JP2010080833A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】積層された3つの配線層を有する半導体記憶装置であって、メモリアレイ領域を第1配線層、第2配線層、及び第3配線層を複数のメモリセルの配線に用いることが可能な領域に形成し、第1配線層、第2配線層、及び第3配線層を複数の基本セルの配線に用いることが可能な領域に第1のゲートアレイ領域を形成し、第1及び第2配線層の2つの配線層を複数のユニットセルの配線に用いることが可能な領域に第2のゲートアレイ領域を形成すると共に、第2のゲートアレイ領域の複数の基本セルを、第3配線層を用いて配設すべき配線を第1配線層を用いて配設するために必要な間隔を隔てて配列する。
【選択図】図2
Description
12,14 メモリアレイ領域
16 電源配線領域
18 電源配線領域
20 ゲートアレイ領域
20A 第1ゲートアレイ領域
20B 第2ゲートアレイ領域
21 ゲートアレイ混載半導体記憶装置
22 ゲートアレイ領域
22A ゲートアレイ領域
22B ゲートアレイ領域
30 基本セル
40 ユニットセル
52 システム回路
54 テスト回路
56 動作モード制御回路
60 ゲートアレイ混載半導体記憶装置
62 メモリアレイ領域
64 ゲートアレイ領域
64A1、64A2 ゲートアレイ領域
64B ゲートアレイ領域
Claims (4)
- 少なくとも第1方向の配線を行うための第1配線層、前記第1配線層上に積層され前記第1方向と交差する第2方向の配線を行うための第2配線層、及び前記第2配線層上に積層され前記第1方向の配線を行うための第3配線層を有する半導体記憶装置であって、
複数のメモリセルが前記第1配線層に配列されて形成されたメモリアレイ領域であって、前記第1配線層、前記第2配線層、及び前記第3配線層を当該複数のメモリセルの配線に用いることが可能な領域に形成されたメモリアレイ領域と、
複数のユニットセルが前記第1配線層に配列されて形成された第1のゲートアレイ領域であって、前記第1配線層、前記第2配線層、及び前記第3配線層を当該複数のユニットセルの配線に用いることが可能な領域に形成された第1のゲートアレイ領域と、
複数のユニットセルが前記第1配線層に配列されて形成された第2のゲートアレイ領域であって、前記第1及び第2配線層の2つの配線層を当該複数のメモリセルの配線に用いることが可能な領域に形成されると共に、当該複数のユニットセルが前記第3配線層を用いて配設すべき配線を前記第1配線層を用いて配設するために必要な間隔を隔てて配列された第2のゲートアレイ領域と、
を備えた半導体記憶装置。 - 少なくとも第1方向の配線を行うための第1配線層、前記第1配線層上に積層され前記第1方向と交差する第2方向の配線を行うための第2配線層、及び前記第2配線層上に積層され前記第1方向の配線を行うための第3配線層を有する半導体記憶装置であって、
複数のメモリセルが前記第1配線層に配列されて形成されたメモリアレイ領域であって、前記第1配線層、前記第2配線層、及び前記第3配線層を当該複数のメモリセルの配線に用いることが可能な領域に形成されたメモリアレイ領域と、
複数のユニットセルにより構成された複数の基本セルが前記第1配線層に配列されて形成された第1のゲートアレイ領域であって、前記第1配線層、前記第2配線層、及び前記第3配線層を当該複数の基本セル及び当該複数の基本セルを構成するユニットセルの配線に用いることが可能な領域に形成された第1のゲートアレイ領域と、
複数のユニットセルにより構成された複数の基本セルが前記第1配線層に配列されて形成された第2のゲートアレイ領域であって、前記第1及び第2配線層の2つの配線層を当該複数の基本セル及び当該複数の基本セルを構成するユニットセルの配線に用いることが可能な領域に形成されると共に、当該複数の基本セルが前記第3配線層を用いて配設すべき配線を前記第1配線層を用いて配設するために必要な間隔を隔てて配列された第2のゲートアレイ領域と、
を備えた半導体記憶装置。 - 前記第3配線層に、前記メモリセルに電源電圧を供給する電源配線を配設した電源配線領域を形成し、
前記第2のゲートアレイ領域を、前記電源配線領域の下部の領域に形成した、
請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第3配線層に、前記メモリセルに対して第1電源電圧を供給する第1電源配線を配設した第1電源配線領域と、前記メモリセルの書き込み時に接地電圧より高い第2電源電圧を供給し、読み出し時に接地電圧を供給する第2電源配線を配設した第2電源配線領域とを形成し、
前記第2のゲートアレイ領域を、前記第2電源配線領域の下部に形成し、
前記第2のゲートアレイ領域に、前記第2電源配線が前記第2電源電圧を供給するときには動作せず、前記第2電源配線が接地電圧を供給するときに動作する回路を形成した、
請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
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