JP2010022047A - 可変ゲイン増幅器およびd/a変換器 - Google Patents

可変ゲイン増幅器およびd/a変換器 Download PDF

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Abstract

【課題】回路規模が小さく、同一回路でありながら任意の分解能のゲイン設定を可能とする。
【解決手段】2進コード「101」の場合、LSBは1なのでコンデンサC11に電荷CVinをサンプリングするとともに、コンデンサC10の電荷をゼロに初期化する(状態A)。コンデンサC10とC11との間で電荷の加算と分割とを同時に行う(状態B)。次のビットは0なので、コンデンサC11に電荷ゼロをサンプリングし(状態D)、その後、コンデンサC10とC11との間で電荷の加算と分割を同時に行う(状態B)。MSBは1なので、コンデンサC11に電荷CVinをサンプリングし(状態C)、その後、コンデンサC10とC11との間で電荷の加算と分割を同時に行う(状態B)。
【選択図】図13

Description

本発明は、入力電圧を指定されたゲインで増幅する可変ゲイン増幅器および基準電圧をデジタル値に応じたアナログ電圧に変換するD/A変換器に関する。
車両におけるパワートレイン制御システム、車両制御システム、ボデー制御システムおよび情報通信システムにおいては、温度、エンジンの燃焼状態、各種アクチュエータの動作状態、吸気/排気状態、車両の姿勢状態、バッテリ状態など車両の外部環境やあらゆる機能の動作状態をセンシングするために多くのセンサが用いられている。各々のセンサは、さまざまな物理的、電気化学的な原理を用いることにより、特定の物理量や化学量の変化を電気量(電圧、電流、静電容量)の変化に変換して出力する。
センサからの電圧出力レベルは、一般的に数mVから数百mVと小さいものが多い。一方、自動車用マイコンなどに搭載されているA/D変換器の入力ダイナミックレンジ(変換電圧範囲)は、一般的に0Vから5Vのものが多用されている。センサからの微小な信号をそのままA/D変換するとA/D変換器のダイナミックレンジを有効に用いることができないため、A/D変換器の前に適当な倍率を持つ増幅器が置かれることが多い。
また、センサ自身の製造上のばらつきにより、センサの感度やオフセットにばらつきを生じるため、処理回路には何らかの補正手段を設けることが一般的である。代表的な補正手段はECU(Electronic Control Unit)上のマイクロコンピュータ(マイコン)である。センサをECUと接続し、ECUにおいて適当な固定倍率で増幅してA/D変換した後、ECUのマイコンにて補正演算を実行するものである。
こうした手段において、センサのオフセット電圧を補正する場合には、簡単な加減算処理で済むが、感度を補正する場合には、乗除算処理が必要となるため、センサの数が多い場合には補正演算処理のための処理負担が増大する。
ところで、近年、車両の制御が複雑化するのに伴い、ECUの処理負担が急増しており、センサ信号の前処理回路をセンサ側に持たせてECUから分離する動きが加速している。また、センサが増えるにつれてセンサとECUとを接続する線(ハーネス)の数も増大する一方であり、個々のセンサとECUとをセンサごとに個別の線で接続する代わりに、決められた通信プロトコルを持つ車載LAN(CAN、LINなど)で接続する例が増えてきている。
こうした構成では、センサ出力信号の増幅、A/D変換、場合によっては変換後の簡単な処理までセンサ側で実行し、その実行結果(デジタル値)がLANのバス線を介してECUに送られる。この場合、前述したセンサのばらつき補正についてもセンサ側で同時に実行し、補正後の正規化されたセンサ出力値をECUに送る方が都合がよい。
センサ側で補正を行う手段は2つに大別される。1つ目はA/D変換前のアナログ信号に対して実行する手段であり、2つ目は、前述のECUでの補正と同様にA/D変換値(デジタル値)に対して補正演算処理を実行する手段である。
補正処理のうち、オフセット(センサ出力の定常偏差)補正は加減算処理であり、比較的簡単な手段で実現可能である。アナログ処理であればD/A変換器と減算処理回路(オペアンプを用いて容易に構成可能)、デジタル処理であれば加算器のみで構成できる。これに対し、感度補正を行うためには乗除算処理が必要となる。アナログ処理であれば可変ゲイン増幅器もしくは可変分圧比を有する分圧回路などが必要となり、デジタル処理であれば乗算器もしくはMPU(Micro Processing Unit)が必要である。これらは、何れも上記オフセット補正手段と比べ回路規模の大きいものである。
特許文献1、2には可変ゲインアンプが示されている。このうち特許文献1の可変ゲインアンプは、演算増幅器とR−2R抵抗回路を用いてNビットデジタル信号によりゲインを可変としたものである。また、特許文献2の可変ゲインアンプは、多ビットの抵抗ストリングを用いたものである。
特開2003−87068号公報 特開2003−218650号公報
これらの可変ゲインアンプは、何れも抵抗数を増やすことでゲインの可変幅、調整幅を小さくし、より細かいゲイン設定が可能となるが、レイアウト面積の増大を免れない。また、ゲイン精度は抵抗の比精度に依存するが、LSIにおいて抵抗の比精度を高めようとすると抵抗サイズを大きくする必要があり、一層レイアウト面積が増大してしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、抵抗ストリングを用いることなく回路規模が小さく、同一回路でありながら任意の分解能のゲイン設定が可能な可変ゲイン増幅器およびD/A変換器を提供することにある。
請求項1に記載した手段によれば、電荷累積手段は、蓄積電荷を初期化した後、2進コードのビットデータ値に応じて入力電圧または所定の電圧に応じた電荷を蓄積電荷に累積的に加算し、電荷分割手段は、電荷累積手段の蓄積電荷を予め設定された比で分割してその電荷を再び蓄積する。そして、ゲインを設定するための2進コードのLSB側から順に各ビットデータ値に対応して、電荷累積手段による電荷の累積動作と電荷分割手段による電荷の分割動作とを実行する。
本手段によれば、1回の電荷累積動作と電荷分割動作とにより1ビットのゲイン設定が可能となり、n回(n≧1)繰り返し動作をさせることで、2進コード値に従ったnビットの分解能を持つゲイン設定が可能となる。その結果、分解能に応じて回路構成を増やすことなく、巡回数を増やすことにより任意の分解能を持つゲイン設定が可能となる。
請求項2に記載した手段によれば、電荷累積手段および電荷分割手段は、演算増幅器と、演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続可能とされた第1のコンデンサと、演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続された第2のコンデンサとから構成され、はじめに第2のコンデンサの電荷を初期化し、2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、第1のコンデンサに当該各ビットのデータ値に応じて入力電圧または所定の電圧に応じた電荷を設定し、第1および第2のコンデンサを演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続することにより、両コンデンサの蓄積電荷の加算と電荷の分割とを実行する。
請求項3に記載した手段によれば、差動入力電圧を2進コード値で規定されたゲインで差動増幅して差動出力する。これにより、コモンモードノイズを有効に除去することができる。また、回路を対称にレイアウトすることにより、接続切替時に発生するフィードスルーなどによる誤差を相殺でき、より高い精度でゲイン設定が可能となる。
請求項4に記載した手段によれば、各コンデンサは互いに等しい静電容量を有している。
請求項5に記載した手段によれば、電荷累積手段は、蓄積電荷を初期化した後、2進コードのビットデータ値に応じて基準電圧に応じた電荷または当該電荷とは異なる所定の電荷を蓄積電荷に累積的に加算し、電荷分割手段は、電荷累積手段の蓄積電荷を予め設定された比で分割してその電荷を再び蓄積する。そして、2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、電荷累積手段による電荷の累積動作と電荷分割手段による電荷の分割動作とを実行する。本手段によれば、分解能に応じて回路構成を増やすことなく、2進コードのビット数に応じた分解能を持つD/A変換が可能となる。
請求項6に記載した手段によれば、電荷累積手段および電荷分割手段は、演算増幅器と、演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続可能とされた第1のコンデンサと、演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続された第2のコンデンサとから構成され、はじめに第2のコンデンサの電荷を初期設定し、2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、第1のコンデンサに当該各ビットのデータ値に応じて基準電圧に応じた電荷または所定の電荷(例えばゼロ)を設定し、第1および第2のコンデンサを演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続することにより、両コンデンサの蓄積電荷の加算と電荷の分割とを実行することにより2進コード値に応じたアナログ電圧を出力する。
請求項7に記載した手段によれば、2つの基準電圧の差分電圧を2進コード値に応じたアナログ電圧に変換して差動出力する。これにより、コモンモードノイズを有効に除去することができる。また、回路を対称にレイアウトすることにより、接続切替時に発生するフィードスルーなどによる誤差を相殺でき、より高い精度でD/A変換できる。
