KR20170027960A - 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법 - Google Patents

대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170027960A
KR20170027960A KR1020150124607A KR20150124607A KR20170027960A KR 20170027960 A KR20170027960 A KR 20170027960A KR 1020150124607 A KR1020150124607 A KR 1020150124607A KR 20150124607 A KR20150124607 A KR 20150124607A KR 20170027960 A KR20170027960 A KR 20170027960A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
quartz glass
glass ingot
chamber
mold
quartz
Prior art date
Application number
KR1020150124607A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101806791B1 (ko
Inventor
김유진
김형준
유리
윤지연
Original Assignee
한국세라믹기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국세라믹기술원 filed Critical 한국세라믹기술원
Priority to KR1020150124607A priority Critical patent/KR101806791B1/ko
Publication of KR20170027960A publication Critical patent/KR20170027960A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101806791B1 publication Critical patent/KR101806791B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C03B2201/03—Impurity concentration specified
    • C03B2201/04—Hydroxyl ion (OH)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/07—Impurity concentration specified
    • C03B2201/075—Hydroxyl ion (OH)

Abstract

본 발명은, 출발원료로 복수 개의 석영 유리 잉곳과 상기 석영 유리 잉곳보다 용융점이 낮은 석영 파우더를 몰드에 배치하는 단계와, 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드를 챔버 내에 장입하는 단계와, 상기 챔버 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만드는 단계와, 상기 챔버 내의 온도가 1700∼1900℃ 범위의 온도가 되도록 가열하고 유지하여 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 용융되게 하는 단계 및 상기 석영 파우더와 복수 개의 석영 유리 잉곳이 용융되게 한 후, 냉각하는 단계를 포함하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 석영 유리 잉곳을 사이즈-업(size-up) 하면서도 복굴절이 작고 기계적특성(mechanical properties)이 우수한 대면적 석영 유리 잉곳을 제조할 수 있다.

Description

대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법{Manufacturing method of quartz glass ingot with large area}
본 발명은 석영 유리 잉곳의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 석영 유리 잉곳을 사이즈-업(size-up) 하면서도 복굴절이 작은 대면적 석영 유리 잉곳에 관한 것이다.
렌즈, 레티클, 액정 디스플레이 등의 제품에는 석영 유리가 주로 사용되고 있으며, 최근에는 대형화 추세에 따라 넓은 면적을 갖는 석영 유리를 얻기 위한 연구가 진행되고 있다.
넓은 면적을 갖는 광학 부재 등으로 사용하기 위하여 석영 유리 잉곳이 대 면적을 갖도록 형성할 필요가 있다.
그러나, 대면적을 갖는 석영 유리 잉곳을 제조하는데 한계가 있다.
본 발명에서는 미리 형성된 석영 유리 잉곳이 대면적을 갖도록 사이즈-업(size-up) 하기 위한 방법을 제시한다.
대한민국 등록특허공보 제10-1287275호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 석영 유리 잉곳을 사이즈-업(size-up) 하면서도 복굴절이 작은 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명은, 출발원료로 복수 개의 석영 유리 잉곳과 상기 석영 유리 잉곳보다 용융점이 낮은 석영 파우더를 몰드에 배치하는 단계와, 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드를 챔버 내에 장입하는 단계와, 상기 챔버 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만드는 단계와, 상기 챔버 내의 온도가 1700∼1900℃ 범위의 온도가 되도록 가열하고 유지하여 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 용융되게 하는 단계 및 상기 석영 파우더와 복수 개의 석영 유리 잉곳이 용융되게 한 후, 냉각하는 단계를 포함하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법을 제공한다.
복수 개의 상기 석영 유리 잉곳은 OH기 농도가 10∼2,000ppm 범위인 것이 바람직하다.
상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳의 전체 함량 100중량부에 대하여 0.001∼2중량부 첨가하여 상기 몰드에 배치하는 것이 바람직하다.
상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 복수 개의 석영 유리 잉곳보다 낮은 열팽창계수를 갖는 것이 바람직하다.
상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳보다 낮은 OH기 농도를 갖는 것이 바람직하다.
상기 석영 파우더는 100㎚∼500㎛의 평균 입경을 갖는 것이 바람직하다.
상기 석영 파우더는 출발원료로 사용하기 전에 오븐(oven)에서 건조하여 수분을 제거한 후에 출발원료로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법은, 상기 챔버와, 상기 챔버 내에 안치되고 자체 가열원으로 작용하는 상기 몰드와, 상기 챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 몰드를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단과, 상기 챔버에 비활성 가스를 공급하는 가스공급부와, 상기 챔버 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만들기 위한 배기 장치와, 상기 챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하는 장치를 이용하여 대면적 석영 유리 잉곳을 제조할 수 있다.
상기 비활성 가스는 헬륨(He), 아르곤(Ar) 또는 질소(N2) 가스를 포함하는 가스를 사용할 수 있고, 상기 비활성 가스는 1∼20 slpm의 유량으로 공급하는 것이 바람직하다.
출발원료로 사용되는 상기 석영 유리 잉곳의 용융체와 접촉하는 부위인 내측벽은 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC) 또는 질화붕소(BN) 재질로 이루어지고, 외측벽은 자체 가열원으로 작용하게 하기 위하여 그라파이트 재질로 이루어진 몰드를 사용하는 것이 바람직하다.
