JP2012036038A - 多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器並びに多孔質シリカ板体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。
【選択図】 図1
Description
また、本発明に係る多孔質シリカ板体の製造方法であれば、そのようなシリカ板材を製造することができる。
図4に示したように、角形シリカ容器10を構成する多孔質シリカ板体は、カーボン製等のサセプタ80により固定することができる。
まず、製造時の低コスト化のため、従来のような高純度シリカ原料粉(高純度水晶粉、高純度石英粉、超高純度合成シリカガラス粉)は必ずしも使用しないで、上記のように、シリカ純度SiO299.9〜99.999wt.%の比較的低純度のシリカ原料粉を使用することが好ましい。
本発明に係る多孔質シリカ板体151の製造方法の一例(第1の態様、湿式法)の概略を図7に示した。
第一の原料粉のシリカ純度は、99.9wt.%以上とすることが好ましく、99.99wt.%以上とすることがさらに好ましい。特に、Li、Na、Kの各々の濃度を5wt.ppm以下とし、Ti、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Auの各々の濃度を0.1wt.ppm以下とすることが好ましい。また、本発明に係る角形シリカ容器の製造方法であれば、第一の原料粉のシリカ純度を99.999wt.%以下と比較的低純度のものとしても、製造される角形シリカ容器は、シリコン融液や多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる。そのため、従来よりも低コストで多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を製造することができることになる。
第二の原料粉を顆粒体とするには、例えば以下のような手順により行うことができる。
まず、第一の原料粉を主原料とし、第二の原料粉を、好ましくは5wt.%〜50wt.%、より好ましくは10〜30wt.%の範囲で均一に混合する。ここでの原料粉の混合比率により、混合スラリー131を作製する際の第一の原料粉と第二の原料粉との配合比が決まる。製造コストを低減させる目的からは、なるべく第一の原料粉の第二の原料粉に対する比率を高くする必要がある。第二の原料粉の混合比率が5wt.%以上であれば、成形、焼成後の多孔質シリカ板体151の空隙が少なくなり、密度が十分に高く、その結果多孔質シリカ板体151の寸法精度や耐熱性を向上させることができる。また、第二の原料粉の混合比率が50wt.%以下であれば、成形、焼成後の多孔質シリカ板体151の空隙を十分確保でき、離型性をより高めることができる。混合手法としては、比較的量が少ない場合、V型ミキサーを用いることもできるが、この手法に限定されるわけではない。
上記で作製した第一の原料粉と第二の原料粉との混合粉を、主原料として95〜80wt.%、純水を5〜20wt.%として混合スラリー131とする。角形シリカ容器10作製中の不純物汚染には注意が必要であり、多孔質シリカ板体151中のLi、Na、Kの各濃度が5wt.ppm以下となるように混合スラリー131を作製することが好ましく、1wt.ppm以下とすることがさらに好ましい。
円筒状シリカガラス容器及びシリカガラスボールから成るボールミルの中に混合スラリー131を投入し1〜2時間混合する。作製された混合スラリー131の密度(比重)は1.6〜2.1g/cm3好ましくは1.7〜2.0g/cm3とし、粘性度は1〜10/secのせん断速度において300〜3000mPa・secとすることが好ましい。
シリカガラスチャンバー内に混合スラリー131を設置し、室温下にて104Pa以下の真空度で5〜30分間真空脱ガス処理を行う。ただし、この処理は製造された角形シリカ容器の用途によっては行わない場合もある。
ここで溝及び穴の少なくともいずれかを形成した面の側は、後述する焼成工程で加熱される面となる。
図9に示した一方向加熱電気炉401は、例えば、高純度アルミナボード等からなる上部保温材411及び下部保温材412、二珪化モリブデン等からなるヒーター421、吸気口431、排気口432、多孔質シリカ板体の仮成形体141を搬送する耐熱性ベルトコンベアー441等を具備する。
本発明に係る角形シリカ容器10の製造方法の別の一例(第2の態様、乾式法)の概略を図8に示した。
ここで溝及び穴の少なくともいずれかを形成した面の側は、後述する焼成工程で加熱される面となる。
この工程は、上記した第1の態様の焼成工程と同様にして行うことができる。
まず、本発明に係る角形シリカ容器に原料である溶融シリコンを投入する。次に、溶融シリコンを加熱保温し所定温度の融液とする。次に、角形シリカ容器の底部から冷却を進め、シリコンの結晶を成長させる。
その後、取り出した多結晶シリコンインゴットを所定の厚さにスライスして、多結晶シリコン基板とする。
(実施例1)