請求項8に記載した手段によれば、各コンデンサは互いに等しい静電容量を有している。
本発明の第1の実施形態である可変ゲイン増幅器の構成および各スイッチの切替状態を示す図 設定ゲインが5/4の場合のタイミングチャート 設定ゲインが9/8の場合のタイミングチャート 設定ゲインが13/8の場合のタイミングチャート 設定ゲインが7/8の場合のタイミングチャート n=4の場合について誤差ΔG[%]の計算結果を示す図 本発明の第2の実施形態である可変ゲイン増幅器の構成および各スイッチの切替状態を示す図 本発明の第3の実施形態であるD/A変換器の構成および各スイッチの切替状態を示す図 デジタル値「111」をD/A変換する場合のタイミングチャート 本発明の第4の実施形態である可変ゲイン増幅器の構成およびD/A変換動作中の各スイッチの切替状態を示す図 増幅動作中の各スイッチの切替状態を示す図 デジタル値「001」をD/A変換した後、入力電圧VinをD/A変換出力電圧だけオフセットした電圧を1倍以上2倍以下のゲインで増幅する場合のタイミングチャート 本発明の第5の実施形態を示す図1相当図 設定ゲインが5/8の場合のタイミングチャート 本発明の第6の実施形態を示す図8相当図 デジタル値「101」をD/A変換する場合のタイミングチャート 本発明の第7の実施形態である2種類の信号入力回路を示す構成図 本発明の第8の実施形態を示す差動型可変ゲイン増幅器の構成図 本発明の第9の実施形態を示す図18相当図 本発明の第10の実施形態を示す差動型D/A変換器の構成図 本発明の第11の実施形態を示す図20相当図
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図1ないし図6を参照しながら説明する。
図1は、可変ゲイン増幅器の構成および各スイッチの切替状態を示している。この可変ゲイン増幅器1は、例えば車両のECUに搭載されたマイコン、車載センサに付随する信号処理回路などに設けられており、不可避的にばらつきを持つセンサの感度やオフセットに対し、各センサごとに指定されるゲインを用いて上記ばらつきを補正しながらセンサ出力信号を増幅するものである。ここで、センサ信号の電圧Vinは信号入力端子2に入力され、2進コード値で規定されたゲインで増幅された信号の電圧Voutは信号出力端子3から出力される。
可変ゲイン増幅器1は、オペアンプ(演算増幅器)4、コンデンサC1、C2、C3(第1、第2、第3のコンデンサに相当)およびスイッチS1a、S1b、S2a、S3a、S3b、Sfから構成されている。コンデンサC1、C2、C3は、互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS1a〜Sfは、アナログスイッチから構成されており、上記ECUのマイコンやセンサの信号処理回路などの制御回路5(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。
コンデンサC1、C3の各一端は、それぞれスイッチS1a、S3aを切り替えることにより信号入力端子2またはオペアンプ4の出力端子に接続されるようになっており、コンデンサC2の一端は、スイッチS2aを切り替えることによりグランド線(所定電位Vrefm)またはオペアンプ4の出力端子に接続されるようになっている。コンデンサC2の他端は、オペアンプ4の反転入力端子に接続されており、コンデンサC1、C3の各他端は、それぞれスイッチS1b、S3bを介してオペアンプ4の反転入力端子に接続されている。オペアンプ4の非反転入力端子、出力端子は、それぞれグランド線、信号出力端子3に接続されており、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間にはスイッチSfが接続されている。
電荷分割手段6は、オペアンプ4とコンデンサC1、C2とから構成されており、初期に入力電圧Vinに応じた電荷をコンデンサC1に蓄積し、その蓄積電荷を予め設定された比(1/2)で分割してその電荷を再びコンデンサC1、C2に蓄積するものである。電荷累積手段7は、オペアンプ4とコンデンサC2、C3とから構成されており、初期に入力電圧Vinまたは所定の電圧Vrefm(0V)に応じた電荷をコンデンサC3に蓄積し、その蓄積電荷を電荷分割手段6のコンデンサC2の蓄積電荷と加算してその結果を再び蓄積するものである。
図1(a)、(b)、(c′)、(c)は、それぞれ本発明でいう第1の状態、第2の状態、第3の状態、第4の状態に相当し、入力電圧Vinのサンプリング状態A、コンデンサC1とC2との間での電荷分配状態B(分圧状態B)、コンデンサC2の電荷初期化状態C′、コンデンサC2からC3への電荷加算状態Cを表している。図中に示す矢印は、増幅過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
図2〜図5は、可変ゲイン増幅器1の設定ゲインが5/4、9/8、13/8、7/8の場合のタイミングチャートであり、以下それぞれについて説明する。
[設定ゲインが5/4の場合:図2]
本ケースの設定ゲイン5/4(1.25)は1よりも大きいので、最初に、スイッチS1b、S3b、Sfがオンとされ、スイッチS1a、S3aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられ、スイッチ2aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられる。この初期のサンプリング状態Aにおいて、コンデンサC1、C3に入力電圧Vinに応じた電荷CVinがサンプリングされ、残るコンデンサC2の電荷はゼロに初期化される。このときの出力電圧Voutは0Vである。
続いて、スイッチSf、S3bがオフとされた後、スイッチS1a、S3aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられ、サンプリング状態Aから電荷分配状態Bになる。この電荷分配状態Bにおいて、コンデンサC3の電荷は保存される。オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に容量値の等しいコンデンサC1とC2が接続されるので、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/2・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。
本ケースの設定ゲイン5/4(1.25)は3/2(1+1/2=1.5)よりも小さいので、コンデンサC2の電荷(=1/2・CVin)の加算は不要である。そこで、スイッチS1bがオフとされた後スイッチSfがオンとされ、電荷分配状態Bから電荷初期化状態C′になる。この電荷初期化状態C′では、コンデンサC1、C3の電荷が保存されたままコンデンサC2の電荷がゼロ(所定の電荷状態)に初期化される。このときの出力電圧Voutは0Vである。
その後、スイッチSfがオフとされた後スイッチS1bがオンとされ、再び電荷分配状態Bになる。この電荷分配状態Bにおいて、コンデンサC3の電荷は保存され、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/4・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。
設定ゲインは5/4(1+1/4=1.25)に等しいので、スイッチS1bがオフ、スイッチS3bがオン、スイッチS2aがグランド(所定電位Vrefm)側に切り替えられ、電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになる。この電荷加算状態Cでは、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷CVinとコンデンサC2の電荷(=1/4・CVin)との和(=5/4・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。その結果、出力電圧Voutは、設定ゲイン通りに5/4・Vinとなる。
[設定ゲインが9/8の場合:図3]
最初のサンプリング状態Aから電荷分配状態B、電荷初期化状態C′を経て電荷分配状態Bに至るまでの過程は、設定ゲインが5/4の場合(図2)と同様である。本ケースの設定ゲイン9/8(1.125)は5/4(1.25)よりも小さいので、この電荷分配状態BにおけるコンデンサC2の電荷(=1/4・CVin)の加算も不要である。そこで、電荷分配状態Bから再び電荷初期化状態C′になり、コンデンサC1、C3の電荷が保存されたままコンデンサC2の電荷がゼロに初期化される。
初期化後、再び電荷分配状態Bになり、コンデンサC3の電荷が保存されたまま、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/8・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。設定ゲインは9/8(1+1/8=1.125)に等しいので、電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになり、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷CVinとコンデンサC2の電荷(=1/8・CVin)との和(=9/8・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。その結果、出力電圧Voutは、設定ゲイン通りに9/8・Vinとなる。
[設定ゲインが13/8の場合:図4]