복수 개의 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드는 덮개로 덮여져서 밀봉되는 것이 바람직하며, 출발원료로 사용되는 상기 석영 유리 잉곳의 용융체와 접하는 부위인 내측부가 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC) 또는 질화붕소(BN) 재질로 이루어지고, 외측부는 자체 가열원으로 작용하게 하기 위하여 그라파이트 재질로 이루어진 덮개를 사용하는 것이 바람직하다.
1700∼1900℃의 온도에서 30∼120분 동안 유지하는 것이 바람직하다.
상기 냉각은 0.1∼10℃/min의 범위 내에서 서냉하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 석영 유리 잉곳을 사이즈-업(size-up) 하면서도 복굴절이 작고 기계적특성(mechanical properties)이 우수한 대면적 석영 유리 잉곳을 제조할 수 있다. 미리 형성된 석영 유리 잉곳이 광학적(optical) 또는 기계적 물성(mechanical properties)의 변화 없이 대면적을 갖도록 사이즈-업(size-up) 하면서도 복굴절이 작은 대면적 석영 유리 잉곳을 제조할 수 있다.
복수 개의 석영 유리 잉곳이 용융되면서 접합할 때, 면과 면 사이에 빈공간(공극)이 발생하거나, 면과 면 사이에 트랩 버블(trapped bubble)이 발생할 수 있다. 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳보다 용융점이 낮아 석영 유리 잉곳보다 빨리 용융되게 되고, 이렇게 용융된 석영 파우더는 서로 다른 석영 유리 잉곳을 바인딩(binding)하는 역할을 할 뿐만 아니라 석영 유리 잉곳 사이의 공극을 메우는 역할을 하게 되어 최종 생성되는 대면적 석영 유리 잉곳 내에 공극이 형성되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 또한, 석영 파우더는 OH기 농도가 낮기 때문에 휘발에 의한 트랩 버블의 발생을 방지할 수 있고, 트랩 버블의 수를 감소시킬 수 있다.
몰드의 외측벽은 그라파이트 재질로 이루어지므로 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단에 의해 가열되면서도 몰드 자체가 가열원으로 작용할 수 있는 장점이 있다.
몰드가 그라파이트 재질만으로 이루어져 용융체와 직접적으로 접촉하는 부위인 내측벽이 그라파이트 재질로 이루어질 경우에는 CO, CO2 또는 SiC 가스가 발생할 수 있으며, 생성된 SiC는 석영 유리 잉곳의 표면에 부착할 수 있고, 냉각할 때 석영 유리와 그라파이트의 열팽창률의 차이에 의해서 석영유리 표면에 압축응력이 인가되어 균열(crack)이 발생할 수도 있는 문제점이 있으나, 몰드의 내측벽이 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있으므로 이러한 현상을 억제할 수 있다. 몰드의 내측벽이 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있으므로 용융체에 불순물이 혼입되는 것을 억제할 수 있고, 용융체와 그라파이트가 반응하는 것을 방지할 수 있으며, 석영 유리 잉곳과 몰드의 선팽창 계수 차이에 기초하여 생기는 냉각시의 열수축의 차가 적어지고, 냉각시에 몰드가 대면적 석영 유리 잉곳을 압축하는 응력을 줄일 수 있다.
냉각시에 비활성 가스를 주입하게 되면 반응생성물의 발생을 억제하여 순도가 높은 대면적 석영 유리 잉곳을 얻을 수 있으며, 또한 냉각 속도를 조절할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하기 위한 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하기 위한 몰드를 도시한 단면도이다.
도 3은 복수 개의 석영 유리 잉곳이 몰드에 배치된 모습을 보여주는 평면도이다.
도 4는 몰드 덮개를 도시한 단면도이다.
도 5는 몰드가 몰드 덮개로 덮여진 모습을 보여주는 단면도이다.
도 6은 실험예 1에 따라 1750℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이다.
도 7은 실험예 1에 따라 1800℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이다.
도 8은 실험예 2에 따라 1750℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이다.
도 9는 실험예 2에 따라 1800℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
이하에서, 석영 유리 잉곳이라 하면 출발원료로 사용되는 것으로서 사이즈-업(size-up)되기 이전의 것을 의미하고, 대면적 석영 유리 잉곳이라 하면 출발원료로 사용된 석영 유리 잉곳보다 넓은 면적으로 갖는 것으로 사이즈-업(size-up)된 후의 것을 의미하는 것으로 사용한다.
본 발명은 석영 유리 잉곳을 사이즈-업(size-up) 하여 형성하면서도 복굴절이 작은 대면적 석영 유리 잉곳을 제조할 수 있는 방법을 제시한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법은, 출발원료로 복수 개의 석영 유리 잉곳과 상기 석영 유리 잉곳보다 용융점이 낮은 석영 파우더를 몰드에 배치하는 단계와, 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드를 챔버 내에 장입하는 단계와, 상기 챔버 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만드는 단계와, 상기 챔버 내의 온도가 1700∼1900℃ 범위의 온도가 되도록 가열하고 유지하여 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 용융되게 하는 단계 및 상기 석영 파우더와 복수 개의 석영 유리 잉곳이 용융되게 한 후, 냉각하는 단계를 포함한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하기 위한 장치를 도시한 도면이다. 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하기 위한 몰드를 도시한 단면도이다. 도 3은 복수 개의 석영 유리 잉곳이 몰드에 배치된 모습을 보여주는 평면도이다. 도 4는 몰드 덮개를 도시한 단면도이다. 도 5는 몰드가 몰드 덮개로 덮여진 모습을 보여주는 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 몰드(120)가 장입되는 공간을 제공하는 챔버(110)와, 챔버(110) 내에 안치되는 몰드(120)와, 챔버(110)의 둘레를 감싸게 구비되고 챔버(110) 내를 가열하기 위한 가열수단(130)과, 챔버(110)에 비활성 가스를 공급하는 가스공급부(140)와, 상기 챔버(110) 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만들기 위한 배기 장치(150) 및 챔버(110) 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구(160)를 포함한다.
