JP2010074009A - 押印装置および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
押印装置のスループットを改善すること。
【解決手段】
基板上に配置された液状樹脂にモールドを押付けて樹脂の凹凸パターンを基板上の各ショットに形成する押印装置であって、モールドを保持するモールドステージと、基板を保持してX−Y面内を移動する基板ステージと、モールドステージと基板ステージとの間のZ軸方向の距離を変化させる駆動機構と、制御手段とを有し、制御手段は、モールドステージに保持されたモールドに整列する位置に対して、液状樹脂の配置が行われたショットがX−Y面内において相対的に振動するように、モールドステージと基板ステージとの間の相対的な振動を行わせ、記振動と並行して前記駆動機構を制御して前記液状樹脂に対する前記モールドの押付けを行う。
【選択図】 図1
Description
また、モールドの押付け時に関しては、本出願人は特許文献2において、モールドと基板をモールドのパターン面に平行な方向に相対的に移動させ、モールド押付け時の樹脂の展開を容易にして、押付け時間の短縮を計る方法を開示している。
特許文献3には、同様な方法によりモールドの離型を容易にする方法が開示されている。
M. Colburn et al., "Step and Flash Imprint Lithography: A New Approach to High−Resolution Patterning", Proceedings of the SPIE’s 24th International Symposium on Microlithography: Emerging Lithographic Technologies III, Santa Clara, CA, Vol. 3676, Part One, pp. 379−389, March 1999
特許文献2における振動発生機構によりモールドと基板とを相対的に移動させる方法では、モールドの押付け完了後、振動発生機構を停止させた後のモールドと基板との相対位置が不定となりやすく、押付け前に両者のアライメントを行なっていた場合は、再度、アライメントをやり直す必要がある。
さらに、アライメントのやり直しに要する時間もスループットの観点から問題となる。
特許文献3についてもアライメントについては言及されていないが、モールドの押付け後に基板とモールドを相対的に移動させることから、同様の問題がある。
本発明は、押印装置のスループットを改善することを例示的目的とする。
前記基板を保持してX−Y面内を移動する基板ステージと、 前記モールドステージと前記基板ステージとの間のZ軸方向の距離を変化させる駆動機構と、制御手段とを有し、前記制御手段は、前記モールドステージに保持されたモールドに整列する位置に対して、前記液状樹脂の配置が行われたショットがX−Y面内において相対的に振動するように、前記モールドステージと前記基板ステージとの間の相対的な振動を行わせ、前記振動と並行して前記駆動機構を制御して前記液状樹脂に対する前記モールドの押付けを行うことを特徴とする。
図1は、本発明の実施例に係る押印装置の構成図で、図2は、本発明の実施例に係る押印装置の制御ブロック図である。また、図13は、本発明の実施例に係るアライメントマークの配置を示すモールドチャック11の周辺の断面図である。
図1、図2及び図13において、ウエハチャック2は、ウエハ1を保持するための吸着手段である。微動ステージ3は、ウエハ1のθ(z軸回りの回転)方向位置の補正機能、ウエハ1のz位置の調整機能、及びウエハ1の傾きを補正するためのチルト機能を有するステージであり、ウエハ1を所定の位置に位置決めするためのXYステージ4上に配置される。以下、微動ステージ3とXYステージ4を合せて、ウエハステージ3,4とし、ウエハステージ3,4は、ウエハ1を保持してX−Y面内を移動する基板ステージである。
また、モールドチャックステージ12は、そのx及びy方向の位置を計測するためにレーザ干渉計7’からの光を反射する反射面を有する(y方向は不図示)。モールドチャック11及びモールドチャックステージ12は、UV光源16からコリメータレンズ17を通して照射されるUV光をモールド10へと通過させる開口11H及び12Hをそれぞれ有する。
スコープであるアライメントスコープ30及び31は、ウエハ1に形成されたマークの位置を計測するための信号を出力する。すなわち、アライメントスコープ30及び31は、ウエハ1に形成されたアライメントマークとモールド10に設けられたアライメントマークとの相対位置関係を計測するための光学系と検出系(光電変換素子または撮像素子等を含む)とを有する計測手段で、ウエハ1とモールド10との間のx及びy方向の位置ずれを計測する。ギャップセンサ32は、静電容量センサなどから成り、ウエハチャック2上のウエハ1の高さ(平坦度)を計測する。
さらに、CPU100は、ロードセル19により計測された押付けの力の増加に応じて前記振動の振幅および周波数の少なくとも一方を減少させ、ロードセル19により計測された押付けの力に基づいて前記振動を停止させる。
図11は複数枚のウエハに同じモールドを使用して、あるレイヤのパターンの転写を行なう場合のフローチャートである。図11において、ステップS101では、図示しないモールド搬送手段により、モールドチャック11にモールド10が供給される。
ステップS102では、アライメントスコープ30、31により図13に示すモールド10のアライメントマークM1、M2と図示しないXYステージ4上の基準マークとを同時に観察して、モールドチャックステージ12により主にモールド10のθ(z軸回りの回転)方向の位置を合わせる。
