JP2010062563A - 局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層によって、所望の不動態化と電子移動度に関する所望の改善とが可能なゲルマニウムオンインシュレータ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板を製造するための方法に関し、電子の高移動度を実現するために、窒化された領域が局所化された位置に形成される。窒化はプラズマ処理によって実現される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ゲルマニウムオンインシュレータ（ＧｅＯＩ）基板及びその製造方法に関する。

欧州特許出願公開第１６５９６２３明細書は、例えばシリコンウェーハのハンドル基板と、Ｇｅ層との間に埋め込み絶縁体層として酸窒化ゲルマニウム（ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ）層が形成されるゲルマニウムオンインシュレータ（ＧｅＯＩ）基板の製造方法を開示する。Ｔ．Ｓｉｇｎａｍａｒｃｈｅｉｘらは、電子移動度（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）に関して、活性Ｇｅ層の下に位置するＧｅＯ_ｘＮ_ｙの存在の有利な効果をＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ９３、０２２１０９（２００８）に説明している。このように、このタイプの基板は、ｎ−ＭＯＳ技術に基づく電子デバイスに有利に用いられ得る。しかし、正孔移動度がＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層の存在によって影響を受けてしまい、ｐ−ＭＯＳデバイスに関しては、この種類の基板はそれほど適合しないように見える。

そこから始まり、従って、本願発明の目的は改良されたゲルマニウムオンインシュレータ基板が得られる方法を提供することにある。

この目的は、請求項１に係る方法で達成され得る。局所的に不動態化された（ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ）ゲルマニウムオンインシュレータ基板を製造するための本方法は、ａ）Ｇｅ含有層、特にエピタキシャルＧｅ層又はＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）層を備える基板、又はＧｅ（ゲルマニウム）基板を、ソース基板として形成するステップと、ｂ）ソース基板を局所的に処理して不動態化された領域、特にＧｅＯ_ｘＮ_ｙを含む領域を形成するステップと、を備える。本発明に係る方法によれば、電気特性、特に不動態化された領域における高い電子移動度と、不動態化されていない領域における高い正孔移動度とを満たすゲルマニウムオンインシュレータ基が得られる。

ＳｉＧｅ層の場合において、本発明の方法は特に５０％より大きな高いＧｅの含有量、特に７０％より大きな高いＧｅの含有量に対して特に有利である。

安定化が必要である自然酸化ゲルマニウム（ｎａｔｉｖｅ Ｇｅ ｏｘｉｄｅ）を表面に含むソース基板の不動態化は、２０％〜５０％の実質的な窒素の含有量を有するＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層によって実現される。ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層によって、所望の不動態化と最終的な基板内のその不動態化された領域真上のＧｅ層における電子移動度に関する所望の改善とが達成され得る。

有利なことに、ステップｂ）が、ソース基板上にパターニングされたマスクを形成する工程を備える。この方法によれば、ソース基板上に所定のパターンが実現され、所望の最終構造に係る高い電子移動度を示す領域が実現され得る。代替的に、マスクなしパターニング方法（ｍａｓｋｌｅｓｓ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄｓ）も、これらの応用を満たすことができる。

好ましくは、不動態化は窒化により実現され得る。この方法によれば、既に存在する自然の酸化ゲルマニウムを用いてＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層を得られるという利点がある。

ステップｂ）が、プラズマ、特にＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマを用いて、ソース基板を処理する工程を備えることが好適である。変形例によれば、ＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマは１０％〜３０％のＡｒで希釈され得る。この方法により、特に低い圧力（ｐｒｅｓｓｕｒｅ）、特に４０ｍＴｏｒｒ未満、好ましくは１〜１０ｍＴｏｒｒの範囲内のプラズマによって、４０％に至る窒素元素が基板に取り込まれ得る。最適な結果は、５ｍＴｏｒｒの圧力で実現された。このプロセスは、２５℃から６００℃に至る温度で実現され得る。

有利なことに、ステップｂ）が、酸素プラズマ及び／又はアルゴンプラズマを、特にＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマを印加する前に、印加する工程を更に備えることができる。酸素含有プラズマは、ソース基板の上面上の酸化ゲルマニウム層を改善し又は厚くすることに有効に用いられ得る。酸素プラズマ後に窒素含有プラズマを適用することで、ソース基板の表面を不動態化するという有利な効果が得られる。