상기 챔버(110)는 화학적으로 안정하고 석영 유리 잉곳의 용융 온도 보다 높은 융점을 갖는 내열성의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 챔버(110)에는 가열수단(130)이 구비되어 있고, 가열수단(130)은 전원공급수단(미도시)에 의한 전원이 공급되어 챔버(110) 내의 온도를 조절한다. 챔버(110)는 단열재(미도시)에 의해 둘러싸여 있을 수 있다. 챔버(110)의 외벽은 가열수단(130)에서 가열된 열을 단열하여 최대한 열 손실을 억제하는 작용을 하는 것으로, 내화물, 세라믹 섬유 보드(Ceramic Fiber Board), 세라믹 블랭킷(Ceramic Blanket) 등의 세라믹 재질의 열 차단 효과가 있는 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
비활성 가스를 유입시키기 위한 가스유입구(170)가 챔버(110)에 연결되며, 가스유입구(170)는 가스공급부(140)에 연결되어 비활성 가스를 공급받아 챔버(110) 내부로 공급하는 역할을 한다. 챔버(110)의 외부에는 비활성 가스를 제공하는 가스공급부(140)가 배치되고, 가스유입구(170)를 통하여 비활성 가스가 챔버(110)로 유입되게 된다.
가스배출구(160)가 챔버(110)에 연결되어 있고, 가스배출구(160)에는 펌프(pump)와 같은 배기 장치(150)가 설치되어 있을 수 있다. 상기 배기 장치(150)에 의하여 챔버(110) 내의 압력(또는 진공도)이 조절될 수 있다. 비활성 가스(또는 퍼지 가스(purge gas))를 사용하여 챔버(110) 내에 존재하는 불순물 가스를 퍼지(purge)하여 가스배출구(160)를 통해 배기시킬 수도 있다. 석영 유리 잉곳을 용융시킨 후에 냉각 시에는 가스유입구(170)를 통해 비활성 가스를 유입시켜 챔버(110) 내에 잔류하는 반응 부산물을 퍼지하여 가스배출구(160)를 통해 배기시킬 수 있다. 상기 배기 장치(150)는 챔버(110) 내부를 진공 상태로 만들거나 가스를 배기하기 위한 진공 펌프(vacuum Pump)와, 상기 진공 펌프에 의한 가스의 배기를 차단하거나 조절하기 위한 밸브(미도시) 등을 포함할 수 있다.
몰드(120)는 챔버(110) 내에 장입되고, 그 자체가 물질의 합성을 위한 가열원으로 작용할 수 있다. 몰드(120)의 외측벽(124)은 그 자체가 가열원으로 작용하기 위하여 높은 융점을 갖는 그라파이트(graphite) 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몰드(120)는 일반적으로 원통형 구조를 가지며, 이에 한정되는 것은 아니며 원하는 다양한 형태로 제작될 수도 있다.
몰드(120)는 그라파이트(graphite)로 이루어진 외측벽(124)과 그 내부의 내측벽(122)을 포함할 수 있다. 용융체와 직접적으로 접촉하는 부위인 몰드(120)의 내측벽(122)은 표면 강도가 높고, 석영 유리 잉곳의 용융 온도에서도 견딜 수 있으며, 용융체와 접촉해도 불순물을 발생시키지 않으며, 용융체가 붙는 현상을 억제하기 위하여 접촉각이 낮은 물질로 이루어진 것이 바람직하며, 이를 위해 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 몰드(120)의 내측벽(122)이 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있으므로 용융체에 불순물이 혼입되는 것을 억제할 수 있고, 용융체와 몰드(120)의 그라파이트가 반응하는 것을 방지할 수 있으며, 석영 유리 잉곳과 몰드(120)의 선팽창 계수 차이에 기초하여 생기는 냉각시의 열수축의 차가 적어지고, 냉각시에 몰드(120)가 대면적 석영 유리 잉곳을 압축하는 응력을 줄일 수 있다.
이러한 몰드(120)는 받침대(126)에 의해 지지될 수 있으며, 최종 생성되는 대면적 석영 유리 잉곳의 탈형을 쉽게 하기 위해 좌우 분리될 수 있게 구비될 수 있다.
가열수단(130)은 챔버(110)의 둘레에 배치되며, 몰드(120) 내의 석영 유리 잉곳을 가열하여 용융시키는 역할을 한다. 가열수단(130)에 의한 가열온도는 석영 유리 잉곳의 물성이나 특성 등을 고려하여 적절하게 선택하여 설정한다. 몰드(120) 내에서 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)은 적절한 온도로 가열되어 용융되게 된다.