続くステップS104ではXYステージ4を駆動して、ギャップセンサ32によりウエハ1全面の高さ(平坦度)を計測する。この計測データは後述するように、モールド押印時にウエハ1の転写ショット面を図示しない装置の基準平面に合せる際に使用される。
続くステップS106では、アライメントスコープ30、31を使用して、図12に斜線を施した特定のショット5、7、15、17(サンプル計測ショット)において、図13に示すモールド10上のアライメントマークM1、M2とウエハ1上のアライメントマークW1、W2を同時に観察して、x、y方向の相対的位置ずれ量を計測する。
続くステップS109では、続いてパターン転写を行なうウエハがあるかどうかの判定が行なわれ、転写するウエハがある場合はステップS103に戻り、転写するウエハが無い場合はステップS110に進む。
ステップS110では、図示しないモールド搬送手段によりモールドチャック11からモールド10の回収を行ない、複数のウエハ1へのパターン転写を終了する。
図15の従来のフローチャートとの違いは、途中にウエハステージ3,4(微動ステージ3とXYステージ4)の振動開始と振動停止を行なうステップ(S31とS32)が追加された点である。
図4において、まず、ステップS1でXYステージ4を駆動し、ウエハ1の載置されたウエハチャック2を移動させ、ウエハ1上のパターンの転写を行なう場所(ショット)を樹脂滴下ノズル18の下に持って来たら、ステップS2で樹脂滴下ノズル18によってウエハ1上の目的のショットに光硬化樹脂の滴下を行なう。
ウエハステージを振動させることにより、矢印Aのようにウエハチャック2(ウエハ1)がx方向に振動している状況で、モールドチャックステージ12(モールド10)を矢印B方向に下降させることにより、吐出されて点在している光硬化樹脂40が、モールド10のパターンP2と先行レイヤで転写されたウエハ1上のパターンP1の間で均一に押し広げられる。
次に、ステップS5で、モールドチャック11またはモールドチャックステージ12に取り付けられた(図示しない)複数のロードセル19の出力によりモールド10の押付け力が適切な値かどうかの判定を行なう。押付け力が所定の範囲になかった場合、ステップS5の判定をnoで抜け、ステップS6に進む。
横軸tは光硬化樹脂滴下後、ウエハステージの移動した経過時間を示し、縦軸sは移動量を示す。s1が転写ショットの位置合せ目標位置を示し、図5では時刻t1で振動振幅Maだけ手前の位置からウエハステージが微小振動を開始している様子を示している。
微小振動は微動ステージ4のみを使用して行なうと、高い周波数でも振動させることが出来て効果的である。時刻t2でモールド10の押付けが完了して振動を停止し、位置合せ目標位置s1に位置決めしている。なお、ウエハステージ3,4を微小振動させる時間Tbは押付け完了までの時間より短くてもよい。また、微小振動させるのはx軸もしくはy軸のどちらか一軸、あるいは両方の軸であってもよい。
図6において、位置Paから位置合せ目標位置P0まで移動する場合、矢印Aで示すように、ウエハステージは位置P0からx軸方向に−Maだけずれた位置Pbに移動した後、矢印Bで示す振幅Maの振動を開始する。両方の軸を微小振動させる場合は、振動の振幅及び周波数を等しくする必要はなく、位置合せ目標位置を中心としてウエハ1がxy平面内で旋回運動するように振動させてもよい。
振動させる軸はモールド側のパターンに応じて、適宜、選択してやればよく、x軸方向に伸びるライン&スペースパターンの場合は、x軸方向のみ振動させるようにすれば、より効果的に樹脂を展開することができる。なお、微小振動の振幅は隣接ショットへの干渉を考慮して、ショット間のスクライブライン幅以下とすることが好ましい。
次にステップS9で、XYステージ4を駆動し、次のショットが樹脂滴下ノズル18の下に来るようにウエハ1を移動させる。
ステップS11ではウエハ1の回収(図11のステップS108)に備えて、所定の位置にXYステージ4を駆動する。
図7は1ウエハのパターン転写時のフローチャートで、図4との違いはモールド10の押付け量(下降量)が所定の値となった時に、ウエハステージの振動振幅を変更するステップを追加した点である。図7において、ステップS4のモールドチャックの下降までのフローは図4と同じである。
もう一方のフローでは、ステップS42でモールドチャック11の下降量(モールド10の押付け量)が所定の値になるまで判定を繰り返す。モールド10の押付け量が所定の値になったら、ステップS33に進み、ウエハステージの振動振幅をより小さなものに変更し、ステップS43でステップS5からのフローと合流する。以降のフローは、図4と同じである。
以上のようにして、モールド10の押付け量に応じて、ウエハステージ3,4の微小振動の振幅もしくは周波数を変える(例えば、モールド10の押付け量が増大するのに合せて、微小振動の振幅と周波数を小さくする)ことで、ウエハステージ3,4側に微小振動することによる過負荷を生じさせることなく、効果的に光硬化樹脂の拡散を行なうことが出来る。
図9はウエハ1のパターン転写時のフローチャートで、図4との違いはモールド10の押付け力が所定の値となった時に、ウエハステージの振動振幅を変更するステップを追加した点である。
図9において、ステップS4のモールドチャックの下降までのフローは図4と同じである。
もう一方のフローでは、ステップS52で複数のロードセル19によって計測されるモールド10の押付け力が所定の値になるまで判定を繰り返す。モールド10の押付け力が所定の値になったら、ステップS33に進み、ウエハステージの振動振幅をより小さなものに変更し、ステップS53でステップS5からのフローと合流する。以降のフローは、図4と同じである。
所定位置まで下降した時点tb2で押付け力pが下降開始時のp1からp2まで上昇した時に、ウエハステージの微小振動の振幅をMaからMbにほぼ半減させている。