図7に示した本発明に係る多孔質シリカ板体の製造方法(第1の態様)に従い、以下のように多孔質シリカ板体を製造し、さらに角形シリカ容器を製造した。
天然珪石を50kg準備し、大気雰囲気下で、1000℃、10時間の条件で加熱後、純水の入った水槽へ投入し、急冷却した。これを乾燥後、クラッシャーを用いて粉砕し、粒径0.1〜1.0mm、シリカ(SiO2)純度99.99wt.%、総重量40kgのシリカ粉(天然珪石粉)とした。
この多孔質シリカ板体の仮成形体141を、図9に示したような一方向加熱電気炉401内に設置した。
実施例1と同様に角形シリカ容器の製造を行った。ただし、多孔質シリカ板体の仮成形体141の一方の表面部全体に塩化バリウムを塗布し、焼成工程においてこの面とは反対側の面を加熱面として一方向加熱を行った。
実施例1と同様に角形シリカ容器の製造を行った。ただし、混合スラリー131に塩化アルミニウムAlCl3を少量混合した。
実施例1と同様に角形シリカ容器の製造を行った。ただし、混合スラリー131に塩化アルミニウムAlCl3を少量混合し、また、多孔質シリカ板体の仮成形体141の一方の表面部全体に塩化バリウムを塗布し、焼成工程においてこの面とは反対側の面を加熱面として一方向加熱を行った。
図8に示した本発明に係る多孔質シリカ板体の製造方法(第2の態様)に従い、以下のように多孔質シリカ板体を製造し、さらに角形シリカ容器を製造した。
実施例5と同様に角形シリカ容器の製造を行った。ただし、多孔質シリカ板体の仮成形体241の一方の表面部全体に塩化バリウムを塗布し、焼成工程においてこの面とは反対側の面を加熱面として一方向加熱を行った。
実施例5と同様に角形シリカ容器の製造を行った。ただし、混合粉231に塩化アルミニウムAlCl3を少量混合した。
実施例5と同様に角形シリカ容器の製造を行った。ただし、混合粉231に塩化アルミニウムAlCl3を少量混合し、また、多孔質シリカ板体の仮成形体241の一方の表面部全体に塩化バリウムを塗布し、焼成工程においてこの面とは反対側の面を加熱面として一方向加熱を行った。
以下のようにして、角形シリカ容器を製造した。
天然珪石を50kg準備し、大気雰囲気下で、1000℃、10時間の条件で加熱後、純水の入った水槽へ投入し、急冷却した。これを乾燥後、クラッシャーを用いて粉砕し、高純度化処理を行い、粒径0.1〜1.0mm、シリカ(SiO2)純度99.999wt.%、総重量40kgのシリカ粉(天然珪石粉)とした。
以下のようにして、角形シリカ容器を製造した。
各実施例及び比較例において用いた原料粉、並びに、製造した多孔質シリカ板体及び角形シリカ容器の物性、特性評価を以下のようにして行った。
かさ密度の測定方法:
多孔質シリカ板体の表面部分から50mm×50mm×3mmの板状サンプルを切り出し、該サンプルの重量(g)を測定した。
次いで、純水の入った水槽中に該サンプルを浸漬させて、該サンプルの重量減を測定することにより、該サンプルの体積(cm3)を求めた。これらの2つの数値からかさ密度(g/cm3)を計算した。
光学顕微鏡又は電子顕微鏡で各原料粉の二次元的形状観察及び面積測定を行った。次いで、粒子の形状を真円と仮定し、その面積値から直径を計算して求めた。この手法を統計的に繰り返し行い、粒径の範囲の値とした(この範囲の中に99wt.%以上の原料粉が含まれる)。
所定の位置からシリカサンプル片を切り出し、フッ化水素酸水溶液で溶解させるサンプル調整を行った。特に離型促進剤の濃度分析においては、角形シリカ容器の内表層部分から20mm×20mm×2mmのサンプルを複数枚切り出し、分析用シリカサンプル片とした。含有金属元素濃度が比較的低い場合は、プラズマ発光分析法(ICP−AES、Inductively Coupled Plasma − Atomic Emission Spectroscopy)又はプラズマ質量分析法(ICP−MS、Inductively Coupled Plasma − Mass Spectroscopy)で行い、含有金属元素濃度が比較的高い場合は、原子吸光光度法(AAS、Atomic Absorption Spectroscopy)で行った。
多孔質シリカ基体から粒径10〜100μmの粉状サンプルを作製し、赤外線拡散反射分光光度法で行った。OH基濃度への換算は、以下文献に従う。
Dodd,D.M. and Fraser,D.B.(1966) Optical determination of OH in fused silica. Journal of Applied Physics, vol.37, P.3911.
角形シリカ容器の中へSi純度99.9999999wt.%の高純度シリコン溶融体を投入し、室温まで冷却して寸法400mm×400mm×300mmの多結晶シリコンインゴットを作製した。次いで、該インゴットの表面から5mm深さの位置でシリコン片のサンプリングを行い、これを酸性溶液処理することにより溶液状サンプルとした後、ICP−AESにて、Na濃度分析を行った。Na濃度値によって、角形シリカ容器から多結晶シリコンインゴットへの不純物拡散防止効果を評価した。