가열수단(130)에 의해 가열되는 챔버(110) 내부의 온도는 석영 유리 잉곳(180)이 충분히 용융될 수 있는 온도인 것이 바람직하다. 챔버(110) 내부 온도는 용융되는 석영 유리 잉곳(180)의 종류에 따라 온도를 적절하게 조절하며, 가열수단(130)은 석영 유리 잉곳(180)의 특성에 따라 온도를 제어할 수 있는 특징을 가진다.
가열수단(130)은 몰드(120)를 가열하여 챔버(110) 내의 온도를 일정 값 이상으로 상승시켜 목표하는 온도로 유지함으로써 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)을 용융시키는 역할을 한다. 상기 가열수단(130)은 몰드(120)의 온도(또는 챔버(110)의 내부 온도)를 목표 온도(예컨대, 1700∼1900℃)로 상승시키고 일정하게 유지하는 역할을 한다. 상기 가열수단(130)은 고주파 유도가열 등의 방식을 이용할 수 있다. 상기 가열수단(130)에 의해 챔버(110) 내의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
상기 가열수단(130)으로 고주파(radio frequency; RF) 유도가열 방식을 이용하는 경우, RF 코일이 챔버(110) 둘레를 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 RF 코일은 고주파 발생기에 연결되어 있으며, 고주파 발생기에서 발생된 고주파 전력(RF power)이 상기 RF 코일을 통하여 인가된다. 상기 RF 코일을 통해 몰드(120)는 목표하는 온도로 가열될 수 있다. 고주파 유도가열 방식을 이용하는 경우에는 몰드(120)의 온도를 고온(예컨대, 1700∼1900℃)으로 설정이 가능한 장점이 있다.
몰드(120)의 상부를 밀봉하기 위한 덮개(190)가 더 구비될 수도 있다. 용융체와 접하는 부위인 덮개의 내측부(192)는 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있는 것이 바람직하다. 덮개의 외측부(194)는 자체 가열원으로 작용하게 하기 위하여 그라파이트 재질로 이루어져 있는 것이 바람직하다.
이하에서, 상술한 장치를 이용하여 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하는 방법을 설명한다.
사이즈-업(size-up)(또는 대면적)을 위해 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)을 준비한다. 석영 유리 잉곳(180)은 SiO2가 주성분을 이루는 석영 유리의 덩어리일 수도 있고, Ge, Ti, B, F, Al 등의 굴절률을 변화시키는 성분이 첨가되어 있는 합성 석영 유리 잉곳일 수도 있다. 시중에서 판매되고 있는 제품화된 석영 유리 잉곳을 구입하여 사이즈-업을 위한 출발원료로 사용할 수도 있다. 석영 유리 잉곳(180)은 OH기 농도가 적은 것, 예컨대 OH기 농도가 2,000ppm 이하(예컨대, 10∼2,000ppm 정도)인 것을 사용하는 것이 바람직하다. OH기 농도가 10ppm 미만인 것은 제조가 어렵고 가격이 비싸기 때문에 OH기 농도가 10∼2,000ppm 정도인 것이 바람직하다. OH기의 농도가 높은 석영 유리 잉곳(180)을 사용하게 되면 굴절률 변화를 초래하는 문제점이 있을 수 있다. 석영 유리 잉곳(180)에 함유된 OH기는 SiO2 사면체의 망목 구조를 끊어 최종 형성되는 대면적 석영 유리 잉곳의 굴절률 특성을 저하시키는 원인이 될 수 있다.
또한, 출발원료로 사용되는 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)보다 용융점이 낮은 석영 파우더(Quartz powder 또는 Fused silica powder)를 준비한다. 석영 파우더는 SiO2가 주성분을 이루는 비정질의 분말로서, 출발원료로 사용되는 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)보다 낮은 열팽창계수(예컨대, 10-6/℃)를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 석영 파우더는 100㎚∼500㎛ 정도의 평균 입경을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 100nm 이하의 석영 파우더는 제조하기가 어렵고 비싸기 때문에 비경제적이고, 500㎛를 초과하는 경우에는 용융되면서 석영 유리 잉곳(180) 사이의 계면이나 공극으로 신속하게 유입되기가 어렵고 이에 따라 석영 유리 잉곳(180) 사이의 계면이나 공극에서 발생하는 트랩 버블(트랩 기포)(trapped bubble)의 수를 줄이는데 효과적이지 못하다. 상기 석영 파우더는 OH기 농도가 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳(180)보다 낮은 것, 예컨대 OH기 농도가 1,500ppm 이하(예컨대, 1∼1,500ppm 정도)인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 석영 파우더는 출발원료로 사용하기 전에 오븐(oven)에서 건조함으로써 수분을 제거하고 사용하는 것이 바람직하다. 상기 건조는 80∼200℃ 정도의 온도에서 10분∼48시간 동안 수행하는 것이 바람직하다.