好適な実施形態によれば、本方法は、ステップｂ）の前又は後に、ｃ）ソース基板内に所定の分離領域を形成するステップを更に備えることができる。好ましくは、このステップは、ソース基板内に原子種を埋め込む工程を備えることができる。

本方法は、ステップｃ）の前又は後に、ｄ）絶縁体層、特に酸化層をソース基板上に形成するステップを更に備えることができる。絶縁体層形成工程後に所定の分離領域が形成される場合には、その絶縁体層を少なくとも部分的に除去することで表面の品質を改善することができる。全ての場合において、ソース基板の不動態化されている又は不動態化されていない領域上のＧｅＯＩ基板の埋め込み層の所望の絶縁性を提供するために絶縁体層は用いられる。局所的な不動態化の処理は、僅かな表面トポロジーを形成することがある。局所的に不動態化された表面上への絶縁体層の形成は、平坦化ステップ（例えば、ＣＭＰにより）の実行が可能であるとの利点を有する。これによって、他の基板に容易にボンディングされ得る表面が形成される。

更なる好適な変形例では、局所的に不動態化されたソース基板を、特に約６００℃で１時間以上アニールして、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙのパシベーション面を安定化することができる。これは、マスクの除去の前又は後に実行されることができる。熱処理は、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ領域の安定化につながり、使用されるマスクのタイプによってはマスク層が浄化される。

本方法は、ｅ）ソース基板をハンドル基板に、好ましくはボンディングによって取り付けるステップと、ｆ）所定の分離領域でソース基板を分離して、局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板を得るステップと、を更に備えることができる。安定したＧｅＯ_ｘＮ_ｙの絶縁体層によれば、薄いＧｅ層をＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層と共に転写することができ要望の局所的に不動態化されたＧｅＯＩ基板を得ることが可能となる。そのハンドル基板は、シリコンウェーハであることが好適である。

有利なことに、本方法は、ステップｅ）の前に、特にソース基板上に如何なる絶縁体層が形成されていないときに、ｇ）絶縁体層、特に酸化層をハンドル基板上に形成するステップを更に備えることができる。シリコンウェーハの場合において、その絶縁体は、熱酸化層及び／又は堆積された酸化層であることができる。従って（このように）、ボンディングは、ソース基板の局所的に不動態化された表面とハンドル基板の絶縁体層との間に、ソース基板の絶縁体層と絶縁体層を有しないハンドル基板の表面との間に、又はハンドル基板の絶縁体層とソース基板の絶縁体層との間において達成され得る。

有利な変形例によれば、本方法は、ステップｅ）の前に、ｈ）プラズマ、特に酸素プラズマ及び／又はＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマを用いて、特にＡｒと混合してハンドル基板を活性化するステップを更に備えることができる。ハンドル基板表面の活性化は、改善された取り付け特性を提供する。好ましくは、ステップｅ）が、ソース基板に対するプラズマス処理ステップｂ）及びハンドル基板のプラズマ処理ステップｈ）の直後に、且つ更なるプロセスステップを介することなく行われ得る。取り付けステップを直ちに行うことで、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ面の汚染が回避でき、より優れた最終製品が得られる。従って、本発明によれば、Ｇｅ材料の不動態化及び取り付けのための表面の活性化が一つのステップで達成される。もちろん、ボンディング前にパターニングされたマスクは除去される必要がある。

有利なことに、マスク形成工程において用いられるマスクが、一以上のシャドーマスク、特にテフロンマスク又は金属マスクであり、又は堆積されたマスク、特にフォトレジストベースマスク又はＧｅＯ_２マスクである、ことができる。

この種類のマスクは、ソース基板において所望の局所的に不動態化された領域を設けるのに適合している。ボンディング前に、例えばドライエッチング又はウェットエッチングによって、特にＮ_２を用いたプラズマエッチング、又はパシベーションが否定的に影響を及ぼさない限り熱処理によって、マスクは除去される。