最初のサンプリング状態Aから電荷分配状態Bに至る過程は、設定ゲインが5/4の場合(図2)および9/8の場合(図3)と同様である。本ケースの設定ゲイン13/8(1.625)は3/2(1+1/2=1.5)よりも大きいので、この電荷分配状態BにおけるコンデンサC2の電荷(=1/2・CVin)の加算が必要である。そこで、スイッチS1bがオフ、スイッチS3bがオンとされ、スイッチS2aがグランド(Vrefm)側に切り替えられ、電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになる。この電荷加算状態Cでは、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷CVinとコンデンサC2の電荷(=1/2・CVin)との和(=3/2・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。
加算後、再び電荷分配状態Bになり、コンデンサC3の電荷が保存されたまま、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/4・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。設定ゲイン13/8(1.625)は7/4(1+1/2+1/4=1.75)よりも小さいので、この電荷分配状態BにおけるコンデンサC2の電荷(=1/4・CVin)の加算は不要である。そこで、電荷分配状態Bから電荷初期化状態C′になり、コンデンサC1、C3の電荷が保存されたままコンデンサC2の電荷がゼロに初期化される。
初期化後、再び電荷分配状態Bになり、コンデンサC3の電荷が保存されたまま、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/8・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。設定ゲインは13/8(1+1/2+1/8=1.625)に等しいので、電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになり、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷3/2・CVinとコンデンサC2の電荷(=1/8・CVin)との和(=13/8・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。その結果、出力電圧Voutは、設定ゲイン通りに13/8・Vinとなる。
[設定ゲインが7/8の場合:図5]
本ケースの設定ゲイン7/8(0.875)は1よりも小さいので、初期のサンプリング状態Aにおいて、スイッチS1b、S3b、Sfがオンとされ、スイッチS1aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられ、スイッチ2a、S3aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられる。これにより、コンデンサC1にのみ入力電圧Vinに応じた電荷CVinがサンプリングされ、残るコンデンサC2、C3の電荷はゼロに初期化される。
続いて、サンプリング状態Aから電荷分配状態Bになり、コンデンサC3の電荷がゼロに保存されたまま、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/2・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。設定ゲイン7/8(0.875)は1/2(0.5)よりも大きいので、この電荷分配状態BにおけるコンデンサC2の電荷(=1/2・CVin)の加算が必要である。そこで、電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになり、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷0とコンデンサC2の電荷(=1/2・CVin)との和(=1/2・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。
加算後、再び電荷分配状態Bになり、コンデンサC3の電荷が保存されたまま、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/4・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。設定ゲイン7/8(0.875)は3/4(0+1/2+1/4=0.75)よりも大きいので、この電荷分配状態BにおけるコンデンサC2の電荷(=1/4・CVin)の加算も必要である。そこで、再び電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになり、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷1/2・CVinとコンデンサC2の電荷(=1/4・CVin)との和(=3/4・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。
加算後、再び電荷分配状態Bになり、コンデンサC3の電荷が保存されたまま、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配(分割)され、コンデンサC1、C2の電荷は1/8・CVinとなる(電荷分割手段6による電荷分割動作)。設定ゲインは7/8(0+1/2+1/4+1/8=0.875)に等しいので、電荷分配状態Bから電荷加算状態Cになり、コンデンサC2とC3との間で電荷分配(電荷転送)が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷3/4・CVinとコンデンサC2の電荷(=1/8・CVin)との和(=7/8・CVin)となる(電荷累積手段7による電荷加算動作)。その結果、出力電圧Voutは、設定ゲイン通りに7/8・Vinとなる。
以上説明した4つの例から明らかになるように、0倍から2倍の範囲内の任意のゲインGainは、次の(1)式に従って達成される。ここで、K0、K1、K2、K3、…、Knは0または1である。
Figure 2010022047
上述したゲイン5/4の場合にはK0=1、K1=0、K2=1、K3〜Kn=0、ゲイン9/8の場合にはK0=1、K1=0、K2=0、K3=1、K4〜Kn=0、ゲイン13/8の場合にはK0=1、K1=1、K2=0、K3=1、K4〜Kn=0、ゲイン7/8の場合にはK0=0、K1=1、K2=1、K3=1、K4〜Kn=0である。
すなわち、2進コード「K0K1K2…Kn-1Kn」のMSB側(K0側)から順に各ビットに対応して、電荷分割手段6による電荷の分割動作を実行するとともに、当該各ビットのデータ値が1のときは電荷累積手段7による電荷の加算動作を実行し、0のときは加算動作を非実行とする。
換言すれば、電荷分配状態Bと電荷初期化状態C′または電荷分配状態Bと電荷加算状態Cを1セットとしてn回巡回動作させることによりnビットの分解能でゲイン設定が可能となる(n≧0)。ゲインが1倍より小さい場合には、K0=0であるため初期のサンプリング状態AにおいてコンデンサC1にのみ入力電圧Vinに応じた電荷CVinが蓄積され、ゲインが1倍以上の場合には、K0=1であるためサンプリング状態AにおいてコンデンサC1とC3に入力電圧Vinに応じた電荷CVinが蓄積される。
また、Ki(i≧1)が0の場合には、i回目の巡回(状態遷移)を電荷分配状態Bから電荷初期化状態C′を介して電荷分配状態Bに戻る推移とし、Kiが1の場合には、i回目の巡回(状態遷移)を電荷分配状態Bから電荷加算状態Cを介して電荷分配状態Bに戻る推移とする。さらに、nビットの分解能でゲイン設定を行う場合、必ずしもn回目までの巡回動作を行う必要はない。Kiが1でKi+1、Ki+2、…、Knが全て0である場合には、i回目の巡回で終了させればよい。何れの場合も、最後は電荷加算状態Cで終了する。
次に、可変ゲイン増幅器を用いてセンサの感度を補正する場合について、可変ゲイン増幅器1により設定されるゲインと、感動補正にとって望ましい理想等比ステップによるゲインとの差を検討する。可変ゲイン増幅器1と2のべき乗倍の増幅が可能な増幅器(例えば後述する第2の実施形態に示す可変ゲイン増幅器11)とを直列に用いた場合のゲインGainは、(2)式のようになる。
Figure 2010022047
また、理想等比ステップによるゲインGainは、(3)式のようになる。
Figure 2010022047
(2)式により設定可能なゲインGainと(3)式により設定可能なゲインGainとの差(誤差)ΔGは、(4)式のようになる。ただし、比較する項の対応関係は、(5)式に示す通りである。(4)式に示すΔGを%表示すると(6)式に示すようになる。
Figure 2010022047
図6は、n=4の場合について(6)式に示すΔG[%]の計算結果を示している。理想的にはゲインを等比ステップで設定できることが望ましいが、可変ゲイン増幅器1と2のべき乗倍の増幅が可能な可変ゲイン増幅器11(図7参照)とを用いても、等比ステップによる設定ゲインとのずれが最大で約6%程度に止まることが分かる。
以上説明したように、本実施形態の可変ゲイン増幅器1は、一端がオペアンプ4の出力端子に接続可能とされ、他端がオペアンプ4の反転入力端子に接続または接続可能とされた3つのコンデンサC1、C2、C3を備えている。このうちコンデンサC1は、入力電圧Vinに応じて蓄積された電荷の一部を順次コンデンサC2に分配するために用いられ、コンデンサC2は、分配された電荷のうち必要な大きさの電荷だけをコンデンサC3に転送するために用いられる。また、コンデンサC3は、移された電荷を加算しながら保持するために用いられ、出力電圧VoutはコンデンサC3の蓄積電荷に応じて定まる。