복수 개의 석영 유리 잉곳(180)과 석영 파우더를 몰드에 배치한다. 몰드(120) 내에 석영 파우더가 고르게 분포되게 배치하고, 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)을 서로 이웃하게 배치하는 것이 바람직하다. 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳(180)의 전체 함량 100중량부에 대하여 0.001∼2중량부 첨가하여 배치하는 것이 바람직하다. 몰드(120)의 내부 형태는 최종 생성되는 대면적 석영 유리 잉곳의 원하는 형태로 제작할 수 있으며, 몰드(120)의 내부 형태는 도 1에서 도시된 바와 같이 원통형으로 이루어지거나, 정사각기둥, 직사각기둥 등의 다각기둥 형태로 이루어질 수도 있다. 몰드(120) 내에 석영 파우더와 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)을 수용한 후, 몰드(120) 상부를 덮개(190)로 덮어 밀봉할 수도 있다. 석영 유리 잉곳(180)가 용융되어 형성된 용융체(용융 유리)와 접하는 부위인 덮개(190)의 내측부(192)도 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있는 것이 바람직하다.
석영 파우더와 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)이 담긴 몰드(120)를 챔버(110) 내에 장입한다.
배기 장치(150)를 이용하여 챔버(110) 내의 압력을 대기압 미만(예컨대, 2∼3×10-2Torr) 으로 감압하여 진공 상태로 만든다.
챔버(110) 내의 온도가 1700∼1900℃ 범위의 온도가 되도록 승온하고 소정 시간 동안 유지하여 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)이 용융되게 한다. 상기 승온은 1∼20℃/min 정도의 속도로 수행하는 것이 바람직하다.
1700∼1900℃의 온도에 도달하면, 석영 유리 잉곳(180)의 내부까지 충분히 가열되어 용융될 수 있는 시간(예컨대, 30∼120분) 동안 유지한다. 1700℃ 미만이면 석영 유리 잉곳(180)이 충분하게 용융되지 않을 수 있고, 1900℃를 초과하게 되면 용융체의 점도는 대폭적으로 저하되고 최종 형성되는 대면적 석영 유리 잉곳의 표면에는 요철이 발생할 수 있다. 또한, 1900℃를 초과하게 되면, 그라파이트(graphite)와 용융체의 반응에 의해 CO, CO2, SiO 또는 SiC 가스가 다량 발생할 수 있으며, 상기 가스에 의해 최종 형성되는 대면적 석영 유리 잉곳 내에 기포가 생성될 수 있어 복굴절률이 높아질 수 있다. 이러한 점들을 고려하여 가열 온도는 1700 내지 1900℃의 온도로 설정한다.
1700∼1900℃의 온도로 유지되게 되면, 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)은 용융되게 되며, 융융체는 유동되면서 몰드(120)의 내부 형상에 따른 형태를 갖게 된다.
복수 개의 석영 유리 잉곳(180)이 용융되면서 접합할 때, 면과 면 사이에 빈공간(공극)이 발생하거나, 면과 면 사이에 트랩 버블(trapped bubble)이 발생할 수 있다. 상기 유지 온도(예컨대. 1700∼1900℃)에서 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳(180)보다 용융점이 낮아 석영 유리 잉곳(180)보다 빨리 용융되게 되고, 이렇게 용융된 석영 파우더는 서로 다른 석영 유리 잉곳(180)을 바인딩(binding)하는 역할을 할 뿐만 아니라 석영 유리 잉곳(180) 사이의 공극을 메우는 역할을 하게 되어 최종 생성되는 대면적 석영 유리 잉곳 내에 공극이 형성되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 또한, 석영 파우더는 OH기 농도가 낮기 때문에 휘발에 의한 트랩 버블의 발생을 방지할 수 있고, 트랩 버블의 수를 감소시킬 수 있다.
1700∼1900℃의 온도에서 유지 시간은 30∼120분 정도인 것이 바람직하며, 30분 미만이면 복수 개의 석영 유리 잉곳(180)이 충분하게 용융되지 않을 수 있고, 120분을 초과하게 되면 최종 생성되는 대면적 석영 유리 잉곳의 내부에 과량의 기포가 발생할 수 있고 과량의 불순물이 함유될 수 있어 순도가 낮아질 수 있는 단점이 있을 수 있다.
한편, 용융체와 직접적으로 접촉하는 부위인 몰드(120)의 내측벽(122)은 표면 강도가 높고, 석영 유리 잉곳의 용융 온도에서도 견딜 수 있으며, 용융체와 접촉해도 불순물을 발생시키지 않으며, 용융체가 붙는 현상을 억제하기 위하여 접촉각이 낮은 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있다. 몰드(120)가 그라파이트 재질만으로 이루어져 용융체와 직접적으로 접촉하는 부위인 내측벽(122)이 그라파이트 재질로 이루어질 경우에는 CO, CO2 또는 SiC 가스가 발생할 수 있으며, 생성된 SiC는 석영 유리 잉곳의 표면에 부착할 수 있고, 냉각할 때 석영 유리와 그라파이트의 열팽창률의 차이에 의해서 석영유리 표면에 압축응력이 인가되어 균열(crack)이 발생할 수도 있는 문제점이 있었으나, 몰드(120)의 내측벽(122)이 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있으므로 이러한 현상을 억제할 수 있다. 몰드(120)의 내측벽(122)이 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC), 질화붕소(BN)와 같은 재질로 이루어져 있으므로 용융체에 불순물이 혼입되는 것을 억제할 수 있고, 용융체와 그라파이트가 반응하는 것을 방지할 수 있으며, 대면적 석영 유리 잉곳과 몰드(120)의 선팽창 계수 차이에 기초하여 생기는 냉각시의 열수축의 차가 적어지고, 냉각시에 몰드(120)가 대면적 석영 유리 잉곳을 압축하는 응력을 줄일 수 있다.
