CN115692184A - 基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P‑AlGaN栅增强型晶体管及制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P‑AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层，露出P‑AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P‑AlGaN层，形成P‑AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层，并在金属层、P‑AlGaN层、P‑AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P‑AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P‑GaN侧墙缺陷产生的问题。

Description

基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备 方法

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备方法。

背景技术

GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，简称HEMT)具有宽带隙、高击穿场强、高电子迁移率、高能量转换效率等优点，在高频大功率的电子电力应用中潜力巨大。

常规的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管是常开型器件，然而在实际的应用场景中，考虑到实际成本和故障保护等因素，往往需要增强型HEMT器件。经过几十年的发展，目前制备增强型HEMT器件的方法主要有沟槽栅、氟离子注入和P-GaN栅等，其中P-GaN栅增强型HEMT器件的已经实现商业化并展露出广阔的发展前景。

在目前的实际应用中，常规的P-GaN栅增强型晶体管一般采用传统干法刻蚀去除有源区的p-GaN层来制作栅极结构，然而传统干法刻蚀等离子体所造成的损伤往往导致P-GaN侧墙缺陷的产生，进而引发严重的侧墙漏电或者电荷俘获效应，影响器件的稳定性。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，包括步骤：

S1、在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN层、金属层和掩膜层；

S2、在所述掩膜层的上表面定义栅极区域，并使用干法刻蚀方法去除所述栅极区域外的所述掩膜层和所述金属层，露出所述P-AlGaN层的上表面；

S3、使用湿法刻蚀方法，以所述GaN帽层为自停止层，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层，形成P-AlGaN栅极结构；

S4、湿法去除所述掩膜层，并在所述金属层、所述P-AlGaN层、所述P-AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；

S5、在器件有源区之外制备隔离区，使得所述隔离区深入至所述缓冲层中；

S6、在所述P-AlGaN栅极结构上的所述金属层上制备栅极；

S7、在所述栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得所述源极和所述漏极均与所述隔离区相邻且深入所述GaN沟道层中。

在本发明的一个实施例中，步骤S1包括：

S11、采用金属有机化合物化学气相沉淀技术，在所述衬底层上依次生长所述AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN层；

其中，所述衬底层的材料包括Si、蓝宝石、GaN、SiC、多晶AlN中的一种或多种；所述AlN成核层的厚度为50～500nm；所述缓冲层的材料包括AlN、AlGaN、AlN/(Al)GaN超晶格、GaN中的一种或多种，厚度为800～6000nm；所述GaN沟道层的厚度为50～500nm；所述AlGaN势垒层的厚度为10～40nm；所述GaN帽层的厚度为60～100nm；所述P-AlGaN层的厚度为50～500nm，掺杂浓度为10¹⁸～10²⁰cm^-3，掺杂元素包括Mg；

S12、采用物理气相沉积工艺或者电子束蒸发工艺，在所述P-AlGaN层上溅射沉积TiN或W，沉积厚度为5～300nm，形成所述金属层；

S13、采用低压力化学气相沉积工艺或者等离子体增强化学的气相沉积工艺，在所述金属层的表面淀积SiN或SiO₂，沉积厚度为50～400nm，形成所述掩膜层。

在本发明的一个实施例中，步骤S3包括：

以所述掩膜层作掩膜，所述GaN帽层为自停止层，使用TMAH溶液进行湿法刻蚀，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层直至所述GaN帽层的上表面，形成所述P-AlGaN栅极结构。

在本发明的一个实施例中，使用TMAH溶液进行湿法刻蚀的刻蚀条件为：

所述TMAH溶液的温度为60～95℃，刻蚀时间为30～60min。

在本发明的一个实施例中，步骤S3包括：

S31、对晶圆进行热氧化；

S32、以所述掩膜层作掩膜，所述GaN帽层为自停止层，使用KOH溶液进行湿法刻蚀，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层直至所述GaN帽层的上表面，形成所述P-AlGaN栅极结构。

