウエハＷの表面が処理されるように構成されている。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空搬送室ＴＭ内へウエハＷを搬入する
ための予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内からウエハＷを搬出するための予備室と
して機能する。バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の内部には、基板の搬入搬出用
にウエハＷを一時的に支持するためのバッファステージＳＴ１，ＳＴ２が、それぞれ設け
られている。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、それぞれゲートバルブＧ１，Ｇ２を介し
て真空搬送室ＴＭと連通可能に構成されており、また、それぞれゲートバルブＧ３，Ｇ４
を介して後述する大気搬送室ＬＭと連通可能に構成されている。したがって、ゲートバル
ブＧ１，Ｇ２を閉じたまま、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を開けることにより、真空搬送室Ｔ
Ｍ内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と大気搬送室
ＬＭとの間でウエハＷの搬送を行うことが可能である。

また、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧
に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれ
ぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を閉じ
てバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の内部を真空排気した後で、ゲートバルブＧ
３，Ｇ４を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、バキューム
ロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と真空搬送室ＴＭとの間で、ウエハＷの搬送を行うことが
可能となっている。

冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２は、ウエハＷを格納して冷却させるように機能する。冷却
チャンバＣＳ１，ＣＳ２も、その内部を真空排気することが可能となっている。なお、冷
却チャンバＣＳ１，ＣＳ２と真空搬送室ＴＭとの間にも、ゲートバルブがそれぞれ設けら
れている。

（大気側の構成）
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ
２に接続された大気搬送室としての大気搬送室ＬＭと、この大気搬送室ＬＭに接続された
基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。ロードポートＬＰ１
〜ＬＰ３上には、基板収納容器としてのポッドＰＤ１〜ＰＤ３が載置されるようになって
いる。ポッドＰＤ１〜ＰＤ３内には、ウエハＷをそれぞれ収納する収納部としてのスロッ
トが複数設けられている。

大気搬送室ＬＭには、図示しないが、大気搬送室ＬＭ内にクリーンエアを供給するため
のクリーンエアユニットが設けられている。

大気搬送室ＬＭ内には、大気搬送機構としての１台の大気ロボットＡＲが設けられてい
る。大気ロボットＡＲは、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とロードポートＬＰ
１〜ＬＰ３上に載置されたポッドＰＤ１〜ＰＤ３との間で、基板としてのウエハＷの搬送
を相互に行なうようになっている。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板
載置部であるアームを有する。また、大気搬送室ＬＭの前の所定の位置（ゲートバルブ近
傍）にも、同様に、ウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ（
図示しない）が設置されている。

なお、大気搬送室ＬＭ内には、基板位置補正装置として、ウエハＷの結晶方位の位置合
わせ等を行うためのオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置ＯＦＡが
設けられている。

（制御手段の構成）
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段ＣＮＴにより制御される。図３に、制
御手段ＣＮＴの構成例を示す。制御手段ＣＮＴは、統合制御部としての統括制御コントロ
ーラ（ＣＣ）９０と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１
）９１と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ２）９２と、
操作員による操作を受け付ける第１の操作部（ＯＵ）１００と、を備えている。

プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１，ＰＭＣ２）９１，９２は、プロセスチャ
ンバＰＭ１，ＰＭ２にそれぞれ接続されて、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の動作を個
別に制御するように構成されている。具体的には、プロセスモジュールコントローラ９１
，９２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２が備えるＭＦＣ１１、ＡＰＣ１２、温度調整
器１３、入出力バルブＩ／Ｏ１４等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュ
ールコントローラ９１，９２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へのガス導入・排気機
構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２の冷却機構等の各動作を
それぞれ制御するように構成されている。

統括制御コントローラ（ＣＣ）９０は、ＬＡＮ回線８０を介してプロセスモジュールコ
ントローラ９１，９２にそれぞれ接続可能に構成され、プロセスモジュールコントローラ
９１，９２を介してプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の動作を統合的に制御するように構
成されている。また、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ、大気ロボットＡ
Ｒ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に、それぞれ接
続されている。そして、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ及び大気ロボッ
トＡＲの動作、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４の開閉動作、バキュームロックチャンバＶＬ１，
ＶＬ２内部の排気動作を制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ９
０は、上述のウエハ有無センサ（図示しない）にそれぞれ接続されており、ウエハ有無セ
ンサからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハＷの位置を示す位置情報を作成
して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、ウエハ
ＷをポッドＰＤ１〜ＰＤ３の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報
と前記位置情報とに加え、ウエハＷについてのプロセス処理状況、ウエハＷを識別するた
めのウエハＩＤ、ウエハＷに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段とし
ての真空ロボットＶＲ、大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４等の動作を制御する
ように構成されている。

第１の操作部（ＯＵ）１００は、ＬＡＮ回線８０を介して統括制御コントローラ９０及
びプロセスモジュールコントローラ９１，９２にそれぞれ接続可能に構成されている。第
１の操作部１００は、ＣＰＵ、メモリ、通信インタフェース、ハードディスクを備えた汎
用のコンピュータとして構成されている。第１の操作部１００のハードディスクには、シ
ステム全体総括制御用プログラム、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラム等
が格納されている。システム全体総括制御用プログラムは、第１の操作部１００のハード
ディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括制御コント
ローラ９０に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０から
動作報告（メッセージ）を受信する機能を第１の操作部１００に実現するように構成され
ている。また、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラムは、第１の操作部１０
０のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括
制御コントローラ９０を介してプロセスモジュールコントローラ９１，９２に動作命令（
メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０を介してプロセスモジュール
コントローラ９１，９２から動作報告（メッセージ）を受信する機能を第１の操作部１０
０に実現するように構成されている。その他、第１の操作部１００は、モニタ表示、ロギ
ングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担うように
構成されている。

（２）基板処理工程
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置により実施される基板処理工程の一例につい
て、図４、図５を用いて説明する。

図４は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロ
ー図である。図５は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作
を例示する概略図である。なお、図５に示す破線は、基板処理装置内におけるメッセージ
の送受信を示している。