不純物拡散防止効果大 ○(Naの濃度が10wt.ppb未満)
不純物拡散防止効果中 △(Naの濃度が10wt.ppb以上100wt.ppb未満)
不純物拡散防止効果小 ×(Naの濃度が100wt.ppb以上)
前記同様に多結晶シリコンインゴットを作製し、次いで角形シリカ容器の4カ所の側壁角部及び4カ所の側壁と底部の角部の溶着している部分をカッターにて切断し、該インゴットから角形シリカ容器の4つの側壁及び底板を剥がし取った。該インゴット表面に残存する凹凸やクラック等が、角形シリカ容器の内表面と接触した位置から内部方向にどのくらいの深さまであるのかをスケールにより測定することで離型性の評価を行った。
離型性良好 ○(深さ2mm未満)
離型性中程度 △(深さ2mm以上5mm未満)
離型性悪い ×(深さ5mm以上)
角形シリカ容器の製造コストを調べた。
基準を比較例1とし、特にシリカ原料粉コスト、粉体成形コスト、成形体の焼成コスト等の合計値を相対的に評価した。
コストが低い ○(50%以下)
コストが中程度 △(50〜90%程度)
コストが大きい ×(比較例1を100%とする)
では、離型性に優れた多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を、低コストで製造することができた。
11…側壁部、 12…側壁部内表面、 13…側壁部外表面、
21…底部、 22…底部内表面、 23…底部外表面、
31…溝、 32…穴、
80…サセプタ、
131…混合スラリー、 141…仮成形体、 151…多孔質シリカ板体、
231…混合粉、 241…仮成形体、 251…多孔質シリカ板体、
401…一方向加熱電気炉、411…上部保温材、 412…下部保温材、
421…ヒーター、 431…吸気口、 432…排気口、
441…耐熱性ベルトコンベアー。
Claims (21)
- シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、
多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、
前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高いことを特徴とする多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 - 前記多孔質シリカ板体のかさ密度が1.60〜2.20g/cm3であり、
前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、内外それぞれの表面から深さ3mmまでにおけるかさ密度について0.05g/cm3以上の差を有することを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 - 前記角形シリカ容器は、Al濃度が5〜500wt.ppmであり、OH基濃度が5〜500wt.ppmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。
- 前記角形シリカ容器の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。
- 前記離型促進剤としてCa、Sr、Baのうち1以上が、前記角形シリカ容器の内表面から深さ2mmまでにおいて、各元素の合計値として50〜5000wt.ppmの濃度で添加されているものであることを特徴とする請求項4に記載の多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。
- 前記離型促進剤としてCa、Sr、Baのうち1以上が、各元素の合計値として50〜5000μg/cm2の濃度で塗布されているものであることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。
- 前記角形シリカ容器に含有されているLi、Na、Kの各々の濃度が5wt.ppm以下であり、Ti、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Auの各々の濃度が0.1wt.ppm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。
- 多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体であって、
かさ密度が1.60〜2.20g/cm3であり、
両平行平面の表面部分が、それぞれの表面から深さ3mmまでにおけるかさ密度について0.05g/cm3以上の差を有するものであることを特徴とする多孔質シリカ板体。 - 前記多孔質シリカ板体は、Al濃度が5〜500wt.ppmであり、OH基濃度が5〜500wt.ppmであることを特徴とする請求項8に記載の多孔質シリカ板体。
- 前記両平行平面の少なくとも一方の表面部分の一部に、多結晶シリコンの離型を促進する離型促進剤が含有されていることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の多孔質シリカ板体。