本実施形態によれば、2進コードのMSB側から順に各ビットに対応して、電荷の分割動作を実行するとともに当該各ビットのデータ値に応じて電荷の加算動作を実行する。すなわち、コンデンサC1とC2との間での電荷分配状態Bと、コンデンサC2の電荷初期化状態C′またはコンデンサC2からC3への電荷加算状態Cとを1サイクル繰り返す巡回動作(遷移動作)により1ビットのゲイン設定が可能となり、nサイクル(n≧1)の巡回動作をさせることで、2進コード値で規定されたnビットの分解能を持つゲイン設定が可能となる。その結果、分解能に応じてコンデンサの数を増やすことなく、巡回数を増やすことにより任意の分解能を持つゲイン設定が可能となり、従来の可変ゲイン増幅器と比べてレイアウト面積を低減することができる。
また、可変ゲイン増幅器1と2のべき乗倍の増幅が可能な増幅器とを直列に用いることにより、ほぼ等比ステップによるゲイン設定が可能となる。その結果、例えばセンサごとに感度のばらつきが存在しても、可変ゲイン増幅器1を用いて個別に且つ容易に感度の補正ゲインを設定することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について図7を参照しながら説明する。
図7は、可変ゲイン増幅器の構成および各スイッチの切替状態を示しており、図1と同一構成要素には同一符号を付している。この可変ゲイン増幅器11は、例えば車両のECUに搭載されたマイコン、車載センサに付随する信号処理回路などに設けられている。センサ信号の電圧Vinは信号入力端子2に入力され、増幅信号の電圧Voutは信号出力端子3から出力される。
可変ゲイン増幅器11は、オペアンプ4、コンデンサC10、C11(第1、第2のコンデンサに相当)およびスイッチS10a、S11a、S11b、S11c、Sfから構成されている。コンデンサC10とC11は互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS10a〜Sfは、アナログスイッチから構成されており、上記ECUのマイコンやセンサの信号処理回路などの制御回路15(制御手段に相当)により切り替えられる。
コンデンサC10は、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に接続可能とされている。すなわち、コンデンサC10の一端は、スイッチS10aを切り替えることにより信号入力端子2またはオペアンプ4の出力端子に接続されるようになっており、他端はオペアンプ4の反転入力端子に接続されている。また、コンデンサC11の一端は、スイッチS11aを切り替えることにより信号入力端子2、オペアンプ4の出力端子またはグランド線(所定電位Vrefm)に接続されるようになっており、他端は、スイッチS11bを介してオペアンプ4の反転入力端子に接続されるとともに、スイッチS11cを介してグランド線に接続されるようになっている。オペアンプ4の非反転入力端子、出力端子は、それぞれグランド線(所定電位)、信号出力端子3に接続されており、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間にはスイッチSfが接続されている。
次に、本実施形態の作用を説明する。
図7(a)、(b)、(c)は、それぞれ本発明でいう第1の状態、第2の状態、第3の状態に相当し、入力電圧Vinのサンプリング状態A、コンデンサC11からC10への電荷加算状態B(2倍増幅)、増幅電圧のサンプリング状態Cを表している。図中に示す矢印は、増幅過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
最初に、スイッチS11b、Sfがオン、スイッチS11cがオフとされ、スイッチS10a、S11aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられる。このサンプリング状態Aにおいて、コンデンサC10、C11に入力電圧Vinに応じた電荷CVinがサンプリングされる。このときの出力電圧Voutは0Vである。
続いて、スイッチSfがオフとされた後、スイッチS10aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられるとともにスイッチS11aがグランド側に切り替えられ、サンプリング状態Aから電荷加算状態Bになる。この電荷加算状態Bでは、電荷分配によりコンデンサC11の電荷がコンデンサC10に全て移され、コンデンサC10の電荷は、自ら持っていた電荷CVinとコンデンサC11の電荷(=CVin)との和(=2・CVin)となる。その結果、2倍の増幅が行われ、出力電圧Voutは2・Vinとなる。
さらに高いゲインが必要な場合には、スイッチS11bがオフ、スイッチS11cがオンとされるとともに、スイッチS11aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられる。このサンプリング状態Cにおいて、コンデンサC11には出力電圧Voutに応じた電荷すなわちコンデンサC10に等しい電荷(=2・CVin)がサンプリングされる。その後、再び電荷加算状態Bになり、電荷分配によりコンデンサC11の電荷がコンデンサC10に全て移され、コンデンサC10の電荷は、自ら持っていた電荷2・CVinとコンデンサC11の電荷(=2・CVin)との和(=4・CVin)となる。その結果、2倍の増幅が行われ、出力電圧Voutは4・Vinとなる。
以降必要なゲインが得られるまで、電荷加算状態Bから増幅電圧のサンプリング状態Cを介して電荷加算状態に戻る巡回動作が繰り返し行われ、入力電圧Vinは、その巡回数に応じて2のべき乗倍に増幅される。
以上説明したように、本実施形態の可変ゲイン増幅器11は、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に接続可能とされたコンデンサC10と、一端がオペアンプ4の出力端子に接続可能とされ、他端が少なくともオペアンプ4の反転入力端子に接続可能とされたコンデンサC11を備えている。コンデンサC11は、入力電圧Vinまたは出力電圧Voutに応じた電荷をサンプリングした後、その電荷をコンデンサC10に移すために用いられ、コンデンサC10は、移された電荷を加算しながら保持するために用いられる。
本実施形態によれば、コンデンサC11からC10への電荷加算状態と、コンデンサC11への出力電圧Voutに応じた電荷のサンプリング状態とを1サイクル繰り返す巡回動作ごとに2倍の増幅が行われる。その結果、コンデンサの数を増やすことなく、巡回数を増やすことにより2倍のゲイン設定が可能となり、従来の可変ゲイン増幅器と比べてレイアウト面積を低減することができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について図8および図9を参照しながら説明する。
図8は、D/A変換器の構成および各スイッチの切替状態を示しており、図1と同一構成要素には同一符号を付している。このD/A変換器21は、例えば車両のECUに搭載されたマイコンに設けられている。入力端子22には一定の基準電圧Vrefpが入力されており、2進コード値であるデジタル値をD/A変換して得られるアナログ電圧Voutは信号出力端子3から出力される。
D/A変換器21は、オペアンプ4、コンデンサC1、C2、C3(第1、第2、第3のコンデンサに相当)およびスイッチS1a、S1b、S2a、S3b、Sfから構成されている。その主回路部分は、図1に示す構成において、信号入力端子2を基準電圧Vrefpの入力端子22に置き換えるとともに、スイッチS3aを除いてコンデンサC3の一端をオペアンプ4の出力端子に接続した構成とされている。コンデンサC1、C2、C3は互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS1a〜Sfは、アナログスイッチから構成されており、上記ECUのマイコンなどの制御回路25(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。
電荷分割手段23は、オペアンプ4とコンデンサC1、C2とから構成されており、初期に基準電圧Vrefpに応じた電荷をコンデンサC1に蓄積し、その蓄積電荷を予め設定された比(1/2)で分割してその電荷を再びコンデンサC1、C2に蓄積するものである。電荷累積手段24は、オペアンプ4とコンデンサC2、C3とから構成されており、初期にコンデンサC3の蓄積電荷をゼロに初期化し、その蓄積電荷を電荷分割手段23のコンデンサC2の蓄積電荷と加算してその結果を再び蓄積するものである。
図8(a)、(b)、(c′)、(c)は、それぞれ本発明でいう第1の状態、第2の状態、第3の状態、第4の状態に相当し、基準電圧Vrefpのサンプリング状態A、コンデンサC1とC2との間での電荷分配状態B(分圧状態B)、コンデンサC2の電荷初期化状態C′、コンデンサC2からC3への電荷加算状態Cを表している。図中に示す矢印は、D/A変換過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
図9は、3ビットのデジタル値「111」をD/A変換して7/8・Vrefpなるアナログの出力電圧Voutを生成する場合のタイミングチャートである。最初に、スイッチS1b、S3b、Sfがオンとされ、スイッチS1aが入力端子22(Vrefp)側に切り替えられ、スイッチ2aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられる。このサンプリング状態Aにおいて、コンデンサC1に基準電圧Vrefpに応じた電荷CVrefpがサンプリングされ、コンデンサC2、C3の電荷はゼロに初期化される。このときの出力電圧Voutは0Vである。
