JP2010013339A - 石英ガラスるつぼの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】壁体と、壁体の内側と外側を連通するように壁体に設けられた開口通路8とを有する溶融型1を提供する工程と、第1の粗大なSiO2微粒子から構成される外側層微粒子体を提供し、外側層微粒子体からなる外側微粒子層12を溶融型1の壁体の内面に形成する工程と、第2の微細なSiO2微粒子から構成されるバリア層微粒子体を提供し、バリア層微粒子体からなるバリア微粒子層16を外側微粒子層12の内面に形成する工程と、溶融型1の壁体の外側に負圧を適用する工程と、透明な内側層を有する石英ガラスるつぼを形成するためバリア微粒子層16及び外側微粒子層12を加熱する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
(a)壁体と、該壁体の内側と外側を連通するように該壁体に設けられた開口通路とを有する溶融型を提供する工程と、
(b)第1の粗大なSiO2微粒子から構成される外側層微粒子体を提供し、前記外側層微粒子体からなる外側微粒子層を溶融型壁体の内面に形成する工程と、
(c)第2の微細なSiO2微粒子から構成されるバリア層微粒子体を提供し、前記バリア層微粒子体からなるバリア微粒子層を前記外側微粒子層面に形成する工程と、
(d)前記溶融型壁体の外側に負圧を適用する工程と、
(e)透明な内側層を有する石英ガラスるつぼを形成するため前記バリア微粒子層及び前記外側微粒子層を加熱する工程と、
を含む。
(a)壁体と、該壁体の内側と外側を連通するように該壁体に設けられた開口通路とを有する溶融型(1)を提供する工程と、
(b)第1の粗大なSiO2微粒子から構成される外側層微粒子体を提供し、前記外側層微粒子体からなる外側微粒子層(12;14)を溶融型壁体の内面に形成する工程と、
(c)第2の微細なSiO2微粒子から構成されるバリア層微粒子体を提供し、前記バリア層微粒子体からなるバリア微粒子層(16)を前記外側微粒子層面に形成する工程と、
(d)前記溶融型壁体の外側に負圧(17)を適用する工程と、
(e)透明な内側層(22)を有する石英ガラスるつぼを形成するため前記バリア微粒子層(16)及び前記外側微粒子層(12;14)を加熱する工程と、
を含む単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法であって、
前記バリア層微粒子体のSiO2粒子は、50μm未満の平均粒径(D50値)を有し、前記バリア微粒子層(16)の形成する工程が、前記バリア層微粒子体を前記外側微粒子層(12;14)に固着させる処理を含むことを特徴とする。
2 熱シールド
3 キャリア
4 中央軸
5 陰極(電極)
6 陽極(電極)
7 方向矢印
8 開口通路(開口部)
9 ガス入口
10 方向矢印
12 石英砂層(外側微粒子層)
13 プラズマ領域
14 内側微粒子層
16 バリア微粒子層
17 方向矢印(真空)
20 内部空間
21 密封層
22 透明な内側層
23 方向矢印
25 薄膜
Claims (14)
- (a)壁体と、該壁体の内側と外側を連通するように該壁体に設けられた開口通路とを有する溶融型(1)を提供する工程と、
(b)第1の粗大なSiO2微粒子から構成される外側層微粒子体を提供し、前記外側層微粒子体からなる外側微粒子層(12;14)を溶融型壁体の内面に形成する工程と、
(c)第2の微細なSiO2微粒子から構成されるバリア層微粒子体を提供し、前記バリア層微粒子体からなるバリア微粒子層(16)を前記外側微粒子層面に形成する工程と、
(d)前記溶融型壁体の外側に負圧(17)を適用する工程と、
(e)透明な内側層(22)を有する石英ガラスるつぼを形成するため前記バリア微粒子層(16)及び前記外側微粒子層(12;14)を加熱する工程と、
を含む単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法であって、
前記バリア層微粒子体のSiO2粒子は、50μm未満の平均粒径(D50値)を有し、前記バリア微粒子層(16)の形成する工程が、前記バリア層微粒子体を前記外側微粒子層(12;14)に固着させる処理を含むことを特徴とする単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。 - 前記バリア層微粒子体のSiO2微粒子が、30μm未満の平均粒径(D50値)、好ましくは20μm未満の平均粒径(D50値)を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記外側層微粒子体のSiO2微粒子が、100μmを超える平均粒径(D50値)、好ましくは120μmを超える平均粒径(D50値)を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記バリア層微粒子体のSiO2粒子が、0.03μm〜2μmの範囲の第1最大粒径分布と、3μm〜50μmの範囲の第2最大粒径分布を伴う多様な粒径分布を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 石英ガラスの粘度を軽減するドーパントが、前記バリア層微粒子体に添加されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記バリア層微粒子体を固着させる処理が、前記バリア微粒子層(16)の形成前又は形成中に前記外側微粒子層(12;14)を加湿することを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記バリア層微粒子体を固着させる処理が、前記バリア微粒子層を加湿することを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 加湿用に水蒸気が用いられることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 加湿用に水分を含まない液体が用いられることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記バリア層微粒子体を固着させる処理が、バリア層微粒子体を可撓性のある平坦な補助体に塗布し、そして該バリア層微粒子体を該補助体面に固着することを含み、該補助体は、続いて、固着されたバリア層微粒子体とともに前記外側微粒子層上に配置されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加熱工程(e)が、第1加熱ステージと第2加熱ステージからなる2段階加熱プロセスを含み、第1加熱ステージにおいて前記バリア微粒子層(16)が低温でガラス化され、第2加熱ステージにおいて前記外側微粒子層(12;14)が高温で加熱され、少なくとも一部が焼結されるようにしたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1加熱ステージから第2加熱ステージへの移行が、前記バリア微粒子層(16)の完全なガラス化の後に行われることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記バリア微粒子層(16)が、0.3mm〜5mmの層厚さ、好ましくは3mm未満の層厚さで形成されることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記透明な内側層(22)の表面に存在する気泡含有SiO2密封層(21;25)が、プラズマを用いたバーニングオフにより除去されることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008030310.0 | 2008-06-30 | ||
DE102008030310A DE102008030310B3 (de) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010013339A true JP2010013339A (ja) | 2010-01-21 |
JP5149864B2 JP5149864B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=40680359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009121550A Expired - Fee Related JP5149864B2 (ja) | 2008-06-30 | 2009-05-20 | 石英ガラスるつぼの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8347650B2 (ja) |
EP (1) | EP2141131B1 (ja) |
JP (1) | JP5149864B2 (ja) |
KR (1) | KR101485144B1 (ja) |
DE (1) | DE102008030310B3 (ja) |
TW (1) | TWI395719B (ja) |
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2008
- 2008-06-30 DE DE102008030310A patent/DE102008030310B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-23 EP EP09158576.0A patent/EP2141131B1/de not_active Not-in-force
- 2009-05-06 TW TW098114990A patent/TWI395719B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-05-08 KR KR20090040048A patent/KR101485144B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-20 JP JP2009121550A patent/JP5149864B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-29 US US12/459,225 patent/US8347650B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100003191A (ko) | 2010-01-07 |
KR101485144B1 (ko) | 2015-01-27 |
EP2141131A2 (de) | 2010-01-06 |
TW201006773A (en) | 2010-02-16 |
EP2141131A3 (de) | 2013-12-25 |
TWI395719B (zh) | 2013-05-11 |
JP5149864B2 (ja) | 2013-02-20 |
US8347650B2 (en) | 2013-01-08 |
US20090320521A1 (en) | 2009-12-31 |
EP2141131B1 (de) | 2016-10-12 |
DE102008030310B3 (de) | 2009-06-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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