JP2016034896A - シリコンブロック、該シリコンブロックを製造する方法、該方法を実施するのに適した透明又は不透明な溶融シリカのルツボ及び該ルツボの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】該分散液が、分散液体及び1μm〜50μmの範囲内の粒度を有する粗大分及び100nm未満の粒度を有するSiO2ナノ粒子を有する微細分を形成する非晶質SiO2粒子を含有し、該SiO2ナノ粒子の質量百分率が、該分散液の固形分を基準として2〜15質量%であり、該結晶粒層が、該結晶成長法におけるシリコンの加熱中に熱により緻密化されて拡散バリア層となる。
【選択図】なし
Description
(a)該分散液が、分散液体と、1μm〜50μmの範囲内の粒度を有する粗大分及び100nm未満の粒度を有するSiO2ナノ粒子を有する微細分を形成する非晶質SiO2粒子とを含有し、その際に、該分散液の固形分を基準とした該SiO2ナノ粒子の質量百分率は、2〜15質量%の範囲内であり、
(b)かつ、該SiO2を含有する結晶粒層が、該結晶成長法における該シリコンの加熱により熱により緻密化されて、該拡散バリア層となる
ことによって、達成される。
・該スリップの初期液体含有率―該含有率は、該スリップ層内部の該SiO2ナノ粒子の十分な移動度を保証するために、十分に高くあるべきであり、好ましくは少なくとも20質量%であるべきである。
本発明は、実施態様及び図面を参照してより詳細に説明される。詳細には以下の通りである。
非晶質の透明溶融シリカ結晶粒を、透明溶融シリカでライニングされたドラムミル中で分散液体中へ混入する。該透明溶融シリカ結晶粒は、天然に存在する原料から製造されており、かつ250μm〜650μmの範囲内の粒度を有する、透明溶融シリカからなる。この混合物を、透明溶融シリカ製の粉砕ボールを用いて、回転架台上で、23rpmで3日の期間にわたって、均質なスリップが形成されるように粉砕する。該粉砕プロセスの過程で、そのpHは、SiO2の溶解のために約4に低下される。
天然に存在する原料の透明溶融シリカ結晶粒の代わりに、約800質量ppmのヒドロキシル基含有率を有する、合成的に製造された透明溶融シリカのSiO2結晶粒を使用する。これらのSiO2結晶粒は、高純度で及び異なる粒度で商業的に入手可能である。該非晶質SiO2粒子のSiO2含有率は、少なくとも99.99質量%であり、かつ該遷移元素の金属不純物の全含有率は、1質量ppm未満である。鉄の含有率は0.1質量ppm未満である。
不透明溶融シリカのルツボ材料は、開気孔度を有し、かつスリップキャスティング用の吸収性基材を形成する。この材料(本体)上に、スリップ層を、該結合剤不含のスリップから、ナイフ塗付(“キャスティング”とも呼ばれる)により製造する。このプロセスにおいて、約1mmの厚さを有するSiO2スリップ層を、水平に支持されたプレート上へナイフ塗付し、その直後に、機械的圧力を、該ナイフ装置を用いて該スリップ層上に作用させる。
上記の結合剤不含のSiO2スリップは、低い粘度を有し、かつそれ自体として、スプレースリップとして直接使用することができる。試験において、このスリップを、開気孔度を有する吸収性の不透明溶融シリカ本体上へのスプレーコーティングを製造するのに使用した。
天然に存在する原料製の透明溶融シリカから製造された商業的に入手可能な不透明な溶融シリカルツボ1のコーティングを、図4に略示的に示された多段構成において行った。
シリコンブロックを製造するための結晶成長を、コーティングされた不透明溶融シリカルツボを使用することにより、かつそれ以外は例えばDE 10 2005 013 410 B4に記載されたような標準プロセスにおいて、実施した。
図5は、“MDP”(“マイクロ波検出光伝導度(microwave detected photoconductivity)”)により測定される、該シリコンブロックの典型的な断面を示す。この測定法を用いて、半導体材料中の少数電荷キャリヤライフタイム(LTLD)が測定される。該少数電荷キャリヤライフタイムは通常、擬似カラー表示で図示される―図5において、該図は、グレースケールで維持され、かつ該グレー値は、項目“g”(緑)、“b”(青)及び“r”(赤)で補足される実際に着色された領域に相当する。長い電荷キャリヤライフタイムは、緑色及び青色の測定点に割り当てられる。該擬似カラー表示は、赤の色が、短い電荷キャリヤライフタイム(LTLD<6μs)を有する帯域に割り当てられるようにスケーリングされている。ゆえに、赤に着色された帯域は、短い電荷キャリヤライフタイムを有する拡散導入帯域を表す。それらは、ここでは“赤色帯域”と呼ばれる、低質の材料領域を表す。除去されうる外皮の厚さは、該赤色帯域の厚さに依存する。
Claims (15)
- シリコン用の結晶成長法において使用するための長方形状のソーラールツボを製造する方法であって、内壁を有する透明又は不透明な溶融シリカ製のルツボ基体を用意し、かつ非晶質SiO2粒子を含有する分散液を用意し、該分散液を使用することにより少なくとも0.1mmの層厚を有するSiO2含有スリップ層を該内壁の少なくとも一部に塗付し、該スリップ層を乾燥させて、SiO2を含有する結晶粒層を形成し、かつSiO2を含有する該結晶粒層を熱により緻密化させて拡散バリア層を形成することを含んでなり、前記方法は、