복수 개의 석영 유리 잉곳(180)이 용융되게 한 후, 냉각한다. 상기 냉각은 가열수단(130)의 전원을 차단하여 자연적인 상태로 서냉되게 하거나, 임의적으로 온도 하강률(예컨대, 0.1∼10℃/min)을 설정하여 냉각되게 할 수도 있다. 너무 빠른 속도로 냉각하는 경우에는 대면적 석영 유리 잉곳과 몰드(120)의 선팽창 계수의 차이에 기초하여 생기는 냉각시의 응력이 커져서 대면적 성형 유리 잉곳에 균열 등이 발생할 수 있고 수율이 저하될 수 있으므로 0.1∼10℃/min 정도의 범위 내에서 서냉하는 것이 바람직하다. 고온에서 냉각시 저온보다 냉각속도가 훨씬 빠르며, 이를 고려하여 온도 구간 별로 구분하여 냉각 속도를 설정하는 것이 바람직하다. 예컨대, 유지온도(예컨대, 1700∼1900℃) ∼ 1000℃ 까지는 5∼10℃/min의 속도로 냉각하고, 1000 ∼ 300℃ 까지는 2∼6℃/min의 속도로 냉각하며, 300℃ ∼ 상온 까지는 0.1∼1℃/min의 속도로 냉각한다.
냉각하는 동안에 비활성 가스를 주입하는 것이 바람직하다. 상기 비활성 가스인 고순도의 헬륨(He), 아르곤(Ar), 질소(N2) 등을 포함하는 가스를 사용할 수 있다. 상기 비활성 가스는 1∼20 slpm의 유량으로 공급하는 것이 바람직하다. 냉각시에 비활성 가스를 주입하게 되면 반응생성물의 발생을 억제하여 순도가 높은 대면적 석영 유리 잉곳을 얻을 수 있으며, 또한 냉각 속도를 조절할 수 있는 장점이 있다.
충분히 냉각된 후에 챔버(110)에서 몰드(120)를 언로딩하고, 몰드(120)로부터 대면적 석영 유리 잉곳을 꺼낸다.
이렇게 제조된 대면적 석영 유리 잉곳은 몰드(120)의 형상에 따른 형태를 갖게 되며, 출발원료로 사용된 석영 유리 잉곳(180)보다 대면적을 갖는다.
상술한 방법은 비교적 큰 지름의 석영 유리 잉곳을 얻기 쉽고, 고균질 및 고품질의 대면적 석영 유리 잉곳을 얻을 수 있으며, 이와 같이 제조된 대면적 석영 유리 잉곳은 잘라내어 광학 부재 등과 같은 다양한 용도로 사용될 수 있다.
이하에서, 본 발명에 따른 실험예들을 구체적으로 제시하며, 다음에 제시하는 실험예들에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1>
도 1에 도시된 장치와 도 2에 도시된 몰드를 이용하여 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하였다.
사이즈-업(size-up)(또는 대면적)을 위해 2개의 석영 유리 잉곳을 준비하였다. 상기 석영 유리 잉곳은 OH기 농도가 200ppm 정도인 것을 사용하였다. 상기 석영 유리 잉곳 각각의 무게는 300g 정도 였다.
몰드(120) 내에 2개의 석영 유리 잉곳을 서로 이웃하게 배치하였다. 몰드(120)의 내부 형태는 도 2에서 도시된 바와 같이 원통형으로 이루어졌고, 내부직경이 8cm이고, 높이가 15cm인 것을 사용하였다.
몰드(120) 내에 2개의 석영 유리 잉곳을 수용한 후, 몰드(120) 상부를 덮개(190)로 덮어 밀봉하였다.
2개의 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드(120)를 챔버(110) 내에 장입하였다.
배기 장치(150)를 이용하여 챔버(110) 내의 압력을 2∼3×10- 2Torr로 감압하여 진공 상태로 만들었다.
챔버(110) 내의 온도가 각각 1750℃, 1800℃의 온도가 되도록 승온하고 각각 1시간 동안 유지하여 석영 유리 잉곳이 용융되게 하였다. 상기 승온은 1200℃까지는 10℃/min의 속도로 수행하고, 1200∼1750℃, 1200∼1800℃의 온도구간에서는 5℃/min의 속도로 수행하였다.
1750℃, 1800℃의 온도에서 1시간 유지 후에 냉각하였다. 상기 냉각은 가열수단(130)의 전원을 차단하여 자연적인 상태로 서냉되게 하였다. 냉각하는 동안에 비활성 가스인 질소(N2)를 주입하였다. 1750℃와 1800℃에서 900℃로 냉각되는 동안에는 질소(N2)를 주입하여 챔버 내의 압력이 3MPa 정도가 되게 하였으며, 900℃에서 상온까지 냉각되는 동안에서 질소(N2)를 주입하여 챔버 내의 압력이 1MPa 정도가 되게 하였다.
충분히 냉각된 후에 챔버(110)에서 몰드(120)를 언로딩하고, 몰드(120)로부터 대면적 석영 유리 잉곳을 꺼내었다.
<실험예 2>
도 1에 도시된 장치와 도 2에 도시된 몰드를 이용하여 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하였다.
사이즈-업(size-up)(또는 대면적)을 위해 2개의 석영 유리 잉곳을 준비하였다. 상기 석영 유리 잉곳은 OH기 농도가 200ppm 정도인 것을 사용하였다. 상기 석영 유리 잉곳 각각의 무게는 300g 정도 였다.