図４に示すように、まず、第１の操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、基板
処理の開始を指示する動作命令Ｍ１を、ＬＡＮ８０を介して送信させる（Ｓ１）。

動作命令Ｍ１を受信した統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ１，Ｇ４を閉じ
、ゲートバルブＧ２，Ｇ３を開き、真空搬送室ＴＭ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、
冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２内を真空排気する。そして、統括制御コントローラ９０は、
大気搬送室ＬＭ内が略大気圧になるように大気搬送室ＬＭ内にクリーンエアを供給する。
そして、図示しない搬送装置により、複数枚の未処理のウエハＷを収納したポッドＰＤ１
が、ロードポートＬＰ１上に載置される（Ｓ２）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、ロードポートＬＰ１に載置されたポッドＰＤ１
内の基板位置Ｐ１に収納されているウエハＷを、大気ロボットＡＲにより大気搬送室ＬＭ
内に搬送させ、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上の基板位置Ｐ２に設置させ、結晶方位の位置
合わせ等を実施させる（Ｓ３）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置
されているウエハＷをピックアップさせ、バキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送させ
、バッファステージＳＴ１上の基板位置Ｐ３に設置させる。そして、統括制御コントロー
ラ９０は、ゲートバルブＧ３を閉じて、バキュームロックチャンバＶＬ１内部を真空排気
する（Ｓ４）。

バキュームロックチャンバＶＬ１が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ
９０は、ゲートバルブＧ３を閉じたまま、ゲートバルブＧ１を開ける。そして、統括制御
コントローラ９０は、真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ３に設置されているウエハＷ
をピックアップさせ、プロセスチャンバＰＭ１内に搬送させ、基板位置Ｐ４に設置させる
（Ｓ５）。

プロセスチャンバＰＭ１内にウエハＷが搬入されたら、統括制御コントローラ９０は、
基板処理レシピの進行開始を指示する動作命令Ｍ２を、ＬＡＮ８０を介してプロセスモジ
ュールコントローラ９１に送信する（Ｓ６）。

プロセスモジュールコントローラ９１は、プロセスチャンバＰＭ１内に処理ガスを供給
させ、ウエハＷに対して所定の処理（成膜処理など）を実施する（Ｓ７）。

ウエハＷへの処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ９１は、ウエハＷへ
の処理が完了したことを示す動作報告Ｍ３を、ＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラ
９０に送信する（Ｓ８）。

動作報告Ｍ３を受信した統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲにより、基板
位置Ｐ４に設置されている処理済のウエハＷをピックアップさせ、冷却チャンバＣＳ１内
に搬送させ、基板位置Ｐ５に配置させる（Ｓ９）。

冷却チャンバＣＳ１内における冷却処理が完了したら、統括制御コントローラ９０は、
真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ５に設置されている処理済のウエハＷをピックアッ
プさせ、バキュームロックチャンバＶＬ２内に搬送させ、バッファステージＳＴ２上の基
板位置Ｐ６へ配置させる。その後、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ２を閉
め、バキュームロックチャンバＶＬ２内にクリーンガスを供給してバキュームロックチャ
ンバＶＬ２内を略大気圧に戻し、ゲートバルブＧ４を開ける（Ｓ１０）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置
されている処理済みのウエハＷをピックアップさせ、ロードポートＬＰ３に載置されたポ
ッドＰＤ３に搬送して空きスロットに収納させる（Ｓ１１）。

以後、上記の工程を繰り返し、全ての未処理のウエハＷについて自動搬送処理を実施し
たら、統括制御コントローラ９０は、処理済みウエハＷを収納したポッドＰＤ３をロード
ポートＬＰ３から搬出する。そして、統括制御コントローラ９０は、オペレータに指示さ
れた基板処理の実施が完了した旨を示す動作報告Ｍ４を、ＬＡＮ８０を介して第１の操作
部１００に送信し、基板処理を終了する（Ｓ１２）。

なお、上述の工程Ｓ１〜Ｓ１２において、プロセスモジュールコントローラ９１，９２
から発信されるモニタデータやアラーム（メッセージＭ５）は、統括制御コントローラ９
０を経由することなく、第１の操作部１００へと直接送信される。

（３）セットアップ工程
次に、上述の基板処理装置の運用開始に際して実施されるセットアップ工程について、
説明する。本実施形態にかかるセットアップ工程は、処理炉テスト工程及び搬送テスト工
程を有する。

（処理炉テスト工程）
まず、処理炉テスト工程について、図６、図７、図１１を参照しながら説明する。

図６は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される処理炉テスト工程の
フロー図である。図７は、本発明の一実施形態にかかる処理炉テスト工程における制御手
段の動作を例示する概略図である。図１１は、本発明の一実施形態にかかるテスト端末用
プログラムの構成を例示する概略図である。

まず、プロセスモジュールコントローラ９１，９２をＬＡＮ８０から切り離すことによ
り、プロセスモジュールコントローラ９１，９２を統括制御コントローラ９０及び第１の
操作部１００からそれぞれ切り離す。そして、テスト端末２０１を、ＬＡＮ８１を介して
プロセスモジュールコントローラ９１にそれぞれ接続すると共に、テスト端末２０２を、
ＬＡＮ８２を介してプロセスモジュールコントローラ９２にそれぞれ接続する（ＶＳ１）
。なお、第１の操作部１００はＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラプログラム９０
に接続された状態となっている。ＬＡＮ８０，８１，８２は相互通信不可能な別のネット
ワークとして構成されている。なお、プロセスモジュールコントローラ９１，９２を統括
制御コントローラ９０及び第１の操作部１００からそれぞれ切り離す際には、プロセスチ
ャンバＰＭ１，ＰＭ２が備えるゲートバルブや各種機構が不意に動作することないように
、ロック（インターロック）をかけておくことが好ましい。