なお、同時に微小振動の周波数をより低い値に変更してもよい。
以上のようにして、モールドの押付け力に応じて、ウエハステージの微小振動の振幅もしくは周波数を変える(例えば、モールドの押付け力が増大するのに合せて、微小振動の振幅と周波数を小さくする)ことで、ウエハステージ側に微小振動することによる過負荷を生じさせることなく、効果的に光硬化樹脂の拡散を行なうことが出来る。
さらに、基板ステージを振動させる振幅をモールドの基板上の樹脂に対する相対的な押付け量もしくはモールドの基板上の樹脂に対する相対的な押付け力に応じて変えるようにした。これにより、押印時の基板上の樹脂の拡がりが促進され、スループットを向上させたパターン転写装置である押印装置を提供することができる。
また、半導体やMEMS(Micro Electro−Mechanical
Systems)などを製造する微細パターン転写装置に利用可能である。
以上の説明では、モールド押印時のモールドと基板との相対的な振動を基板ステージ側を振動させることによって行なっているが、モールド側を振動させて同様の効果が得られることは明らかである。
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、前述の実施例のインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを転写(形成)するステップと、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップと、を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
Claims (10)
- 基板上に配置された液状樹脂にモールドを押付けて樹脂の凹凸パターンを基板上の各ショットに形成する押印装置であって、
前記モールドを保持するモールドステージと、
前記基板を保持してX−Y面内を移動する基板ステージと、
前記モールドステージと前記基板ステージとの間のZ軸方向の距離を変化させる駆動機構と、
制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記モールドステージに保持されたモールドに整列する位置に対して、前記液状樹脂の配置が行われたショットがX−Y面内において相対的に振動するように、前記モールドステージと前記基板ステージとの間の相対的な振動を行わせ、前記振動と並行して前記駆動機構を制御して前記液状樹脂に対する前記モールドの押付けを行う、
ことを特徴とする押印装置。 - 前記基板に形成されたマークの位置を計測するための信号を出力するスコープと、
前記液状樹脂を吐出するノズルと、
前記液状樹脂を硬化させる硬化手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記基板ステージのX−Y面内の位置と前記スコープの動作とを制御することにより前記基板上の複数のサンプルショットそれぞれに対応したマークの位置を計測して前記基板ステージ上における各ショットがモールドステージに保持されたモールドに整列する位置の算出を行い、前記算出により得られた1つのショットの位置にしたがって前記基板ステージの位置および前記ノズルからの吐出を制御して前記1つのショットに前記液状樹脂の配置を行い、前記押付けが行われている状態で前記振動を停止させて前記整列する位置に前記1つのショットが配置されるように前記モールドステージと前記基板ステージとの間の相対的な位置決めを行い、前記位置決めが行われた状態で前記硬化手段を動作させて前記液状樹脂を硬化させる、
ことを特徴とする請求項1に記載の押印装置。 - 前記相対的な振動は、前記基板ステージの振動であることを特徴とする請求項1または2に記載の押印装置。
- 前記制御手段は、前記振動の方向であって且つ前記液状樹脂の配置が完了した位置に近づく方向に前記振動の振幅分だけ前記整列する位置からずれた位置から前記基板ステージの振動を開始させる、ことを特徴とする請求項3に記載の押印装置。
- 前記制御手段は、前記駆動機構による前記距離の減少に応じて前記振動の振幅および周波数の少なくとも一方を減少させる、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の押印装置。
- 前記押付けの力を計測する計測手段を有し、
前記制御手段は、前記計測手段により計測された前記力の増加に応じて前記振動の振幅および周波数の少なくとも一方を減少させる、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の押印装置。 - 前記制御手段は、前記駆動機構により減少した前記距離に基づいて前記振動を停止させる、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の押印装置。
- 前記押付けの力を計測する計測手段を有し、
前記制御手段は、前記計測手段により計測された前記力に基づいて前記振動を停止させる、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の押印装置。 - 前記相対的な振動は、前記モールドステージの振動であることを特徴とする請求項1または2に記載の押印装置。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の押印装置を用いて樹脂の凹凸パターンを基板に形成する工程と、
前記工程を経た基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
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