JP2010056100A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、 前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、1.2×1012cm−2未満である。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係るショットキーバリアダイオードの断面図である。また、図2は、図1に示すショットキーバリアダイオードの斜視図である。同図に示すように、ショットキーバリアダイオード1は、GaN自立基板2と、GaN自立基板2の主表面2a上に形成されたGaNエピタキシャル層3と、GaNエピタキシャル層3の主表面3a上に形成された窒化絶縁層4を備える。さらに窒化絶縁層4には開口部が形成されており、電極5は、GaNエピタキシャル層3の主表面3aに接触するとともに、窒化絶縁層4に重なるように形成されている。電極5は図2に示すように、例えば平面形状が円形になるように形成されている。また、電極6はGaN自立基板2の主表面2aと反対側の主表面2b上に形成されている。
また、上記電極5aは、GaNエピタキシャル層3とショットキー接合を形成するショットキー電極である。一方、電極6は、GaN自立基板2とオーミック接合を形成するオーミック電極である。
図4は、本発明の実施の形態2に係るショットキーバリアダイオードの断面図である。同図に示すように、実施の形態2のショットキーバリアダイオード11は実施の形態1のショットキーバリアダイオード1に対し、窒化絶縁層が第1の窒化絶縁層14と第2の窒化絶縁層17の二層構造となっている点で実施の形態1と異なっている。なお、図1と同一符号のものは、同一又は相当物であり、以下の説明を省略する。
図5は、本発明の実施の形態3に係るショットキーバリアダイオードの断面図である。同図に示すように、実施の形態3のショットキーバリアダイオード21は実施の形態1のショットキーバリアダイオード1に対し、GaN自立基板2の代わりに支持基板23と、GaN下地層22を含んでいる点で実施の形態1と異なっている。なお、図1と同一符号のものは、同一又は相当物であり、以下の説明を省略する。
2 GaN自立基板
2a 主表面
2b 主表面
3 GaNエピタキシャル層
3a 主表面
4 窒化絶縁層
5 電極
5a ショットキー電極
5b フィールドプレート電極
6 電極
11 ショットキーバリアダイオード
14 第1の窒化絶縁層
17 第2の絶縁層
21 ショットキーバリアダイオード
22 下地層
23 支持基板
Claims (11)
- 主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、
前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、
前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、
前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、1.2×1012cm−2未満であることを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記窒化絶縁層中の水素濃度が、3.8×1022cm−3未満である、請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキーバリアダイオードはさらに窒化ガリウム基板を含み、前記エピタキシャル層の前記主表面の反対側が前記窒化ガリウム基板の主表面と接触するように形成されている、請求項1または請求項2に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化ガリウム基板の転位密度は1×108cm−2以下である、請求項3に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記エピタキシャル層において、前記ショットキー電極と接触する領域の転位密度が1×108cm−2以下である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化絶縁層の厚みは10nm以上5μm以下である、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化絶縁層上に形成された、第2の絶縁層をさらに備える、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化絶縁層の厚みは0.5nm以上5μm以下である、請求項7に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化絶縁層の屈折率が1.7以上2.2以下である、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記フィールドプレート電極が前記窒化絶縁層と重なる長さが1μm以上1mm以下である、請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキー電極は、金、プラチナ、ニッケル、パラジウム、コバルト、銅、銀、タングステン、およびチタンからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を含む、請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
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