ここで、テスト端末２０１，２０２は、ＣＰＵ、メモリ、通信インタフェース、ハード
ディスクを備えた汎用のコンピュータとしてそれぞれ構成されており、例えばノート型パ
ソコン等を好適に用いることが出来る。テスト端末２０１，２０２のハードディスクには
、図１１に示す第２の操作部プログラム１００ａ及び擬似統括制御コントローラプログラ
ム９０ａがそれぞれ格納されている。第２の操作部プログラム１００ａ及び擬似統括制御
コントローラプログラム９０ａがハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより
実行されることにより、テスト端末２０１，２０２に、第２の操作部１００ｖ及び擬似統
合制御部としての擬似統括制御コントローラ９０ｖがそれぞれ実現されるように構成され
ている。第２の操作部１００ｖは、システム全体総括制御用プログラム及びＰＭ１，ＰＭ
２操作用プログラムにより第１の操作部１００に実現される機能と同様の機能（上述の機
能）を備えている。また、擬似統括制御コントローラ９０ｖは、統括制御コントローラ９
０が備える機能と同様の機能（上述の機能）を備えている。すなわち、第２の操作部１０
０ｖ及び擬似統括制御コントローラ９０ｖは、第１の操作部１００及び統括制御コントロ
ーラ９０をそれぞれほぼ完全にシミュレートしており、プロセスモジュールコントローラ
９１，９２は、そのプログラムや設定をなんら変更することなく、第１の操作部１００及
び統括制御コントローラ９０にそれぞれ接続されている状態と同様の状態となるように構
成されている。ここで、第二の操作部１００ｖと擬似統括制御コントローラ９０ｖとプロ
セスモジュールコントローラ９１との間の命令とその応答の流れについて説明する。まず、プロセスモジュールコントローラ９１への命令は、擬似統括制御コントローラ９０ｖを介して第二の操作部１００ｖからプロセスモジュールコントローラ９１へ送信され、この命令への応答は反対に、擬似統括制御コントローラ９０ｖを介してプロセスモジュールコントローラ９１から第二の操作部１００ｖへ送信される。つまり、擬似統括制御コントローラ９０ｖは、これら命令と、その応答でプロセスモジュールコントローラ９１を管理している。一方で、第二の操作部１００ｖは、前記命令とその応答を擬似統括制御コントローラ９０ｖと通信し、その他のモニタデータや、ダウンロードデータなどは直接プロセスモジュールコントローラ９１と通信する。そのため、テスト端末２０１には、第二の操作部１００ｖに加え、擬似統括制御コントローラ９０ｖが組み込まれている。また、このようなコントローラ構成にすることで、テスト端末２０１に第1の操作部１００で使用するプログラム又はこのプログラムのコピーを実行させることができるため、上述したように、プロセスモジュールコントローラ９１，９２は、そのプログラムや設定をなんら変更することなく、第１の操作部１００及び統括制御コントローラ９０にそれぞれ接続されている状態と同様の状態となる。

そして、テスト端末２０１の第２の操作部１００ｖから、プロセスモジュールコントロ
ーラ９１へ、テスト端末２０１の擬似統括制御コントローラ９０ｖを介して処理炉テスト
動作命令ＶＭ１を送信させる。また、テスト端末２０２の第２の操作部１００ｖから、プ
ロセスモジュールコントローラ９２へ、テスト端末２０２の擬似統括制御コントローラ９
０ｖを介して処理炉テスト動作命令ＶＭ１を送信させる（ＶＳ２，ＶＳ３）。

すなわち、テスト端末２０１の第２の操作部１００ｖからテスト端末２０１の擬似統括
制御コントローラ９０ｖへ、セットアップ工程の開始を指示する処理炉テスト動作命令Ｖ
Ｍ１を、プロセス間（プログラム間）通信などの手段を用いて送信させる（ＶＳ２）。そ
して、テスト端末２０１の擬似統括制御コントローラ９０ｖからプロセスモジュールコン
トローラ９１へ、プロセスチャンバＰＭ１の動作テストの開始を指示する処理炉テスト動
作命令ＶＭ２を、ＬＡＮ８１を介して送信させる（ＶＳ３）。また、同様に、テスト端末
２０２の第２の操作部１００ｖから、テスト端末２０２の擬似統括制御コントローラ９０
ｖへ、セットアップ工程の開始を指示する処理炉テスト動作命令ＶＭ１を送信させる（Ｖ
Ｓ２）。そして、テスト端末２０２の擬似統括制御コントローラ９０ｖからプロセスモジ
ュールコントローラ９２へ、プロセスチャンバＰＭ２の動作テストの開始を指示する処理
炉テスト動作命令ＶＭ２を、ＬＡＮ８２を介して送信させる（ＶＳ３）。

処理炉テスト動作命令ＶＭ２を受信したプロセスモジュールコントローラ９１，９２は
、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２に対して、「入出力バルブＩ／Ｏチェック」「インタ
ーロックチェック」「チャンバ真空チェック」等を実施する（ＶＳ４）。プロセスチャン
バＰＭ１，ＰＭ２への各種チェックは並行して行われる。ここで、「入出力バルブＩ/Ｏ
チェック」の作業では、まず画面上のバルブボタンを押し、該当バルブが実際に開閉されるかチェック（配線が正しいか）されると共に、また、開閉された表示が正しいかチェックされる。これらのチェックが所定の数のバルブの分だけ繰り返される。「インターロックチェック」の作業では、上記バルブにおいて、バルブインターロックが正常に働くかチェックされる。例えば、各バルブに予め設定してあるバルブインターロックを発生させて、画面上でアラームメッセージの出力を確認する。その他のハードインターロックに関しても同様にハードインターロックを擬似的に発生させて逐次確認する。「チャンバ真空チェック」は、チャンバを所定の圧力まで減圧するレシピ（リークチェックレシピ）を作成し実行して、チャンバのリークをチェックすることで、組立精度と排気能力をチェックする。例えば、１．リークチェックレシピを実行することにより、指定のバルブを閉じポンプによってプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を減圧、到達圧力をチェックする。２．到達圧力がＯＫならば、ポンプ−チャンバ間のバルブを閉じ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を真空で封じ込める。３．指定時間放置し、リーク量がどれだけか自動算出しＯＫ，ＮＧを判断する。という工程を実施する。また、その他に、温度、プラズマなどのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２固有のチェックも実施される。上記「チャンバ真空チェック」は、リーク量がＮＧであれば、インターロックチェックが係るため、「インターロックチェック」の一種と考えても良い場合がある。