好ましくは、ステップｂ）が、ソース基板上に自然的なＧｅＯ_ｘ層又は堆積されたＧｅＯ_ｘ層を形成する工程と、フォトレジスト層を形成する工程と、フォトレジスト層をナノインプリンティングするする工程と、プラズマエッチング、特に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってパターンを形成する工程と、を備えることができる。代替的には、ＧｅＯ_ｘ層は、レーザー又は電子ビーム処理を用いてパターニングされることができる。ナノインプリンティング工程を用いて、マイクロサイズ及び／又はナノサイズの島状領域（ｉｓｌａｎｄ）のような局所的に不動態化された構造が得られる。

有利なことに、フォトレジスト層を局所的なパシベーション前に除去することができ、フォトレジスト層を除去するステップが局所的に不動態化する領域に影響を及ぼさないようにする。

好適な実施形態によれば、本方法はソース基板内又はソース基板上に合わせマークを形成するステップを更に備えることができる。本発明によれば、局所的に不動態化された領域上の改善された電子移動度によって、基板はｎ−ＭＯＳタイプのデバイスを受けるべきＧｅの“上”層を示す。また、局所的に不動態化された領域から離れた他の領域は、これらの領域においては正孔移動度がより良いのでｐ−ＭＯＳタイプのデバイスを受けるのに適合している。様々なデバイスが対応する領域上に形成されることができるように合わせマークは参照ポイントを提供するので、合わせマークはｎ−ＭＯＳデバイス及び／又はｐ−ＭＯＳデバイスを製造するステップを補助する。

有利なことに、本方法は、合わせマーク形成ステップが、ソース基板パターン内に凹部のパターンを形成するステップを備えることができる。凹部のパターンは、埋め込まれた局所的に不動態化された領域がどこに位置するかが分かるように選ばれる。全ての埋め込まれた局所的な不動態化の領域を位置決めができる限り、不動態化された領域の一つと同じパターンを用いる必要はない。

更なる好適な実施形態によれば、絶縁体層、特にＳｉＯ_２層が凹部内に形成されることができる。ＳｉＯ_２層の堆積後に、Ｇｅ表面の中にＳｉＯ_２島状領域を有する表面を得るように、平坦化（ｐｌａｎａｒｉｓａｔｉｏｎ）工程、例えばＣＭＰ工程が実行されることができる。絶縁体の特性により、不動態化された領域を特定することが可能となる。好ましくは、この絶縁体層はステップｄ）において得られたものと同じである。

好ましくは、ステップｃ）が行われ、所定の分離領域がソース基板内の凹部を横切る（ｃｒｏｓｓ）ことができる。これにより、絶縁体層がその表面上から見られ、従って、基板内に埋め込まれた局所的な領域がその基板の外側から確認できる。好ましくは、凹部は０．５〜２．０μｍの深さを有する。

位置合わせの手段は、局所的に不動態化された領域を形成する前又は後に形成されることができる。不動態化された領域を形成する前に位置合わせの手段を形成すると、位置合わせの手段に関する製造プロセスが局所的に不動態化された領域上に影響を有しないという利点が得られる。

また、本発明は、局所的に不動態化された領域を備えると共に、上記の何れかの方法によって得られるゲルマニウムオンインシュレータ基板に関する。ゲルマニウムオンインシュレータ基板を有すると、上述した利点が実現され得る。

このように、本発明は埋め込まれた不動態化された領域を備えるゲルマニウムオンインシュレータ基板に関する。好適な実施形態によれば、ゲルマニウムオンインシュレータ基板が、局所的に不動態化された領域の位置を特定するように構成且つ配置された合わせマーク、特にＳｉＯ_２島状領域を更に備えることができる。好ましくは、合わせマークは、ＧｅＯＩ基板の表面にまで延びる。

その（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るゲルマニウムオンインシュレータ型ウェーハの製造方法の第１実施形態を示す図である。 その（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るゲルマニウムオンインシュレータ型ウェーハの製造方法の第２実施形態を示す図である。 その（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るゲルマニウムオンインシュレータ型ウェーハの製造方法の第３実施形態を示す図である。 その（ａ）〜（ｆ）は、本発明に係るゲルマニウムオンインシュレータ型ウェーハの製造方法の第４実施形態を示す図である。 本発明の第５実施形態、すなわち本発明に係るゲルマニウムオンインシュレータ型ウェーハが製造された基板上に設けられたｎ−ＭＯＳ構造及びｐ−ＭＯＳ構造を備える電子デバイスを示す図である。