(a)該分散液が、分散液体と、1μm〜50μmの範囲内の粒度を有する粗大分及び100nm未満の粒度を有するSiO2ナノ粒子を有する微細分を形成する非晶質SiO2粒子とを含有し、その際に、該分散液の固形分を基準として該SiO2ナノ粒子の質量百分率は、2〜15質量%の範囲内であり、
(b)かつSiO2を含有する該結晶粒層が、該結晶成長法における該シリコンの加熱により熱により緻密化されて、該拡散バリア層となる
ことを特徴とする、ソーラールツボの製造方法。 - 該分散液の固形分が、80質量%未満、好ましくは70〜80質量%及び特に好ましくは74〜78質量%である、請求項1記載の方法。
- 該分散液が、結合剤不含であり、かつ該非晶質SiO2粒子のSiO2含有率が、少なくとも99.99質量%であり、その際に、該遷移元素の金属不純物の全含有率が、5質量ppm未満、特に好ましくは2.5質量ppm未満であり、かつ鉄の含有率が、2質量ppm未満、好ましくは1質量ppm未満及び特に好ましくは0.5質量ppm未満である、請求項1又は2記載の方法。
- 該スリップ層を、該分散液のキャスティング又は吹付けにより該内壁上へ塗付する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 100nm未満の粒度を有するSiO2ナノ粒子からなる微細分が、該鋳肌の70%より多い体積割合、好ましくは80%より多い体積割合を占める、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 該内壁が、該スリップ層の塗付前に給湿され、かつ多孔質内壁を有するルツボ基体が使用される、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 該スリップ層の乾燥後に得られる未焼結層が、0.1〜1.5mmの範囲内、好ましくは0.5〜1.5mmの範囲内及び特に好ましくは0.7〜1.0mmの範囲内の層厚を有する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 透明又は不透明な溶融シリカ製の、内壁を有するルツボ基体と、該内壁を少なくとも部分的に覆うSiO2含有層とを有する、結晶成長法において使用するための長方形状のソーラールツボにおいて、該SiO2含有層が、1μm〜50μmの範囲内の粒度を有する粗大分及び100nm未満の粒度を有するSiO2ナノ粒子の微細分を形成する非晶質SiO2粒子を含有する結晶粒層として形成されており、その際に、該結晶粒層中の該SiO2ナノ粒子の質量百分率が、2〜15質量%の範囲内であることを特徴とする、ソーラールツボ。
- 該結晶粒層の表面近傍の体積部分内部の微細分が豊富化されており、SiO2ナノ粒子が70%より多い体積割合、好ましくは80%より多い体積割合を占める、請求項8記載のソーラールツボ。
- 該SiO2結晶粒層が、少なくとも50質量ppmのヒドロキシル基含有率を有する合成透明溶融シリカガラスからなる、請求項8又は9記載のソーラールツボ。
- 透明又は不透明な溶融シリカ製の、内壁を有するルツボ基体と、該内壁を少なくとも部分的に覆うSiO2含有層とを有し、結晶成長法において使用するための長方形状のソーラールツボにおいて、該SiO2含有層が、10%未満の気孔度、0.1〜1.3mmの範囲内の厚さ及び2質量ppm未満の鉄の含有率を有する拡散バリア層として形成されていることを特徴とする、ソーラールツボ。
- 該拡散バリア層が、0.4〜1.3mmの範囲内の厚さ、特に好ましくは0.6〜0.9mmの範囲内の厚さを有する、請求項11記載のソーラールツボ。
- 内壁を有し、該内壁が少なくとも部分的にSiO2を含有する結晶粒層により覆われている、透明又は不透明な溶融シリカ製のルツボ基体を有するソーラールツボを用意し、その際にシリコンを該ソーラールツボ中へ満たし、該シリコンを加熱してシリコン融液を形成し、かつ該シリコン融液を、結晶化及びシリコンブロックの形成を伴いながら冷却させることによって、結晶成長法においてシリコンブロックを製造する方法において、該結晶粒層が、1μm〜50μmの範囲内の粒度を有する粗大分及び100nm未満の粒度を有するSiO2ナノ粒子の微細分を形成する非晶質SiO2粒子を含有し、その際に、該結晶粒層中の該SiO2ナノ粒子の質量百分率が、2〜15質量%の範囲内であり、かつSiO2を含有する該結晶粒層が、該シリコンの加熱中に熱により緻密化される、ソーラールツボが使用されることを特徴とする、シリコンブロックの製造方法。
- 該シリコン融液の形成前に、該結晶粒層が、その理論密度の90%より大きい、好ましくは93%より大きい密度に達している、請求項13記載の方法。
- 請求項13又は14記載の結晶成長法において得られた、単結晶又は多結晶の構造を有するシリコンブロック。
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