또한, 출발원료로 사용되는 복수 개의 석영 유리 잉곳보다 용융점이 낮은 석영 파우더를 준비하였다. 석영 파우더는 SiO2가 주성분을 이루는 비정질의 분말로서, 10-6/℃ 정도의 열팽창계수를 갖는 것을 사용하였다. 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용하기 전에 오븐(oven)에서 100℃ 정도의 온도에서 8시간 동안 건조하였다. 상기 석영 파우더는 1㎛ 정도의 평균 입경을 갖는 것을 사용하였으며, OH기 농도는 100ppm 정도인 것을 사용하였다.
몰드(120) 내에 석영 파우더가 고르게 분포되게 넣고, 2개의 석영 유리 잉곳을 서로 이웃하게 배치하였다. 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳의 전체 함량 100중량부에 대하여 0.167중량부 정도 첨가하였다. 몰드(120)의 내부 형태는 도 2에서 도시된 바와 같이 원통형으로 이루어졌고, 내부직경이 8cm이고, 높이가 15cm인 것을 사용하였다.
몰드(120) 내에 석영 파우더와 2개의 석영 유리 잉곳을 수용한 후, 몰드(120) 상부를 덮개(190)로 덮어 밀봉하였다.
석영 파우더와 2개의 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드(120)를 챔버(110) 내에 장입하였다.
배기 장치(150)를 이용하여 챔버(110) 내의 압력을 2∼3×10- 2Torr로 감압하여 진공 상태로 만들었다.
챔버(110) 내의 온도가 각각 1750℃와 1800℃의 온도가 되도록 승온하고 각각 1시간 동안 유지하여 석영 유리 잉곳이 용융되게 하였다. 상기 승온은 1200℃까지는 10℃/min의 속도로 수행하고, 1200∼1750℃, 1200∼1800℃의 온도구간에서는 5℃/min의 속도로 수행하였다.
1750℃, 1800℃의 온도에서 1시간 유지 후에 냉각하였다. 상기 냉각은 가열수단(130)의 전원을 차단하여 자연적인 상태로 서냉되게 하였다. 냉각하는 동안에 비활성 가스인 질소(N2)를 주입하였다. 1750℃와 1800℃에서 900℃로 냉각되는 동안에는 질소(N2)를 주입하여 챔버 내의 압력이 3MPa 정도가 되게 하였으며, 900℃에서 상온까지 냉각되는 동안에서 질소(N2)를 주입하여 챔버 내의 압력이 1MPa 정도가 되게 하였다.
충분히 냉각된 후에 챔버(110)에서 몰드(120)를 언로딩하고, 몰드(120)로부터 대면적 석영 유리 잉곳을 꺼내었다.
도 6은 실험예 1에 따라 1750℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이고, 도 7은 실험예 1에 따라 1800℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이며, 도 8은 실험예 2에 따라 1750℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이고, 도 9는 실험예 2에 따라 1800℃에서 1시간 동안 유지되어 제조된 대면적 석영 유리 잉곳을 보여주는 사진이다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 실험예 1에 따라 제조된 대면적 석영 유리 잉곳에는 공극이 형성되어 있는 것을 볼 수 있으나, 실험예 2에 따라 제조된 대면적 석영 유리 잉곳에는 실험예 1에 따라 제조된 대면적 석영 유리 잉곳에 비하여 공극이 적은 것을 볼 수 있었다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
110: 챔버
120: 몰드
130: 가열수단
140: 가스공급부
150: 배기 장치
160: 가스배출구
170: 가스유입구
180: 석영 유리 잉곳
190: 몰드 덮개

Claims (13)

  1. 출발원료로 복수 개의 석영 유리 잉곳과 상기 석영 유리 잉곳보다 용융점이 낮은 석영 파우더를 몰드에 배치하는 단계;
    상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드를 챔버 내에 장입하는 단계;
    상기 챔버 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만드는 단계;
    상기 챔버 내의 온도가 1700∼1900℃ 범위의 온도가 되도록 가열하고 유지하여 상기 석영 파우더와 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳이 용융되게 하는 단계; 및
    상기 석영 파우더와 복수 개의 석영 유리 잉곳이 용융되게 한 후, 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 복수 개의 상기 석영 유리 잉곳은 OH기 농도가 10∼2,000ppm 범위인 것을 특징으로 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳의 전체 함량 100중량부에 대하여 0.001∼2중량부 첨가하여 상기 몰드에 배치하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 복수 개의 석영 유리 잉곳보다 낮은 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용되는 석영 유리 잉곳보다 낮은 OH기 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 석영 파우더는 100㎚∼500㎛의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 석영 파우더는 출발원료로 사용하기 전에 오븐(oven)에서 건조하여 수분을 제거한 후에 출발원료로 사용하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 챔버;
    상기 챔버 내에 안치되고 자체 가열원으로 작용하는 상기 몰드;
    상기 챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 몰드를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;
    상기 챔버에 비활성 가스를 공급하는 가스공급부;
    상기 챔버 내의 압력을 대기압 미만으로 감압하여 진공 상태로 만들기 위한 배기 장치; 및
    상기 챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하는 장치를 이용하여 대면적 석영 유리 잉곳을 제조하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 비활성 가스는 헬륨(He), 아르곤(Ar) 또는 질소(N2) 가스를 포함하는 가스를 사용하고,
    상기 비활성 가스는 1∼20 slpm의 유량으로 공급하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 출발원료로 사용되는 상기 석영 유리 잉곳의 용융체와 접촉하는 부위인 내측벽은 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC) 또는 질화붕소(BN) 재질로 이루어지고, 외측벽은 자체 가열원으로 작용하게 하기 위하여 그라파이트 재질로 이루어진 몰드를 사용하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 복수 개의 석영 유리 잉곳이 담긴 몰드는 덮개로 덮여져서 밀봉되며,
    출발원료로 사용되는 상기 석영 유리 잉곳의 용융체와 접하는 부위인 내측부가 DLC(diamond like carbon), 텅스텐 카바이드(WC) 또는 질화붕소(BN) 재질로 이루어지고, 외측부는 자체 가열원으로 작용하게 하기 위하여 그라파이트 재질로 이루어진 덮개를 사용하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 1700∼1900℃의 온도에서 30∼120분 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 냉각은 0.1∼10℃/min의 범위 내에서 서냉하는 것을 특징으로 하는 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법.