続いて、スイッチSf、S3bがオフとされた後、スイッチS1aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられ、サンプリング状態Aから電荷分配状態Bになる。この電荷分配状態Bにおいて、コンデンサC3の電荷は保存される。オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に容量値の等しいコンデンサC1、C2が接続されるので、コンデンサC1とC2との間で電荷が均等に分配され、コンデンサC1、C2の電荷は1/2・CVrefpとなる(電荷分割手段23による電荷分割動作)。
その後、2進コード値であるデジタル値の上位ビットから順に、当該ビットが0(第1の論理レベル)の場合には、スイッチS1bがオフとされた後スイッチSfがオンとされ、電荷分配状態Bを起点として電荷初期化状態C′になる。この電荷初期化状態C′では、コンデンサC1、C3の電荷が保存されたままコンデンサC2の電荷がゼロに初期化される。出力電圧Voutは0Vである。
一方、当該ビットが1(第2の論理レベル)の場合にはスイッチS1bがオフ、スイッチS3bがオンとされ、スイッチS2aがグランド(電位Vrefm)側に切り替えられ、電荷分配状態Bを起点として電荷加算状態Cになる。この電荷加算状態Cでは、コンデンサC1の電荷が保存されたままコンデンサC2とC3との間で電荷分配が行われ、コンデンサC3の電荷は、自ら持っていた電荷とコンデンサC2の電荷との和となる(電荷累積手段24による電荷加算動作)。
本ケースでは、3ビットが全て「1」なので、電荷分配状態Bを起点として電荷加算状態Cに移行する動作を3回繰り返し、最後は電荷加算状態Cで終了する。コンデンサC3の電荷は、1回目の移行では、自ら持っていた電荷0とコンデンサC2の電荷(=1/2・CVrefp)との和(=1/2・CVrefp)となり、2回目の移行では、自ら持っていた電荷(=1/2・CVrefp)とコンデンサC2の電荷(=1/4・CVrefp)との和(=3/4・CVrefp)となり、3回目の移行では、自ら持っていた電荷(=3/4・CVrefp)とコンデンサC2の電荷(=1/8・CVrefp)との和(=7/8・CVrefp)となる。
一般に、nビットのデジタル値(2進コード値)「K1K2K3…Kn-1Kn」に対してD/A変換して得られるアナログ電圧Voutは(7)式のようになる。この場合、Kiが1でKi+1、Ki+2、…、Knが全て0である場合には、i回目に電荷分配状態Bを起点として電荷加算状態Cに移行した時点で動作を終了させればよい。
Figure 2010022047
以上説明したように、本実施形態のD/A変換器21は、一端が少なくともオペアンプ4の出力端子に接続または接続可能とされ、他端がオペアンプ4の反転入力端子に接続または接続可能とされた3つのコンデンサC1、C2、C3を備えている。このうちコンデンサC1は、基準電圧Vrefpに応じて蓄積された電荷の一部を順次コンデンサC2に分配するために用いられ、コンデンサC2は、分配された電荷のうちデジタル値の論理レベルが1であるときの電荷だけをコンデンサC3に移すために用いられる。また、コンデンサC3は、移された電荷を加算しながら保持するために用いられ、出力電圧VoutはコンデンサC3の蓄積電荷に応じて定まる。
本手段によれば、2進コード値であるデジタル値の上位ビットから順に、その論理レベルに応じて電荷分配状態Bを起点として電荷初期化状態C′または電荷加算状態Cに遷移させることによりD/A変換が可能となる。その結果、分解能に応じてコンデンサの数を増やすことなく、2進コード値のビット数に応じた分解能を持つD/A変換が可能となり、従来のD/A変換器と比べてレイアウト面積を低減することができる。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について図10ないし図12を参照しながら説明する。
図10および図11は、電圧オフセット機能が付加された可変ゲイン増幅器の構成および各スイッチの切替状態を示しており、図1、図8と同一構成要素には同一符号を付している。この可変ゲイン増幅器31は、図1に示す可変ゲイン増幅器1と図8に示すD/A変換器21とを組み合わせた構成を備えており、mビットのD/A変換動作を行った後、入力電圧VinをこのD/A変換出力電圧だけオフセットし、このオフセット後の電圧をnビットの分解能を持つゲインで増幅するものである。
可変ゲイン増幅器31は、オペアンプ4、コンデンサC1、C2、C3(第1、第2、第3のコンデンサに相当)およびスイッチS1a、S1b、S1c、S2a、S2b、S2c、S3a、S3b、Sfから構成されている。コンデンサC1、C2、C3は互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS1a〜Sfは、アナログスイッチから構成されており、制御回路35(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。
コンデンサC1の一端は、スイッチS1aを切り替えることにより信号入力端子2、入力端子22またはオペアンプ4の出力端子に接続されるようになっており、コンデンサC2の一端は、スイッチS2aを切り替えることにより信号入力端子2、グランド線(所定電位Vrefm)またはオペアンプ4の出力端子に接続されるようになっている。また、コンデンサC3の一端は、スイッチS3aを切り替えることによりグランド線(所定電位Vrefm)またはオペアンプ4の出力端子に接続されるようになっている。コンデンサC1、C2、C3の各他端は、それぞれスイッチS1b、S2b、S3bを介してオペアンプ4の反転入力端子に接続されており、さらに、コンデンサC1、C2の各他端は、それぞれスイッチS1c、S2cを介してオペアンプ4の出力端子に接続されている。
図10(a)、(b)、(c′)、(c)は、それぞれD/A変換動作における第1の状態、第2の状態、第3の状態、第4の状態に相当し、基準電圧Vrefpのサンプリング状態A、コンデンサC1とC2との間での電荷分配状態B(分圧状態B)、コンデンサC2の電荷初期化状態C′、コンデンサC2からC3への電荷加算状態Cを表している。図中に示す矢印は、D/A変換過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
図11(a)、(b)、(c′)、(c)は、それぞれ増幅動作における第5の状態、第6の状態、第7の状態、第8の状態に相当し、入力電圧VinをD/A変換出力電圧だけオフセットした電圧のサンプリング状態A、コンデンサC1とC3との間での電荷分配状態B(分圧状態B)、コンデンサC3の電荷初期化状態C′、コンデンサC3からC2への電荷加算状態Cを表している。図中に示す矢印は、増幅過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
図12は、3ビットの2進コード値であるデジタル値「001」をD/A変換して1/8・Vrefpなるアナログの出力電圧Voutを生成し、その後、入力電圧Vinからアナログ電圧1/8・Vrefpを減算したオフセット後の電圧を1倍以上2倍以下の所定ゲインで増幅する場合のタイミングチャートである。このうちD/A変換動作は、第3の実施形態で説明した通りであるため説明を省略する。ただし、デジタル値が「001」であるため、電荷分配状態B(図10(b))を起点とする電荷初期化状態C′(図10(c′))への移行が2回繰り返された後、電荷加算状態C(図10(c))に移行してD/A変換動作を終了する。このときのコンデンサC1、C3の電荷は1/8・CVrefpである。
その後、図11(a)に示すように、スイッチS2bがオフとされた後、スイッチS1c、S2cがオンとされ、スイッチS1a、S2aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられる。このオフセットされた電圧のサンプリング状態Aにおいて、コンデンサC3はホールドコンデンサとして機能し、コンデンサC1、C2に電荷C(Vin−1/8・Vrefp)がサンプリングされる。続いて、スイッチS1c、S2cがオフとされた後スイッチSfがオンとされ、コンデンサC3の電荷はゼロに初期化される。このときの出力電圧Voutは0Vである。なお、1倍よりも小さいゲインで増幅する場合には、図11(a)においてスイッチS2cがオフのままとされ、コンデンサC1にのみ電荷C(Vin−1/8・Vrefp)がサンプリングされ、コンデンサC2、C3の電荷がゼロに初期化される。
これ以降の増幅動作では、図11に示す可変ゲイン増幅器31のコンデンサC2、C3は、それぞれ図1に示す可変ゲイン増幅器1のコンデンサC3、C2と同じように機能する。そして、コンデンサC1とC3との間での電荷分配状態Bと、コンデンサC3の電荷初期化状態C′またはコンデンサC3からC2への電荷加算状態Cとを1サイクル繰り返す巡回動作(遷移動作)により1ビットのゲイン設定が可能となり、nサイクル(n≧1)の巡回動作をさせることで、nビットの分解能を持つゲインでの増幅が可能となる。
可変ゲイン増幅器31の一般式は、(8)式のように表すことができる。
Figure 2010022047
以上説明したように、本実施形態の可変ゲイン増幅器31は、一端が少なくともオペアンプ4の出力端子に接続可能とされ、他端がオペアンプ4の反転入力端子に接続可能とされた3つのコンデンサC1、C2、C3を備えている。そして、これらのコンデンサC1、C2、C3とオペアンプ4をD/A変換動作とそれに続く増幅動作とで共通に用いている。この構成により、コンデンサの数を増やすことなく、D/A変換によりデジタル値(2進コード値)に応じたアナログ電圧を設定でき、さらに、そのアナログ電圧だけオフセットされた入力電圧Vinに対し任意の巡回数を設定することにより任意の分解能を持つゲイン設定が可能となる。
(第5の実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態について図13および図14を参照しながら説明する。