- 前記離型促進剤としてCa、Sr、Baのうち1以上が、前記表面から深さ2mmまでにおいて、各元素の合計値として50〜5000wt.ppmの濃度で添加されているものであることを特徴とする請求項10に記載の多孔質シリカ板体。
- 前記離型促進剤としてCa、Sr、Baのうち1以上が、各元素の合計値として50〜5000μg/cm2の濃度で塗布されているものであることを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の多孔質シリカ板体。
- 前記多孔質シリカ板体に含有されているLi、Na、Kの各々の濃度が5wt.ppm以下であり、Ti、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Auの各々の濃度が0.1wt.ppm以下であることを特徴とする請求項8ないし請求項12のいずれか一項に記載の多孔質シリカ板体。
- 多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を製造する方法であって、
第一の原料粉として粒径0.03〜3.0mmのシリカ粉を作製する工程と、
第二の原料粉として粒径0.1〜10μmのシリカ粉を作製する工程と、
前記第一の原料粉と、前記第二の原料粉と、水とを含む混合スラリーを作製する工程と、
前記混合スラリーを型枠内で脱水及び乾燥し、多孔質シリカ板体の仮成形体を平行平板状にして作製する仮成形工程と、
前記仮成形体を、不活性ガスを主成分とし、O2ガスを含有する雰囲気にて、1200〜1500℃の温度で、前記仮成形体の両平行平面のうち一方の側から加熱して焼成し、該加熱した側の表面部分のかさ密度がその反対側の表面部分のかさ密度よりも高い多孔質シリカ板体とする焼成工程と
を含むことを特徴とする多孔質シリカ板体の製造方法。 - 多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を製造する方法であって、
第一の原料粉として粒径0.03〜3.0mmのシリカ粉を作製する工程と、
第二の原料粉として粒径0.1〜10μmのシリカ粉を作製する工程と、
前記第一の原料粉と前記第二の原料粉と有機バインダーとを混合させ、混合粉を作製する工程と、
前記混合粉を型枠内に導入し、50〜200℃に加熱して前記有機バインダーを溶融することにより、多孔質シリカ板体の仮成形体を平行平板状にして作製する仮成形工程と、
前記仮成形体を、不活性ガスを主成分とし、O2ガスを含有する雰囲気にて、1200〜1500℃の温度で、前記仮成形体の両平行平面のうち一方の側から加熱して焼成し、該加熱した側の表面部分のかさ密度がその反対側の表面部分のかさ密度よりも高い多孔質シリカ板体とする焼成工程と
を含むことを特徴とする多孔質シリカ板体の製造方法。 - 前記焼成工程の前に、前記仮成形体の両平行平面のうち一方に、溝及び穴の少なくともいずれかを形成し、前記焼成工程において、前記溝及び穴の少なくともいずれかを形成した面の側から加熱して焼成することを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の多孔質シリカ板体の製造方法。
- 前記第一の原料粉、前記第二の原料粉、前記混合スラリー、及び混合粉の少なくとも一つにAl元素を添加することを特徴とする請求項14ないし請求項16のいずれか一項に記載の多孔質シリカ板体の製造方法。
- 少なくとも前記仮成形工程の後に、多結晶シリコンの離型を促進する離型促進剤を、前記仮成形体の両平行平面のうち前記焼成工程において加熱される面とは反対側の面の少なくとも一部に塗布し、乾燥させることによって前記離型促進剤を添加することにより、前記離型促進剤を含有させることを特徴とする請求項14ないし請求項17のいずれか一項に記載の多孔質シリカ板体の製造方法。
- 少なくとも前記焼成工程の後に、多結晶シリコンの離型を促進する離型促進剤を、前記多孔質シリカ板体の両平行平面のうち前記焼成工程において加熱された面とは反対側の面の少なくとも一部に前記離型促進剤を塗布することにより、前記離型促進剤を含有させることを特徴とする請求項14ないし請求項18のいずれか一項に記載の多孔質シリカ板体の製造方法。
- 前記離型促進剤をCa、Sr、Baのいずれか1以上とすることを特徴とする請求項18又は請求項19に記載の多孔質シリカ板体の製造方法。
- 前記混合スラリー又は前記混合粉を作製する前に、前記第二の原料粉から、前記第二の原料粉が集合してなる粒径5〜500μmの顆粒体を作製し、該第二の原料粉の顆粒体を用いて前記混合スラリー又は前記混合粉を作製することを特徴とする請求項14ないし請求項20のいずれか一項に記載の多孔質シリカ板体の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012176871A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-09-13 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器並びに多孔質シリカ板体及びその製造方法 |
