JP2010018841A5

JP2010018841A5 -

Info

Publication number: JP2010018841A5
Application number: JP2008180254A
Authority: JP
Filing date: 2008-07-10
Publication date: 2010-11-04
Anticipated expiration: 2028-07-10

Description

請求項２に記載の発明は、前記磁界発生装置は、前記めっき槽の周囲に配置された電磁石からなることを特徴とする請求項１記載の磁性体膜めっき装置である。
請求項３に記載の発明は、前記磁界発生装置は、前記めっき槽の周囲に配置された永久磁石からなることを特徴とする請求項１記載の磁性体膜めっき装置である。

更に、めっき槽本体１８６の底部には、内部に多数のめっき液流通口を有する底板２１０が配置されている。これによって、めっき槽本体１８６の内部は、上方の基板処理室２１４と下方のめっき液分散室２１２に区画されている。更に、底板２１０には、下方に垂下する遮蔽板２１６が取付けられている。

めっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給、電磁石１１２への電流の供給、及びパドル往復運動を停止し、めっき後の基板を装着した基板ホルダ２６を基板ホルダ搬送装置４６のトランスポータ４５の基板ホルダ保持部４９で２基同時に把持し、アーム４８を上昇させて、基板ホルダ２６をめっき槽４０内のめっき液Ｑから引上げる。このようにして、基板ホルダ２６をめっき槽４０内のめっき液Ｑから引上げた時、図２及び図３に示す受け皿５２を待避位置から基板ホルダ２６の直下方位置に移動させ、同様にして、基板ホルダ２６をリンス槽３８まで搬送する。これにより、基板ホルダ２６から滴下するめっき液を受け皿５２で受けて、めっき液が電磁石１１２を用いた磁界発生装置１１４やめっき槽４０の外部に位置する他の機器等に落下するのを防止する。

この３つの方式での基板の向きの自由度を比較すると、Ａ方式では、基板のＸ軸回りの角度がずれると基板と磁場が平行でなくなり、Ｚ軸回りの角度がずれると基板上に形成した構造と磁場の向きがずれる。ところが、Ｙ軸回りの角度については、多少のずれがあっても磁場とめっき液の流れとの平行は保たれており、基本的には基板はアノードと平行が保たれていればよく、Ｙ軸回りにはある程度自由度があると言える。Ｂ方式では、同様にＹ軸回り、Ｚ軸回りは正確に設定する必要があり、またＸ軸回りについても磁場との平行は保たれるが、めっき液の流れと基板は平行でなくなり、めっき膜の面内均一性に影響がでる懸念がある。Ｃ方式は同様に、Ｘ軸回り、Ｚ軸回りは正確に設定する必要があり、Ｙ軸回りの角度もずれがあるとめっき液が基板に均一に当たらなくなり、めっき膜の面内均一性に影響が出る。このようにＢ方式、Ｃ方式では３軸の調整が必要なのに比べて、Ａ方式、すなわち図８に示す磁性体膜めっき装置１１０、並びに図１８及び図１９に磁性体膜めっき装置３００では、基本的には２軸の調整で済むため、自由度が高いといえる。このことは、基板を基板ホルダで保持したまま装置内を搬送する機構にとっては大きなメリットとなる。

この図１８及び図１９に示す磁性体膜めっき装置にあっては、前述の図８に示す磁性体膜めっき装置とほぼ同様に、めっき槽本体３０８の内部に所定の組成を有する所定量のめっき液Ｑを満たし循環させておく。そして、基板Ｗを保持した基板ホルダ２６を下降させて、基板Ｗをめっき槽本体３０８内のめっき液Ｑに浸漬した所定の位置に配置させて垂下保持する。そして、めっき電源の陽極をアノード３１８及びダミーアノード３２０，３３４に、陰極を基板Ｗにそれぞれ接続し、同時に、電磁石３０２の上段コイル３３２ａ、中段コイル３３２ｂ及び下段コイル３３２ｃに個別に電流を流して、基板ホルダ２６で保持された基板の周囲に該基板とほぼ平行な上方に向けた磁界を形成する。この状態で、必要に応じて、攪拌パドル２３２を基板Ｗと平行に移動させて、アノード３１８と基板Ｗとの間のめっき液Ｑを攪拌パドル２３２で攪拌し、これによって、基板Ｗの表面にめっき膜としての磁気異方性をもつ磁性体膜（パーマロイ）を成長させる。そして、所定時間経過後、アノード３１８及びダミーアノード３２０，３３４と基板Ｗをめっき電源から切離し、電磁石３０２の上段コイル３３２ａ、中段コイル３３２ｂ及び下段コイル３３２ｃへの電流の供給及び攪拌パドル２３２の往復動を停止させてめっきを終了する。

Claims

前記磁界発生装置は、前記めっき槽の周囲に配置された永久磁石からなることを特徴とする請求項１記載の磁性体膜めっき装置。