図13は、可変ゲイン増幅器の構成および各スイッチの切替状態を示しており、図1、図7と同一または対応する構成要素には同一符号を付している。この可変ゲイン増幅器41は、電荷累積手段42、電荷分割手段43および制御回路45から構成されており、図7においてスイッチS10aを除くとともに、コンデンサC10の一端がオペアンプ4の出力端子に直接接続された回路構成を備えている。ただし、本実施形態ではコンデンサC10は第2のコンデンサに相当し、コンデンサC11は第1のコンデンサに相当する。
電荷累積手段42と電荷分割手段43は、作用が互いに密接に関係しており、全体としてオペアンプ4およびコンデンサC10、C11を備えた構成となっている。電荷累積手段42は、コンデンサC10の蓄積電荷を初期化した後、2進コードのビットデータ値に応じて入力電圧Vinまたは所定の電圧Vrefm(0V)に応じた電荷をコンデンサC10の蓄積電荷に累積的に加算するものである。電荷分割手段43は、コンデンサC10の蓄積電荷を予め設定された比(1/2)で分割してその電荷を再び蓄積するものである。
この可変ゲイン増幅器41は、0倍〜1倍までのゲインを2進コードに従ってnビットの分解能で設定可能となっている。また、図1に示す可変ゲイン増幅器1がバイナリコードのMSB側からLSB側に向かって順に処理するのに対し、本実施形態の可変ゲイン増幅器41は、バイナリコードのLSB側からMSB側に向かって順に各ビットデータ値に対応して、電荷累積手段42による電荷の累積動作と電荷分割手段43による電荷の分割動作とを実行する点において異なっている。
次に、本実施形態の作用を説明する。
図13(a)、(b)、(c)、(d)は、それぞれコンデンサC10の初期化を兼ねたサンプリング状態A、コンデンサC10とC11との間での電荷分配状態B(電荷累積動作、電荷分割動作)、コンデンサC11への入力電圧Vinのサンプリング状態C、コンデンサC11への電圧Vrefm(0V)のサンプリング状態Dを表している。図中に示す矢印は、増幅過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
図14は、可変ゲイン増幅器41の設定ゲインが5/8の場合のタイミングチャートである。最初のサンプリング状態Aでは、2進コード「K1K2K3」=「101」で表されるゲイン5/8のLSBのデータ値が1であるため、スイッチS11c、Sfがオンとされ、スイッチS11bがオフとされ、スイッチS11aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられる。これにより、コンデンサC11に入力電圧Vinに応じた電荷CVinがサンプリングされる。また、このサンプリング状態Aは、コンデンサC10の電荷の初期化を兼ねており、コンデンサC10の電荷はゼロになる。
続いて、スイッチSf、S11cがオフとされた後、スイッチS11bがオン、スイッチ11aが信号出力端子3(Vout)側に切り替えられ、サンプリング状態Aから電荷分配状態Bになる。オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に容量値の等しいコンデンサC10とC11が接続されるので、コンデンサC10とC11との間で電荷の加算と電荷の分割とが同時に行われ、コンデンサC10、C11の電荷は1/2・CVinとなる。
次のビットK2は0であるため、スイッチS11bがオフとされ、スイッチS11cがオンとされ、スイッチS11aが電圧Vrefm側に切り替えられてサンプリング状態Dになる。これにより、コンデンサC11に電圧Vrefmに応じた電荷ゼロがサンプリングされる。その後、電荷分配状態Bになり、コンデンサC10とC11との間で電荷の加算と電荷の分割とが同時に行われ、コンデンサC10、C11の電荷は1/4・CVinとなる。
次のビットK1(MSB)は1であるため、スイッチS11bがオフとされ、スイッチS11cがオンとされ、スイッチS11aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられてサンプリング状態Cになる。これにより、コンデンサC11に入力電圧Vinに応じた電荷CVinがサンプリングされる。その後、電荷分配状態Bになり、コンデンサC10とC11との間で電荷の加算と電荷の分割とが同時に行われ、コンデンサC10、C11の電荷は5/8・CVinとなる。
すなわち、2進コードKを(9)式に示すように「K1K2K3…Kn-1Kn」とすると、(10)式に示すようにコンデンサC10の初期化に対応した出力電圧Vout(n)は0となり、LSBに対応した最初の電荷の加算と分割とにより得られる出力電圧Vout(n-1)は(Vout(n)+Kn・Vin)/2となる。制御回路45は、LSB側からMSB側に向かって順に各ビットに対応して、コンデンサC10とC11の電荷の加算とコンデンサC10とC11の電荷の分割(1/2)とを実行する。そして、MSBに対応した最後の電荷の加算と分割とにより得られる出力電圧Vout(0)は(Vout(1)+Kn・Vin)/2となり、それが最終的な出力電圧Voutとなる。その結果、2進コードKで定まる可変ゲインに従い、(11)式で示す出力電圧Voutを得ることができる。
Figure 2010022047
以上説明したように、本実施形態では2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、電荷累積手段42による電荷の累積動作と電荷分割手段43による電荷の分割動作とを実行する。すなわち、2進コードのビットデータ値に応じて、サンプリング状態CまたはDにおいてコンデンサC11に電荷を蓄積し、電荷分配状態Bに移行してコンデンサC10とC11の蓄積電荷の加算と電荷の分割とを実行する。その結果、分解能に応じてコンデンサの数を増やすことなく、任意の分解能を持つゲイン設定が可能となり、従来の可変ゲイン増幅器と比べてレイアウト面積を低減することができる。
増幅動作中、2進コードのビットデータ値が1と判定されると、スイッチS11aが信号入力端子2(Vin)側に切り替えられて入力電圧Vinに応じた電荷がサンプリングされる。このため、本実施形態の可変ゲイン増幅器41は、増幅動作中における入力電圧Vinの変動が十分に小さい場合、すなわち入力電圧Vinの周波数が低い場合に好適となる。また、可変ゲイン増幅器41の前段にサンプルホールド回路を設ければ、周波数が高い場合でも入力電圧Vinの変動による誤差を防止することができる。
(第6の実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態について図15および図16を参照しながら説明する。
図15は、巡回型D/A変換器の構成および各スイッチの切替状態を示しており、図13と同一の構成要素には同一符号を付している。この巡回型のD/A変換器51は、オペアンプ4、コンデンサC10、C11(第2、第1のコンデンサに相当)およびスイッチS11a、S11b、S11c、Sfが図13に示す可変ゲイン増幅器41と同様に接続されて構成されている。入力端子22には、一定の基準電圧Vrefpが入力されている。
電荷累積手段52と電荷分割手段53は、作用が互いに密接に関係しており、全体としてオペアンプ4およびコンデンサC10、C11を備えた構成となっている。電荷累積手段52は、コンデンサC10の蓄積電荷を初期化した後、2進コードのビットデータ値に応じた電荷または所定の電圧Vrefm(0V)に応じた電荷をコンデンサC10の蓄積電荷に累積的に加算するものである。電荷分割手段53は、コンデンサC10の蓄積電荷を予め設定された比(1/2)で分割してその電荷を再び蓄積するものである。
図15(a)、(b)、(c)、(d)は、それぞれコンデンサC10の初期化を兼ねたサンプリング状態A、コンデンサC10とC11との間での電荷分配状態B(電荷加算動作、電荷分割動作)、コンデンサC11への基準電圧Vrefpのサンプリング状態C、コンデンサC11への基準電圧Vrefm(0V)のサンプリング状態Dを表している。図中に示す矢印は、増幅過程において当該各状態間での遷移が発生し得ることを示している。
図16は、2進コード値であるデジタル値「K1K2K3」が「101」の場合のD/A変換器51のタイミングチャートである。はじめにコンデンサC10の電荷を初期化し(状態A)、2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、コンデンサC11に当該各ビットのデータ値に応じて基準電圧VrefpまたはVrefmに応じた電荷を設定し(サンプリング状態A、C、D)、コンデンサC10、C11をオペアンプ4の出力端子と入力端子との間に接続することにより、両コンデンサC10、C11の蓄積電荷の加算と電荷の分割(電荷累積動作、電荷分割動作)とを実行する(電荷分配状態B)。このときのスイッチの切替動作は、第5の実施形態で説明した可変ゲイン増幅器41の切替動作と同様であるため具体的な説明は省略する。
2進コードKを(9)式に示すように「K1K2K3…Kn-1Kn」とすると、(12)式に示すようにコンデンサC10の初期化に対応した出力電圧Vout(n)は0となり、LSBに対応した最初の電荷の加算と分割とにより得られる出力電圧Vout(n-1)は(Vout(n)+Kn・Vrefp)/2となる。制御回路55は、LSB側からMSB側に向かって順に各ビットに対応して、コンデンサC10とC11の電荷の加算とコンデンサC10とC11の電荷の分割(1/2)とを巡回実行する。そして、MSBに対応した最後の電荷の加算と分割とにより得られる出力電圧Vout(0)は(Vout(1)+Kn・Vrefp)/2となり、それが最終的な出力電圧Voutとなる。その結果、2進コードKに従い、(13)式で示すアナログの出力電圧Voutを得ることができる。
Figure 2010022047