在本发明的一个实施例中，步骤S31包括：

使晶圆在500～800℃的高温下进行热氧化40～60min。

在本发明的一个实施例中，步骤S32包括：

以所述掩膜层作掩膜，所述GaN帽层为自停止层，使用KOH溶液进行湿法刻蚀，所述KOH溶液的温度为50～90℃，刻蚀时间为40～60min，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层直至所述GaN帽层的上表面，形成所述P-AlGaN栅极结构。

在本发明的一个实施例中，步骤S4包括：

S41、湿法去除所述掩膜层；

S42、采用原子层沉积方法在所述金属层、所述P-AlGaN层、所述GaN帽层的表面沉积Al₂O₃，沉积厚度为1～10nm，形成第一介质层；

S43、采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述第一介质层表面沉积SiO₂或SiN，沉积厚度为50～500nm，得到第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层形成所述钝化层。

本发明的另一实施例提供了一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管，由如上述实施例所述的制备方法形成，包括衬底层、AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN栅极结构、金属层、钝化层、隔离区、栅极、源极和漏极，其中，

所述衬底层、所述AlN成核层、所述缓冲层、所述GaN沟道层、所述AlGaN势垒层、所述GaN帽层依次层叠；

所述P-AlGaN栅极结构位于所述GaN帽层上；

所述金属层位于所述P-AlGaN栅极结构上；

所述钝化层位于所述金属层、所述P-AlGaN层、所述P-AlGaN层的表面；

所述隔离区位于器件的两端且深入至所述缓冲层中；

所述栅极贯穿所述钝化层且位于所述金属层上；

所述源极位于所述栅极的一侧，所述源极与所述隔离区相邻且深入至所述GaN沟道层中；

所述漏极位于所述栅极的另一侧，所述漏极与所述隔离区相邻且深入至所述GaN沟道层中。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

1、本发明的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，通过先生长掩膜层，然后去除栅极区域外的掩膜层和金属层，最后利用湿法刻蚀方法，以剩余的掩膜层作为掩膜，以GaN帽层为自停止层，在保护势垒层的同时，刻蚀掉栅极区域外的所述P-AlGaN层，形成P-AlGaN栅极结构，有效解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P-GaN侧墙缺陷产生的问题，降低了侧墙漏电或者电荷俘获效应，制备得到了栅极漏电流小、击穿电压高、阈值电压稳定的增强型HEMT器件。

2、本发明的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法制备的器件损伤小，提升了栅增强型HEMT器件在高频大功率工作条件下的能量转换效率和可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法的流程示意图；

图2a-图2g为本发明实施例提供的一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法的过程示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

请参见图1和图2a-图2g，图1为本发明实施例提供的一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法的流程示意图，图2a-图2g为本发明实施例提供的一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法的过程示意图。该制备方法包括以下步骤：

S1、在衬底层1上依次生长AlN成核层2、缓冲层3、GaN沟道层4、AlGaN势垒层5、GaN帽层6、P-AlGaN层7、金属层8和掩膜层9，请参见图2a。具体包括：

S11、用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)技术，在衬底层1上依次生长AlN成核层2、缓冲层3、GaN沟道层4、AlGaN势垒层5、GaN帽层6、P-AlGaN层7。

具体的，衬底层1的材料包括但不限于Si、蓝宝石、GaN、SiC、多晶AlN中的一种或多种。AlN成核层2的厚度为50～500nm。缓冲层3的材料包括但不限于AlN、AlGaN、AlN/(Al)GaN超晶格、GaN中的一种或多种，厚度为800～6000nm。GaN沟道层4的厚度为50～500nm。AlGaN势垒层5的厚度为10～40nm，材料包括Al_xGa_1-xN，x＝0.1～0.5。GaN帽层6的厚度为60～100nm。P-AlGaN层7的厚度为50～500nm，掺杂浓度为10¹⁸～10²⁰cm^-3，掺杂元素包括Mg。