本発明に係るゲルマニウムオンインシュレータ型ウェーハの製造方法は、以下において、ＳｍａｒｔＣｕｔ（登録商標）技術に基づいて説明される。しかし、例えば接合及びグラインド（ｇｒｉｎｄ）／エッチバック（ｅｔｃｈ ｂａｃｋ）のように、製造方法を提供する他の好適な半導体オンインシュレータも、本発明に適用され得る。

図１（ａ）は、ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１を示し、又は変形例として、その一つの主面上に形成されたＧｅ含有層、特にエピタキシャルＧｅ層、又はシリコン及びゲルマニウムを含むＳｉＧｅ層を有する基板を示す。ＳｉＧｅ層の場合、Ｇｅ含有量は少なくとも５０％であることが好ましく、７０％より大きいことがより好ましい。更なる処理工程前に、ソース基板１の表面３ハ、例えばＨＦベース溶液（フッ酸）で洗浄され得る。

図１（ｂ）は、ハンドル基板５を示す図である。ハンドル基板５は、ゲルマニウムウェーハ、シリコンウェーハ、シリコンカーバイドウェーハ、シリコンゲルマニウムウェーハの正面を有するウェーハ、又はガリウムヒ素ウェーハであることができる。場合によっては、クオーツ式ウェーハも用いられ得る。ソース基板１及びハンドル基板５の両方とも、例えば２００ｍｍ型ウェーハ又は３００ｍｍ型ウェーハのような、適切ならばいかなるサイズ又は形式を有してよい。

図１（ｃ）は、局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータウェーハの製造のための請求項１に係る本発明の方法のステップｂ）及びｃ）を示す。請求項１に係る本発明の方法は、まずソース基板１上にパターニングされたマスク７を形成するステップと、パターニングされたマスク７を用いてソース基板１を処理し、ソース基板1内又はソース基板1上に局所的なＧｅＯ_ｘＮ_ｙ領域９を得るステップとを備える。

マスクは、接触型マスク（ｃｏｎｔａｃｔ ｍａｓｋ）であることができ、よってソース基板１上に形成されることができる。変形例においては、図１（ｃ）に示されているように、ソース基板１の表面３の上側に位置する非接触型マスク（ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ ｍａｓｋ）が設けられ得る。この場合において、マスク７は、ソース基板１上のテフロンマスク又は金属マスクであることができる。

マスク７における開口部１１は、マイクロメータサイズ又はナノメータサイズであり、ソース基板１の局所的に不動態化された領域９もマイクロメータ又はナノメータの範囲である。これらは互いに、不変のサイズであることができ、又は可変のサイズであることもできる。

本発明のこの実施形態によれば、処理ステップは、基板１に窒素原子を含む（ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅ）ために、窒素含有プラズマ、特にアルゴンプラズマで希釈されたＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマを用いて膣化させるステップである。

好ましくは、４０ｍＴｏｒｒ未満の低圧で、特に１〜１０ｍＴｏｒｒの範囲内の圧力において約６０秒間プラズマは印加される。好適な温度の範囲は、２５℃〜６００℃である。最適化された結果は、１５０℃の温度で５ｍＴｏｒｒの圧力範囲内で得られた。プラズマの圧力が低いほど、窒素がより多く含まれる。プラズマ処理後に、約６００℃の熱処置が行われ得る。これは、特にマスク７がＧｅＯ_２で形成された場合に有効である。この熱処理はＧｅＯ_ｘＮ_ｙ領域９の安定化をもたらし、またＧｅＯ_２マスク層を浄化させる（揮発性にさせるため（ｔｏ ｒｅｎｄｅｒ ｖｏｌａｔｉｌｅ））からである。この処理は表面処理であり、窒素が濃厚な領域の厚さは１０ｎｍ未満であり、好ましくは５ｎｍ未満であって、より好ましくは３ｎｍ未満である。