これらのチェックが完了したら、プロセスモジュールコントローラ９１から、テスト端
末２０１の第２の操作部１００ｖへ、テスト端末２０１の擬似統括制御コントローラ９０
ｖを介して処理炉テスト動作報告ＶＭ３を送信させる。また、プロセスモジュールコント
ローラ９２から、テスト端末２０２に実現された第２の操作部１００ｖへ、テスト端末２
０２の擬似統括制御コントローラ９０ｖを介して処理炉テスト動作報告ＶＭ３を送信させ
、処理炉テスト工程を終了する（ＶＳ５）。

すなわち、プロセスモジュールコントローラ９１から、テスト端末２０１の擬似統括制
御コントローラ９０ｖへ、処理炉テスト動作報告ＶＭ４を、ＬＡＮ８１を介して送信させ
る。そして、テスト端末２０１の擬似統括制御コントローラ９０ｖから、テスト端末２０
１の第２の操作部１００ｖへ、処理炉テスト動作報告ＶＭ５を、プロセス間（プログラム
間）通信などの手段を用いて送信させる。同様に、プロセスモジュールコントローラ９２
から、テスト端末２０２の擬似統括制御コントローラ９０ｖへ、処理炉テスト動作報告Ｖ
Ｍ４を、ＬＡＮ８２を介して送信させる。そして、テスト端末２０２の擬似統括制御コン
トローラ９０ｖから、テスト端末２０２の第２の操作部１００ｖへ、処理炉テスト動作報
告ＶＭ５を、プロセス間（プログラム間）通信などの手段を用いて送信させる。

なお、上述したとおり、第１の操作部１００はＬＡＮ８０を介して統括制御コントロー
ラプログラム９０に接続された状態となっているため、処理炉テスト工程（ＶＳ１〜ＶＳ
５）を実施する際には、第１の操作部１００から統括制御コントローラ９０へテスト動作
命令を送信し、バルブチェック（ゲートバルブＧ１〜Ｇ４の開閉チェック）、インターロ
ックチェック（バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の減圧チェック）、チャンバ真
空チェック（真空搬送室ＴＭ、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２等の減圧チェック）を並行し
て実施しておくことが好ましい。

（搬送テスト工程）
続いて、処理炉テスト工程の後に実施される搬送テスト工程について、図８、図９を参
照しながら説明する。

図８は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される搬送テスト工程のフ
ロー図である。図９は、本発明の一実施形態にかかる搬送テスト工程における制御手段の
動作を例示する概略図である。

まず、テスト端末２０１，２０２をＬＡＮ８１，８２からそれぞれ切り離すことにより
、テスト端末２０１，２０２をプロセスモジュールコントローラ９１，９２からそれぞれ
切り離す。そして、プロセスモジュールコントローラ９１，９２をＬＡＮ８０に接続する
ことにより、プロセスモジュールコントローラ９１，９２と第１の操作部１００と統括制
御コントローラ９０を相互に接続する（ＴＳ１）。

そして、第１の操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、テスト搬送の開始を指
示する搬送テスト動作命令ＴＭ１を、ＬＡＮ８０を介して送信させる（ＴＳ２）。

搬送テスト動作命令ＴＭ１を受信した統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ１
，Ｇ４を閉じ、ゲートバルブＧ２，Ｇ３を開き、真空搬送室ＴＭ、プロセスチャンバＰＭ
１，ＰＭ２、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２内を真空排気する。そして、統括制御コントロ
ーラ９０は、大気搬送室ＬＭ内が略大気圧になるように大気搬送室ＬＭ内にクリーンエア
を供給する。そして、統括制御コントローラ９０は、複数枚の未処理のウエハＷを収納し
たポッドＰＤ１を、ロードポートＬＰ１上に載置する（ＴＳ３）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、ロードポートＬＰ１
に載置されたポッドＰＤ１内の基板位置Ｐ１に収納されているウエハＷを大気搬送室ＬＭ
内に搬送させ、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上の基板位置Ｐ２に設置させ、結晶方位の位置
合わせ等を実施させる（ＴＳ４）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置
されているウエハＷをピックアップさせ、バキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送させ
、バッファステージＳＴ１上の基板位置Ｐ３に設置させる。そして、統括制御コントロー
ラ９０は、ゲートバルブＧ３を閉じて、バキュームロックチャンバＶＬ１内部を真空排気
する（ＴＳ５）。

バキュームロックチャンバＶＬ１が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ
９０は、ゲートバルブＧ３を閉じたまま、ゲートバルブＧ１を開ける。そして、統括制御
コントローラ９０は、真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ３に設置されているウエハＷ
をピックアップさせ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に搬送させ、基板位置Ｐ４に設
置させる（ＴＳ６）。

プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へのウエハＷの搬送が完了したら、統括制御コントロ
ーラ９０は、真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ４に設置されているウエハＷをピック
アップさせ、冷却チャンバＣＳ１内に搬送させ、基板位置Ｐ５に配置させる（ＴＳ７）。

冷却チャンバＣＳ１へのウエハＷの搬送が完了したら、統括制御コントローラ９０は、
真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ５に設置されているウエハＷをピックアップさせ、
バキュームロックチャンバＶＬ２内に搬送させ、バッファステージＳＴ２上の基板位置Ｐ
６へ配置させる。その後、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ２を閉め、バキ
ュームロックチャンバＶＬ２内にクリーンガスを供給してバキュームロックチャンバＶＬ
２内を略大気圧に戻し、ゲートバルブＧ４を開ける（ＴＳ８）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置
されているウエハＷをピックアップさせ、ロードポートＬＰ３に載置されたポッドＰＤ３
に搬送して空きスロットに収納させる（ＴＳ９）。