以上説明したように、本実施形態のD/A変換器51は、デジタル値(2進コード値)のLSB側から順に各ビットデータ値に対応して、サンプリング状態CまたはDにおいてコンデンサC11に電荷を蓄積し、電荷分配状態Bに移行してコンデンサC10とC11の蓄積電荷の加算と電荷の分割とを実行する。この巡回動作の結果、分解能に応じてコンデンサの数を増やすことなく、デジタル値のビット数に応じた分解能を持つD/A変換が可能となり、従来のD/A変換器と比べてレイアウト面積を低減することができる。また、D/A変換器51の後段にサンプルホールド回路を設け、一定周期ごとにD/A変換動作とそのD/A変換結果のサンプルホールド動作とを繰り返すことにより、定常的なアナログ電圧出力が可能となる。
(第7の実施形態)
次に、本発明の第7の実施形態について図17を参照しながら説明する。
図17は、上述した可変ゲイン増幅器の適用例を示している。図17(a)は、図示しない車載センサからの入力電圧Vinを可変ゲイン増幅器1(図1参照)により感度補正しながら増幅し、適当なダイナミックレンジにまで増幅した電圧をA/D変換器91によりA/D変換してデジタルデータDoutを得る信号入力回路を示している。
車両のECUに搭載されたマイクロコンピュータ(マイコン)92は、上述した制御回路5が実行する切替制御を実行するとともに、A/D変換器91の変換動作を制御する。マイコン92は、センサ信号の増幅に先立って或いはセンサ信号の増幅途中で、所定の基準電圧を入力電圧VinとしたときのデジタルデータDoutが所定の値となるように、可変ゲイン増幅器1のゲインを自動設定するAGC(Automatic Gain Control)機能を有している。
図17(b)は、車載センサからの入力電圧Vinをオフセット補正回路93によりオフセット補正し、可変ゲイン増幅器1により感度補正しながら増幅した後、A/D変換器91によりA/D変換してデジタルデータDoutを得る信号入力回路を表している。ROM94には、検査工程において、各センサに対するオフセット補正電圧と設定ゲインとが書き込まれている。コントローラ96は、ROM94からレジスタ95を介してオフセット補正電圧とゲインとを読み出し、それに従ってオフセット補正回路93のオフセット補正動作と可変ゲイン増幅器1の増幅動作を制御する。
このように、センサ信号のA/D入力回路に可変ゲイン増幅器1を用いることにより、従来のものと比べてレイアウト面積を低減することができる。その結果、例えば図17(b)に示す信号入力回路を車載センサ側に設けることができ、ECU側のマイコンの処理負担を軽減することができる。
(第8の実施形態)
図18は、図1に示した可変ゲイン増幅器1を差動の形態に構成したものである。この可変ゲイン増幅器101の入力端子102、103にはそれぞれ電圧Vinp、Vinmが入力され、この差動入力電圧(Vinp−Vinm)を2進コード値で規定されたゲインで差動増幅した電圧(Voutp−Voutm)は、信号出力端子103、203から出力される。
可変ゲイン増幅器101は、差動出力形態を有するオペアンプ104、コンデンサC101、C201(第1のコンデンサに相当)、コンデンサC102、C202(第2のコンデンサに相当)、コンデンサC103、C203(第3のコンデンサに相当)およびスイッチS101a、S201a、S101b、S201b、S102a、S202a、S103a、S203a、S103b、S203b、Sf1、Sf2から構成されている。
これらのコンデンサC101〜C203は、互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS101a〜Sf2は、アナログスイッチから構成されており、ECUのマイコンやセンサの信号処理回路などの制御回路105(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。電荷分割手段106は、オペアンプ104およびコンデンサC101、C201、C102、C202から構成されており、電荷累積手段107は、オペアンプ104およびコンデンサC102、C202、C103、C203から構成されている。VBは適当なバイアス電圧である。
この可変ゲイン増幅器101の動作は、差動動作する点を除けば第1の実施形態で説明した可変ゲイン増幅器1の動作と同様となり、nサイクル(n≧1)の巡回動作をさせることで、(1)式に示したように2進コード値で規定されたnビットの分解能を持つゲイン設定が可能となる。また、差動動作によりコモンモードノイズを有効に除去することができる。さらに、電圧Vinp側と電圧Vinm側とで回路レイアウトは対称構造とされ同一タイミングで動作させるので、例えば各スイッチの切り替え時にフィードスルーによる不要電荷の注入があっても、差動動作によりその電荷注入による誤差を相殺することができる。
(第9の実施形態)
図19は、図13に示した可変ゲイン増幅器41を差動の形態に構成したものであり、図18と同一構成要素には同一符号を付している。この可変ゲイン増幅器111は、オペアンプ104、コンデンサC110、C210(第2のコンデンサに相当)、コンデンサC111、C211(第1のコンデンサに相当)、およびスイッチS111a、S211a、S111b、S211b、S111c、S211c、Sf1、Sf2から構成されている。
これらのコンデンサC110〜C211は、互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS111a〜Sf2は、アナログスイッチから構成されており、ECUのマイコンやセンサの信号処理回路などの制御回路115(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。電荷累積手段112と電荷分割手段113は、作用が互いに密接に関係しており、全体としてオペアンプ104およびコンデンサC110、C111、C210、C211を備えた構成となっている。VA、VBは適当なバイアス電圧であり、互いに同じ電圧であってもよい。
この可変ゲイン増幅器111の動作は、差動動作する点を除けば第5の実施形態で説明した可変ゲイン増幅器41の動作と同様となる他、差動動作をすることにより第8の実施形態と同様の効果が得られる。
(第10の実施形態)
図20は、図8に示したD/A変換器21を差動の形態に構成したものであり、図18と同一構成要素には同一符号を付している。このD/A変換器121の入力端子122、222にはそれぞれ一定の基準電圧Vrefp、Vrefmが入力されており、デジタル値をD/A変換して得られるアナログ電圧(Voutp−Voutm)は、信号出力端子103、203から出力される。
D/A変換器121は、オペアンプ104、コンデンサC101、C201(第1のコンデンサに相当)、コンデンサC102、C202(第2のコンデンサに相当)、コンデンサC103、C203(第3のコンデンサに相当)およびスイッチS101a、S201a、S101b、S201b、S102a、S202a、S103b、S203b、Sf1、Sf2から構成されている。
これらのコンデンサC101〜C203は、互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS101a〜Sf2は、ECUのマイコンやセンサの信号処理回路などの制御回路125(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。電荷分割手段123は、オペアンプ104およびコンデンサC101、C201、C102、C202から構成されており、電荷累積手段124は、オペアンプ104およびコンデンサC102、C202、C103、C203から構成されている。VBは適当なバイアス電圧である。
このD/A変換器121の動作は、差動動作する点を除けば第3の実施形態で説明したD/A変換器21の動作と同様となる他、差動動作をすることにより第8の実施形態と同様の効果が得られる。
(第11の実施形態)
図21は、図15に示したD/A変換器51を差動の形態に構成したものであり、図19と同一構成要素には同一符号を付している。このD/A変換器131は、オペアンプ104、コンデンサC110、C210(第2のコンデンサに相当)、コンデンサC111、C211(第1のコンデンサに相当)、およびスイッチS111a、S211a、S111b、S211b、S111c、S211c、Sf1、Sf2から構成されている。
これらのコンデンサC110〜C211は、互いに等しい静電容量Cを有している。スイッチS111a〜Sf2は、ECUのマイコンやセンサの信号処理回路などの制御回路135(制御手段に相当)から出力される切替信号により切り替えられる。電荷累積手段132と電荷分割手段133は、作用が互いに密接に関係しており、全体としてオペアンプ104およびコンデンサC110、C111、C210、C211を備えた構成となっている。VA、VBは適当なバイアス電圧であり、互いに同じ電圧であってもよい。
このD/A変換器131の動作は、差動動作する点を除けば第6の実施形態で説明したD/A変換器51の動作と同様となる他、差動動作をすることにより第8の実施形態と同様の効果が得られる。
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
[第1の実施形態の変形例]
コンデンサC1、C2、C3の各一端は、少なくともオペアンプ4の出力端子に接続または接続可能とされ、他端はオペアンプ4の反転入力端子に接続または接続可能とされていればよい。この場合、少なくともコンデンサC1(必要に応じてコンデンサC3)に入力電圧Vinに応じた電荷を蓄積でき、コンデンサC3の電荷を保存したままコンデンサC1とC2との間で電荷分配ができ、コンデンサC1、C3の電荷を保存したままコンデンサC2を所定の電荷状態にでき、コンデンサC1の電荷を保存したままコンデンサC2の電荷をコンデンサC3に移すことができる構成とする。