KR1020150124607A 2015-09-03 2015-09-03 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법 KR101806791B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150124607A KR101806791B1 (ko) 2015-09-03 2015-09-03 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150124607A KR101806791B1 (ko) 2015-09-03 2015-09-03 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170027960A true KR20170027960A (ko) 2017-03-13
KR101806791B1 KR101806791B1 (ko) 2017-12-08

Family

ID=58411737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150124607A KR101806791B1 (ko) 2015-09-03 2015-09-03 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101806791B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200043049A (ko) * 2018-10-17 2020-04-27 주식회사 엘지화학 유리 제조 장치
KR102132252B1 (ko) 2019-03-07 2020-07-09 비씨엔씨 주식회사 쿼츠 재가공 방법
CN115108713A (zh) * 2022-06-15 2022-09-27 江苏亨芯石英科技有限公司 一种高光学均匀性石英玻璃的制备工艺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102416265B1 (ko) * 2020-08-27 2022-07-05 한국광기술원 쿼츠 유리 앰플 실링장치
KR102566720B1 (ko) 2022-12-23 2023-08-14 비씨엔씨 주식회사 쿼츠 재가공 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101287275B1 (ko) 2005-06-10 2013-07-17 제너럴 일렉트릭 캄파니 자유-형성된 석영 유리 잉곳 및 이의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101287275B1 (ko) 2005-06-10 2013-07-17 제너럴 일렉트릭 캄파니 자유-형성된 석영 유리 잉곳 및 이의 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200043049A (ko) * 2018-10-17 2020-04-27 주식회사 엘지화학 유리 제조 장치
KR102132252B1 (ko) 2019-03-07 2020-07-09 비씨엔씨 주식회사 쿼츠 재가공 방법
CN115108713A (zh) * 2022-06-15 2022-09-27 江苏亨芯石英科技有限公司 一种高光学均匀性石英玻璃的制备工艺
CN115108713B (zh) * 2022-06-15 2024-01-26 江苏亨芯石英科技有限公司 一种高光学均匀性石英玻璃的制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
KR101806791B1 (ko) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101806791B1 (ko) 대면적 석영 유리 잉곳의 제조방법
US4358306A (en) Method for molding a fused quartz glass block
KR101375622B1 (ko) 바륨이 도핑된 내벽을 갖는 실리카 유리 도가니
KR101104674B1 (ko) 대경의 실리콘 단결정 잉곳 중의 핀홀 결함의 저감을 가능하게 하는 대경 실리콘 단결정 잉곳 인상용 고순도 석영 유리 도가니
US8347650B2 (en) Method of producing a quartz glass crucible
WO2000059837A1 (en) Method for manufacturing quartz glass crucible
WO2016041242A1 (zh) 一种重复多次拉制单晶硅用石英坩埚及其制造方法
JPH08208249A (ja) 溶融シリカガラス製品の製造方法
US20110079175A1 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
EP2022765B1 (en) Method for making a silica glass crucible
KR101474043B1 (ko) 실리콘 단결정 인상용 석영유리 도가니 및 그 제조방법
JP5829686B2 (ja) 合成石英ガラスから成る透明な内層を備えた石英ガラスるつぼを製造する方法
WO1987005286A1 (en) Process for manufacturing glass
KR101835412B1 (ko) 석영 유리 도가니 및 그 제조방법, 그리고 실리콘 단결정의 제조방법
KR101690988B1 (ko) 석영 유리 잉곳의 사이즈-업 방법
JP5639264B2 (ja) 石英ガラスルツボを製造する方法
JP3770566B2 (ja) シリンダー状石英ガラスの製造方法
KR101703691B1 (ko) 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법, 및 실리콘 단결정의 제조 방법
KR20110080342A (ko) 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
CN112553683B (zh) 一种用于晶体生长的化料方法
JP6713382B2 (ja) 石英ガラスルツボの製造方法、及び石英ガラスルツボ
AU755861B2 (en) Method of producing glass article and glass base material for optical fiber
CN112830666B (zh) 真空炉及石英玻璃制备方法
CN202089888U (zh) 一种大直径石英坩埚制造装置
JP5806941B2 (ja) シリカ焼結体ルツボの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant