JP2013527113A - 石英ガラスルツボ及びそれを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
石英ガラスルツボを製造する既知の方法において、真空溶融型が準備され、その内側にSiO2粒子からなるルツボ形状の粒子層が形成され、その粒子層は底領域と側壁領域とを有している。多孔質粒子層の少なくとも一部の上に、気泡の少ない石英ガラスからなる被膜層が形成される。負圧を印加することによって、被膜層に隣接する粒子層の少なくとも一部からガス状の成分が除去され、粒子層は、ルツボ高さHを有する石英ガラスルツボを形成しながらガラス化する。そこから出発して、開始プロセスを容易にし、かつシリコン融液内へ不純物が侵入する危険が少ない、石英ガラスルツボを製造するために、本発明によれば、粒子層の、底領域から最大でルツボ高さの0.8倍まで延びる、下方の領域内のみに、又は主としてその中に、負圧が印加されることにより、粒子層の、下方の領域に連続して完全な高さHまで延びる、上方の領域内に、ガラス化の際に被膜層の下にかつそれに隣接して気泡帯域が形成され、その気泡帯域は、気泡の少ない石英ガラス内のガスで満たされた気泡の固有体積の少なくとも2倍の大きさの固有の気泡体積を有する、ガスで満たされた気泡を含んでいることが、提案される。
Description
(a)内側、外側及び内側と外側の間の連通孔を有する、壁を備えた真空溶融型を準備し、
(b)真空溶融型の内側上にSiO2粒子からなるルツボ形状の多孔質粒子層を形成し、その場合に粒子層が底領域と側壁領域とを有し、
(c)多孔質粒子層の少なくとも一部の上に、気泡の少ない石英ガラスからなる被膜層を形成し、
(d)溶融型壁の外側を介して負圧が印加されることにより、被膜層に隣接する粒子層の少なくとも一部からガス状の成分を除去し、
(e)ルツボ高さHを有する石英ガラスルツボを製造しながら多孔質粒子層をガラス化する。
Claims (15)
- 単結晶を引き上げるための石英ガラスルツボを製造する方法であって、以下の工程を有する:
(a)内側、外側及び外側と内側の間の連通孔(6;7)を有する壁を備えた真空溶融型(1;21;31)を準備し、
(b)前記真空溶融型(1;21;31)の内側上にSiO2粒子からなるルツボ形状の多孔質粒子層(12)を形成し、その場合に前記粒子層(12)が底領域(8)と側壁領域(9;10)を有しており、
(c)前記多孔質粒子層(12)の少なくとも一部の上に気泡の少ない石英ガラスからなる被膜層(14)を形成し、
(d)前記溶融型壁(1;21;31)の外側を介して負圧が印加されることにより、前記被膜層(14)に隣接する粒子層(12)の少なくとも一部から、ガス状の成分を除去し、
(e)ルツボ高さHを有する石英ガラスルツボ(40)を形成しながら、前記多孔質粒子層(12)をガラス化する、
前記方法において、
前記粒子層(12)の、前記底領域(8)から最大でルツボ高さHの0.8倍まで延びる下方の領域(9)内に負圧が印加されることにより、前記粒子層(12)の、前記下方の領域(9)に続いて完全な高さHまで延びる、上方の環状の領域(10)内に、ガラス化する際に前記被膜層(14)の下にかつそれに隣接して、気泡帯域(41)が形成され、前記気泡帯域が、気泡の少ない石英ガラス内のガスで満たされた気泡の固有の体積の少なくとも2倍の大きさの固有の気泡体積を有する、ガスで満たされた気泡を含んでいることを特徴とする単結晶を引き上げるための石英ガラスルツボを製造する方法。 - 前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)に、ガラス化する際又はその前にガスが供給されることにより、又は前記上方の領域(10)内へのガスの供給が可能にされることにより、前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)内にガスで満たされた気泡が発生されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ガスは、前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)に隣接する、前記真空溶融型(21)のガスを透過する壁部分(17;23)を通して前記粒子層(12)へ供給されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記壁部分(17)のガス透過性が、前記壁の孔(7;16)によってもたらされることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記壁部分(23)のガス透過性が、多孔質材料からなるリングによってもたらされ、前記リングが前記真空溶融型(21)の壁の一部を形成することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)と下方の領域(9)の間に、前記上方の領域(10)から前記下方の領域(9)へのガス流を阻止する、粒子バリア層(15)が設けられていることを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記粒子バリア層(15)が、前記粒子層(12)の内部の環状の中間層として、SiO2粉末から形成されており、同粉末が、前記粒子層(12)の残りのSiO2粒子よりも高いかさ密度を有していることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記粒子層(12)の前記下方の領域(9)内に存在するガスがヘリウムに交換されることにより、前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)内にガスで満たされた気泡が発生され、その場合に前記ガス交換は、前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)内では阻止されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記粒子層(12)の前記底領域(8)へヘリウムが供給され、前記ヘリウムが、前記粒子層(12)の前記下方の領域(9)内に印加されている負圧により、特に前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)へ達する前に、前記溶融型(31)の壁を介して吸い出されることによって、前記粒子層(12)の前記下方の領域(9)内のガス交換と、前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)内のガス交換の阻止がもたらされることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 被膜層(14)が形成され、前記被膜層が前記粒子層(12)の前記上方の領域(10)内で50μmから800μmの範囲の厚みを有していることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記粒子層(12)の、前記底領域(8)から少なくとも0.2×H、好ましくは少なくとも0.4×Hの高さまで延びる下方の領域(9)内に、負圧が印加されることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記側壁領域(9;10)に、0.5×Hから0.95×Hまでの間の高さの仮想の開始帯域(A)が対応づけられ、かつ
前記気泡帯域(41)が、この開始帯域(A)の下方10cmより多くは達しない、
ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。 - ルツボ高さHと内側を備えたルツボ壁とを有し、前記ルツボ壁が石英ガラスからなる底(42)及び前記底(42)と結合された側壁(41;43)によって形成され、その場合に前記内側が密な石英ガラスからなる被膜層(14)によって、少なくとも部分的に覆われている、単結晶を引き上げるための石英ガラスルツボにおいて、
前記被膜層(14)が、前記底(42)において、かつ前記側壁の、前記底(42)から最大で前記ルツボ高さHの0.8倍まで延びる下方の領域(43)内で、気泡の少ない石英ガラスに隣接し、かつ、前記側壁の、前記下方の領域(43)に完全なルツボ高さHまで連続する上方の領域内では、50μmから800μmの範囲の厚みをもって、気泡の豊富な、ガスで満たされた気泡帯域(41)を含む石英ガラスに隣接し、その場合に前記被膜層(14)が、前記側壁の前記上方の領域内で、50μmから800μmの範囲の厚みを有していることを特徴とする単結晶を引き上げるための石英ガラスルツボ。 - 前記側壁(41;43)に、0.5×Hから0.95×Hの間の高さの仮想の開始帯域(A)が対応づけられており、かつ
前記気泡帯域(41)が、この開始帯域(A)の下方10cmより多くは達しないことを特徴とする請求項13に記載の石英ガラスルツボ。 - 前記気泡帯域(41)が、上方のルツボ端縁まで0.4×Hの領域内に達する高さに延びていることを特徴とする請求項13又は14に記載の石英ガラスルツボ。
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