実際に、ゲルマニウム基板１の表面上又は不動態化処理の際の雰囲気中における自然酸化ゲルマニウムのように、酸素の存在によって、膣化ステップはこれらの領域９にＧｅＯ_ｘＮ_ｙタイプの島状領域（ｉｓｌａｎｄ）の形成をもたらす。最終的なゲルマニウムオンインシュレータ基板（以下の記載を参照）において、これらの島状領域上の最上層のＧｅ材料は高い電子移動度を示す。

マスク７の除去後に、図１（ｄ）に示されているように、ソース基板１の内側に所定の分離領域１３を形成する。所定の分離領域１３は、主面３に実質的に平行となっている。主面３には、局所的に不動態化された酸化ゲルマニウム領域９が形成されている。ＳｍａｒｔＣｕｔ（登録商標）によれば、所定の分離領域は、所定のエネルギー及びドース（ｄｏｓｅ）でＨイオン又はＨｅイオンのような原子種１５をソース基板に注入する（ｉｍｐｌａｎｔ）ことによって得られる。変形例において、このステップは、マスク７の除去前に実行されることもできる。

その後、図１（ｅ）に示されているように、絶縁体層１７、特に酸化シリコン層のような酸化層がソース基板１上に、例えば堆積で形成される。絶縁体層１７は、ソース基板１の表面全体を覆っており、よって不動態化された領域９も覆われている。結果として、平坦化ステップは、例えばＣＭＰによって実行され得る。

継続されるステップにおいて、窒化された領域９を有するソース基板１及び絶縁体層１７は、特にボンディングによって、ハンドル基板５に取り付けられて、ソース−ハンドル複合体（ｓｏｕｒｃｅ−ｈａｎｄｌｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）１９が形成される。接合（ｂｏｎｄｉｎｇ）は、ハンドル基板５と絶縁体層１７の表面２１との間で生じる（図１（ｆ）を参照）。

図１（ｇ）は、所定の分離領域１３で行われる分離ステップの結果を示す。典型的に、熱アニールは、所望の分離をもたらす。しかし、他のエネルギーを提供する手段が熱アニールの代替手段又は補完手段として適しているとすることができる。実際に、アニールの際に、残部２３と局所的に不動態化された領域９を有する新たに形成されたゲルマニウムオンインシュレータ基板との間の完全な分離まで、所定の分離領域１３の弱体化（ｗｅａｋｅｎｉｎｇ）が形成される。局所的に不動態化された領域９を有する本実施形態のゲルマニウムオンインシュレータ基板２５は、ハンドル基板２５、絶縁体層１７、不動態化された領域９、及び転写されたゲルマニウム層２７を備える。既に言及したように、基板２５は、不動態化された領域において向上された電子移動度を示し、不動態化されていない領域における正孔移動度は不動態化によって否定的な影響を受けない。

ソース基板１の残部２３は、次の局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータの製造工程において、ソース基板として再利用され得る。

第１実施形態の変形例によれば、一連の様々なステップが変更され得る。例えば、第１の変形例において、図１（ｄ）に示されているイオン注入ステップが窒化された領域９の形成前に、すなわち図１（ｃ）に示されているステップ前に、実行され得る。更に、第２の変形例において、絶縁体層１７はイオン注入前に窒化された領域９上に形成される。すなわち、図１（ｅ）において示されているステップが、図１（ｄ）において示されているステップ前に実行されることができる。結果としては、この変形例において、表面の質を向上させるために、イオン注入後に絶縁体層１７の表面領域は除去される。第１実施形態の第３変形例によれば、窒素含有プラズマを適用する前に、酸素及び／又はアルゴン含有プラズマが適用されて、ソース基板１の上面上に既に存在する酸化ゲルマニウム層を改良又は厚くすることができる。窒素含有プラズマの役割は、その他、窒化された領域９におけるソース基板１の表面を活性化することである。