S12、采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺或者电子束蒸发工艺，在P-AlGaN层7上溅射沉积TiN或W，沉积厚度为5～300nm，形成金属层8。

S13、采用低压力化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)工艺或者等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)工艺，在金属层8的表面淀积SiN或SiO₂，沉积厚度为50～400nm，形成掩膜层9。

S2、在掩膜层9的上表面定义栅极区域，并使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层9和金属层8，露出P-AlGaN层7的上表面，请参见图2b。

具体的，匀胶、显影后在掩膜层9的上表面定义栅极区域，然后使用干法刻蚀去除栅极区域外的掩膜层9、金属层8直至P-AlGaN层7的上表面。

S3、使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层6为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P-AlGaN层7，形成P-AlGaN栅极结构70，请参见图2c。

在一个具体实施例中，以SiN或SiO₂掩膜层9作掩膜，GaN帽层6为自停止层，使用TMAH溶液进行湿法刻蚀，刻蚀掉栅极区域外的P-AlGaN层7直至GaN帽层6的上表面，形成P-AlGaN栅极结构70。

具体的，使用TMAH溶液进行湿法刻蚀的刻蚀条件为：TMAH溶液的温度为60～95℃，刻蚀时间为30～60min；可选的，TMAH溶液的温度为85℃。

本实施例中，由于氮的高密度悬挂键，在c轴生长的Ga面GaN层不能被TMAH溶液蚀刻。然而，因为Al氧化的Gibbs自由能变化比Ga氧化的Gibbs自由能变化大，因此AlGaN层在TMAH溶液中很容易被氧化；进而AlGaN层在TMAH溶液中会连续发生氧化/蚀刻的过程，同时GaN层难以被氧化，一旦GaN层暴露，就不会进一步的刻蚀。因此，在TMAH溶液中无需任何额外的干法刻蚀/或高温氧化步骤。基于以上原理，可以完成TMAH的选择性自停止湿法刻蚀。

在另一个具体实施例中，首先对晶圆进行热氧化；然后以掩膜层9作掩膜，GaN帽层6为自停止层，使用KOH溶液进行湿法刻蚀，刻蚀掉栅极区域外的P-AlGaN层7直至GaN帽层6的上表面，形成P-AlGaN栅极结构70。

具体的，首先使晶圆在500～800℃的高温下进行热氧化40～60min，然后，以掩膜层9作掩膜，GaN帽层6为自停止层，使用KOH溶液进行湿法刻蚀，KOH溶液的温度为50～90℃，刻蚀时间为40～60min，刻蚀掉栅极区域外的P-AlGaN层7直至GaN帽层6的上表面，形成P-AlGaN栅极结构70。可选的，热氧化的温度为615℃，KOH溶液的温度为70℃。

本实施例中，因为生成Al₂O₃的Gibbs自由能变化比生成Ga₂O₃的Gibbs自由能变化大，所以AlGaN比GaN更容易氧化。在500～800℃温度下，只有AlGaN势垒层5被氧化，对GaN沟道层4几乎没有影响。然后，AlGaN势垒层中Al组分氧化形成Al₂O₃，Ga元素氧化Ga₂O₃，可以很容易地被70℃的KOH溶液蚀刻。基于以上原理，可以完成KOH的选择性自停止湿法刻蚀。

S4、湿法去除掩膜层，并在金属层、P-AlGaN层、P-AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层，请参见图2d。

首先，湿法去除掩膜层9。

然后，采用原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)方法在金属层8的上表面和侧面、P-AlGaN层7的侧面、GaN帽层6的上表面沉积Al₂O₃，沉积厚度为1～10nm，形成第一介质层。