以後、上記の工程を繰り返し、全てのウエハＷについて自動搬送処理を実施したら、統
括制御コントローラ９０は、ウエハＷを収納したポッドＰＤ３をロードポートＬＰ３から
搬出する。そして、統括制御コントローラ９０は、搬送テストが完了した旨を示す搬送テ
スト動作報告（メッセージＴＭ２）を、ＬＡＮ８０を介して第１の操作部１００に送信し、搬送テスト工程を終了する。

（具体的な実施例）
プロセスチャンバＰＭ１を個別に切り離してセットアップを実行する際に、第２の操作部１００ｖと擬似統括制御コントローラ９０ｖの機能を備えたテスト端末２０１を準備し、プロセスモジュールコントローラ９１に接続する。そして、このテスト端末２０１から操作をして「入出力バルブＩ/Ｏチェック」等を実施する。また、プロセスチャンバＰＭ１内を所定の圧力に減圧するためのリークチェックレシピが実行される。まず、第２の操作部１００ｖから擬似統括制御コントローラ９０ｖを介して所定の実行命令がプロセスモジュールコントローラ９１に送信される。プロセスモジュールコントローラ９１は前記実行命令を受信すると、第２の操作部１００ｖへレシピデータを要求する。第２の操作部１００ｖは、前記要求を受信すると、前記実行命令を実行するのに必要な前記レシピデータをプロセスモジュールコントローラ９１にダウンロードする。そして、ダウンロードが終了すると、プロセスモジュールコントローラ９１は、前記レシピデータを用いてプロセスレシピを実行する。このように、リークチェックレシピを実行することにより「チャンバ真空チェック」が実施される。同様に、プロセスチャンバＰＭ１を個別に切り離した後の真空搬送室ＴＭには、第１の操作部１００と統括制御コントローラ９０が接続され、前記真空搬送室ＴＭで、「チャンバ真空チェック」を実施するためにリークチェックレシピが実行される。まず、第１の操作部１００から統括制御コントローラ９０に所定の実行命令が送信される。統括制御コントローラ９０は前記実行命令を受信すると、第１の操作部１００へレシピデータを要求する。第１の操作部１００は、前記要求を受信すると、前記実行命令を実行するのに必要な前記レシピデータを統括制御コントローラ９０にダウンロードする。そして、ダウンロードが終了すると、統括制御コントローラ９０は、前記レシピデータを用いてリークチェックレシピを実行する。そして、プロセスモジュールＰＭ１におけるリークチェックレシピの実行と真空搬送室ＴＭにおけるリークチェックレシピの実行は、それぞれ並行して実施可能である。

（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態にかかる処理炉テスト工程では、テスト端末２０１を、ＬＡＮ８１を介してプロセスモジュールコントローラ９１にそれぞれ接続すると共に、テスト端末２０２を、ＬＡＮ８２を介してプロセスモジュールコントローラ９２にそれぞれ接続する（ＶＳ１）。そして、テスト端末２０１の第２の操作部１００ｖから、プロセスモジュールコントローラ９１へ、テスト端末２０１の擬似統括制御コントローラ９０ｖを介して処理炉テスト動作命令ＶＭ１を送信させる。また、テスト端末２０２の第２の操作部１００ｖから、プロセスモジュールコントローラ９２へ、テスト端末２０２の擬似統括制御コントローラ９０ｖを介して処理炉テスト動作命令ＶＭ１を送信させる（ＶＳ２，ＶＳ３）。そして、処理炉テスト動作命令ＶＭ２を受信したプロセスモジュールコントローラ９１，９２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２に対して、「入出力バルブＩ／Ｏチェック」「インターロックチェック」「チャンバ真空チェック」等を並行して実施する（ＶＳ４）。その結果、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２への各種チェックは並行して行われることとなり、セットアップ工程の所要時間が短縮され、基板処理装置の運用を迅速に開始することが可能となる。

図１２は、従来のセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。また、図１３は、本発明の一実施形態にかかるセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。図１２によれば、１台の第１の操作部１００を用いてプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の正常性チェックを順番に実施する必要があり、セットアップ工程を短縮させることは困難であった。これに対し、図１３によれば、テスト端末２０１，２０２を用いてプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の正常性チェック（処理炉テスト工程）が並行して実施されるため、セットアップ工程の所要時間が短縮され、基板処理装置の運用を迅速に開始することが可能となる。図１２、図１３におけるＰＦは、搬送室（真空搬送室ＴＭ、大気搬送室ＬＭの総称）を示す。

（ｂ）本実施形態にかかる処理炉テスト工程では、第１の操作部１００はＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラプログラム９０に接続された状態となっているため、処理炉テスト工程（ＶＳ１〜ＶＳ５）を実施する際には、第１の操作部１００から統括制御コントローラ９０へテスト動作命令を送信し、バルブチェック（ゲートバルブＧ１〜Ｇ４の開閉チェック）、インターロックチェック（バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の減圧チェック）、チャンバ真空チェック（真空搬送室ＴＭ、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２等の減圧チェック）を並行して実施しておくことが可能となる。その結果、図１３に示すように、セットアップ工程の所要時間をさらに短縮させることが可能となり、基板処理装置の運用をさらに迅速に開始することが可能となる。つまり、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２(各処理室)と真空搬送室ＴＭ(搬送室)等を切り離し、テスト端末２０１，２０２をそれぞれプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２に接続することで、各処理室と搬送室におけるレシピの実行を並行して行えるため、セットアップ工程の所要時間が更に短縮される。

（ｃ）本実施形態にかかるセットアップ工程において、プロセスモジュールコントローラ
９１，９２のプログラムは、セットアップ工程を実施させる専用のテストプログラムでは
なく、運用開始後に実行される本番のプログラムが用いられる。そのため、本実施形態に
かかるセットアップ工程を実施することにより、本番のプログラムを実行したときに問題
が発生するか否かを確認することが可能となる。