最終的な製品２５は、構造が安定されるように、研磨及び／又は熱処理のような更に追加的な処理を受けることができる。

図２（ａ）〜図２（ｇ）は、本願発明の方法の第２実施形態を示す。

図２（ａ）〜図２（ｄ）に示されているステップは、図１（ａ）〜図１（ｄ）に示されているステップに対応する。そのため、これらの説明は反復してしないが、図１（ａ）〜図１（ｄ）の説明の参照によって本明細書に組み込まれる。第１実施形態と第２実施形態との間における差は、窒化ステップ後にソース基板１上に絶縁体層１７を形成することに換えて、図２（ｅ）に示されているように、ハンドル基板５上に堆積又は熱処理によって絶縁体層３１、例えば酸化シリコンを形成することである。

絶縁体層３１の表面３３に対しては、プラズマ、特に、例えばＮＨ_３、Ｎ_２又はＮ_２Ｏプラズマのように窒素含有プラズマ及び／又は酸素プラズマを用いた活性化が行われる。層３１のプラズマ処理は、図１（ｃ）と関連して詳細に示されているソース基板のプラズマ処理に相当する条件で実行される。

図２（ｆ）は、ハンドル基板５にソース基板１を、特に接合（ｂｏｎｄｉｎｇ）によって取り付けてソース−ハンドル複合体構造３３を形成するステップを示す。この場合において、接合は、絶縁体層３１の表面３３と不動態化された領域９を有するソース基板１の表面３とで生じる。

第１実施形態のように、図２（ｇ）に示されている次のステップは、ソース基板１の残部（図示せず）からゲルマニウムオンインシュレータ型基板３７を分離する工程を含む。この実施形態におけるゲルマニウムオンインシュレータ基板３７は、ハンドル基板５、絶縁体層３１、局所的に不動態化された領域９、及び転写層２７を備える。

変形例によれば、所定の分離領域１３の形成後に局所的に不動態化された領域９が得られるように、図２（ｃ）及び図２（ｄ）において示されているステップが交換されることができる。この場合、ソース基板１のプラズマ処理及び絶縁体層３１のプラズマ処理の直後に、取り付けが実行されることができ、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ領域９の化学量論的な安定性の向上が観察される。

また、第１及び第２の実施形態に係る方法は、絶縁体層１７及び絶縁体層３１との間で取り付けが実行された場合において、組合せられ得る。

図３（ａ）〜図３（ｇ）は、本実施形態に係る局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板の第３実施形態を示す。図３（ａ）〜図３（ｇ）は、パターニングされたマスクを形成する一つの可能性を詳細に示しており、このマスクを用いてソース基板１を処理し、ソース基板１上に局所的に不動態化された領域９を得る。本実施形態におけるマスクは、ソース基板１の表面３と接触している。

図３（ａ）は、図１（ａ）及び図２（ａ）に対応しており、ゲルマニウムウェーハ又は表面３上にゲルマニウム層を有するウェーハのソース基板１を表している。図３（ｂ）は、ソース基板１の表面３上に酸化ゲルマニウムのＧｅＯ_２層４１を形成する次のステップを示す。酸化ゲルマニウム層４１は、自然酸化層に対応するが、堆積されたものであることができる。

次のステップは、酸化ゲルマニウム層４１上にフォトレジスト層４３を形成するステップを含む。次に、この技術分野において公知であるナノインプリント（ｎａｎｏ−ｉｍｐｒｉｎｔ）を用いて、フォトレジスト層４３をパターニングする。パターニングされたフォトレジスト層４５によって、パターニングされたマスク４７は酸化ゲルマニウム層４３の内側に形成され、図１（ｃ）に示されているようにマスク７の機能をする。層４３のパターニングは、例えば反応性イオンエッチング工程を用いて実行される。代替方法としては、酸化ゲルマニウム層４１におけるマスク４７の形成に、フォトレジスト層の形成に替えて、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング又は電子ビームスパッタリングのプロセスが用いられ得る。フォトレジスト層を除去するステップが不動態化された表面層上に影響（除去）を及ぼさないように、フォトレジスト層４５は不動態化ステップ前に除去されることが好ましい。その後、マスク４７を介して（ｖｉａ）、図１（ｃ）関連して示されているように窒化処理が行われ、ソース基板１内に窒化された領域９が形成される。そのステップの結果は、図３（ｆ）に示されている。