入力電圧Vinのサンプリング状態Aにおいて、ゲインに応じてコンデンサC1またはコンデンサC1、C3に入力電圧Vinに応じた電荷を蓄積するとともに、残るコンデンサC2(、C3)の電荷をゼロ以外の値に初期化する構成としてもよい。また、サンプリング状態Aにおける初期化は、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間を接続するとともに、初期化するコンデンサC2(、C3)をオペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に接続して行う回路方式に限られない。
コンデンサC2の電荷初期化状態C′において、コンデンサC2の電荷をゼロ以外の値に設定する構成としてもよい。電荷加算状態Cにおいて、コンデンサC2の電荷の一部をコンデンサC3に移す構成としてもよい。
コンデンサC1、C2、C3の電荷を保存する場合、コンデンサC1、C2、C3の他端をオペアンプ4の反転入力端子から切り離すことことに替えて、コンデンサC1、C2、C3の一端を開放する構成としてもよい。
コンデンサC1、C2、C3の静電容量は、互いに異なっていてもよい。
電荷累積手段7は、各ビットのデータ値に応じて、コンデンサC3に蓄積された電荷からコンデンサC2の蓄積電荷を減算してその結果を再び蓄積可能に構成してもよい。また、コンデンサC2に替えてコンデンサC1に蓄積された電荷をコンデンサC3に転送してもよい。
[第2の実施形態の変形例]
コンデンサC10は、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に接続可能とされており、コンデンサC11は、一端が少なくともオペアンプ4の出力端子に接続可能とされ、他端が少なくともオペアンプ4の反転入力端子に接続可能とされていればよい。この場合、コンデンサC1、C2に入力電圧Vinに応じた電荷を蓄積でき、コンデンサC2の電荷をコンデンサC1に移すことができ、コンデンサC2に増幅電圧に応じた電荷を蓄積できる構成とする。
電荷加算状態Bにおいて、コンデンサC11の電荷の一部をコンデンサC10に移す構成としてもよい。増幅電圧のサンプリング状態Cにおいて、コンデンサC11の他端をグランド電位以外の電位に接続してもよく、或いはコンデンサC11に出力電圧の分圧電圧に応じた電荷を蓄積する構成としてもよい。
コンデンサC10、C11の静電容量は、互いに異なっていてもよい。
[第3の実施形態の変形例]
コンデンサC1、C2、C3の各一端は、少なくともオペアンプ4の出力端子に接続または接続可能とされ、他端はオペアンプ4の反転入力端子に接続または接続可能とされていればよい。この場合、コンデンサC1に基準電圧Vrefpに応じた電荷を蓄積するとともにコンデンサC2、C3の電荷を初期化でき、コンデンサC3の電荷を保存したままコンデンサC1とC2との間で電荷分配ができ、コンデンサC1、C3の電荷を保存したままコンデンサC2の電荷を初期化でき、コンデンサC1の電荷を保存したままコンデンサC2の電荷をコンデンサC3に移すことができる構成とする。
基準電圧Vrefpのサンプリング状態Aにおける初期化は、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間を接続するとともに、初期化するコンデンサC2、C3をオペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間に接続して行う回路方式に限られない。
コンデンサC1、C2、C3の電荷を保存する場合、コンデンサC1、C2、C3の他端をオペアンプ4の反転入力端子から切り離すことことに替えて、コンデンサC1、C2、C3の一端を開放する構成としてもよい。
コンデンサC1、C2、C3の静電容量は、所定の重み付けがなされていてもよい。
第4の実施形態についても、上記第1の実施形態、第3の実施形態と同様の変形が可能である。
第7の実施形態において、可変ゲイン増幅器1に替えて可変ゲイン増幅器11、31または41を用いてもよい。可変ゲイン増幅器31を用いる場合には、図17(b)におけるオフセット補正回路93を省くことができる。
差動動作する各実施形態についても、シングル動作する各実施形態と同様の変形が可能である。
1、11、31、41、101、111は可変ゲイン増幅器、2、102、202は信号入力端子、3、103、203は信号出力端子、4、104はオペアンプ(演算増幅器)、5、15、25、35、45、55、105、115、125、135は制御回路(制御手段)、6、23、43、53、106、113、123、133は電荷分割手段、7、24、42、52、107、112、124、132は電荷累積手段、21、51、121、131はD/A変換器、C1、C101、C201はコンデンサ(第1のコンデンサ)、C2、C102、C202はコンデンサ(第2のコンデンサ)、C3、C103、C203はコンデンサ(第3のコンデンサ)、C10、C11はコンデンサ(第1、第2のコンデンサ/第2、第1のコンデンサ)、C110、C111はコンデンサ(第2、第1のコンデンサ)、C210、C211はコンデンサ(第2、第1のコンデンサ)である。

Claims (8)

  1. 信号入力端子に与えられる入力電圧を2進コード値で規定されたゲインで増幅して信号出力端子から出力する可変ゲイン増幅器であって、
    電荷を蓄積可能に構成され、前記2進コードのビットデータ値に応じて前記入力電圧または所定の電圧に応じた電荷を蓄積電荷に累積加算する電荷累積手段と、
    前記電荷累積手段の蓄積電荷を予め設定された比で分割してその電荷を再び蓄積する電荷分割手段と、
    前記電荷累積手段の蓄積電荷を初期化した後、前記2進コードのLSB側から順に各ビットデータ値に対応して、前記電荷累積手段による電荷の累積動作と前記電荷分割手段による電荷の分割動作とを実行する制御手段とを備えていることを特徴とする可変ゲイン増幅器。
  2. 前記電荷累積手段および電荷分割手段は、
    出力端子が前記信号出力端子に接続された演算増幅器と、
    前記演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続可能とされ、一端が前記信号入力端子に接続可能であって前記入力電圧または所定の電圧に応じた電荷を設定可能な第1のコンデンサと、
    前記演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続され、電荷を初期設定可能な第2のコンデンサとから構成され、
    前記制御手段は、はじめに前記第2のコンデンサの電荷を初期化し、前記2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、前記第1のコンデンサに当該各ビットのデータ値に応じて前記入力電圧に応じた電荷または所定の電荷を設定し、前記第1および第2のコンデンサを前記演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続することにより、両コンデンサの蓄積電荷の加算と電荷の分割とを実行することを特徴とする請求項1記載の可変ゲイン増幅器。
  3. 差動入力電圧を2進コード値で規定されたゲインで差動増幅して差動出力するように、前記電荷累積手段および前記電荷分割手段が差動の形態に構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の可変ゲイン増幅器。
  4. 前記各コンデンサは、互いに等しい静電容量を有していることを特徴とする請求項2記載の可変ゲイン増幅器。
  5. 基準電圧を2進コード値に応じたアナログ電圧に変換して信号出力端子から出力するD/A変換器であって、
    電荷を蓄積可能に構成され、前記2進コードのビットデータ値に応じて前記基準電圧に応じた電荷または当該電荷とは異なる所定の電荷を蓄積電荷に累積加算する電荷累積手段と、
    前記電荷累積手段の蓄積電荷を予め設定された比で分割してその電荷を再び蓄積する電荷分割手段と、
    前記電荷累積手段の蓄積電荷を初期化した後、前記2進コードのLSB側から順に各ビットデータ値に対応して、前記電荷累積手段による電荷の累積動作と前記電荷分割手段による電荷の分割動作とを実行する制御手段とを備えていることを特徴とするD/A変換器。
  6. 前記電荷累積手段および電荷分割手段は、
    出力端子が前記信号出力端子に接続された演算増幅器と、
    前記演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続可能とされ、前記基準電圧に応じた電荷または当該電荷とは異なる所定の電荷を設定可能な第1のコンデンサと、
    前記演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続され、電荷を初期設定可能な第2のコンデンサとから構成され、
    前記制御手段は、はじめに前記第2のコンデンサの電荷を初期化し、前記2進コードのLSB側から順に各ビットに対応して、前記第1のコンデンサに当該各ビットのデータ値に応じて前記基準電圧に応じた電荷または当該電荷とは異なる所定の電荷を設定し、前記第1および第2のコンデンサを前記演算増幅器の出力端子と入力端子との間に接続することにより、両コンデンサの蓄積電荷の加算と電荷の分割とを実行することを特徴とする請求項5記載のD/A変換器。
  7. 2つの基準電圧の差分電圧を2進コード値に応じたアナログ電圧に変換して差動出力するように、前記電荷累積手段および前記電荷分割手段が差動の形態に構成されていることを特徴とする請求項5または6記載のD/A変換器。
  8. 前記各コンデンサは、互いに等しい静電容量を有していることを特徴とする請求項6記載のD/A変換器。
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