なお、上述したように、セットアップ工程を実施させる専用のテストプログラムをプロ
セスモジュールコントローラ９１，９２に組み込み、プロセスモジュールコントローラ９
１，９２によってセットアップ工程を並行して実行させる方法も考えられる。しかしなが
ら、運用開始後に使用される本番のプログラムとテストプログラムとは異なるプログラム
であるから、本番のプログラムを実行したときに問題が発生するか否かを確認することは
困難であった。例えば、図１０に示すように、第１の操作部１００が備えるプログラム１
００ａのうち、例えばＰＭ１操作用プログラム２０１ａのみを切り出して、プロセスモジ
ュールコントローラ９１に組み込み、プロセスモジュールコントローラ９１にＰＭ１操作
用プログラム２０１ａを実行させてセットアップ工程を実行させる方法も考えられる。し
かしながら、かかる方法では、本番プログラムによる動作確認が行えないという上述の課
題に加え、ＰＭ１操作用プログラム２０１ａのみを切り出して作成するテストプログラム
中にバグが生じてしまったり、第１の操作部１００のプログラムが改版されたときにテス
トプログラムを再作成する必要が生じたてしまったりといった新たな課題が生じることと
なる。

（ｄ）本実施形態においては、第１の操作部１００、プロセスモジュールコントローラ９
１，９２、統括制御コントローラ９０、テスト端末２０１，２０２間のＬＡＮ配線を変更
するのみで、処理炉テスト工程、搬送テスト工程、基板処理工程をそれぞれ実施すること
が可能である。すなわち、処理炉テスト工程、搬送テスト工程、基板処理工程を順次実施
する際に、ＬＡＮ８配線以外の基板処理装置の構成を変更することないため、セットアッ
プ工程の所要時間をさらに短縮させることが可能となり、基板処理装置の運用をさらに迅
速に開始することが可能となる。

（ｅ）本実施形態にかかるテスト端末２０１，２０２は、ＣＰＵ、メモリ、通信インタフ
ェース、ハードディスクを備えた汎用のコンピュータとしてそれぞれ構成されており、例
えばノート型パソコン等を好適に用いることが出来る。そのため、上述のセットアップ工
程の実施に加え、テスト端末２０１，２０２を用いて基板処理装置の各種データを取得し
たり、各種設定データのバックアップデータを作成したり、作業の際に参照する図面デー
タを保管しておいて参照したりすることが可能となり、オペレータの利便性を高めること
が出来る。尚、本実施におけるセットアップとは、基板処理装置の運用開始前の準備作業
であって、装置搬入した際のセットアップだけでなく、保守（メンテナンス）後のセット
アップである処理準備工程も含む。

＜本発明の他の実施形態＞
続いて、本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置の構成を図２に示す。図２は、本
発明の他の実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。インライン
型基板処理装置も、真空側と大気側とに分れている。

（真空側の構成）
インライン型基板処理装置の真空側には、２つの基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２が
並列に設けられる。基板処理モジュールＭＤ１は、基板としてのウエハＷを処理する処理
室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバＰＭ１と、この前段に設けられた予備室とし
てのバキュームロックチャンバＶＬ１とを備えている。基板処理モジュールＭＤ２も、Ｍ
Ｄ１と同様に、プロセスチャンバＰＭ２と、バキュームロックチャンバＶＬ２とを備えて
いる。

プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、クラスタ型基板処理装置の場合と同様に、例えば
ＣＶＤ法又はＰＶＤ法によりウエハＷ上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハＷ表面に
酸化膜又は窒化膜を形成する工程、あるいはウエハＷ上に金属薄膜を形成する工程を実施
して、ウエハＷに付加価値を与えるように構成されている。そして、プロセスチャンバＰ
Ｍ１，ＰＭ２には、ガス導入・排気機構、および温度制御・プラズマ放電機構、プロセス
チャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するＭＦＣ１１、プロセスチャンバ内の圧力
を制御するオートプレッシャコントローラＡＰＣ１２、プロセスチャンバ内の温度を制御
する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するための入出
力バルブＩ／Ｏ１４、などが設けられる。ガス排気機構により処理室内を排気しつつ、ガ
ス導入機構により処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力
を供給して処理室内にプラズマを生成することで、ウエハＷの表面が処理されるように構
成されている。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、それぞれ、プロセスチャンバＰＭ１，Ｐ
Ｍ２へウエハＷを搬入するための予備室として、あるいは、プロセスチャンバＰＭ１，Ｐ
Ｍ２からウエハＷを搬出するための予備室として機能する。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、真空搬送機構としての真空ロボットＶ
Ｒ１，ＶＲ２がそれぞれ設けられている。真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２は、それぞれ、プ
ロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１との間、及びプロセスチャンバ
ＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２との間で、ウエハＷを搬送することが可能とな
っている。また、これら真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２には、それぞれ基板載置部としての
アームが設けられている。

なお、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、ウエハＷを保持することができ
る多段型ステージ、例えば上下２段のステージがそれぞれ設けられている。上段のバッフ
ァステージＬＳ１，ＬＳ２ではウエハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１，Ｃ
Ｓ２ではウエハＷを冷却する機構をもっている。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、それぞれゲートバルブＧ１，Ｇ２を介し
てプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２と連通しており、また、それぞれゲートバルブＧ３，
Ｇ４を介して後述する大気搬送室ＬＭと連通している。したがって、ゲートバルブＧ３，
Ｇ４を閉じたまま、ゲートバルブＧ１，Ｇ２を開けることにより、プロセスモジュール
ＰＭ１，ＰＭ２内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１とプロセ
スチャンバＰＭ１との間、バキュームロックチャンバＶＬ２とプロセスチャンバＰＭ２
との間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能である。

また、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧
に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部を真空
排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を閉じてバキュ
ームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の内部にクリーンエアを供給した後に、ゲートバルブ
Ｇ３，Ｇ４を開けることにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の真空気密を保持し
たまま、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と、大気搬送室ＬＭとの間で、ウエハ
Ｗの搬送を行うことが可能である。

（大気側の構成）
インライン型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロックチャンバＶＬ
１，ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気搬送室ＬＭと、この大気搬送室ＬＭに接
続された基板収納容器（以下ポッドＰＤ１，ＰＤ２）を載置する基板収納部としてのロー
ドポートＬＰ１，ＬＰ２と、が設けられる。