最后，采用PECVD工艺在第一介质层表面沉积SiO₂或SiN，沉积厚度为50～500nm，得到第二介质层，第一介质层和第二介质层形成钝化层10。

S5、在器件有源区之外制备隔离区，使得隔离区深入至缓冲层中，请参见图2e。

具体的，用等离子体注入工艺在钝化层10的上表面的两端分别注入N离子，形成N离子注入区，控制注入深度至缓冲层3，以实现平面器件隔离。

S6、在P-AlGaN栅极结构70上的金属层8上制备栅极11，请参见图2f。

具体的，利用光刻显影技术，用光刻胶作为掩膜在P-AlGaN层7上的钝化层10的上表面形成栅极区域，刻蚀掉该栅极区域下的钝化层10以进行开孔，直至刻蚀到金属层8的上表面，并在金属层8的上表面沉积栅金属形成栅极11，退火后实现栅极的欧姆接触。

S7、在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中，请参见图2g。

具体的，利用光刻显影技术，用光刻胶作为掩膜层，分别在邻接N离子注入区的钝化层10的上表面形成漏极区域和源极区域，刻蚀掉漏极区域钝化层10、GaN帽层6、AlGaN势垒层5和部分GaN沟道层4，并在漏极区域的GaN沟道层4上沉积漏金属，形成漏极金属；同时，刻蚀掉源极区域的钝化层10、GaN帽层6、AlGaN势垒层5和部分GaN沟道层4，在源极区域的GaN沟道层4上沉积源金属形成源极金属；吗，最后对整个器件进行退火处理实现漏极和源极的欧姆接触，得到源极12和漏极13。

本实施例P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，通过先生长掩膜层，然后去除栅极区域外的掩膜层和金属层，最后利用湿法刻蚀方法，以剩余的掩膜层作为掩膜，以GaN帽层为自停止层，在保护势垒层的同时，刻蚀掉栅极区域外的P-AlGaN层，形成P-AlGaN栅极结构，有效解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P-GaN侧墙缺陷产生的问题，降低了侧墙漏电或者电荷俘获效应，制备得到了栅极漏电流小、击穿电压高、阈值电压稳定的增强型HEMT器件。

实施例二

在实施例一的基础上，请参见图2g，本实施例提供了一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管，该P-AlGaN栅增强型晶体管由实施例一的制备方法制备得到，包括衬底层1、AlN成核层2、缓冲层3、GaN沟道层4、AlGaN势垒层5、GaN帽层6、P-AlGaN栅极结构70、金属层8、钝化层10、隔离区、栅极11、源极12和漏极13。

具体的，衬底层1、AlN成核层2、缓冲层3、GaN沟道层4、AlGaN势垒层5、GaN帽层6依次层叠。P-AlGaN栅极结构70位于GaN帽层8上。金属层8位于P-AlGaN栅极结构70上。钝化层10位于金属层8、P-AlGaN栅极结构70、GaN帽层6的表面。隔离区位于器件的两端且贯穿GaN帽层6、AlGaN势垒层5、GaN沟道层4，深入至缓冲层3中。栅极11贯穿钝化层10且位于金属层8上。源极12位于栅极11的一侧，源极12与隔离区相邻且贯穿GaN帽层6、AlGaN势垒层5，深入至GaN沟道层4中。漏极13位于栅极11的另一侧，漏极12与隔离区相邻且贯穿GaN帽层6、AlGaN势垒层5，深入至GaN沟道层4中。

具体的，上述各层结构的具体参数请参见实施例一，本实施例不再赘述。

本实施例的P-AlGaN栅增强型晶体管器件损伤小，提升了栅增强型HEMT器件在高频大功率工作条件下的能量转换效率和可靠性。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN层、金属层和掩膜层；

S2、在所述掩膜层的上表面定义栅极区域，并使用干法刻蚀方法去除所述栅极区域外的所述掩膜层和所述金属层，露出所述P-AlGaN层的上表面；

S3、使用湿法刻蚀方法，以所述GaN帽层为自停止层，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层，形成P-AlGaN栅极结构；

S4、湿法去除所述掩膜层，并在所述金属层、所述P-AlGaN层、所述P-AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；