JP2012201547A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器並びに多孔質シリカ板体及びその製造方法 |
KR101461163B1 (ko) * | 2013-03-19 | 2014-11-13 | 소스트 주식회사 | 사각형 잉곳 성장 장치 |
WO2023049228A1 (en) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | Momentive Performance Materials Quartz, Inc. | Opaque quartz and method of making the same |
WO2023182348A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 三菱ケミカル株式会社 | 石英部材の製造方法、シリカコーティングの形成方法及び石英製部材表面の平滑化方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05105577A (ja) * | 1990-06-25 | 1993-04-27 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
JP2004131317A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラス部材の強化方法と強化処理した石英ガラスルツボ |
JP2005125380A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Kyocera Corp | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
JP2010083690A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカ容器及びその製造方法 |
JP2010138034A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカ容器及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2010177688A patent/JP5130334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05105577A (ja) * | 1990-06-25 | 1993-04-27 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
JP2004131317A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラス部材の強化方法と強化処理した石英ガラスルツボ |
JP2005125380A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Kyocera Corp | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
JP2010083690A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカ容器及びその製造方法 |
JP2010138034A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカ容器及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012176871A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-09-13 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器並びに多孔質シリカ板体及びその製造方法 |
JP2012201547A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器並びに多孔質シリカ板体及びその製造方法 |
KR101461163B1 (ko) * | 2013-03-19 | 2014-11-13 | 소스트 주식회사 | 사각형 잉곳 성장 장치 |
WO2023049228A1 (en) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | Momentive Performance Materials Quartz, Inc. | Opaque quartz and method of making the same |
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