大気搬送室ＬＭには、大気ロボットＡＲが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１
，ＶＬ２とロードポートＬＰ１，ＬＰ２との間で、ウエハＷを搬送することが可能になっ
ている。また、大気ロボットＡＲには、基板載置部としてのアームが設けられている。

なお、大気搬送室ＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けら
れ、搬送時のウエハＷのずれを補正し、ウエハＷのノッチを一定方向に合せるノッチ合わ
せを行なうことが可能になっている。

各ロードポートＬＰ１、ＬＰ２は、複数枚のウエハＷを収納するポッドＰＤ１，ＰＤ２
をそれぞれ載置することが出来る。

（その他の構成）
制御手段を含むその他の構成、及び基板処理工程、処理炉テスト工程、搬送テスト工程
については、上述の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。

＜他の実施の形態＞
上記では搬送機構としての大気ロボットＡＲ、真空ロボットＶＲにより、プロセスチャ
ンバＰＭ１，ＰＭ２内にウエハＷを個別に（１枚ずつ）搬入することとしているが、本発
明はかかる構成に限定されない。例えば、複数枚のウエハＷを水平姿勢で多段に保持した
基板保持具としてのボートをプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室内）に搬入する
こととしても良い。そして、処理室内の温度及び圧力が所定の温度及び所定の圧力になる
よう調整し、処理室内に処理ガスを供給してボートに保持された基板を処理し、処理後の
基板を保持したボートを処理室内から搬出することによりウエハＷを処理することとして
もよい。また、テスト端末２０１，２０２を複数用いることでプロセスチャンバＰＭ１，
ＰＭ２（処理室）と真空搬送室ＴＭ(搬送室)を並行してセットアップする実施例やプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２（処理室）とバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２(搬送室)を並行してセットアップする実施例について詳述してきたが、本実施形態に限らない。例えば、テスト端末を一つだけ設け、複数のプロセスチャンバにそれぞれに応じたプログラムを同時に実行する構成にしても良い。また、第１の操作部１００に擬似統括制御コントローラ９０ｖの機能を更に持たせることが好ましい。そうすると、所定の台数のテスト端末をそれぞれ接続し、ダウンロード若しくはコピー等の簡単な方法で擬似統括制御コントローラ９０ｖの機能を含む上記第１の操作部と同じ機能を有するテスト端末を設けることができる。そして、プロセスチャンバ等の切り離し作業を行い、上記テスト端末によりセットアップ作業の並列化が可能となる。また、テスト端末を使用しないでプロセスチャンバ等を切り離して並列実行させる場合、それぞれの処理室若しくは搬送室に応じたプログラムを同時に実行させる必要がある。例えば、上記操作部１００により複数の処理室又は一つ以上の処理室と搬送室に対して同時にプログラムを実行させるために、複数のＣＰＵを個別に実行させる等の工夫が必要である。

上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に
限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理
の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、
拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、
窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の好ましい態様について付記する。

本発明の第１の態様は、
基板を処理する処理室を備えた複数の処理炉と、
前記複数の処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理
炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介
して前記複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合
制御部を介して前記複数の処理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を
介して前記複数の処理炉制御部から動作報告を受信する第１の操作部と、
を備えた基板処理装置のセットアップ方法であって、
前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第１の操作部からそれぞれ切り離さ
れた状態で、擬似統合制御部及び第２の操作部を備えたテスト端末を前記複数の処理炉制
御部にそれぞれ接続し、
前記第２の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作命令を送信させ、
前記処理炉テスト動作命令を受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理
炉の動作を並行してテストさせ、
前記複数の処理炉制御部から前記第２の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法である。

本発明の第２の態様は、
前記複数の処理室に連通可能に接続された搬送室と、
前記処理室と前記搬送室との間で基板を搬送する搬送機構と、をさらに備え、
前記統合制御部が前記搬送機構に接続されて前記搬送機構の搬送動作を制御するように
構成された基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
前記処理炉テスト工程を実施した後、
前記テスト端末が前記複数の処理炉制御部からそれぞれ切り離された状態で、前記第１
の操作部を前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続し、
前記第１の操作部から前記統合制御部へ搬送テスト動作命令を送信させ、
前記搬送テスト動作命令を受信した前記統合制御部により、前記処理室と前記搬送室と
を連通させると共に前記搬送機構の動作をテストさせ、
前記統合制御部から前記第１の操作部へ搬送テスト動作報告を送信させる搬送テスト工
程をさらに有する
第１の態様に記載の基板処理装置のセットアップ方法である。

本発明の第３の態様は、
基板が搬入された前記処理室内に処理ガスを供給すると共に、高周波電力を用いて前記
処理室内にプラズマを生成して前記基板の表面を処理する基板処理工程をさらに有する
第１又は第２の態様に記載の基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法である。

本発明の第４の態様は、
複数枚の基板を水平姿勢で多段に保持した基板保持具を前記処理室内に搬入し
前記処理室内の温度及び圧力が所定の温度及び所定の圧力になるよう調整し、
前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理し、
前記処理後の基板を保持した前記基板保持具を前記処理室内から搬出する基板処理工程
をさらに有する
第１又は第２の態様に記載の基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法である。

本発明の第５の態様は、
基板を処理する処理室を備えた複数の処理炉と、
前記複数の処理室にそれぞれ連通可能に接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に連通可能に接続され減圧可能な予備室と、
前記予備室に連通可能に接続され、大気圧状態で基板が搬送される大気搬送室と、
前記大気搬送室に連通可能に接続され、複数枚の基板を収納する基板収納容器を保持す
る基板収納部と、
前記真空搬送室内に設けられ、前記処理室と前記予備室との間で基板を搬送する真空搬
送機構と、
前記大気搬送室内に設けられ、前記予備室と前記基板収納部との間で基板を搬送する大
気搬送機構と、
前記複数の処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理
炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介
して前記複数の処理炉の動作を統合的に制御すると共に、前記真空搬送機構及び前記大気
搬送機構にそれぞれ接続されて前記真空搬送機構及び前記大気搬送機構の搬送動作をそれ
ぞれ制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合
制御部を介して前記複数の処理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を
介して前記複数の処理炉制御部から動作報告を受信する第１の操作部と、
を備えたクラスタ型基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第１の操作部からそれぞれ切り離さ
れた状態で、擬似統合制御部及び第２の操作部を備えたテスト端末を前記複数の処理炉制
御部にそれぞれ接続し、
前記第２の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作命令を送信させ、
前記処理炉テスト動作命令を受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理
炉の動作を並行してテストさせ、
前記複数の処理炉制御部から前記第２の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法である。