最終的に、例えば、Ｎ_２プラズマによって又は約６００℃で一時間以上の熱処理によって、マスク４７が除去される。

図４（ａ）〜図４（ｆ）は、本実施形態に係る局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板の製造のための第４実施形態を示す。既に、図１（ａ）、図２（ａ）及び図３（ａ）に示されているように、図４（ａ）に示されているステップは、基板１の表面３がゲルマニウム層であるように、ゲルマニウム基板１又はエピタキシャルＧｅ層を備える基板を設けることにその本質がある。前で既に示したプロセスステップは、再度詳細に反復されないが、この説明は参照として本明細書中に組み込まれている。

その後、マスク５１を用いてソース基板１に凹部５３を形成する。凹部５３は、その深さがｄ１であり、例えば反応性イオンエッチングのようなエッチングプロセスを用いて得られる。凹部５３は、マイクロメータの規模であり、例えば１マイクロである（図４（ｂ）を参照）。

その後、図１（ｃ）において示されているようなプロセスステップが行われ（図４（ｃ））、すなわち、凹部５３を有するソース基板１がマスク７を介して処理され、図１（ｃ）に示されている領域９に相当する局所的に不動態化された領域５５が得られる。実際に、局所的に不動態化された領域５５と図１（ｃ）に示されている領域９との間の差は、局所的に不動態化された領域５５が凹部５３の内側に形成されることである。

次のステップとして（図４（ｄ））、局所的に不動態化された領域５５及び凹部５３を覆う絶縁体層５７、例えばＳｉＯ_２層が、ソース基板１上に形成される。絶縁体層５７の表面を滑らかにするために、ＣＭＰのような研磨ステップが実行される。

次に、図１（ｄ）及び図４（ｅ）に示されているように、所定の分離領域１３がソース基板１内に形成される。本実施形態によれば、所定の分離領域１３が、ゲルマニウム基板の表面から凹部５３の底面５９に到る距離ｄ１より浅い深さｄ２で形成される。

その後、絶縁体層５７を有するソース基板１が、好ましくは接合によって（図１（ｂ）及び図１（ｆ）に示されているように）ハンドル基板５取り付けられ、図１（ｇ）に示されているように所定の分離領域１３で分離が生じる。分離後、図４（ｆ）に示されているように、局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板６１が得られる。合わせマーク（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍａｒｋ）６３が基板６１の表面上にあるので、合わせマーク６３と不動態化された領域との間において固定された位置的な関係に基づいて（それぞれのマスク７及び５１に基づいて）局所的に不動態化された領域５５上のゲルマニウムの島状領域６５の位置を特定することが容易となる。

本実施形態の更なる変形例を得るように、第１〜第４の実施形態は自由に組み合わせられ得る。

局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板２５，３７及び６１及びそれらの様々な変形例は、単一の基板上に製造されたｎ−ＭＯＳ構造及びｐ−ＭＯＳ構造を有するデバイスにおいてそれらの用途がある。特に、不動態化された領域における高い電子移動度及び他の領域における優れた正孔移動度というメリットが得られる。

図５は、基板５１及び更なるエレクトロニクスの構造を示す。図５において示されているように、ｎ−ＭＯＳデバイス７１，７３は（この領域における高い電子移動度によって）不動態化された領域５５上に位置し、ｐ−ＭＯＳデバイス７５，７７は（高い正孔移動度によって）不動態化されていない領域上に位置される。これによって、その上に設けられた両タイプのデバイスが改善された性能を有するウェーハを可能とする。表面上の合わせマーク６３は、基板６１上の特定の領域上に各デバイス７１，７３，７５，７７を正確に位置させることに有利である。従った、ゲルマニウムオンインシュレータ基板に基づく良質のデバイスを作ることができる。

Claims (21)