S5、在器件有源区之外制备隔离区，使得所述隔离区深入至所述缓冲层中；

S6、在所述P-AlGaN栅极结构上的所述金属层上制备栅极；

S7、在所述栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得所述源极和所述漏极均与所述隔离区相邻且深入所述GaN沟道层中。

2.根据权利要求1所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

S11、采用金属有机化合物化学气相沉淀技术，在所述衬底层上依次生长所述AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN层；

其中，所述衬底层的材料包括Si、蓝宝石、GaN、SiC、多晶AlN中的一种或多种；所述AlN成核层的厚度为50～500nm；所述缓冲层的材料包括AlN、AlGaN、AlN/(Al)GaN超晶格、GaN中的一种或多种，厚度为800～6000nm；所述GaN沟道层的厚度为50～500nm；所述AlGaN势垒层的厚度为10～40nm；所述GaN帽层的厚度为60～100nm；所述P-AlGaN层的厚度为50～500nm，掺杂浓度为10¹⁸～10²⁰cm^-3，掺杂元素包括Mg；

S12、采用物理气相沉积工艺或者电子束蒸发工艺，在所述P-AlGaN层上溅射沉积TiN或W，沉积厚度为5～300nm，形成所述金属层；

S13、采用低压力化学气相沉积工艺或者等离子体增强化学的气相沉积工艺，在所述金属层的表面淀积SiN或SiO₂，沉积厚度为50～400nm，形成所述掩膜层。

3.根据权利要求1所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

以所述掩膜层作掩膜，所述GaN帽层为自停止层，使用TMAH溶液进行湿法刻蚀，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层直至所述GaN帽层的上表面，形成所述P-AlGaN栅极结构。

4.根据权利要求3所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，使用TMAH溶液进行湿法刻蚀的刻蚀条件为：

所述TMAH溶液的温度为60～95℃，刻蚀时间为30～60min。

5.根据权利要求1所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

S31、对晶圆进行热氧化；

S32、以所述掩膜层作掩膜，所述GaN帽层为自停止层，使用KOH溶液进行湿法刻蚀，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层直至所述GaN帽层的上表面，形成所述P-AlGaN栅极结构。

6.根据权利要求5所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S31包括：

使晶圆在500～800℃的高温下进行热氧化40～60min。

7.根据权利要求5所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S32包括：

以所述掩膜层作掩膜，所述GaN帽层为自停止层，使用KOH溶液进行湿法刻蚀，所述KOH溶液的温度为50～90℃，刻蚀时间为40～60min，刻蚀掉所述栅极区域外的所述P-AlGaN层直至所述GaN帽层的上表面，形成所述P-AlGaN栅极结构。

8.根据权利要求5所述的基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：

S41、湿法去除所述掩膜层；

S42、采用原子层沉积方法在所述金属层、所述P-AlGaN层、所述GaN帽层的表面沉积Al₂O₃，沉积厚度为1～10nm，形成第一介质层；

S43、采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述第一介质层表面沉积SiO₂或SiN，沉积厚度为50～500nm，得到第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层形成所述钝化层。

9.一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管，其特征在于，由如权利要求1-8任一项所述的制备方法形成，包括衬底层、AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN栅极结构、金属层、钝化层、隔离区、栅极、源极和漏极，其中，

所述衬底层、所述AlN成核层、所述缓冲层、所述GaN沟道层、所述AlGaN势垒层、所述GaN帽层依次层叠；

所述P-AlGaN栅极结构位于所述GaN帽层上；

所述金属层位于所述P-AlGaN栅极结构上；

所述钝化层位于所述金属层、所述P-AlGaN层、所述P-AlGaN层的表面；

所述隔离区位于器件的两端且深入至所述缓冲层中；

所述栅极贯穿所述钝化层且位于所述金属层上；

所述源极位于所述栅极的一侧，所述源极与所述隔离区相邻且深入至所述GaN沟道层中；

所述漏极位于所述栅极的另一侧，所述漏极与所述隔离区相邻且深入至所述GaN沟道层中。

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