本発明の第６の態様は、
大気搬送室と、
前記大気搬送室の一側に連通可能に並列接続され、減圧可能な複数の予備室と、
前記予備室とそれぞれ連通可能に接続され、基板を処理する処理室を備える複数の処理
炉と、
前記大気搬送室の他側に連通可能に並列接続され、複数枚の基板を収納する基板収納容
器を保持する基板収納部と、
前記予備室内に設けられ、前記処理室と前記予備室との間で基板を搬送する真空搬送機
構と、
前記大気搬送室内に設けられ、前記予備室と前記基板収納部との間で基板を搬送する大
気搬送機構と、
前記複数の処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理
炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介
して前記複数の処理炉の動作を統合的に制御すると共に、前記真空搬送機構及び前記大気
搬送機構にそれぞれ接続されて前記真空搬送機構及び前記大気搬送機構の搬送動作をそれ
ぞれ制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合
制御部を介して前記複数の処理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を
介して前記複数の処理炉制御部から動作報告を受信する第１の操作部と、
を備えたインライン型基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第１の操作部からそれぞれ切り離さ
れた状態で、擬似統合制御部及び第２の操作部を備えたテスト端末を前記複数の処理炉制
御部にそれぞれ接続し、
前記第２の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作命令を送信させ、
前記処理炉テスト動作命令を受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理
炉の動作を並行してテストさせ、
前記複数の処理炉制御部から前記第２の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法である。

本発明の第７の態様は、
基板が搬入された前記処理室内に処理ガスを供給して、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法により基
板上に薄膜を形成する工程、あるいは基板表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、ある
いは基板上に金属薄膜を形成する工程をさらに有する第１乃至第６の態様のいずれかに記
載の基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法である。

Ｗ ウエハ（基板）
ＰＭ１ プロセスチャンバ（処理炉）
ＰＭ２ プロセスチャンバ（処理炉）
ＰＭＣ１ プロセスモジュールコントローラ（処理炉制御部）
ＰＭＣ２ プロセスモジュールコントローラ（処理炉制御部）
９０ 統括制御コントローラ（統合制御部）
９０ｖ 擬似統括制御コントローラ（擬似統合制御部）
１００ 第１の操作部
１００ｖ 第２の操作部
２０１ テスト端末
２０２ テスト端末
ＶＭ１ 処理炉テスト動作命令
ＶＭ２ 処理炉テスト動作命令
ＶＭ３ 処理炉テスト動作報告
ＶＭ４ 処理炉テスト動作報告
ＴＭ１ 搬送テスト動作命令
ＴＭ２ 搬送テスト動作報告

Claims (5)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室にそれぞれ接続されて前記処理室の動作を個別に制御する処理制御部と、
   前記処理制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記処理制御部を介して前記処理室の動作を統合的に制御する統合制御部と、
   前記統合制御部及び前記処理制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合制御部を介して前記処理制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記処理制御部から動作報告を受信する第１の操作部と、
   を備えた基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
   前記処理制御部が前記統合制御部及び前記第１の操作部からそれぞれ切り離された状態で、擬似統合制御部及び第２の操作部を備えたテスト端末を前記処理制御部にそれぞれ接続し、
   前記第２の操作部から前記処理制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉テスト動作命令を送信し、
   前記処理炉テスト動作命令を受信した前記処理制御部により、前記処理室の動作を並行してテストさせ、
   前記処理制御部から前記第２の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法。
   
2. 前記処理室に連通可能に接続された搬送室と、
   前記処理室と前記搬送室との間で基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、
   前記統合制御部が前記搬送機構に接続されて前記搬送機構の搬送動作を制御するように構成された基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
   前記処理テスト工程を実施した後、
   前記テスト端末が前記処理制御部からそれぞれ切り離された状態で、前記第１の操作部を前記統合制御部及び前記処理制御部にそれぞれ接続し、
   前記第１の操作部から前記統合制御部へ搬送テスト動作命令を送信させ、
   前記搬送テスト動作命令を受信した前記統合制御部により、前記処理室と前記搬送室とを連通させると共に前記搬送装置の動作をテストさせ、
   前記統合制御部から前記第１の操作部へ搬送テスト動作報告を送信させる搬送テスト工程を更に有する請求項１記載の基板処理装置のセットアップ方法。
   
3. 前記基板処理装置が備える各種入出力バルブの動作チェックを実施するＩ／Ｏチェック工程と、
   前記基板処理装置が備える各種室内の減圧動作チェックを実施するインターロックチェック工程と、
   前記基板処理装置が備える搬送機構の搬送動作チェックを実施するロボットティーチング工程のうち
   少なくとも一つの工程を含む請求項１または請求項２の基板処理装置のセットアップ方法。
   
4. 搬送室及び処理室の正常性チェックを行う処理炉テスト工程と、基板を前記搬送室及び各処理室に搬送する搬送テスト工程とを含む基板処理装置のセットアップ方法であって、
   前記搬送室の正常性チェックと前記処理室との正常性チェックを並行して実施する基板処理装置のセットアップ方法。
   
5. 基板処理装置が備える各種入出力バルブの動作チェックを実施するＩ／Ｏチェック工程と、
   基板処理装置が備える各種室内の減圧動作チェックを実施するインターロックチェック工程と、
   基板処理装置が備える搬送機構の搬送動作チェックを実施するロボットティーチング工程と、
   を含む基板処理装置のセットアップ方法。