1. 局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板を製造する方法であって、
   ａ）Ｇｅ含有層、特にＳｉＧｅ層若しくはエピタキシャルＧｅ層を備える基板、又はＧｅ基板を、ソース基板として形成するステップと、
   ｂ）不動態化された領域、特にＧｅＯ_ｘＮ_ｙを含む領域を局所的に形成するステップと、
   を備える、方法。
2. 前記ステップｂ）が、前記ソース基板上にパターニングされたマスクを形成する工程を備える、請求項１に記載の方法。
3. 前記ステップｂ）が、窒化によって不動態化する工程を更に備える、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記ステップｂ）が、プラズマ、特にＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマを用いて、前記ソース基板を処理する工程を備える、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
5. 前記ステップｂ）が、酸素プラズマ及び／又はアルゴンプラズマを、特に前記ＮＨ_３プラズマ、前記Ｎ_２プラズマ、又は前記Ｎ_２Ｏプラズマを印加する前に、印加する工程を更に備える、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
6. 前記ステップｂ）の前又は後に、ｃ）前記ソース基板内に所定の分離領域を形成するステップを更に備える、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
7. 前記ステップｃ）の前又は後に、ｄ）絶縁体層、特に酸化層を前記ソース基板上に形成するステップを更に備える、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
8. 前記局所的に不動態化された領域を、特に約６００℃で１時間以上アニールするステップを更に備える、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
9. ｅ）前記ソース基板をハンドル基板に、好ましくはボンディングによって取り付けるステップと、
   ｆ）前記所定の分離領域で前記ソース基板を分離して、前記局所的に不動態化されたゲルマニウムオンインシュレータ基板を得るステップと、
   を更に備える、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
10. 前記ステップｅ）の前に、ｇ）絶縁体層、特に酸化層を前記ハンドル基板上に形成するステップを更に備える、請求項９に記載の方法。
11. 前記ステップｅ）の前に、ｈ）プラズマ、特に酸素プラズマ及び／又はＮＨ_３プラズマ、Ｎ_２プラズマ、又はＮ_２Ｏプラズマを用いて前記ハンドル基板を活性化するステップを更に備える、請求項９又は１０に記載の方法。
12. 前記ステップｅ）が、前記ソース基板に対する前記プラズマス処理ステップｂ）及び前記ハンドル基板の前記プラズマ処理ステップｈ）の直後に、且つ更なるプロセスステップを介在することなく、行われる、請求項９〜１１に記載の方法。
13. 前記マスクが、一以上のシャドーマスク、特にテフロンマスク又は金属マスクであり、又は堆積されたマスク、特にフォトレジストベースマスク又はＧｅＯ_２マスクである、請求項２〜１２の何れか一項に記載の方法。
14. 前記マスク形成工程は、
    前記ソース基板上にＧｅＯ_ｘ層を形成することと、
    フォトレジスト層を形成することと、
    前記フォトレジスト層をナノインプリンティングすることと、
    プラズマエッチング、特に反応性イオンエッチングによってパターンを形成することと、を備える、請求項１３に記載の方法。
15. 前記ソース基板内又は前記ソース基板上に合わせマークを形成するステップを更に備える、請求項１〜１４の何れか一項に記載の方法。
16. 前記合わせマーク形成ステップが、前記ソース基板パターン内に凹部のパターンを形成するステップを備える、請求項１５に記載の方法。
17. 絶縁体層、特にＳｉＯ_２層が前記凹部内に形成される、請求項１６に記載の方法。
18. 前記ステップｃ）が行われ、前記所定の分離領域が前記ソース基板内の前記凹部を横切る、請求項１５〜１７の何れか一項に記載の方法。
19. 局所的に不動態化された領域をＧｅ層内又はＧｅ層上に備えており、請求項１〜１８の何れか一項に記載の方法によって得られるゲルマニウムオンインシュレータ基板。
20. 前記局所的に不動態化された領域の位置を特定するように構成且つ配置された合わせマークを更に備える、請求項１９に記載のゲルマニウムオンインシュレータ基板。
21. ゲルマニウムオンインシュレータ基板内又はゲルマニウムオンインシュレータ基板上に、ｎ−ＭＯＳデバイス構造及びｐ−ＭＯＳデバイス構造を備える電子デバイスにおいて、
    前記ｎ−ＭＯＳデバイス構造が、局所化されていると共に不動態化された領域、特にＧｅＯ_ｘＮ_ｙを含む領域上に形成されており、
    前記ｐ−ＭＯＳデバイス構造が、前記ゲルマニウムオンインシュレータ基板の他の領域上に形成されていることを特徴とする電子デバイス。
    
    
    

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